JPS6156467A - 光発電板 - Google Patents

光発電板

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Publication number
JPS6156467A
JPS6156467A JP59179607A JP17960784A JPS6156467A JP S6156467 A JPS6156467 A JP S6156467A JP 59179607 A JP59179607 A JP 59179607A JP 17960784 A JP17960784 A JP 17960784A JP S6156467 A JPS6156467 A JP S6156467A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
solar cell
photovoltaic
film
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59179607A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Izumo
正雄 出雲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP59179607A priority Critical patent/JPS6156467A/ja
Publication of JPS6156467A publication Critical patent/JPS6156467A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10Semiconductor bodies
    • H10F77/16Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1692Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、光の透過性を何しつつ光発電を得ることが
できる光発電板の構成に関するものである・ 〔従来技術〕 従来、窓ガラス等に入射する光の透過分を調姫するため
には、例え。ば表面にプラスチックフィルムをコーティ
ングしたり、ガラスにII′e、cv等を添那し色ガラ
スにするなどしていたが、これらの方法では単に光を反
射、政乱させるのみで入射する尤のエネルギーkn効に
活用することかで@なかった。又、従来の単結晶や多結
晶の太陽′を池等では光を完全に両断してしまい、窓ガ
ラス等のコーテイング材としては不適でめったO 〔発明の概要〕 この発明に以上の点に鑑みなされたもので、dell[
の表向にアモルファスシリコン太陽′亀池等の所定量の
光を透過する光発電素子の腺を形成せしめることにより
、入射する元エネルギーをより有効に活用できる光発′
1板′f、捉供すること金目的とするものである。
〔発明の実施例〕
アモルファスシリコン(以下a −Siと記す〕太陽電
池のような薄膜構造の太陽電池では、電池としての必要
膜厚は薄く、光の透過が可能でろりめO′IN厚は蒸着
量によって容易に変えられ、ガラス等の透明板のコーテ
イング材として使用できる。
以下に傳暎としてa −81太錫電池を用いた場合の本
発明の一夫施例における元売電板につき詳述する。
一般に地表にふシそそぐ太陽光線の分光特性は波長範囲
が0.8μm〜3μm程度であり、0.5μmの波長に
おいてそのスペクトルの最高強度を示す。このうち我々
の目に感じとれる可視光唄H,rcはぼ0.4μm〜0
.8μmでるる、IL−8i太陽電池の光吸収スペクト
ルは単結晶太陽電池のそれと比べ太陽ふく射スペクトル
が最大強度を示す0.5μmにおいて約10倍の特性を
もっており、可視光域では荷動に作用し、単結晶及及び
多結晶太陽電池においては70〜100μmの膜厚が必
要であるがa −81太陽電池では〜1μmであり、十
分に光を透過させることができる。
また鏡面上に形成しfca −81太陽電池の表面反射
率は80−40%であるが表面に凹凸を与えることによ
り10〜20%に減じることがでさ、さらに工T O、
an Olなどの反射防止fillコーティングすると
0〜5%にでき、入射光は0→100%の範囲で選択で
きる。以上の条件を考慮した構成の例を第1図に、恩ガ
ラスとして用いる場合の構成の例を第2図に示す。
第1図において、IIIは表面に光発光素子としてのI
L −Si太陽電池(21をコーティングした透明板と
してのガラス基板でるる。ここで、”−J太陽電池(2
1ri、外表面から順次、透明4電腺((2a)   
”及び(Be ) ) p層(gb)、tAi(2c)
及びn4(2d)で構成されている一七して、ガラス基
板   1+11とa −81太陽電池(2]とにより
元売電板(3)を構成する・ (4)は入射光、(5)は透過光である。
第2図において、元売電板131は踵屋(6)の窓ガラ
スとして使用されている。
(7)は& −Si太陽電池(2)から電気を取シ出す
際の電極、(8)はその電極(7)ヲ悪の開閉に合わせ
て定食させるためのレール、もしくは伸緬自在憂体等の
萼猟都、(9)はバッテリ+、tlolは辱猟部(8)
とバッテリー(9)とを接続するリード線である。
a −Si太陽電池(2)を表向に形成した場合の尤の
透過5c考えると、前述のよりに、表面反射率rc O
−40%まで変化し、狡面、形状及び透明都電瞑(2a
)を適当に選べば、容易に必要な反射率が遍べる。また
、a−8i太陽電池(2)の光吸収係数αは、入射する
元の波長が0.3μm〜1μmの間IC10〜10 (
yn  )の範囲で変化する。
−万、a−Bl太陽゛成池(21の膜厚はそnぞれ透明
1ts(2a)Aび(2e〕が〜o、aμmspm(2
b)が〜o、 1 μm 、 i層(2C)が〜1.O
μn。
n旙(2d)が〜0.1μmの範囲にあり、a −83
゜太陽1JL@ i21として0.1μm以上の適当な
厚膜を選ぶことができる。可視光@坂におけるa −S
i太陽゛域池f2Jの膜厚と透過光の間係は0.4μm
の波長の尤に対する光吸収係数が8 x 10 (am
  )。
0、5μmの波長の光に対する光吸収係数が、8X 1
G ((3))、O,Sμmの波長の光に対する光吸収
係数が8 x 10 Cm )、 0.7 pmの波長
の光に対する光吸収係数が9 x 10 (c!n)、
 0.8 μmの反灸の光に対する光吸収係数が2.6
 X 10 (α )でるることから、表面の反射率を
5%とした場合、薄膜の膜厚がO,Sμmの時、入射エ
ネルギーの#′]25%が透過し、薄膜の膜厚が0.5
μmの時、入射エネルギーの約20%がamする・さら
に#映の膜厚が1μmVCなると入射光エネルギーの約
10%が透過する。以上のデータを巣8図に示す。
以上のように、ガラス基板Ill上に形成するa−81
太錫畦池(2)の膜厚を変化させることにより、発電効
果と共に〜25%の透過光が得られ、元発亀巣子として
の他、恩ガラスとしても開用でき、入射光の利用効率が
著るしく改善され、さらに従来の太陽電池における問題
点であった設瞳面積の確保も窓ガラスのスペース全周い
ることで解決される。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明し次ように、透明板の表面にアモル
ファスシリコン太陽電池等の所定量の光を透過する光発
電素子の膜を形成せしめたので、入射する元エネルギー
を発電のみならずより有効に活用できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例における光発電板の構成図
、第2図は第1図の光発′亀板を窓ガラスに適用した場
合の構成図、第3図はa−SL太陽延池の光吸収係数等
を示す特性図である。図において、tl)は透明板、(
2)は光発電素子からなる腺、(31は光発電板である
。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示′1  す

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明板の表面に、光発電素子からなり所定量の光
    を透過する膜を形成せしめたことを特徴とする光発電板
  2. (2)光発電素子はアモルファスシリコン太陽電池であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光発電
    板。
  3. (3)透明板はガラス基板からなることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項又は第2項記載の光発電板。
  4. (4)ガラス基板は窓ガラスであることを特徴とする特
    許請求の範囲第3項記載の光発電板。
  5. (5)透明板はプラスチックからなることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項又は第2項記載の光発電板。
JP59179607A 1984-08-28 1984-08-28 光発電板 Pending JPS6156467A (ja)

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JPS6156467A true JPS6156467A (ja) 1986-03-22

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01110450U (ja) * 1988-01-20 1989-07-26
JPH02162215A (ja) * 1988-12-16 1990-06-21 Kimmon Mfg Co Ltd 流量計
JP2006144538A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 General Electric Co <Ge> 太陽エネルギー変換器を含む建築部材および屋根葺き材

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01110450U (ja) * 1988-01-20 1989-07-26
JPH02162215A (ja) * 1988-12-16 1990-06-21 Kimmon Mfg Co Ltd 流量計
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