JPS61573A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS61573A JPS61573A JP11988484A JP11988484A JPS61573A JP S61573 A JPS61573 A JP S61573A JP 11988484 A JP11988484 A JP 11988484A JP 11988484 A JP11988484 A JP 11988484A JP S61573 A JPS61573 A JP S61573A
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- pressure
- gas
- chamber
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- Pending
Links
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 45
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスパッタ装置に関し、特にその排気系の改良に
関する。
関する。
スパッタ決は、スパッタチャンバーにイオン化用のガス
を導入してこれをイオン化し、成膜すべき物質より成る
ターゲットにこのイオン化ガスを衝撃して成膜物質の分
子または原子をスパッタし、これを基板面へ付着させる
ことから成る成膜方法である。導入ガス圧は成膜物質、
導入ガスの種類等に応じて調整する必要がある。
を導入してこれをイオン化し、成膜すべき物質より成る
ターゲットにこのイオン化ガスを衝撃して成膜物質の分
子または原子をスパッタし、これを基板面へ付着させる
ことから成る成膜方法である。導入ガス圧は成膜物質、
導入ガスの種類等に応じて調整する必要がある。
従来のスパッタ装置は、排気系の能力を固定しているた
め、スパッタ導入ガスの流量又は圧力を変えてスパッタ
時の調圧を行なっていた。しかし、この方法では中間流
領域（１０”” 〜１０−’Ｔｏｒｒ）ノスパツタガス
圧ではガスの流れの方向が乱れて膜質を良好にすること
ができなかった。又、別な方法として可変オリアイスを
排気系に挿入して排気能力を調整する方法があるが、こ
の方法も基本的には能力の変動範囲が限定されるため、
導入ガスの圧力または流量を変えざるを得す、同様な問
題を生じた。スパッタは通常１０−！〜１０ ”−’
Ｔｏｒｒの範囲のガス圧で実行されるが、この範囲内で
所望のガス圧への調圧を行なうと、従来法では上記のよ
うに流れのパターンが変ってしまい、またガスのよどみ
個所などが発生して膜の特性や均一性に問題を生じたの
である。
め、スパッタ導入ガスの流量又は圧力を変えてスパッタ
時の調圧を行なっていた。しかし、この方法では中間流
領域（１０”” 〜１０−’Ｔｏｒｒ）ノスパツタガス
圧ではガスの流れの方向が乱れて膜質を良好にすること
ができなかった。又、別な方法として可変オリアイスを
排気系に挿入して排気能力を調整する方法があるが、こ
の方法も基本的には能力の変動範囲が限定されるため、
導入ガスの圧力または流量を変えざるを得す、同様な問
題を生じた。スパッタは通常１０−！〜１０ ”−’
Ｔｏｒｒの範囲のガス圧で実行されるが、この範囲内で
所望のガス圧への調圧を行なうと、従来法では上記のよ
うに流れのパターンが変ってしまい、またガスのよどみ
個所などが発生して膜の特性や均一性に問題を生じたの
である。
本発明は、イオン化ガス形成用のガス圧が一様に調整で
き、すぐれた成膜を行なうことができるスパッタ装置を
提供することを目的とする。
き、すぐれた成膜を行なうことができるスパッタ装置を
提供することを目的とする。
本発明は、イオン化ガス形成用のガス導入口を有するス
パッタチャンバーの排気系をターボポンプを有する第１
排気路と、クライオポンプを有する第２排気路とを並列
に形成し各々に可変オリフィスを付は一定流量の導入ガ
スと残留ガスの比を変えずにスパッタガス圧を調整でき
ることを特徴とするスパッタ装置である。
パッタチャンバーの排気系をターボポンプを有する第１
排気路と、クライオポンプを有する第２排気路とを並列
に形成し各々に可変オリフィスを付は一定流量の導入ガ
スと残留ガスの比を変えずにスパッタガス圧を調整でき
ることを特徴とするスパッタ装置である。
４ 本発明によると、中間流領域に対しても
十分な排気能力が得られ、これら両排気路をスパッタ操
作中に併用することによりクライオポンプの寿命導入し
ながらスパッタ時の圧力を排気系の制御により調整する
ことができる。従って、導入ガスの圧力や流量の変動が
原因となるガスの流動方向の変化やよどみの発生が無く
その圧力を調整できるので、生成されるスパッタ膜の膜
質及び膜分布の均一性を向上させることができる。
十分な排気能力が得られ、これら両排気路をスパッタ操
作中に併用することによりクライオポンプの寿命導入し
ながらスパッタ時の圧力を排気系の制御により調整する
ことができる。従って、導入ガスの圧力や流量の変動が
原因となるガスの流動方向の変化やよどみの発生が無く
その圧力を調整できるので、生成されるスパッタ膜の膜
質及び膜分布の均一性を向上させることができる。
第１図は本発明の実施例によるスパッタ装置を示す。ス
パッタ装置は２極または多極のＤＣまたはＲＦスパッタ
装置等任意のものでありうる。気密スパッタチャンバー
１は所定の型式のもので２はターゲット、３は基板ホル
ダーであり、チャンバー１にはアルゴンガス等所定のス
パッタガス（イオン化ガス形成用のガス）導入口４が設
けてあり、ガスは弁５を経て図示しないガス源に接続さ
れている。
パッタ装置は２極または多極のＤＣまたはＲＦスパッタ
装置等任意のものでありうる。気密スパッタチャンバー
１は所定の型式のもので２はターゲット、３は基板ホル
ダーであり、チャンバー１にはアルゴンガス等所定のス
パッタガス（イオン化ガス形成用のガス）導入口４が設
けてあり、ガスは弁５を経て図示しないガス源に接続さ
れている。
スパッタチャンバー１の排気口にはゲートバルブ６を介
して排気ダクト１が接続されており、また必要に応じて
ダクト７内にはコールドトラップ（液化Ｎｔ等）８が配
置されている。コールドトラップ８は主に逆流防止用で
あり、またある程度の排気能を有する。排気ダクト７の
排気側は２つに分肢しており、一方はゲートパルプ９と
可変オリフィス１１を介してターボポンプ１０に、他方
は可変オリフィス１２及びゲートバルブ１５を介してク
ライオポンプ１４に接続されている。ターボポンプ１０
はライン１５を介して口〒タリボンプ１７に接続され、
またクライオポンプ１４はライン１６を介してロータリ
ポンプ１７に接続されている。
して排気ダクト１が接続されており、また必要に応じて
ダクト７内にはコールドトラップ（液化Ｎｔ等）８が配
置されている。コールドトラップ８は主に逆流防止用で
あり、またある程度の排気能を有する。排気ダクト７の
排気側は２つに分肢しており、一方はゲートパルプ９と
可変オリフィス１１を介してターボポンプ１０に、他方
は可変オリフィス１２及びゲートバルブ１５を介してク
ライオポンプ１４に接続されている。ターボポンプ１０
はライン１５を介して口〒タリボンプ１７に接続され、
またクライオポンプ１４はライン１６を介してロータリ
ポンプ１７に接続されている。
ターボポンプ１０、ライン１５及びロータリポンプ１７
を含む排気系はチャンバー１の全期間の排気を受持つ。
を含む排気系はチャンバー１の全期間の排気を受持つ。
クライオポンプ１４を含む排％、１は高真空の達成とス
パッタガス導入による中間流領域でのスパッタ動作中に
使用される。ターボポンプ及びクライオポンプの容量の
１例を述べれば、チャンバー１の容積が８００ｃｍ”な
らばそれぞれ５ｔｏｚ／分、２６００ｔ／秒などの能力
を有するものを用いうる。
パッタガス導入による中間流領域でのスパッタ動作中に
使用される。ターボポンプ及びクライオポンプの容量の
１例を述べれば、チャンバー１の容積が８００ｃｍ”な
らばそれぞれ５ｔｏｚ／分、２６００ｔ／秒などの能力
を有するものを用いうる。
スパッタチャンバー１を十分に排気した後、弁５を開い
て一定流量のアルゴンガスを導入する。
て一定流量のアルゴンガスを導入する。
排気系は２系統が共に用いられる。ターボポンプ１０を
含む系椰は中間流領域におけるチャンバー１の圧力を大
体所定の値に定める。クライオポンプ１４を含む系統は
可変パルプ１２を調整することによりチャンバー１内の
圧力を調整して所定のスパッタ圧力を確立する。ターボ
ポンプ１０の前にある可変オリフィス１１を調整してさ
らに精細な調圧を行なう。
含む系椰は中間流領域におけるチャンバー１の圧力を大
体所定の値に定める。クライオポンプ１４を含む系統は
可変パルプ１２を調整することによりチャンバー１内の
圧力を調整して所定のスパッタ圧力を確立する。ターボ
ポンプ１０の前にある可変オリフィス１１を調整してさ
らに精細な調圧を行なう。
本発明による著しい作用効果は、導入ガスの流量や導入
圧力を変える必要がなく、単に排気系、特にクライオポ
ンプ１４を調整することによりチャンバー１内の所定圧
力が達成できることにある。
圧力を変える必要がなく、単に排気系、特にクライオポ
ンプ１４を調整することによりチャンバー１内の所定圧
力が達成できることにある。
導入ガスの流量は一定であるから排気能力を変えること
によりスパッタガスの流速と圧力が変化するものであり
、これによりスパッタガスの流動パターンは実質的に変
化せず、スパッタにより形成される膜の特性及び膜質は
均一になる。また、りライオポンプは高真空側で初めて
作動されるから、その排気能力は長時間にわたって保持
することができる。さらに、本発明によると、ガス圧力
を調整できる範囲が従来よりも広範囲となりスパッタ条
件制御が容易になる。
によりスパッタガスの流速と圧力が変化するものであり
、これによりスパッタガスの流動パターンは実質的に変
化せず、スパッタにより形成される膜の特性及び膜質は
均一になる。また、りライオポンプは高真空側で初めて
作動されるから、その排気能力は長時間にわたって保持
することができる。さらに、本発明によると、ガス圧力
を調整できる範囲が従来よりも広範囲となりスパッタ条
件制御が容易になる。
これに対して、可変オリアイスとターボポンプ、又は可
変オリアイスとクライオポンプを有する排気系を備えた
スパッタ装置を用いる場合には、一定流量の導入ガスに
対して可変オリフィスを変化させて排気能力を変えるた
め、残留ガス分圧に対する導入ガス分圧の比率が変化し
、無視できなくなり、膜組成に変化を生じる。このよう
な変化をさけるために入力ガス量を変化させると今度は
チャンバー内での流動パターンが変化してやはり膜質が
変化する。本発明の装置ではこのような問題がなく、基
本排気系すなわちターボポンプ系での排気能力を変化さ
せずにクライオポンプ側の可変オリフィスを変化させる
のみモ圧力の調整ができ４ るので、十分排気
能力にゆとりがあり、可変オリフィスによる能力変化に
対して残留ガス分圧と導入ガス分圧の比率も可変オリア
イス分しか変化しないので十分無視できる程度である。
変オリアイスとクライオポンプを有する排気系を備えた
スパッタ装置を用いる場合には、一定流量の導入ガスに
対して可変オリフィスを変化させて排気能力を変えるた
め、残留ガス分圧に対する導入ガス分圧の比率が変化し
、無視できなくなり、膜組成に変化を生じる。このよう
な変化をさけるために入力ガス量を変化させると今度は
チャンバー内での流動パターンが変化してやはり膜質が
変化する。本発明の装置ではこのような問題がなく、基
本排気系すなわちターボポンプ系での排気能力を変化さ
せずにクライオポンプ側の可変オリフィスを変化させる
のみモ圧力の調整ができ４ るので、十分排気
能力にゆとりがあり、可変オリフィスによる能力変化に
対して残留ガス分圧と導入ガス分圧の比率も可変オリア
イス分しか変化しないので十分無視できる程度である。
例えば、水の分圧を測定したところ、従来の排気系と本
発明の排気系ではそれぞれ第２図及び第３図の結果が得
られ、大きな差異が生じた。
発明の排気系ではそれぞれ第２図及び第３図の結果が得
られ、大きな差異が生じた。
第１図は本発明のスパッタ装置を示す図、第２図は従来
のスパッタ装置の排気特性を示すグラフ及び第３図は本
発明のスパッタ装置の排気特性を示すグラフである。 １ニスバツタチヤンバー ２：ターゲット ３：基板ホルダ ４：ガス導入口 ６．９．１６；ゲートバルブ ７：排気ダクト １０：ターボポンプ １１：可変オリフィス １２：可動バルブ １４：クライオポンプ １７：ロータリポンプ ＼−し−〆
のスパッタ装置の排気特性を示すグラフ及び第３図は本
発明のスパッタ装置の排気特性を示すグラフである。 １ニスバツタチヤンバー ２：ターゲット ３：基板ホルダ ４：ガス導入口 ６．９．１６；ゲートバルブ ７：排気ダクト １０：ターボポンプ １１：可変オリフィス １２：可動バルブ １４：クライオポンプ １７：ロータリポンプ ＼−し−〆
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一定流量のイオン化ガス形成用のガス導入口を有す
るスパッタチャンバーと、該チャンバーを排気する排気
系とを有するスパッタ装置において、前記排気系はター
ボポンプを有する第１排気路と、クライオポンプを有す
る第２排気路を並列に有することを特徴とするスパッタ
装置。 ２、イオン化ガスの流路を変えずその個数を変化させて
ガス圧を調整できるようにした前記第１項記載のスパッ
タ装置 ３、イオン化ガスの圧力と残留（放出）ガスの比を一定
のまま圧力を変える排気系を有する第１項記載のスパッ
タ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988484A JPS61573A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11988484A JPS61573A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61573A true JPS61573A (ja) | 1986-01-06 |
Family
ID=14772616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11988484A Pending JPS61573A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61573A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7281854B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-10-16 | Taiho Kogyo Co., Ltd. | Oil-feeding device for an engine crankshaft |
| US8714824B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-05-06 | Daido Metal Company Ltd. | Bearing apparatus for crankshaft of internal combustion engine |
| US8876391B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-11-04 | Daido Metal Company Ltd. | Main bearing for crankshaft of internal combustion engine |
| US8905639B2 (en) | 2012-01-17 | 2014-12-09 | Daido Metal Company Ltd. | Main bearing for crankshaft of internal combustion engine |
| CN110027975A (zh) * | 2018-01-12 | 2019-07-19 | 奥的斯电梯公司 | 门操作控制器 |
| CN111455332A (zh) * | 2019-09-03 | 2020-07-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射腔室 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP11988484A patent/JPS61573A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7281854B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-10-16 | Taiho Kogyo Co., Ltd. | Oil-feeding device for an engine crankshaft |
| US8876391B2 (en) | 2011-12-16 | 2014-11-04 | Daido Metal Company Ltd. | Main bearing for crankshaft of internal combustion engine |
| US8905639B2 (en) | 2012-01-17 | 2014-12-09 | Daido Metal Company Ltd. | Main bearing for crankshaft of internal combustion engine |
| US8714824B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-05-06 | Daido Metal Company Ltd. | Bearing apparatus for crankshaft of internal combustion engine |
| CN110027975A (zh) * | 2018-01-12 | 2019-07-19 | 奥的斯电梯公司 | 门操作控制器 |
| CN111455332A (zh) * | 2019-09-03 | 2020-07-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 溅射腔室 |
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