JPS6160782A - 蓄積型液晶組成物 - Google Patents
蓄積型液晶組成物Info
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- JPS6160782A JPS6160782A JP59180633A JP18063384A JPS6160782A JP S6160782 A JPS6160782 A JP S6160782A JP 59180633 A JP59180633 A JP 59180633A JP 18063384 A JP18063384 A JP 18063384A JP S6160782 A JPS6160782 A JP S6160782A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13731—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on a field-induced phase transition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蓄積型液晶組成物に関する。本発明は、さら
に詳しく述べると、正の誘電率異方性を示すコレステリ
ック−ネマティック相転移形の蓄積型液晶組成物に関す
る。この液晶組成物を用いて製作され九蓄積屋液晶表示
素子は、驚くべきことに、速い書き込みができるのでキ
ーが一ド入力が可能であり、しかもＣＲＴ （ブラウン
管）などのように大容量表示が可能である。
に詳しく述べると、正の誘電率異方性を示すコレステリ
ック−ネマティック相転移形の蓄積型液晶組成物に関す
る。この液晶組成物を用いて製作され九蓄積屋液晶表示
素子は、驚くべきことに、速い書き込みができるのでキ
ーが一ド入力が可能であり、しかもＣＲＴ （ブラウン
管）などのように大容量表示が可能である。
従来のＸＹ単純ドツトマトリクス型液晶表示素子として
、ＤＳＭ （ｄｙｎａｍｉｃ ５ｃａｔｔ＠ｒｉｎｇ
ｍｏｄｅ）方式、Ｔ−Ｎ （ｔｗｉｓｔｅｄ ｎ＠ｍａ
ｔｉｅ ）方式、蓄積里方式などが公知である。これら
の方式のうち、本発明に係る蓄積型方式は、ＤＳＭ方式
、そしてＴＮ方式の改良タイプとして開発されたもので
ある。
、ＤＳＭ （ｄｙｎａｍｉｃ ５ｃａｔｔ＠ｒｉｎｇ
ｍｏｄｅ）方式、Ｔ−Ｎ （ｔｗｉｓｔｅｄ ｎ＠ｍａ
ｔｉｅ ）方式、蓄積里方式などが公知である。これら
の方式のうち、本発明に係る蓄積型方式は、ＤＳＭ方式
、そしてＴＮ方式の改良タイプとして開発されたもので
ある。
周知の通ｐ１液晶表示素子は、刃型フラットタイプ、低
消費電力という特徴から、オフィス・オートメーション
（ＯＡン用などの大容量表示ディスプレイへの期待が高
まっている。しかしながら、上記し九ＤＳＭ方式の液晶
表示素子は、表示容量の増大、すなわち、駆動のための
走査線の増加に伴なりてクロストークを発生すること、
そして液晶のカットオフ周波数が低いことによる制限か
ら、大容量表示が不可能である。さらに、現在液晶表示
の主流となっているＴＮ型液晶表示素子は、液晶の立ち
上り特性が急峻でないために、大容量のドツトマトリク
ス表示を行なおうとすると、表示しない点（非表示点）
まで半表示の状態、すなわち、クロストークを生じてし
まい、大容量表示をすることができない。さらに、この
タイプの液晶表示素子では、大容量の表示を行なおうと
すると視認角度が大幅に制限されてしまい、コントラス
トが極端に低下してしまう。このような欠点を補うべく
多重マトリクス化などの努力が払われているというもの
の、このＴＮ型表示素子は、走査線の増加とともに視認
角度の範囲が狭まるという大型固定ディスプレイに致命
的な欠点を克服することができない。
消費電力という特徴から、オフィス・オートメーション
（ＯＡン用などの大容量表示ディスプレイへの期待が高
まっている。しかしながら、上記し九ＤＳＭ方式の液晶
表示素子は、表示容量の増大、すなわち、駆動のための
走査線の増加に伴なりてクロストークを発生すること、
そして液晶のカットオフ周波数が低いことによる制限か
ら、大容量表示が不可能である。さらに、現在液晶表示
の主流となっているＴＮ型液晶表示素子は、液晶の立ち
上り特性が急峻でないために、大容量のドツトマトリク
ス表示を行なおうとすると、表示しない点（非表示点）
まで半表示の状態、すなわち、クロストークを生じてし
まい、大容量表示をすることができない。さらに、この
タイプの液晶表示素子では、大容量の表示を行なおうと
すると視認角度が大幅に制限されてしまい、コントラス
トが極端に低下してしまう。このような欠点を補うべく
多重マトリクス化などの努力が払われているというもの
の、このＴＮ型表示素子は、走査線の増加とともに視認
角度の範囲が狭まるという大型固定ディスプレイに致命
的な欠点を克服することができない。
このような状況の下において、先ず、線順次走査におけ
るクロストークという液晶にとって避けられない現象を
打破しかつ大容量表示を可能とするために、走査線本数
５００本程鹿の大容量表示が可能である蓄積型液晶表示
素子が開発された。
るクロストークという液晶にとって避けられない現象を
打破しかつ大容量表示を可能とするために、走査線本数
５００本程鹿の大容量表示が可能である蓄積型液晶表示
素子が開発された。
この液晶表示素子は、液晶の有する記憶効果のために、
−回の電圧印加のみで、走査をして書き込んだ情報（表
示）ｔ−電圧除去後もそのまま蓄積状態で保持し得るこ
とが特徴である。しかし、この表示素子は、両状態とも
にコレステリック相であるグランシニアン状態とフォー
カルコニック状態の間で表示を行なうため、コントラス
トがとれないという欠点があうた。この表示素子はまた
、情報の書き換えを行ないたい場合、再度電圧を印加し
て情報を消去してからでないと書き込みを行なうことが
できず、この初期状態にもっていくのに約５０〜３００
ｍ秒を必要とする。この素子は、したがって、タイゲイ
ンやスクロールの際にｆｘ雑な作業と非常に長い作業時
間を必要とするので、０人用として従来のＣＲ’ｒなど
と同様な使い方をすることができない。
−回の電圧印加のみで、走査をして書き込んだ情報（表
示）ｔ−電圧除去後もそのまま蓄積状態で保持し得るこ
とが特徴である。しかし、この表示素子は、両状態とも
にコレステリック相であるグランシニアン状態とフォー
カルコニック状態の間で表示を行なうため、コントラス
トがとれないという欠点があうた。この表示素子はまた
、情報の書き換えを行ないたい場合、再度電圧を印加し
て情報を消去してからでないと書き込みを行なうことが
できず、この初期状態にもっていくのに約５０〜３００
ｍ秒を必要とする。この素子は、したがって、タイゲイ
ンやスクロールの際にｆｘ雑な作業と非常に長い作業時
間を必要とするので、０人用として従来のＣＲ’ｒなど
と同様な使い方をすることができない。
次いで、大容量表示が可能な蓄積型液晶表示素子へのキ
ーゲート入力を可能とする几めに、液晶の駆動方法を変
更することが本発明者らによって見い出された。本発明
者らの開発した方法は、例えば特願昭５９−３５１１４
号明細書に開示されるように、コレステリック相である
７オーカル；二、り状態とネマティ、り相であるホメオ
トロピック状態との間で偏光板を用いて表示を行なうボ
ッ表示リフレ、シ、蓄積型液晶表示方法である。この方
法は、液晶をリフレッシ、駆動すること、すなわち、液
晶に絶えず電圧を印加しながら、情報ｆｔ書き込む時だ
け液晶の記憶効果を利用して書き込みを行゛ない、その
後、情報をそのまま保持するために絶えずリフレッシュ
電圧を印加し、書き込み九い時にキーゲートを打つこと
からなっている。
ーゲート入力を可能とする几めに、液晶の駆動方法を変
更することが本発明者らによって見い出された。本発明
者らの開発した方法は、例えば特願昭５９−３５１１４
号明細書に開示されるように、コレステリック相である
７オーカル；二、り状態とネマティ、り相であるホメオ
トロピック状態との間で偏光板を用いて表示を行なうボ
ッ表示リフレ、シ、蓄積型液晶表示方法である。この方
法は、液晶をリフレッシ、駆動すること、すなわち、液
晶に絶えず電圧を印加しながら、情報ｆｔ書き込む時だ
け液晶の記憶効果を利用して書き込みを行゛ない、その
後、情報をそのまま保持するために絶えずリフレッシュ
電圧を印加し、書き込み九い時にキーゲートを打つこと
からなっている。
この方法によれば、蓄積型液晶表示素子が有する大容量
表示の可能性に加えて、高いコントラスト、そしてキー
デート対応の可能性を示す速い書き換え速度を得ること
ができる。但し、この方法の場合、す７レツシ、駆動に
伴って発生するフリッカを防止することができず、した
がって、安定した美しい表示画像を形成することができ
ない。
表示の可能性に加えて、高いコントラスト、そしてキー
デート対応の可能性を示す速い書き換え速度を得ること
ができる。但し、この方法の場合、す７レツシ、駆動に
伴って発生するフリッカを防止することができず、した
がって、安定した美しい表示画像を形成することができ
ない。
最近、本発明者らは、上述のフリッカの問題を伴なわな
い新駆動方法によるｒｉ積製型液晶表示素子発明した（
例えば特願昭５９−００９６６号明細書参照）。この表
示素子は、添付の第６図にヒステリシス曲線Ｉとして示
される通シ、保持電圧Ｖｄの印加によフ２つの光学的状
態、すなわち、フォーカルコニック状ＬＭ（Ｆ；白濁状
態）及びホメオトロピック状態（Ｈ′；透明）をとらせ
、情報の書き込み後に一定の電圧Ｖｄを保持電圧として
加えることによりその情報を表示するものである。この
新駆動方法による蓄積型液晶表示素子は、大容量表示が
可能でかつキーデート対応も可能であり、極めて有用で
ある。
い新駆動方法によるｒｉ積製型液晶表示素子発明した（
例えば特願昭５９−００９６６号明細書参照）。この表
示素子は、添付の第６図にヒステリシス曲線Ｉとして示
される通シ、保持電圧Ｖｄの印加によフ２つの光学的状
態、すなわち、フォーカルコニック状ＬＭ（Ｆ；白濁状
態）及びホメオトロピック状態（Ｈ′；透明）をとらせ
、情報の書き込み後に一定の電圧Ｖｄを保持電圧として
加えることによりその情報を表示するものである。この
新駆動方法による蓄積型液晶表示素子は、大容量表示が
可能でかつキーデート対応も可能であり、極めて有用で
ある。
上記した新駆動方法による蓄積型液晶表示素子は、しか
しながら、使用している液晶材料に原因するものと考え
られるが、保持電圧Ｖｄで安定なホメオトロピック状態
（Ｈ’）ｔ−とることができないという欠点を有する。
しながら、使用している液晶材料に原因するものと考え
られるが、保持電圧Ｖｄで安定なホメオトロピック状態
（Ｈ’）ｔ−とることができないという欠点を有する。
実際、電圧ｖｄの印加にょるＨ状態、すなわち、Ｈ′状
態は準安定な状態でしかなく、し友がって、たとえ電圧
ｖｄ金印加したとしても、周囲の湿度などの影響を受け
て液晶材料の特性が変化することの結果、約２０〜３０
秒後にはＦ状態に移行し、光学的状態が変化してしまう
。
態は準安定な状態でしかなく、し友がって、たとえ電圧
ｖｄ金印加したとしても、周囲の湿度などの影響を受け
て液晶材料の特性が変化することの結果、約２０〜３０
秒後にはＦ状態に移行し、光学的状態が変化してしまう
。
そのために、今、Ｈ’状態の安定化を計り得る、キー＆
−ド対応可能でかつ大容量表示が可能な液晶表示を実現
できる特性を有する蓄積型液晶組成物を提供することが
望まれている。
−ド対応可能でかつ大容量表示が可能な液晶表示を実現
できる特性を有する蓄積型液晶組成物を提供することが
望まれている。
上記した問題点は、本発明によれば、正の誘電率異方性
を示すコレステリック−ネマティック相転移形の蓄積型
液晶組成物であって、エタン系液晶化合物、ビシクロへ
中サン系液晶化合物及びエステル系液晶化合物からなる
群から選らばれた少なくとも１種類の液晶化合物と、少
なくとも１ｍ類のカイラルネマティック液晶化合物とを
組み合わせて含んでなること全特徴とする蓄積型液晶組
成物によって解決することができる。
を示すコレステリック−ネマティック相転移形の蓄積型
液晶組成物であって、エタン系液晶化合物、ビシクロへ
中サン系液晶化合物及びエステル系液晶化合物からなる
群から選らばれた少なくとも１種類の液晶化合物と、少
なくとも１ｍ類のカイラルネマティック液晶化合物とを
組み合わせて含んでなること全特徴とする蓄積型液晶組
成物によって解決することができる。
本発明者らは、この本発明を完成するに先がけて、Ｈ′
状態の安定化を計るべく研究を重ねた。その結果、第１
図に示すコレステリック−ネマティック混合液晶のヒス
テリシス曲線工の電圧ヒステリシス幅（ΔＶ）の拡大が
Ｈ′状態の安定化に有効であるという知見を得た。すな
わち、ΔＶを拡大して保持電圧ｖｄヲ設定できる電圧幅
を広くすると電圧ｖｄをより高電圧側に設定することが
でき、また、電圧ｖｄｔ−より高く設定することによっ
て、Ｈ′状態を安定化し、Ｈ′状態のＦ状態への移行を
阻止することができる。
状態の安定化を計るべく研究を重ねた。その結果、第１
図に示すコレステリック−ネマティック混合液晶のヒス
テリシス曲線工の電圧ヒステリシス幅（ΔＶ）の拡大が
Ｈ′状態の安定化に有効であるという知見を得た。すな
わち、ΔＶを拡大して保持電圧ｖｄヲ設定できる電圧幅
を広くすると電圧ｖｄをより高電圧側に設定することが
でき、また、電圧ｖｄｔ−より高く設定することによっ
て、Ｈ′状態を安定化し、Ｈ′状態のＦ状態への移行を
阻止することができる。
本発明者らは、さらに、電圧ヒステリシス幅（ΔＶ）の
拡大を保証し得る液晶材料の研究を試みるうちに、液晶
材料を構成する化合物の分子構造とΔＶとの間には一定
のルールがあり、ある特定の形の分子構造に限って大き
なΔＶを呈するという知見を得た。本発明者らは、いろ
いろなタイプの液晶材料をチェックした結果、上記した
ように、環構造と環構造の中間にエチレン結合−〇Ｈ２
ＯＨｇ−ｔ−液晶化合物及び分子構造中にエステル結合
を有するエステル系液晶化合物からなる鮮から選らばれ
た少なくとも１種類の液晶化合物と、少なくとも１種類
のカイラルネマチック液晶化合物とを組み合わせること
によって前記ΔＶの著しい拡大を達成し得るということ
を見い出した。
拡大を保証し得る液晶材料の研究を試みるうちに、液晶
材料を構成する化合物の分子構造とΔＶとの間には一定
のルールがあり、ある特定の形の分子構造に限って大き
なΔＶを呈するという知見を得た。本発明者らは、いろ
いろなタイプの液晶材料をチェックした結果、上記した
ように、環構造と環構造の中間にエチレン結合−〇Ｈ２
ＯＨｇ−ｔ−液晶化合物及び分子構造中にエステル結合
を有するエステル系液晶化合物からなる鮮から選らばれ
た少なくとも１種類の液晶化合物と、少なくとも１種類
のカイラルネマチック液晶化合物とを組み合わせること
によって前記ΔＶの著しい拡大を達成し得るということ
を見い出した。
本発明の実施において有用なエタン系液晶化合物は、例
えば、次のようなものである：その他。このような液晶
化合物は、液晶組成物の全ｆを基準にして、１０〜７０
ｉ量チ、好ましくは１０〜４０重量％の量で有利に使用
することができる。この化合物の量は、多ければ多いほ
ど前記ΔＶｆ拡大し得るというものの、粘度の過度の上
昇を抑制しかつ液晶を示す範囲であるメゾレンジを確保
することを考慮した場合、上記規定の範囲が最も好まし
い。以下に述べる３種類の液晶化合物にもまたこのこと
が言える。
えば、次のようなものである：その他。このような液晶
化合物は、液晶組成物の全ｆを基準にして、１０〜７０
ｉ量チ、好ましくは１０〜４０重量％の量で有利に使用
することができる。この化合物の量は、多ければ多いほ
ど前記ΔＶｆ拡大し得るというものの、粘度の過度の上
昇を抑制しかつ液晶を示す範囲であるメゾレンジを確保
することを考慮した場合、上記規定の範囲が最も好まし
い。以下に述べる３種類の液晶化合物にもまたこのこと
が言える。
本発明の実施例において有用なビシクロヘキサン系液晶
化合物は、例えば、次のようなものである： その他。このような液晶化合物は、液晶組成物の全量を
基準にして、１０〜６０重量％、好ましくは２０〜４０
重量％の量で有利に使用することができる。
化合物は、例えば、次のようなものである： その他。このような液晶化合物は、液晶組成物の全量を
基準にして、１０〜６０重量％、好ましくは２０〜４０
重量％の量で有利に使用することができる。
さらに、本発明の実施において有用なエステル系液晶化
合物は、例えば、次のようなものである：その他。この
ような液晶化合物は、液晶組成物の全量を基準にして、
１５〜８５重量％、好ましくは２０〜５５重量％の量で
有利に使用することができる。
合物は、例えば、次のようなものである：その他。この
ような液晶化合物は、液晶組成物の全量を基準にして、
１５〜８５重量％、好ましくは２０〜５５重量％の量で
有利に使用することができる。
さらに、本発明の実施において有用なカイラルＨ５
このような液晶化合物は、液晶組成物の全量ｔ−基準に
して、８〜４０重量％、好ましくは１０〜３０３！ｉ［
の量で有利に使用することができる。
して、８〜４０重量％、好ましくは１０〜３０３！ｉ［
の量で有利に使用することができる。
なお、もしもコレステリ、り相である蓄積型液晶表示素
子を調製するのであるならば、カイラルネマティ、り液
晶化合物はコレステリック液晶であるので、上記の量ｙ
ｆｃ４〜８０重量％としなければならない。
子を調製するのであるならば、カイラルネマティ、り液
晶化合物はコレステリック液晶であるので、上記の量ｙ
ｆｃ４〜８０重量％としなければならない。
本発明の実施において、必要ならば、以下の実施例にお
いても実際に用いられているけれども、常用のビフェニ
ル系液晶化合物、７クロヘキサ／基液晶化合物などを補
助的に併用することも可能である。このような補助液晶
化合物は、本発明による液晶組成物の奏する効果をさら
に助長して、ΔＶ’（拡大しかつ書き込み速度を速め、
メゾレンジを拡げ、駆動電圧を低下させ、そしてコント
ラスト比を上昇させるであろう。
いても実際に用いられているけれども、常用のビフェニ
ル系液晶化合物、７クロヘキサ／基液晶化合物などを補
助的に併用することも可能である。このような補助液晶
化合物は、本発明による液晶組成物の奏する効果をさら
に助長して、ΔＶ’（拡大しかつ書き込み速度を速め、
メゾレンジを拡げ、駆動電圧を低下させ、そしてコント
ラスト比を上昇させるであろう。
上記したような液晶化合物の組み合わせにより調製した
蓄積型液晶表示素子を用いて、本発明によれば、以下に
示す駆動原理にしたがって液晶表示を行なうことができ
る： 本発明による液晶表示素子の駆動原理は、先の第１図の
説明からも理解されるように１基本的には従来の蓄積型
液晶表示素子の駆動原理と同様であり、コレステリック
−ネマティックの相転移現象を利用して行なう。
蓄積型液晶表示素子を用いて、本発明によれば、以下に
示す駆動原理にしたがって液晶表示を行なうことができ
る： 本発明による液晶表示素子の駆動原理は、先の第１図の
説明からも理解されるように１基本的には従来の蓄積型
液晶表示素子の駆動原理と同様であり、コレステリック
−ネマティックの相転移現象を利用して行なう。
最初、液晶表示素子のＸＹマトリクスの全電極間にＶ’
Ｈ（＝ ２Ｖｄ ） Ｋ相当する電圧を印加し、液晶１
をネマティック相であるＨ状態にする（第１図゛ 及
び第２ｂ図参照）。■状態では、第２ｂ図に示すように
、全ての液晶分子が電界方向と同じ方向、すなわち、基
板２及び３に垂直となっており、偏光板４ｔ−通過し九
人射光６は偏光角を変えずに次の偏光板５に達する。と
ころが、ここでは、偏光角が９０°異なるため、光が透
過せず、暗状態となる。
Ｈ（＝ ２Ｖｄ ） Ｋ相当する電圧を印加し、液晶１
をネマティック相であるＨ状態にする（第１図゛ 及
び第２ｂ図参照）。■状態では、第２ｂ図に示すように
、全ての液晶分子が電界方向と同じ方向、すなわち、基
板２及び３に垂直となっており、偏光板４ｔ−通過し九
人射光６は偏光角を変えずに次の偏光板５に達する。と
ころが、ここでは、偏光角が９０°異なるため、光が透
過せず、暗状態となる。
この暗状態の液晶１は、電圧上ゼロにした場合、Ｍ１図
及び第２ａ図に示されるようにコレステリック相である
Ｆ０状態となる。一度Ｆ０状態となっ九液晶１は、再度
保持電圧であるＶｄが印加されても、光学的にＦｏと同
じであるＦ状態となる。Ｆｏ及びＦ、状態では、液晶１
はラセン構造？とる。入射光６は、このラセンによって
旋光あるいは散乱されて、第２１図の偏光板５を通過す
る光の成分が生じ、明状態となる。
及び第２ａ図に示されるようにコレステリック相である
Ｆ０状態となる。一度Ｆ０状態となっ九液晶１は、再度
保持電圧であるＶｄが印加されても、光学的にＦｏと同
じであるＦ状態となる。Ｆｏ及びＦ、状態では、液晶１
はラセン構造？とる。入射光６は、このラセンによって
旋光あるいは散乱されて、第２１図の偏光板５を通過す
る光の成分が生じ、明状態となる。
一方、最初の状態であるＨ状態は、印加電圧をｚｖｄ（
＝ｖｍ）からＶｄに下げても、ヒステリシスによ！ｌＨ
状態を保つことができる。ここでは、ｖＨが印加されて
いる■状態と区別する几めに、ｖｄが印加されているＨ
状態を特にＨ′状態とする。このように、本発明による
液晶表示素子は、同一の印加電圧であるｖｄの印加によ
って、Ｈ状態からのヒステリシスによシ、光学的に異な
る２つの状態ＦとＨ′を選らぶことができる。
＝ｖｍ）からＶｄに下げても、ヒステリシスによ！ｌＨ
状態を保つことができる。ここでは、ｖＨが印加されて
いる■状態と区別する几めに、ｖｄが印加されているＨ
状態を特にＨ′状態とする。このように、本発明による
液晶表示素子は、同一の印加電圧であるｖｄの印加によ
って、Ｈ状態からのヒステリシスによシ、光学的に異な
る２つの状態ＦとＨ′を選らぶことができる。
上記し九液晶の駆動原理は２枚の偏光板の使用にもとづ
いている。本発明による液晶表示素子は、しかしながら
、これらの偏光板を使用しないで表示することも可能で
ある。例えば、第３１図及び第３ｂ図に示されるように
、液晶１を２枚の基板２及び３でサンドイッチして液晶
ノ４ネルを構成し、このパネルの背面に黒色板７ｔ−付
設することができる。この構造の蓄積型液晶／？パネル
は、第３＆図に示されるように、Ｆ状態（又はＦ０状態
）の時、入射光６は液晶１によりて散乱反射され（矢印
８参照）、背面の黒色板７に吸収されずに明状態となる
。一方 Ｈ／状態（又はＨ状態）の時は、入射光６は液
晶１０層を通過し、黒色板７に吸収されて暗状態となる
。ここで、黒色板７として、明状態及び暗状態のコント
ラストを向上させるために、光沢のある黒色板を使用す
ることが推奨される。
いている。本発明による液晶表示素子は、しかしながら
、これらの偏光板を使用しないで表示することも可能で
ある。例えば、第３１図及び第３ｂ図に示されるように
、液晶１を２枚の基板２及び３でサンドイッチして液晶
ノ４ネルを構成し、このパネルの背面に黒色板７ｔ−付
設することができる。この構造の蓄積型液晶／？パネル
は、第３＆図に示されるように、Ｆ状態（又はＦ０状態
）の時、入射光６は液晶１によりて散乱反射され（矢印
８参照）、背面の黒色板７に吸収されずに明状態となる
。一方 Ｈ／状態（又はＨ状態）の時は、入射光６は液
晶１０層を通過し、黒色板７に吸収されて暗状態となる
。ここで、黒色板７として、明状態及び暗状態のコント
ラストを向上させるために、光沢のある黒色板を使用す
ることが推奨される。
２枚のＩＴＯ（酸化インジウムＩｎ２Ｏ５）膜付ガラス
基板を洗剤で洗浄し、さらにイングロビルアルコール、
アセトン及び純水で順次洗浄した。これらの基板に酸素
グラズマを照射して表面改質を行なった後、膜厚１２μ
ｍのマイラー（商品名）フィルムをスイーサーとして、
エポキシ系接着剤で封止して・ぐネルを製作した。この
・母ネルに下記の組成Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ（対照）を有す
る蓄積型液晶組成物を封入して４種類の液晶・母ネルＰ
−Ａ。
基板を洗剤で洗浄し、さらにイングロビルアルコール、
アセトン及び純水で順次洗浄した。これらの基板に酸素
グラズマを照射して表面改質を行なった後、膜厚１２μ
ｍのマイラー（商品名）フィルムをスイーサーとして、
エポキシ系接着剤で封止して・ぐネルを製作した。この
・母ネルに下記の組成Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ（対照）を有す
る蓄積型液晶組成物を封入して４種類の液晶・母ネルＰ
−Ａ。
Ｐ−Ｂ、Ｐ−Ｃ及びＰ−Ｄ（対照）ｔ−製作した。
組成Ａ
！ −−ド ψ 二ａＱ
φ 膿 ｎ
■■Φψｎ− 閑 組成り（対照） Ｃ２７Ｈ４５Ｂｒ ７
．０ＣＨ５（Ｃ１ｈ）１２ＣＯＯＣ２７Ｈ４５７，９こ
れらの液晶パネルの電圧ヒステリシス幅（ΔＶ）を次の
ようにして測定した：先ず、ある電圧Ｖｄ１に設定−第
４ａ図及び第４ｂ図に示す駆動波型で液晶・ぐネルを駆
動する。この時、書き込み後の液晶パネルの光透過事変
化を時間ｖｓ、光透光透過化変化て記録する。次に、先
に設定した電圧Ｖｄｊ’ｉそれよシ少し高い電圧Ｖｄ２
にして、同様に時間マＳ、光透過率変化を測定する。以
後、 Ｖｄ５→Ｖｄ４＋’Ｉ／ｄ４→ｖａ５．・・・と
順次電圧を高めていき、コレステリック相からネマティ
ック相への相転移が生じるまでこの測定を続ける。次に
、ネマティック相を維持するのに十分な高い電圧から順
次電圧を下げていき、同様の測定全行なう。このように
して得られた時間ｖｓ、光透光透過化変化ラフから、あ
る時間、すなわち、書き込みから一定時間を経過した後
の光透過率をそれぞれの電圧に対してグロットする。第
５図は、このようにして作成した液晶パネルＰ−Ｂのグ
ラフである。この第５図において、光透過率は、７オト
セルを用いて電圧（ｍＶ）として表わされている。また
、図示の場合、ΔＶＦｉ、書き込み時間６ ｍ１７１１
ｎｅ ｓ書き込みから７．５秒後のΔｖｔ″表わしてい
る。
φ 膿 ｎ
■■Φψｎ− 閑 組成り（対照） Ｃ２７Ｈ４５Ｂｒ ７
．０ＣＨ５（Ｃ１ｈ）１２ＣＯＯＣ２７Ｈ４５７，９こ
れらの液晶パネルの電圧ヒステリシス幅（ΔＶ）を次の
ようにして測定した：先ず、ある電圧Ｖｄ１に設定−第
４ａ図及び第４ｂ図に示す駆動波型で液晶・ぐネルを駆
動する。この時、書き込み後の液晶パネルの光透過事変
化を時間ｖｓ、光透光透過化変化て記録する。次に、先
に設定した電圧Ｖｄｊ’ｉそれよシ少し高い電圧Ｖｄ２
にして、同様に時間マＳ、光透過率変化を測定する。以
後、 Ｖｄ５→Ｖｄ４＋’Ｉ／ｄ４→ｖａ５．・・・と
順次電圧を高めていき、コレステリック相からネマティ
ック相への相転移が生じるまでこの測定を続ける。次に
、ネマティック相を維持するのに十分な高い電圧から順
次電圧を下げていき、同様の測定全行なう。このように
して得られた時間ｖｓ、光透光透過化変化ラフから、あ
る時間、すなわち、書き込みから一定時間を経過した後
の光透過率をそれぞれの電圧に対してグロットする。第
５図は、このようにして作成した液晶パネルＰ−Ｂのグ
ラフである。この第５図において、光透過率は、７オト
セルを用いて電圧（ｍＶ）として表わされている。また
、図示の場合、ΔＶＦｉ、書き込み時間６ ｍ１７１１
ｎｅ ｓ書き込みから７．５秒後のΔｖｔ″表わしてい
る。
上記のようにして測定したΔＶ（Ｖ）及び書き込み可能
速度（ｍｓ／ｌｌｎ・）を次表にまとめる一Ｐ−Ａ
Ｏ，９４Ｐ−８２，５３ Ｐ−ＣＯ，３６ Ｐ−Ｄ（対照） Ｏ１５ 上記結果から、本発明による蓄積型液晶組成物は対照の
それに較べてΔＶが大きくかつ高速書き込みが可能であ
ることが判る。このことは、従来の場合、特に大容量表
示が可能な蓄積型液晶表示では、走査線の本数が５００
本以上となるため、ライン当りの書き込み時間が長くな
ると（例えば１０ ｍｓ／１ｌｎａでは５００１１ｎ＊
Ｘ １０ ｍｉ／ｌｉｎｅ＝５ｇ）スクロールが事実
上できないことになるので実用上極めて不便であったこ
とと対照的である。一般に、書き込み時間を短くすると
、ΔＶが小さくなる傾向があったけれども、本発明によ
る液晶組成物では、なおも十分なΔｖ全保持することが
可能であった０ 〔発明の効果〕 本発明によれば、キーざ−ド対応可能でかつ大容量表示
が可能な液晶表示を、Ｈ’状態の低下を伴なわないで実
現することができる。
速度（ｍｓ／ｌｌｎ・）を次表にまとめる一Ｐ−Ａ
Ｏ，９４Ｐ−８２，５３ Ｐ−ＣＯ，３６ Ｐ−Ｄ（対照） Ｏ１５ 上記結果から、本発明による蓄積型液晶組成物は対照の
それに較べてΔＶが大きくかつ高速書き込みが可能であ
ることが判る。このことは、従来の場合、特に大容量表
示が可能な蓄積型液晶表示では、走査線の本数が５００
本以上となるため、ライン当りの書き込み時間が長くな
ると（例えば１０ ｍｓ／１ｌｎａでは５００１１ｎ＊
Ｘ １０ ｍｉ／ｌｉｎｅ＝５ｇ）スクロールが事実
上できないことになるので実用上極めて不便であったこ
とと対照的である。一般に、書き込み時間を短くすると
、ΔＶが小さくなる傾向があったけれども、本発明によ
る液晶組成物では、なおも十分なΔｖ全保持することが
可能であった０ 〔発明の効果〕 本発明によれば、キーざ−ド対応可能でかつ大容量表示
が可能な液晶表示を、Ｈ’状態の低下を伴なわないで実
現することができる。
第１図は、本発明による蓄積型液晶組成物の印加１１Ｅ
ＥＥと光透過率との関係を示したグラフ、第２ａ図及び
第２ｂ図は、偏光板を用いた液晶駆動方法の一例を示し
次略示図、 第３ａ図及び第３ｂ図は、偏光板を用いない液晶駆動方
法の一例金示した略示図、 第４ａ図及び第４ｂ図は、実施例において用いた液晶駆
動波型を示したグラフ、 第５図は、本発明による液晶パネルＰ−Ｂの印加電圧と
光透過率との関係を示したグラフ、そして 第６図は、従来の一般的な蓄積型液晶組成物の印加電圧
と光透過率との関係を示したグラフである。 図中、１は液晶、２及び３は基板、４及び５は偏光板、
６は入射光、セして７は黒色板である。
ＥＥと光透過率との関係を示したグラフ、第２ａ図及び
第２ｂ図は、偏光板を用いた液晶駆動方法の一例を示し
次略示図、 第３ａ図及び第３ｂ図は、偏光板を用いない液晶駆動方
法の一例金示した略示図、 第４ａ図及び第４ｂ図は、実施例において用いた液晶駆
動波型を示したグラフ、 第５図は、本発明による液晶パネルＰ−Ｂの印加電圧と
光透過率との関係を示したグラフ、そして 第６図は、従来の一般的な蓄積型液晶組成物の印加電圧
と光透過率との関係を示したグラフである。 図中、１は液晶、２及び３は基板、４及び５は偏光板、
６は入射光、セして７は黒色板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、正の誘電率異方性を示すコレステリック−ネマティ
ック相転移形の蓄積量液晶組成物であって、エタン系液
晶化合物、ビシクロヘキサン系液晶化合物及びエステル
系液晶化合物からなる群から選らばれた少なくとも１種
類の液晶化合物と、少なくとも１種類のカイラルネマテ
ィック液晶化合物とを組み合わせて含んでなることを特
徴とする蓄積型液晶組成物。 ２、前記エタン系液晶化合物が１０〜７０重量％の量で
含まれる、特許請求の範囲第１項に記載の蓄積型液晶組
成物。 ３、前記ビシクロヘキサン系液晶化合物が１０〜６０重
量％の量で含まれる、特許請求の範囲第１項に記載の蓄
積型液晶組成物。 ４、前記エステル系液晶化合物が１５〜８５重量％の量
で含まれる、特許請求の範囲第１項に記載の蓄積型液晶
組成物。 ５、前記カイラルネマティック液晶化合物が８〜４０重
量％の量で含まれる、特許請求の範囲第１項に記載の蓄
積型液晶組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180633A JPS6160782A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 蓄積型液晶組成物 |
| CA000489381A CA1261617A (en) | 1984-08-31 | 1985-08-26 | Phase transition-type liquid crystal composition |
| EP85306180A EP0173581B1 (en) | 1984-08-31 | 1985-08-30 | A phase transition-type liquid crystal composition |
| DE8585306180T DE3585477D1 (de) | 1984-08-31 | 1985-08-30 | Fluessigkristallzusammensetzung des phasentransitionstyps. |
| US08/155,274 US5422033A (en) | 1984-08-31 | 1993-11-22 | Phase transition-type liquid crystal composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59180633A JPS6160782A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 蓄積型液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160782A true JPS6160782A (ja) | 1986-03-28 |
| JPH0357951B2 JPH0357951B2 (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=16086607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59180633A Granted JPS6160782A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 蓄積型液晶組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5422033A (ja) |
| EP (1) | EP0173581B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6160782A (ja) |
| CA (1) | CA1261617A (ja) |
| DE (1) | DE3585477D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62223292A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-10-01 | Fujitsu Ltd | 相転移型液晶組成物 |
| JPS63278992A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Fujitsu Ltd | 相転移型液晶組成物 |
| US5274484A (en) * | 1991-04-12 | 1993-12-28 | Fujitsu Limited | Gradation methods for driving phase transition liquid crystal using a holding signal |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8515510D0 (en) * | 1985-06-19 | 1985-07-24 | Secr Defence | Thermochromic liquid crystal materials |
| US5604616A (en) * | 1995-04-03 | 1997-02-18 | Motorola, Inc. | Dual function electro-optical display device exhibiting a bistable image or a fugitive image depending the applied voltage |
| US5570216A (en) * | 1995-04-14 | 1996-10-29 | Kent Display Systems, Inc. | Bistable cholesteric liquid crystal displays with very high contrast and excellent mechanical stability |
| US5543950A (en) * | 1995-05-04 | 1996-08-06 | Kent State University | Liquid crystalline electrooptical device |
| US5661533A (en) * | 1995-05-19 | 1997-08-26 | Advanced Display Systems, Inc. | Ultra fast response, multistable reflective cholesteric liquid crystal displays |
| JPH09138381A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-05-27 | Minolta Co Ltd | 表示装置及び液晶表示素子の駆動方法 |
| JPH10105085A (ja) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Toshiba Corp | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| US6034752A (en) | 1997-03-22 | 2000-03-07 | Kent Displays Incorporated | Display device reflecting visible and infrared radiation |
| US6172720B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-01-09 | Kent Displays Incorporated | Low viscosity liquid crystal material |
| TWI283310B (en) * | 2001-12-06 | 2007-07-01 | Optrex Kk | Liquid crystal display element, information display, method for preparing it and method for using it |
| US20030151580A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-14 | Yao-Dong Ma | Motion video cholesteric displays |
| US20060066803A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Aylward Peter T | Substrate free flexible liquid crystal displays |
| US7880711B1 (en) * | 2007-04-30 | 2011-02-01 | Lockheed Martin Corporation | Image stability in liquid crystal displays |
| JP5403553B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-01-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1551043A (en) * | 1975-04-22 | 1979-08-22 | Secr Defence | Biphenyl compounds containing a cyano group and liquid crystal materials and devices containing such compounds |
| DE2702598C2 (de) * | 1977-01-22 | 1984-10-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Cyclohexylcyclohexane und diese enthaltende Dielektrika |
| US4261651A (en) * | 1978-05-31 | 1981-04-14 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Liquid crystal compounds |
| JPS56122334A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Chisso Corp | Liquid crystal 4-alkylcyclohexyl ester |
| DE3023989A1 (de) * | 1980-06-26 | 1982-01-21 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluessigkristallines dielektrikum |
| DE3201721A1 (de) * | 1981-01-30 | 1982-08-19 | F. Hoffmann-La Roche & Co. AG, 4002 Basel | Disubstituierte aethane |
| GB2093057B (en) * | 1981-02-13 | 1985-10-16 | Secr Defence | Liquid crystal composition comprising a component of low dielectric anisotropy one of high clearing point and a low melting nematic component |
| US4482472A (en) * | 1981-08-06 | 1984-11-13 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britian And Northern Ireland | Liquid crystal materials |
| US4583826A (en) * | 1981-10-14 | 1986-04-22 | Hoffmann-La Roche Inc. | Phenylethanes |
| US4393258A (en) * | 1982-06-10 | 1983-07-12 | Dainippon Mk & Chemicals Inc. | 1-Cyclohexyl-2-cyclohexylphenylethane derivatives |
| US4512636A (en) * | 1982-06-15 | 1985-04-23 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdon Of Great Britian And Northern Ireland Of Whitehall | Liquid crystal compounds |
| JPS596274A (ja) * | 1982-07-05 | 1984-01-13 | Seiko Epson Corp | 液晶組成物 |
| DE3382646D1 (de) * | 1982-08-26 | 1993-01-28 | Merck Patent Gmbh | Cyclohexanderivate und ihre verwendung als komponenten fluessigkristalliner-dielektrika. |
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| JPS5970624A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-21 | Chisso Corp | トランス，トランス−４−アルキル−４′−アルキルビシクロヘキサン類 |
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| US4565425A (en) * | 1983-03-16 | 1986-01-21 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystals |
| DE3317597A1 (de) * | 1983-05-14 | 1984-11-15 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Bicyclohexylethane |
| GB8314077D0 (en) * | 1983-05-20 | 1983-06-29 | Secr Defence | Disubstituted ethanes |
| DE3321373A1 (de) * | 1983-06-14 | 1984-12-20 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Bicyclohexyle |
| GB8400665D0 (en) * | 1984-01-11 | 1984-02-15 | Secr Defence | Disubstituted ethanes |
| DE3401320A1 (de) * | 1984-01-17 | 1985-07-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Ethanderivate |
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| DE3437935A1 (de) * | 1984-10-17 | 1986-04-24 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Heterocyclische verbindungen |
| JPS61198270A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-02 | 富士通株式会社 | 投影形液晶表示装置、その方法および応用 |
| GB8515510D0 (en) * | 1985-06-19 | 1985-07-24 | Secr Defence | Thermochromic liquid crystal materials |
| US5274484A (en) * | 1991-04-12 | 1993-12-28 | Fujitsu Limited | Gradation methods for driving phase transition liquid crystal using a holding signal |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180633A patent/JPS6160782A/ja active Granted
-
1985
- 1985-08-26 CA CA000489381A patent/CA1261617A/en not_active Expired
- 1985-08-30 EP EP85306180A patent/EP0173581B1/en not_active Expired
- 1985-08-30 DE DE8585306180T patent/DE3585477D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-22 US US08/155,274 patent/US5422033A/en not_active Expired - Lifetime
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| US5274484A (en) * | 1991-04-12 | 1993-12-28 | Fujitsu Limited | Gradation methods for driving phase transition liquid crystal using a holding signal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5422033A (en) | 1995-06-06 |
| EP0173581A3 (en) | 1988-08-24 |
| EP0173581A2 (en) | 1986-03-05 |
| DE3585477D1 (de) | 1992-04-09 |
| JPH0357951B2 (ja) | 1991-09-03 |
| EP0173581B1 (en) | 1992-03-04 |
| CA1261617A (en) | 1989-09-26 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |