JPS6160841A - ボンデイングワイヤ− - Google Patents
ボンデイングワイヤ−Info
- Publication number
- JPS6160841A JPS6160841A JP59179975A JP17997584A JPS6160841A JP S6160841 A JPS6160841 A JP S6160841A JP 59179975 A JP59179975 A JP 59179975A JP 17997584 A JP17997584 A JP 17997584A JP S6160841 A JPS6160841 A JP S6160841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- gold
- bonding
- bonding wire
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体素子と外部リードとの電気的接続に用い
られるボンディングワイヤーに関する。
られるボンディングワイヤーに関する。
半導体装置の組立において、半導体素子と外部リードを
金属線でボンディングする方式が一般的である。このよ
うな金屑線として金線及びアルミニウム線が用いられ、
前者は熱圧着で、後者は超音波でボンディングされてい
る。金線を用いる熱圧着ボンディングの工程は大略、(
1)ボンディングキャピラリーを通した金線の先端を電
気的に又は水素炎により熔融してホ゛−ルを形成する過
程、(2)該ボールを半導体素子上のIE極にキャピラ
リーで押し付けて接合せしめるボールボンド過程、(3
)キャピラリーを移動して金線ループを形成した後、外
部リード上に金線を押し付は接合せしめるウェッジボン
ド過程、及び(4)金線を挾んで上方番こ引張り、金線
を破断した後キャピラリーを半導体素子上に移動させる
過程、から成っており、全過程は200〜300 Cの
加熱雰囲気中で行なわれる。
金属線でボンディングする方式が一般的である。このよ
うな金屑線として金線及びアルミニウム線が用いられ、
前者は熱圧着で、後者は超音波でボンディングされてい
る。金線を用いる熱圧着ボンディングの工程は大略、(
1)ボンディングキャピラリーを通した金線の先端を電
気的に又は水素炎により熔融してホ゛−ルを形成する過
程、(2)該ボールを半導体素子上のIE極にキャピラ
リーで押し付けて接合せしめるボールボンド過程、(3
)キャピラリーを移動して金線ループを形成した後、外
部リード上に金線を押し付は接合せしめるウェッジボン
ド過程、及び(4)金線を挾んで上方番こ引張り、金線
を破断した後キャピラリーを半導体素子上に移動させる
過程、から成っており、全過程は200〜300 Cの
加熱雰囲気中で行なわれる。
このようなボンディング工程はワイヤーボングーによっ
て手動的又は自動的に行なうことができる。
て手動的又は自動的に行なうことができる。
ところでこのようなホ゛ンデイングに使用される金線は
性質にバラツキがあるとボール形状、ループ形状、接合
強度が区々となり、半導体装置の信頼性を低下せしめる
ことから純度99.H%以上の高純度金を用いるように
している。然るに近年半導体装置、特に工Cの組立コス
トを低減するため自動ボンダーの一層の高速化が計られ
てきたが、上記高純度金線はこのような高速化に適合し
得ないことが明らかになってきた。その理由は高練度金
線の機械的強度特に熱間における破断強度の低い点にあ
り、キャピラリーの高速移動で金線が引張られた際その
引張り力が金線の破断強度を超えることがあり、そのた
めボンディング中に線切れが頻発するからである。又、
線切れに至らず何とかボンディング出来たとしても、−
腐熱を受けた高純度金線は著るしく軟化し、ループ形状
を保つだけの強さを殆んど失なう結果1ループが垂れて
(これをループタレと称する)素子又は素子を塔載して
いる金属部に接触し、動作不良の原因となることもある
。
性質にバラツキがあるとボール形状、ループ形状、接合
強度が区々となり、半導体装置の信頼性を低下せしめる
ことから純度99.H%以上の高純度金を用いるように
している。然るに近年半導体装置、特に工Cの組立コス
トを低減するため自動ボンダーの一層の高速化が計られ
てきたが、上記高純度金線はこのような高速化に適合し
得ないことが明らかになってきた。その理由は高練度金
線の機械的強度特に熱間における破断強度の低い点にあ
り、キャピラリーの高速移動で金線が引張られた際その
引張り力が金線の破断強度を超えることがあり、そのた
めボンディング中に線切れが頻発するからである。又、
線切れに至らず何とかボンディング出来たとしても、−
腐熱を受けた高純度金線は著るしく軟化し、ループ形状
を保つだけの強さを殆んど失なう結果1ループが垂れて
(これをループタレと称する)素子又は素子を塔載して
いる金属部に接触し、動作不良の原因となることもある
。
このような高純度金線の欠点を解消するためCa。
Beを微量添加した金合金線が提案されている(特開昭
53−105968号公報、特開昭5.3−11205
0号公報)、またAgs pb、 O&% I’es
Mgを含む金合金線も提案されている(特開昭56−1
2214.0号公報)、これらの金合金線は熱間強度が
高純度金線の常温強度程度あり、これによって高速ボン
ダーはその性能を最大限に発揮できるようになった。
53−105968号公報、特開昭5.3−11205
0号公報)、またAgs pb、 O&% I’es
Mgを含む金合金線も提案されている(特開昭56−1
2214.0号公報)、これらの金合金線は熱間強度が
高純度金線の常温強度程度あり、これによって高速ボン
ダーはその性能を最大限に発揮できるようになった。
この発明の目的はOaを含む金合金以上の熱間強度を有
するOa、、Pbを含む金合金ボンディングワイヤーを
提案することにある。
するOa、、Pbを含む金合金ボンディングワイヤーを
提案することにある。
本発明のボンディングワイヤーは純度f19.991i
ffi%以上の金に、Oaを0.0002〜0.005
重量%とPbを0.0005〜0.005[二%併せて
含有せしめた金合金線としたことにある。
ffi%以上の金に、Oaを0.0002〜0.005
重量%とPbを0.0005〜0.005[二%併せて
含有せしめた金合金線としたことにある。
(!aXPbの含有率は大きい程常温強度、熱間強度共
に大きくなるが、0aXPbをそれぞれ0.005重量
%を超えて合金化するとボール形状が真球にならなくな
るのでそれぞれ0.005重ffi%以下とする必要が
ある。
に大きくなるが、0aXPbをそれぞれ0.005重量
%を超えて合金化するとボール形状が真球にならなくな
るのでそれぞれ0.005重ffi%以下とする必要が
ある。
又、Oaの含有率が0.0002重量%未満、pbの含
有率が0.0005重量%未満では両者の効果が発揮さ
れない。より好ましいOa、Pb含有率は、Caは0.
0008〜0.005重量%、pbは0.0005〜0
.0035重量%である。
有率が0.0005重量%未満では両者の効果が発揮さ
れない。より好ましいOa、Pb含有率は、Caは0.
0008〜0.005重量%、pbは0.0005〜0
.0035重量%である。
本発明に用いる金原料は純度99.99重fi%以上で
あれば良い。通常フォーナインと称する純金中には不純
物としてIll@l5Si (us Ag等を含んでい
る。これら不純物の含有率は産地により、又メーカーに
より一定しないので望ましくはファイブナイン(純度9
9.999重量%以上)を用いるのが良い。
あれば良い。通常フォーナインと称する純金中には不純
物としてIll@l5Si (us Ag等を含んでい
る。これら不純物の含有率は産地により、又メーカーに
より一定しないので望ましくはファイブナイン(純度9
9.999重量%以上)を用いるのが良い。
本発明のボンディングワイヤーは次のようにして製造し
得る。即ち、ファイブナインの高純度金と各元素とで先
ず母合金を作って含有率を分析し、該母合金と高純度金
の配合比を所望の元素含有率範囲になるように決め、そ
れぞれ秤量して不活性ガス雰囲気中又は真空中で熔解し
、鋳造後鍛造又は溝ロール等で一定の線径まで圧延した
後、順次口径の小さいダイスを用いて伸線加工する。
得る。即ち、ファイブナインの高純度金と各元素とで先
ず母合金を作って含有率を分析し、該母合金と高純度金
の配合比を所望の元素含有率範囲になるように決め、そ
れぞれ秤量して不活性ガス雰囲気中又は真空中で熔解し
、鋳造後鍛造又は溝ロール等で一定の線径まで圧延した
後、順次口径の小さいダイスを用いて伸線加工する。
本発明のボンディングワイヤーは常温強度、熱間強度共
に良好である。
に良好である。
実施例
金原料として7アイプナインの高純度金を用い、Ca、
Pbを種々の割合で含有する金合金インゴットを作成し
、これらに鍛造、伸線加工を施して直径0.0254・
鴎のボンディングワイヤーを室温1における破断伸び率
が4%程度になるように熱処理した後、室温における破
断強度σB1破断破断伸、250Cに加熱下の破断強度
σB1破断破断伸δを測定した。
Pbを種々の割合で含有する金合金インゴットを作成し
、これらに鍛造、伸線加工を施して直径0.0254・
鴎のボンディングワイヤーを室温1における破断伸び率
が4%程度になるように熱処理した後、室温における破
断強度σB1破断破断伸、250Cに加熱下の破断強度
σB1破断破断伸δを測定した。
結果をOaのみを添加した場合(比較例)と共に下表に
示した。
示した。
1・
:十
〔発明の効果〕
表示したようにCaのみを添加した場合よりもCa、P
bを含む方が室温、高温における強度が高いことが認め
られる。
bを含む方が室温、高温における強度が高いことが認め
られる。
又、これらの金合金線を高速ボングーによるワイヤーボ
ンディングに供したところ、ボール形成性が良く、ルー
プのタレも認められなかった。
ンディングに供したところ、ボール形成性が良く、ルー
プのタレも認められなかった。
Claims (1)
- (1)0.0002〜0.005重量%のカルシウムと
、0.0005〜0.005重量%の鉛を含有すること
を特徴とする残部純度99.99重量%以上の高純度金
からなるボンディングワイヤー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179975A JPS6160841A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | ボンデイングワイヤ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59179975A JPS6160841A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | ボンデイングワイヤ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160841A true JPS6160841A (ja) | 1986-03-28 |
Family
ID=16075254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59179975A Pending JPS6160841A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | ボンデイングワイヤ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6160841A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190719A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| CN101928898A (zh) * | 2010-09-08 | 2010-12-29 | 上海交大电气(集团)有限公司 | 一种提高高纯金的硬度和强度的方法 |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59179975A patent/JPS6160841A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190719A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| CN101928898A (zh) * | 2010-09-08 | 2010-12-29 | 上海交大电气(集团)有限公司 | 一种提高高纯金的硬度和强度的方法 |
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