JPS6161478A - 発光半導体検査装置 - Google Patents
発光半導体検査装置Info
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- JPS6161478A JPS6161478A JP59183478A JP18347884A JPS6161478A JP S6161478 A JPS6161478 A JP S6161478A JP 59183478 A JP59183478 A JP 59183478A JP 18347884 A JP18347884 A JP 18347884A JP S6161478 A JPS6161478 A JP S6161478A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光半導体のファー・フィールド・Ａ’ターン
（ＦＦＰ ） 、発光強度、発光ス（クトル等の光学特
性を効率的に測定検査する装置に関するものである。
（ＦＦＰ ） 、発光強度、発光ス（クトル等の光学特
性を効率的に測定検査する装置に関するものである。
従来技術
最近、ビデオディスク、コンソケットディスク。
レーザプリンタ、光通信等の光源としてレーデダイオー
ド等の発光半導体が広く利用されるよりになってきた。
ド等の発光半導体が広く利用されるよりになってきた。
レーデ光源を利用する装置においてレーデダイオードは
心臓部であるため、個々のレーデが確かな性能を持つこ
とを検査する必要があり、従って多量生産体制のレーデ
ダイオード工場等では、検査スピードを上げる事が重要
となってきた。
心臓部であるため、個々のレーデが確かな性能を持つこ
とを検査する必要があり、従って多量生産体制のレーデ
ダイオード工場等では、検査スピードを上げる事が重要
となってきた。
レーデダイオードの主な性能検査項目としては、第１図
（ａ）に示すように発光半導体素子１から放射されるレ
ーデ光の垂直方向（θ上）と平行方向（０／）における
空間断面での光強度の広がシラ求めるファー・フィール
ド・、７臂ｐ −ン（ＦＦＰ）の測定、各設定出力値に
おける電流及び電圧を求める測定、及び各波長における
発光強度を求めるスペクトル測定がある。、第１図（ｂ
） 、 （ａ）はＦ’ＦＰ測定における垂直成分・々タ
ーン（θ上）と平行成分パターン（す）の−例、第１図
（ｄ）は発光スペクトル測定〇−例をそれぞれ示すチャ
ートである。使用目的によシ波長帯は異るが、中心波長
λ０はコンソケットディスクで７００〜８５０ ｎｍ
。
（ａ）に示すように発光半導体素子１から放射されるレ
ーデ光の垂直方向（θ上）と平行方向（０／）における
空間断面での光強度の広がシラ求めるファー・フィール
ド・、７臂ｐ −ン（ＦＦＰ）の測定、各設定出力値に
おける電流及び電圧を求める測定、及び各波長における
発光強度を求めるスペクトル測定がある。、第１図（ｂ
） 、 （ａ）はＦ’ＦＰ測定における垂直成分・々タ
ーン（θ上）と平行成分パターン（す）の−例、第１図
（ｄ）は発光スペクトル測定〇−例をそれぞれ示すチャ
ートである。使用目的によシ波長帯は異るが、中心波長
λ０はコンソケットディスクで７００〜８５０ ｎｍ
。
光通信用で１〜１．５μ、スペクトル巾は１００Ａであ
る。
る。
従来これらの各測定を行なうのに、各発光半導体素子を
別々の測定装置に１個１個設定し、その結果をプリント
アウト等しておシ、従って装着時間を除いても、１個の
発光半導体を検査するのに１分近くを要していた。これ
に装着時間が加わるため、多量のレーデダイオードを検
査するのにますます多くの時間を要するというのが現状
である。
別々の測定装置に１個１個設定し、その結果をプリント
アウト等しておシ、従って装着時間を除いても、１個の
発光半導体を検査するのに１分近くを要していた。これ
に装着時間が加わるため、多量のレーデダイオードを検
査するのにますます多くの時間を要するというのが現状
である。
発明の目的
従って本発明の目的は、多量の発光半導体の性能を従来
よシ効率的に検査できる装置を提供することにある。
よシ効率的に検査できる装置を提供することにある。
発明の構成
この目的を達成するため、本発明による発光半導体検査
装置は、発光半導体を複数個装着できるカートリッジと
、少くとも各発光半導体のファー°フィールド・パター
ン（ＦＦＰ ） ｅ測定ｆる手段、光出力を測定する手
段及び発光スペクトルを測定する手段を含む複数の光学
特性測定手段と、これらの測定手段のうち任意の手段全
上記カートリッジ前方の測定位置へ適宜位置決め可能な
機構とを備えたことを特徴とするものである。
装置は、発光半導体を複数個装着できるカートリッジと
、少くとも各発光半導体のファー°フィールド・パター
ン（ＦＦＰ ） ｅ測定ｆる手段、光出力を測定する手
段及び発光スペクトルを測定する手段を含む複数の光学
特性測定手段と、これらの測定手段のうち任意の手段全
上記カートリッジ前方の測定位置へ適宜位置決め可能な
機構とを備えたことを特徴とするものである。
ｊ！幕υ【直旦
以下本発明の好ましい実施例を第２図以下を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第２図において、２はカートリッジ、３はＦＦＰ測定手
段、４は光出力測定手段、５は発光スペクトル測定手段
を示しておシ、図示例（でおいて発光スペクトル測定手
段５はカートリッジ２の前方測定位置に固定されている
。一方、ＦＦＰ測定手段３は回動自在、光出力測定手段
４は上下動自在で、図の状態において前者は上方に回動
され、後者は下方に移動されて、それぞれ測定位置から
外れている。
段、４は光出力測定手段、５は発光スペクトル測定手段
を示しておシ、図示例（でおいて発光スペクトル測定手
段５はカートリッジ２の前方測定位置に固定されている
。一方、ＦＦＰ測定手段３は回動自在、光出力測定手段
４は上下動自在で、図の状態において前者は上方に回動
され、後者は下方に移動されて、それぞれ測定位置から
外れている。
次忙カートリッジ２の詳細を第３図（ａ）＃ （ｂ）を
参照して説明する。カー） ＩＪッゾ２は、複数個例え
ば１０個の発光半導体素子１を受入れる装着体６ｔ−有
する。装着体６は全体がカー） ＩＪッジ２内を回転自
在で、その前部に発光半導体素子１の端子が挿込まれる
ソケット７が設けられる−１、その後端に電気導通用の
正視８が突設されると共に、発光半導体素子１を９０°
づつ回転させる手段を構成する切込み９ｆ、備えている
。
参照して説明する。カー） ＩＪッゾ２は、複数個例え
ば１０個の発光半導体素子１を受入れる装着体６ｔ−有
する。装着体６は全体がカー） ＩＪッジ２内を回転自
在で、その前部に発光半導体素子１の端子が挿込まれる
ソケット７が設けられる−１、その後端に電気導通用の
正視８が突設されると共に、発光半導体素子１を９０°
づつ回転させる手段を構成する切込み９ｆ、備えている
。
測定時には、発光半導体索子ｌｉｅカートリッジ２前部
のソケット７へ挿込んだ後、カラー１０を嵌めて発光半
導体素子１をその位置にセットする。次に、カートリッ
ジ２の各装着体６に対応し前端に電気導通用の電極８′
と９０’回転用の手段を構成するノブ１１がそれぞれ突
設されたブロック１２が後方からカートリッジ２へ押し
込まれ、電極８ｓ８′間の導通を確立すると共に、切込
み９とノブ１１の保合によって発光半導体素子１を含め
装着体６をカートリッジ２内で９０°回転させる。尚図
中３８は角度規定用のビン、３９は方向を一定に保つた
めのバネである。
のソケット７へ挿込んだ後、カラー１０を嵌めて発光半
導体素子１をその位置にセットする。次に、カートリッ
ジ２の各装着体６に対応し前端に電気導通用の電極８′
と９０’回転用の手段を構成するノブ１１がそれぞれ突
設されたブロック１２が後方からカートリッジ２へ押し
込まれ、電極８ｓ８′間の導通を確立すると共に、切込
み９とノブ１１の保合によって発光半導体素子１を含め
装着体６をカートリッジ２内で９０°回転させる。尚図
中３８は角度規定用のビン、３９は方向を一定に保つた
めのバネである。
カートリッジ２に対する各発光半導体素子の装着は、固
定したカートリッジ２へ１個づつ行ってもよいが、カー
トリッジを交換式として測定毎にカートリッジ全取換え
る万がよシ効率的で、完全自動化も可能となる。いずれ
にせよ、カートリッジ２へ複数の発光半導体ｆ：装着す
ることによって、発光半導体の複数同時測定が可能とな
る。
定したカートリッジ２へ１個づつ行ってもよいが、カー
トリッジを交換式として測定毎にカートリッジ全取換え
る万がよシ効率的で、完全自動化も可能となる。いずれ
にせよ、カートリッジ２へ複数の発光半導体ｆ：装着す
ることによって、発光半導体の複数同時測定が可能とな
る。
次に、ＦＦＰ測定手段３を第４図（ａ） 、 （ｂ）
’ｅ参照して説明する。ＦＦＰ測定手段３は、カートリ
ッジ２内の発光半導体素子と対応した数のＦＦＰ用検知
器１３を含み、これら検知器はスウィングレバー１４に
取付けられている。レバー１４はその基部に設けた軸１
５を中心に回転自在で、この回転はモータ１６及びウオ
ームとギヤ等の歯車機構１７を介して行われ、スウィン
グレバー１４つまシ各ＦＦＰ用検知器１３はカートリッ
ジ２つま）各発光半導体素子の前方を横切って回動する
。尚、軸１５の位置は発光半導体装置位置と合わせてあ
シ、発光半導体素子からＦ’ＦＰ用検知器１３ｔ−での
距離は７０ｍｍとしである。又第４図（ｂ）に示すごと
く、レバー１４中ＦＦＰ用検知器１３の前方にはピンホ
ール１８、後方にはプレアンデノ母ターン１９が配置し
ておる。
’ｅ参照して説明する。ＦＦＰ測定手段３は、カートリ
ッジ２内の発光半導体素子と対応した数のＦＦＰ用検知
器１３を含み、これら検知器はスウィングレバー１４に
取付けられている。レバー１４はその基部に設けた軸１
５を中心に回転自在で、この回転はモータ１６及びウオ
ームとギヤ等の歯車機構１７を介して行われ、スウィン
グレバー１４つまシ各ＦＦＰ用検知器１３はカートリッ
ジ２つま）各発光半導体素子の前方を横切って回動する
。尚、軸１５の位置は発光半導体装置位置と合わせてあ
シ、発光半導体素子からＦ’ＦＰ用検知器１３ｔ−での
距離は７０ｍｍとしである。又第４図（ｂ）に示すごと
く、レバー１４中ＦＦＰ用検知器１３の前方にはピンホ
ール１８、後方にはプレアンデノ母ターン１９が配置し
ておる。
スウィングレバー１４の一側方からは更に前方へ回転位
置読取ヘッド２０が延び、ヘッド２０の先端に７オトカ
ツプラ２１が取付けられている。フォトカッグラ２１に
対向してコードマーク２３ｆ：有するエンコーダ２２が
配置され、エンコーダ２２はレバー１４と同じく軸１５
を中心とした円弧状である。コードマークの上端２３′
が測定スタート位置、下端２３”が測定ストツノ０位置
で、再位置を見込む角度は測定の所望角度θに等しく、
スウィングレバー１４がＸタート位置にあるときが第２
図に図示の状態に対応している。
置読取ヘッド２０が延び、ヘッド２０の先端に７オトカ
ツプラ２１が取付けられている。フォトカッグラ２１に
対向してコードマーク２３ｆ：有するエンコーダ２２が
配置され、エンコーダ２２はレバー１４と同じく軸１５
を中心とした円弧状である。コードマークの上端２３′
が測定スタート位置、下端２３”が測定ストツノ０位置
で、再位置を見込む角度は測定の所望角度θに等しく、
スウィングレバー１４がＸタート位置にあるときが第２
図に図示の状態に対応している。
ここでＦＦＰ測定を行う場合には、まず第３図（ｂ）の
ブロック１２がカートリッジ２に押込まれ各発光半導体
素子が所定の電源に接続された状態で発光電圧を印加し
、レバー１４をスタート位置からストップ位置へ回動さ
せて、垂直成分／ぐターン（０工）を求める。次いでブ
ロック１２を押込み直し、カートリッジ内の各発光半導
体素子を９０′６回転させた後、同様にして平行成分ノ
ぐターン（ａ、 ）を求める。両ノイターンの測定終了
後、スウィングレバー１４は最上方の待機位置に戻され
る。各発光半導体の点灯は同時に行りてもよいし、レー
デ電源時定数が小さいときは各角度位置で逐次点灯して
もよい。
ブロック１２がカートリッジ２に押込まれ各発光半導体
素子が所定の電源に接続された状態で発光電圧を印加し
、レバー１４をスタート位置からストップ位置へ回動さ
せて、垂直成分／ぐターン（０工）を求める。次いでブ
ロック１２を押込み直し、カートリッジ内の各発光半導
体素子を９０′６回転させた後、同様にして平行成分ノ
ぐターン（ａ、 ）を求める。両ノイターンの測定終了
後、スウィングレバー１４は最上方の待機位置に戻され
る。各発光半導体の点灯は同時に行りてもよいし、レー
デ電源時定数が小さいときは各角度位置で逐次点灯して
もよい。
次に、光出力の測定を第５図（ａ） ｊ（ｂ） ’Ｔｈ
参照して説明すると、まず光出力測定手段４が上動され
、ＷＺｓ図（、）のごとくカートリッジ２前方の測定位
置にくる。光出力測定手段４は、カー） ＩＪツノ２内
の発光半導体素子と対応した数の光出力検知器２４を含
み、これら検知器２４は第５図（ａ）の図示状態で各発
光半導体素子の光軸上に位置するようにホルダー２５内
に保持されている。更に詳しく説明すると、第５図（ｂ
）に示すごとくホルダー２５内の光出力検知器２４の前
方には、発光半導体素子との間に拡散板２６とメッシ＆
２７が配置され、又後方にはプレアンジノ９ターン２８
とＩＣ２９が配置されている。
参照して説明すると、まず光出力測定手段４が上動され
、ＷＺｓ図（、）のごとくカートリッジ２前方の測定位
置にくる。光出力測定手段４は、カー） ＩＪツノ２内
の発光半導体素子と対応した数の光出力検知器２４を含
み、これら検知器２４は第５図（ａ）の図示状態で各発
光半導体素子の光軸上に位置するようにホルダー２５内
に保持されている。更に詳しく説明すると、第５図（ｂ
）に示すごとくホルダー２５内の光出力検知器２４の前
方には、発光半導体素子との間に拡散板２６とメッシ＆
２７が配置され、又後方にはプレアンジノ９ターン２８
とＩＣ２９が配置されている。
この状態で光出力−６１１］定を行うには、まず最小の
設定出力仏陀なるよう電源の電圧（電流）を自動的に制
御し、その時の電圧及び電流値を記憶する。次いで、設
定出力値ｅ ＩｉＤ番に上げていき、各設定値ごとに同
様の測定を繰返していく。
設定出力仏陀なるよう電源の電圧（電流）を自動的に制
御し、その時の電圧及び電流値を記憶する。次いで、設
定出力値ｅ ＩｉＤ番に上げていき、各設定値ごとに同
様の測定を繰返していく。
この場合も、レーデ電源の時定数が小さければ、発光半
導体を逐次して測定してもよい。測定終了後、ホルダー
２５は下動され、第２図に図示の待機位置に戻される。
導体を逐次して測定してもよい。測定終了後、ホルダー
２５は下動され、第２図に図示の待機位置に戻される。
尚、ホルダー２５の上下動手段は特に限定する必要はな
く、任意の駆動手段を用い２本の垂直ガイド３ｏに沿っ
てホルダー２５を摺動させることによって行われる。
く、任意の駆動手段を用い２本の垂直ガイド３ｏに沿っ
てホルダー２５を摺動させることによって行われる。
次に発光スペクトルの測定を第２図を参照して説明する
と、発光スペクトル測定手段は発光半導体素子１と対応
した数の光ファイバ３１と、これら光ファイバの導出光
を順次分光測定する手段３２からなっている。光ファイ
バ３１の光導入端はファイバホルダー３３に固定され、
各発光半導体素子１０光軸上に配置される。−万、光フ
ァイバの光導出端は分光器の人口スリット３４１Ｃ一致
して配置され、光ファイバからの導出光は分光器で分光
される。出口スリット３５の手前に回転石英板３Ｇが設
けられ、この回転によって波長を高速スキャンし、出口
スリット３５を出た光が７オトマル等の検知器３７に入
射する。図示例では光ファイバ３１を入ロスリット３４
前面で束ねたため、発光半導体素子を逐次点灯してそれ
ぞれのスペクトルを取るが、ミラー切換により光ファイ
バ３１の導出光を順次入口スリット３４へ導くようにす
れば発光半導体素子を同時点灯して測定できる。
と、発光スペクトル測定手段は発光半導体素子１と対応
した数の光ファイバ３１と、これら光ファイバの導出光
を順次分光測定する手段３２からなっている。光ファイ
バ３１の光導入端はファイバホルダー３３に固定され、
各発光半導体素子１０光軸上に配置される。−万、光フ
ァイバの光導出端は分光器の人口スリット３４１Ｃ一致
して配置され、光ファイバからの導出光は分光器で分光
される。出口スリット３５の手前に回転石英板３Ｇが設
けられ、この回転によって波長を高速スキャンし、出口
スリット３５を出た光が７オトマル等の検知器３７に入
射する。図示例では光ファイバ３１を入ロスリット３４
前面で束ねたため、発光半導体素子を逐次点灯してそれ
ぞれのスペクトルを取るが、ミラー切換により光ファイ
バ３１の導出光を順次入口スリット３４へ導くようにす
れば発光半導体素子を同時点灯して測定できる。
次に本発明による検査装置の全体の構成をブロック図と
して第６図に示す、第６図において、２．３．４及び５
は前述のカートリッジ、 ＦＦＰ測定手段、光出力測定
手段及び発光スペクトル測定手段を表わし、２′〜５′
はその駆動系、例えば２′は前記ブロック１２押込み移
動するための手段（図示せず）を表わし、３〃〜５Ｉは
各測定手段の検知器からの信号を増巾する増巾器を表わ
す、駆動系２′〜５′と増巾器３〃〜５〃はインター７
エイＸ Ｉ／Ｆ’に経てパーソナルコンビ為−タ等の中
央処理装置ＣＰＵ ＩＣ接続され、ＣＰＵ Ｋはデータ
入力用のキー？−ドＫＢ、データ出力用のプリンタＰ及
びデータ貯蔵用のフロッピーＦがそれぞれ接続されてい
る。又、４０はレーデ電源、４１はそニター電源で、４
０’、４１’はそれぞれの電流測定手段、４０’ｊ４１
＃は増巾器を表わし各々インターフェイスを介してＣＰ
Ｕと接続されている。尚図中、Ａ／Ｄはアナロ〃デジタ
ル変換器、Ｄ／人はデジタル／アナログ変換器である。
して第６図に示す、第６図において、２．３．４及び５
は前述のカートリッジ、 ＦＦＰ測定手段、光出力測定
手段及び発光スペクトル測定手段を表わし、２′〜５′
はその駆動系、例えば２′は前記ブロック１２押込み移
動するための手段（図示せず）を表わし、３〃〜５Ｉは
各測定手段の検知器からの信号を増巾する増巾器を表わ
す、駆動系２′〜５′と増巾器３〃〜５〃はインター７
エイＸ Ｉ／Ｆ’に経てパーソナルコンビ為−タ等の中
央処理装置ＣＰＵ ＩＣ接続され、ＣＰＵ Ｋはデータ
入力用のキー？−ドＫＢ、データ出力用のプリンタＰ及
びデータ貯蔵用のフロッピーＦがそれぞれ接続されてい
る。又、４０はレーデ電源、４１はそニター電源で、４
０’、４１’はそれぞれの電流測定手段、４０’ｊ４１
＃は増巾器を表わし各々インターフェイスを介してＣＰ
Ｕと接続されている。尚図中、Ａ／Ｄはアナロ〃デジタ
ル変換器、Ｄ／人はデジタル／アナログ変換器である。
このような構成で、キーボードＫＢがら所要のパラメー
タをキーインすると、ＣＰ’Ｕは内蔵されたプログラム
に従い各電源、各駆動系ｔ−順次動作し、各検知器から
のデータがＣＰＵへ次々に取込まれメモリされる。これ
らのデータはそのままプリンタへ出力されるか、あるい
は各データｔｆｉ本に所定の計算が成され測定している
各発光半導体の良否を判定して、その結果がプリンタ又
はその他の手段に表示される。これによって各種測定の
完全自動化が可能となる。
タをキーインすると、ＣＰ’Ｕは内蔵されたプログラム
に従い各電源、各駆動系ｔ−順次動作し、各検知器から
のデータがＣＰＵへ次々に取込まれメモリされる。これ
らのデータはそのままプリンタへ出力されるか、あるい
は各データｔｆｉ本に所定の計算が成され測定している
各発光半導体の良否を判定して、その結果がプリンタ又
はその他の手段に表示される。これによって各種測定の
完全自動化が可能となる。
発明の効果
以上述べたように本発明によれは、カートリッジに複数
の発光半導体素子をセットし・そのセットしたままの状
態でそれら発光半導体装着部ついて各種測定を同時に行
えるため検査スピードを大巾に改善することができる。
の発光半導体素子をセットし・そのセットしたままの状
態でそれら発光半導体装着部ついて各種測定を同時に行
えるため検査スピードを大巾に改善することができる。
又カートリッジを複数個使用して自動装置の手段をそな
えればさらに自動化とスピードアップの効果が上がる。
えればさらに自動化とスピードアップの効果が上がる。
第１図（ａ） ａ （ｂ） 、 （ｃ）及び（ｄ）は発
光半導体の性能測定の例を示す説明図とチャート、第２
図は本検査装置の測定系の構成を示す概略斜視図、第３
図（ａ） ＃ （ｂ）はカートリッジの概略斜視図と発
光半導体装着部の断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
ＦＦＰ測定手段の概略斜視図と光学的配置を示す説明図
、第５図（荀、（ｂ）は光出力測定手段の概略斜視図と
光学的配置を示す説明図、第６図は本検査装置の全体の
構成を示すブロック図である。 １・・・発光半導体、２・・・カートリッジ、３・・・
ＦＦＰ測定手段、４・・・光出力測定手段、５・・・発
光スペクトル測定手段、７・・・ソケット、８，８′・
・・電極用接点、９，１１・・・回転手段、１３・・・
ＦＦＰ用検知器、１４〜１７・・・検知器回転手段、２
１゜２２・・・回転角度読取手段、２４・・・光出力用
検知器、２５．３０・・・上下動手段、３１・・・光フ
ァイバ、３２・・・分光測定手段。
光半導体の性能測定の例を示す説明図とチャート、第２
図は本検査装置の測定系の構成を示す概略斜視図、第３
図（ａ） ＃ （ｂ）はカートリッジの概略斜視図と発
光半導体装着部の断面図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
ＦＦＰ測定手段の概略斜視図と光学的配置を示す説明図
、第５図（荀、（ｂ）は光出力測定手段の概略斜視図と
光学的配置を示す説明図、第６図は本検査装置の全体の
構成を示すブロック図である。 １・・・発光半導体、２・・・カートリッジ、３・・・
ＦＦＰ測定手段、４・・・光出力測定手段、５・・・発
光スペクトル測定手段、７・・・ソケット、８，８′・
・・電極用接点、９，１１・・・回転手段、１３・・・
ＦＦＰ用検知器、１４〜１７・・・検知器回転手段、２
１゜２２・・・回転角度読取手段、２４・・・光出力用
検知器、２５．３０・・・上下動手段、３１・・・光フ
ァイバ、３２・・・分光測定手段。
Claims (7)
- （１）発光半導体を複数個装着できるカートリッジと、
少くとも各発光半導体のファー・フィールド・パターン
（ＦＦＰ）を測定する手段、光出力を測定する手段及び
発光スペクトルを測定する手段を含む複数の光学特性測
定手段と、これらの測定手段のうち任意の手段を上記カ
ートリッジ前方の測定位置へ適宜位置決め可能な機構を
備えたことを特徴とする発光半導体検査装置。 - （２）上記カートリッジが、発光半導体の数に対応した
端子挿込用ソケットと、電極用接点と、発光半導体を９
０°回転可能とする手段を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の発光半導体検査装置。 - （３）上記ファー・フィールド・パターン（ＦＦＰ）測
定手段とその位置決め機構が、発光半導体の数に対応し
たＦＦＰ用検知器と、これら検知器をカートリッジ前面
の一定の面内で所定の角度だけ回転させる手段と、その
回転角度を読取る手段を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の発光半導体検査装置。 - （４）上記光出力測定手段とその位置決め機構が、発光
半導体の数に対応した光出力用検知器と、これら検知器
をカートリッジ前面の一定の面内で上下動させる手段を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
発光半導体検査装置。 - （５）上記発光スペクトル測定手段が、各発光半導体の
光軸前方に光導入端が固定された光ファイバと、これら
光ファイバの導出光を順次分光測定する手段とを含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の発光半
導体検査装置。 - （６）上記各測定手段からの各データを基本に所定の計
算を行い、各発光半導体の良否を自動的に判定して、そ
の結果を表示する手段を備えたことを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の発光半導体検査装置。 - （７）上記カートリッジを自動的に複数個順次装脱着す
る装置をそなえて自動的に検査する手段を備えたことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183478A JPS6161478A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 発光半導体検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183478A JPS6161478A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 発光半導体検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161478A true JPS6161478A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16136503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183478A Pending JPS6161478A (ja) | 1984-09-01 | 1984-09-01 | 発光半導体検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161478A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62245128A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-26 | Anritsu Corp | レ−ザダイオ−ドの特性測定装置 |
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-
1984
- 1984-09-01 JP JP59183478A patent/JPS6161478A/ja active Pending
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