JPS616200A - ＧａＡｓ，ＩｎＡｓ等の結晶にＳｉをド−ピングする方法 - Google Patents
ＧａＡｓ，ＩｎＡｓ等の結晶にＳｉをド−ピングする方法Info
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- JPS616200A JPS616200A JP12614984A JP12614984A JPS616200A JP S616200 A JPS616200 A JP S616200A JP 12614984 A JP12614984 A JP 12614984A JP 12614984 A JP12614984 A JP 12614984A JP S616200 A JPS616200 A JP S616200A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＧａＡｓ、 ＩｎＡｓ又はそれらをベースとし
た結晶に規定量のＳｉをドーピングする方法に関する。
た結晶に規定量のＳｉをドーピングする方法に関する。
ＧａＡｓ、 ＩｎＡｓを従来石英ガラス製ボートで合成
されていた時は５ｉ０２とＧａ又はＩｎが反応し、Ｓｉ
Ｏ□が還元されてＳｌとなり、これが合成されたＧａＡ
ｓやＩｎＡｓに混入してＳｌをトープしたと同様に低抵
抗のＧａ１ｌｓやＩｎＡｓが合成された。しかしこの場
合Ｓｉの混入量が規定されるわけでなく、合成時間や温
度、ボートの表面状態等によりＳ】の混入量に大きな差
がある。又Ｓｉの他に同時に酸素も混入し、結晶中のＳ
ｉ濃度も場所″によって異なり一定にならない欠点があ
った・ 本発明の目的は、Ｓｌのドープ量が任意に規定され、し
かも酸素の混入もなく、結晶中のＳｉの濃度差の少ない
均質な結晶を得る。ＧａＡｓ、 ！ｎＡｓ等の結晶に３
１をドーピングする方法を櫂供することである。
されていた時は５ｉ０２とＧａ又はＩｎが反応し、Ｓｉ
Ｏ□が還元されてＳｌとなり、これが合成されたＧａＡ
ｓやＩｎＡｓに混入してＳｌをトープしたと同様に低抵
抗のＧａ１ｌｓやＩｎＡｓが合成された。しかしこの場
合Ｓｉの混入量が規定されるわけでなく、合成時間や温
度、ボートの表面状態等によりＳ】の混入量に大きな差
がある。又Ｓｉの他に同時に酸素も混入し、結晶中のＳ
ｉ濃度も場所″によって異なり一定にならない欠点があ
った・ 本発明の目的は、Ｓｌのドープ量が任意に規定され、し
かも酸素の混入もなく、結晶中のＳｉの濃度差の少ない
均質な結晶を得る。ＧａＡｓ、 ！ｎＡｓ等の結晶に３
１をドーピングする方法を櫂供することである。
ＧａＡｓを合成する際、直接合成法によればＧａとＡｓ
をＢＮルツボ又は石英ルツボに入れ上部に８２０３を乗
せて窒素又はアルゴン気流加圧下で加熱合成する。本発
明の方法ではＳｌをＳｉＡｓの形で計算量加えて加熱す
る。この場合Ｓｉを単に加えた丈ではＳｌが融点１４０
０℃以上なので融解−Ｕず、しかもＳ】が比重２．３と
軽いのでＧａの上に浮いてしまい一部しかＧａＡｓに混
入しない。又混入量もＳｉの粒度や温度等条件によって
異なって（る。本発明の方法によれば、ＳｉＡｓは融点
１１’ｃで、ＧａＡｓの融点１２４８’ｃより低いから
、ＳｉＡｓが液状となり、ＧａＡｓと反応し易く混合均
一化し易い。又ＧａＡｓ、 １ｎＡｓも砒素化合物であ
り、親和性も良いので、添加したＳｉＡｓは全量混合さ
れると考えられ、酸素の混入も無い。依ってＢＮルツボ
を使う等容器からの混入がなければ本発明の方法により
ＧａＡｓ、 １ｎＡｓ等の結晶に現定量のＳｉをトービ
ンクすることか出来る。
をＢＮルツボ又は石英ルツボに入れ上部に８２０３を乗
せて窒素又はアルゴン気流加圧下で加熱合成する。本発
明の方法ではＳｌをＳｉＡｓの形で計算量加えて加熱す
る。この場合Ｓｉを単に加えた丈ではＳｌが融点１４０
０℃以上なので融解−Ｕず、しかもＳ】が比重２．３と
軽いのでＧａの上に浮いてしまい一部しかＧａＡｓに混
入しない。又混入量もＳｉの粒度や温度等条件によって
異なって（る。本発明の方法によれば、ＳｉＡｓは融点
１１’ｃで、ＧａＡｓの融点１２４８’ｃより低いから
、ＳｉＡｓが液状となり、ＧａＡｓと反応し易く混合均
一化し易い。又ＧａＡｓ、 １ｎＡｓも砒素化合物であ
り、親和性も良いので、添加したＳｉＡｓは全量混合さ
れると考えられ、酸素の混入も無い。依ってＢＮルツボ
を使う等容器からの混入がなければ本発明の方法により
ＧａＡｓ、 １ｎＡｓ等の結晶に現定量のＳｉをトービ
ンクすることか出来る。
実施例１
直接合成法のＧａＡｓ合成に於いて、Ｇａ １．０００
ｇ、Ａｓ １，０９６ｇにＳｉＡｓ １．５ ｇを加え
、Ｂ２ｏ３５０ｇを加え、窒素８０気圧の下にＧａＡｓ
を合成した。合成後窒素圧力を２０気圧に落して単結晶
を引−ヒげ、Ｌ２３５ｇの１）結晶を得た。この単結晶
は抵抗率１．８ Ｘ１０３９ｃｍであった。ウェハーの
測定からキャリヤー１度２Ｘ１０”／ ｃｄ、 電子移
動度ｕ−１、８００ｃａｔ ／ Ｖｓｅｃを得た。
ｇ、Ａｓ １，０９６ｇにＳｉＡｓ １．５ ｇを加え
、Ｂ２ｏ３５０ｇを加え、窒素８０気圧の下にＧａＡｓ
を合成した。合成後窒素圧力を２０気圧に落して単結晶
を引−ヒげ、Ｌ２３５ｇの１）結晶を得た。この単結晶
は抵抗率１．８ Ｘ１０３９ｃｍであった。ウェハーの
測定からキャリヤー１度２Ｘ１０”／ ｃｄ、 電子移
動度ｕ−１、８００ｃａｔ ／ Ｖｓｅｃを得た。
実施例２
ノンドープＧａＡｓ多結晶１．４ｋｇにＳｉＡｓ １．
Ｏｇを加え、８２０３５０ｇを加えて、４ｋｇ／ｃｎ＋
の窒素雰囲気の下で融解した。融解後圧力を３ｋｇ／ｃ
＋＋ｌに下げて単結晶引上げを行い、径４８〜５２ｍ／
ｍの単結晶６５８ｇを得た。この単結晶の比抵抗は１．
７１０３Ωｃｍであった。
Ｏｇを加え、８２０３５０ｇを加えて、４ｋｇ／ｃｎ＋
の窒素雰囲気の下で融解した。融解後圧力を３ｋｇ／ｃ
＋＋ｌに下げて単結晶引上げを行い、径４８〜５２ｍ／
ｍの単結晶６５８ｇを得た。この単結晶の比抵抗は１．
７１０３Ωｃｍであった。
Claims (1)
- ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ又はそれらをベースとした結晶を合
成又は単結晶を成長させる際に予め作成したＳｉＡｓを
必要量加えることを特徴とするＧａＡｓ、ＩｎＡｓ等の
結晶へＳｉをドーピングする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12614984A JPS616200A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | ＧａＡｓ，ＩｎＡｓ等の結晶にＳｉをド−ピングする方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12614984A JPS616200A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | ＧａＡｓ，ＩｎＡｓ等の結晶にＳｉをド−ピングする方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616200A true JPS616200A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14927885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12614984A Pending JPS616200A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | ＧａＡｓ，ＩｎＡｓ等の結晶にＳｉをド−ピングする方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616200A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929572A (en) * | 1988-07-18 | 1990-05-29 | Furukawa Co., Ltd. | Dopant of arsenic, method for the preparation thereof and method for doping of semiconductor therewith |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933036A (ja) * | 1972-08-07 | 1974-03-26 | ||
| JPS5262200A (en) * | 1975-11-17 | 1977-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Single crystal of gallium arsenide without dislocation |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12614984A patent/JPS616200A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933036A (ja) * | 1972-08-07 | 1974-03-26 | ||
| JPS5262200A (en) * | 1975-11-17 | 1977-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Single crystal of gallium arsenide without dislocation |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4929572A (en) * | 1988-07-18 | 1990-05-29 | Furukawa Co., Ltd. | Dopant of arsenic, method for the preparation thereof and method for doping of semiconductor therewith |
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