JPS6163647A - ビスシアナミドおよびその製造方法 - Google Patents
ビスシアナミドおよびその製造方法Info
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- JPS6163647A JPS6163647A JP18608984A JP18608984A JPS6163647A JP S6163647 A JPS6163647 A JP S6163647A JP 18608984 A JP18608984 A JP 18608984A JP 18608984 A JP18608984 A JP 18608984A JP S6163647 A JPS6163647 A JP S6163647A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- bis
- biscyanamide
- parts
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層板、注型材、塗料、ガラス繊維補強用フ
ェス等に用いる樹脂として有用なビスシアナミドおよび
その製造方法に関するものである。
ェス等に用いる樹脂として有用なビスシアナミドおよび
その製造方法に関するものである。
近年、回転電気機器、1気配線回路基板などにおいては
、その大電気容量化と小型軽量化が進むに従って、これ
らに使用される絶縁材料においても、その耐熱性の極め
て優れた熱硬化性樹脂が要望されている。また、従来、
種々の耐熱性高分子材料の研究が広くおこなわれている
が、積層板用、塗料用、含浸用の耐熱性高分子材料の場
合、その成形加工時にボイド(空隙)が残らないことが
重要な要件のひとつである。この要件を満たす材料とし
ては付加硬化型の耐熱性高分子材料が知られており、広
く研究されている。
、その大電気容量化と小型軽量化が進むに従って、これ
らに使用される絶縁材料においても、その耐熱性の極め
て優れた熱硬化性樹脂が要望されている。また、従来、
種々の耐熱性高分子材料の研究が広くおこなわれている
が、積層板用、塗料用、含浸用の耐熱性高分子材料の場
合、その成形加工時にボイド(空隙)が残らないことが
重要な要件のひとつである。この要件を満たす材料とし
ては付加硬化型の耐熱性高分子材料が知られており、広
く研究されている。
この様な付加硬化型の耐熱性高分子材料としては、特公
昭46−23250号公報に示されるようなビスマレイ
ミド樹脂などの付加重合型ポリイミド樹脂が提案されて
いる。このビスマレイミド樹脂は、二重結合へのジアミ
ン類の付加、及び、二重結合の重合によって硬化し、高
度の耐熱性を与える硬化樹脂となる。しかし、ビスマレ
イミド樹脂は、硬化速度が遅く、硬化に長時間要する等
改良すべき点が多い。
昭46−23250号公報に示されるようなビスマレイ
ミド樹脂などの付加重合型ポリイミド樹脂が提案されて
いる。このビスマレイミド樹脂は、二重結合へのジアミ
ン類の付加、及び、二重結合の重合によって硬化し、高
度の耐熱性を与える硬化樹脂となる。しかし、ビスマレ
イミド樹脂は、硬化速度が遅く、硬化に長時間要する等
改良すべき点が多い。
また、重合性基としてシアナミド基(−NH−−C5i
N)を有する化合物が知られている(独国特許2,03
3,696号)。即ち、ジアミノジフェニルメタン等の
芳香族ジアミンとハロゲン化シアンとを反応させて得ら
れる芳香族ビスシアナミド化合物がある。これらの芳香
族ビスシアナミド化合物は100〜200℃で加熱する
ことによってシアナミド基が容易に三景環化しインメラ
ミン環を有する硬化物を与え、得られた硬化物は優れた
耐熱性を有する。しかし、得られた硬化物は、可撓性等
機械的特性に劣るものである。また、硬化温度と融点が
接近、あるいは逆転しているため成形加工が困難でちる
。
N)を有する化合物が知られている(独国特許2,03
3,696号)。即ち、ジアミノジフェニルメタン等の
芳香族ジアミンとハロゲン化シアンとを反応させて得ら
れる芳香族ビスシアナミド化合物がある。これらの芳香
族ビスシアナミド化合物は100〜200℃で加熱する
ことによってシアナミド基が容易に三景環化しインメラ
ミン環を有する硬化物を与え、得られた硬化物は優れた
耐熱性を有する。しかし、得られた硬化物は、可撓性等
機械的特性に劣るものである。また、硬化温度と融点が
接近、あるいは逆転しているため成形加工が困難でちる
。
本発明は、温和な条件下で加熱硬化でき、しかもすぐれ
た耐熱性、可撓性、成形加工性を有する化合物を提供す
ることを目的とする。
た耐熱性、可撓性、成形加工性を有する化合物を提供す
ることを目的とする。
上記の目的は、一般式(1)
〔式中、xFis、o、SO−またはCOであり;Yは
SまたはOである。nは0ま九は1の整数である〕 で示されるビスシアナミドを用いることにより達成され
る。
SまたはOである。nは0ま九は1の整数である〕 で示されるビスシアナミドを用いることにより達成され
る。
(ビスシアナミドの製造)
上記式(1)で示されるビスシアナミドは、式(1)で
示される芳香族ジアミンとハロゲン化シアンとを塩基の
存在下に反応させることによシ得られる。
示される芳香族ジアミンとハロゲン化シアンとを塩基の
存在下に反応させることによシ得られる。
〔式中のxXy、 nは(1)式と同じである〕(芳香
族ジアミン) 上記式(1)で示される芳香族ジアミン化合物としては
、例えば、4.4’−ビス(4−アミノフェニルチオ)
ジフェニルスルフィ)’、4.4’ −ヒス(4−アミ
ノフェニルチオ)ジフェニルエーテル、4.4’−ビス
(4−アミノフェニルチオ)ジフェニルスルホン、4.
4′−ヒス(4−アミノフェニルチオ)ベンゾフェノン
、414’−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルフィド、4.4’−ビス(4−アミノフェノキシ)
ジフェニルエーテル、4.4’−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ジフェニルスルホン、4.4’−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゾフェノン、1,4−ビス(4−
アミノフェニルチオ)ベンゼンなどがある。
族ジアミン) 上記式(1)で示される芳香族ジアミン化合物としては
、例えば、4.4’−ビス(4−アミノフェニルチオ)
ジフェニルスルフィ)’、4.4’ −ヒス(4−アミ
ノフェニルチオ)ジフェニルエーテル、4.4’−ビス
(4−アミノフェニルチオ)ジフェニルスルホン、4.
4′−ヒス(4−アミノフェニルチオ)ベンゾフェノン
、414’−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルフィド、4.4’−ビス(4−アミノフェノキシ)
ジフェニルエーテル、4.4’−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ジフェニルスルホン、4.4’−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゾフェノン、1,4−ビス(4−
アミノフェニルチオ)ベンゼンなどがある。
(ハロゲン化シアン)
ハロゲン化シアントシてハ、クロルシアン、フ。
CffAシアンカ用いラレル。ハロゲン化シアンの使用
量は、前記一般式lで表わされるジアミン化合物1モル
に対して、2.0〜10モルの範囲が適当である。好ま
しくは、ジアミン化合物1モルに対して、2.5〜4.
0モル使用される。
量は、前記一般式lで表わされるジアミン化合物1モル
に対して、2.0〜10モルの範囲が適当である。好ま
しくは、ジアミン化合物1モルに対して、2.5〜4.
0モル使用される。
(塩基)
脱酸剤として使用する塩基としては、アルカリ金属又は
アルカリ土類金属−炭酸塩、重炭酸塩、あるいは、第三
級アミンなどを使用できる。好ましくは、アルカリ金、
属又はアルカリ土類金属−炭Lり塩が用いられる。例え
ば、CaCO3、Na2COa、K2COs などで
ある。その使用量はジアミン1モルに対して1〜2モル
である。
アルカリ土類金属−炭酸塩、重炭酸塩、あるいは、第三
級アミンなどを使用できる。好ましくは、アルカリ金、
属又はアルカリ土類金属−炭Lり塩が用いられる。例え
ば、CaCO3、Na2COa、K2COs などで
ある。その使用量はジアミン1モルに対して1〜2モル
である。
溶媒としては、ハロゲン化シアンに対して不活性であれ
ばよく、例えば、アルコール類、ケトン類、エーテル類
、非プロトン性双極性溶媒、あるいはこれらの溶媒と水
との混合溶媒系が使用できる。好ましくは、ジメチルア
セトアミド−水系混合溶媒、ホルムアミド−水系混合溶
媒が使用される。
ばよく、例えば、アルコール類、ケトン類、エーテル類
、非プロトン性双極性溶媒、あるいはこれらの溶媒と水
との混合溶媒系が使用できる。好ましくは、ジメチルア
セトアミド−水系混合溶媒、ホルムアミド−水系混合溶
媒が使用される。
また、反応温度、反応時間は特に規定するものではない
が、ハロゲン化シアンの沸点以下で行うのが望ましい。
が、ハロゲン化シアンの沸点以下で行うのが望ましい。
好ましくは一10℃〜20℃の温度範囲で、1〜5時間
反応させる。
反応させる。
(ビスシアナミド)
本発明の式(1)で示される芳香族ビスシアナミド化合
物としては、例えば、4.4’−ビス(4−シアナミド
フェニルチオ)ジフェニルスルフィド、4゜4′−ビス
(4−シアナミドフェニルチオ)ジフェニルエーテル、
4e4’−ビス(4−シアナミドフェニルチオ)ジフェ
ニルスルホン、4.4’−ビス(4−シアナミドフェニ
ルチオ)ベンゾフェノン、4゜4′−ビス(4−シアナ
ミドフェノキシ)ジフェニルスルフィド、4*4’−ビ
ス(4−シアナミドフェノキシ)ジフェニルエーテル、
4.4’−ビス(4−シアナミドフェノキシ)ジフェニ
ルスルホン、4゜4′−ビス(4−シアナミドフェノキ
シ)ベンゾフェノン、l、4−ビス(4−シアナミドフ
ェニルチオ)ベンゼンなどがある。
物としては、例えば、4.4’−ビス(4−シアナミド
フェニルチオ)ジフェニルスルフィド、4゜4′−ビス
(4−シアナミドフェニルチオ)ジフェニルエーテル、
4e4’−ビス(4−シアナミドフェニルチオ)ジフェ
ニルスルホン、4.4’−ビス(4−シアナミドフェニ
ルチオ)ベンゾフェノン、4゜4′−ビス(4−シアナ
ミドフェノキシ)ジフェニルスルフィド、4*4’−ビ
ス(4−シアナミドフェノキシ)ジフェニルエーテル、
4.4’−ビス(4−シアナミドフェノキシ)ジフェニ
ルスルホン、4゜4′−ビス(4−シアナミドフェノキ
シ)ベンゾフェノン、l、4−ビス(4−シアナミドフ
ェニルチオ)ベンゼンなどがある。
この芳香族ビスシアナミド化合物は、100〜200℃
の加熱により容易に硬化させることが可能である。また
、得られた硬化物社、耐熱性、耐薬品性、機械的性質等
に優れた不溶不融の耐熱性高分子材料を与えるものであ
る。
の加熱により容易に硬化させることが可能である。また
、得られた硬化物社、耐熱性、耐薬品性、機械的性質等
に優れた不溶不融の耐熱性高分子材料を与えるものであ
る。
本発明の新規な芳香族ビスシアナミド化合物は有機溶剤
溶液(ワニス)とするととくより、含浸用、積層用、接
着用、フィルム用、プリプレグ用のワニスとして有用で
ある。また、無機光てん剤、難燃剤、劣化防止剤、顔料
等を配合することくよって成形用樹脂とすることもでき
る。
溶液(ワニス)とするととくより、含浸用、積層用、接
着用、フィルム用、プリプレグ用のワニスとして有用で
ある。また、無機光てん剤、難燃剤、劣化防止剤、顔料
等を配合することくよって成形用樹脂とすることもでき
る。
次に本発明を実施例をもって更KA体的に示す。
文中、全て重量部である。
実施例は、本発明の範囲を拘束するものではない。
実施例1
攪拌装置、滴下ロートおよび温度計を装置した容量11
の五ロフラスコ内に1 臭化シアン32部(0,3モル
)をN、N’−ジメチルアセトチミド(DMAe)10
0部と水40部の混合溶媒中に溶解し、更に炭酸カルシ
ウム10部(o、tモル)を加え、5℃以下の温度に保
つ丸。
の五ロフラスコ内に1 臭化シアン32部(0,3モル
)をN、N’−ジメチルアセトチミド(DMAe)10
0部と水40部の混合溶媒中に溶解し、更に炭酸カルシ
ウム10部(o、tモル)を加え、5℃以下の温度に保
つ丸。
次に、 4.4’−ヒス(4−アミノフェニルチオ)
ジフェニルスルフィド43部(o、tモル)t−DMA
c100部に溶解し、得られた溶液を5℃以下の温度で
上記臭化シアン溶液に攪拌下、滴々加えた。その後、5
〜10℃の温度で2時間反応させた。
ジフェニルスルフィド43部(o、tモル)t−DMA
c100部に溶解し、得られた溶液を5℃以下の温度で
上記臭化シアン溶液に攪拌下、滴々加えた。その後、5
〜10℃の温度で2時間反応させた。
反応終了後、反応液を一過し、F液を10倍量の水中に
投入し、反応生成物を析出させ、濾過、洗浄し、減圧下
で[昼夜乾燥させた。
投入し、反応生成物を析出させ、濾過、洗浄し、減圧下
で[昼夜乾燥させた。
生成物の収量は47部であった。この生成物をIRスペ
クトル、NMRスペクトルにより分析したところ、4+
4’−ビス(4−シアナミドフェニルチオ)ジフェニル
スルフィドであることが確認された。収率は97%であ
った。IRスペクトルを第1図に示す。また、DSCに
よる融点は145℃でちった。
クトル、NMRスペクトルにより分析したところ、4+
4’−ビス(4−シアナミドフェニルチオ)ジフェニル
スルフィドであることが確認された。収率は97%であ
った。IRスペクトルを第1図に示す。また、DSCに
よる融点は145℃でちった。
実施例2
4.4′−ビス(4−アミノフェニルチオ)ジフェニル
スルフィドのかわりK 4.4’−ビス(4−アミノフ
ェニルチオ)ジフェニルスルホン47 部&用いる以外
は、実施例1と全く同様に反応を行って生成物49部を
得た。
スルフィドのかわりK 4.4’−ビス(4−アミノフ
ェニルチオ)ジフェニルスルホン47 部&用いる以外
は、実施例1と全く同様に反応を行って生成物49部を
得た。
この生成物をIRスペクトル、NMRスペクトルにより
分析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミド7エ
エルチオ)ジフェニルスルホンであることが確認できた
。収率は95%であった。IRスペクトルを第2図に示
す。又、融点は100℃であった。
分析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミド7エ
エルチオ)ジフェニルスルホンであることが確認できた
。収率は95%であった。IRスペクトルを第2図に示
す。又、融点は100℃であった。
実施例3
4.4′−ビス(4−アミノフェニルチオ)ジフェニル
スルフィドのかわりic4.4’−ビス(4−アミノフ
ェニルチオ)ベンゾフェノン43部を用い、炭酸カルシ
ウムのかわりに炭酸ナトリウム10.6部を用いた以外
は実施例1と全く同様に反応を行って生成物46部を得
た。
スルフィドのかわりic4.4’−ビス(4−アミノフ
ェニルチオ)ベンゾフェノン43部を用い、炭酸カルシ
ウムのかわりに炭酸ナトリウム10.6部を用いた以外
は実施例1と全く同様に反応を行って生成物46部を得
た。
この生成物をIRスペクトル、NMRスペクトルによっ
て分析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミドフ
ェニルチオ)ベンゾフェノンであることが確認できた。
て分析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミドフ
ェニルチオ)ベンゾフェノンであることが確認できた。
収率は95%であった。IRスベクトルを′g3図に示
す。また、融点は約150℃でちった。
す。また、融点は約150℃でちった。
実施例4
4.4’ −ヒス(4−アミノフェニルチオ)ジフェニ
ルスルフィドのかわりに4.4′−ビス(4−アミノフ
ェニルチオ)ジフェニルエーテル42部を用い、N・N
′−ジメチルアセトアミドのかわりにN、N’−ジメチ
ルホルムアミド100部を用いる以外は実施例1と全く
同様尾反応を行って生成546部を得た。
ルスルフィドのかわりに4.4′−ビス(4−アミノフ
ェニルチオ)ジフェニルエーテル42部を用い、N・N
′−ジメチルアセトアミドのかわりにN、N’−ジメチ
ルホルムアミド100部を用いる以外は実施例1と全く
同様尾反応を行って生成546部を得た。
この生成物をIRスペクトル、NMRスペクトルにより
分析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミドフェ
ニルチオ)ジフェニルエーテルであることが確認できた
。収率は98%であった。IRスペクトルを第4図に示
す。また、融点は125℃であった。
分析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミドフェ
ニルチオ)ジフェニルエーテルであることが確認できた
。収率は98%であった。IRスペクトルを第4図に示
す。また、融点は125℃であった。
実施例5
4.4′−ビス(4−アミノフェニルチオ)ジフェニル
スルフィドのかわりに4,4′−ジ(4−アミノフェニ
ルチオ)ベンゼン32.4部を用い、臭化シアンのかわ
りに塩化シアン19部を用いる以外は、実施例1と全く
同様に反応を行った。生成物は36部であった。
スルフィドのかわりに4,4′−ジ(4−アミノフェニ
ルチオ)ベンゼン32.4部を用い、臭化シアンのかわ
りに塩化シアン19部を用いる以外は、実施例1と全く
同様に反応を行った。生成物は36部であった。
生成物をIRスペクトル、NMRスペクトルを用いて分
析したところ、4.4’−ジ(4−シアナばドフェニル
チオ)ベンゼンであることが確認できた。収率は97%
であった。また、融点は約130℃であった。
析したところ、4.4’−ジ(4−シアナばドフェニル
チオ)ベンゼンであることが確認できた。収率は97%
であった。また、融点は約130℃であった。
実施例6
4.4′−ビス(4−アミノフェニルチオ)ジフェニル
スルフィドのかわりに4.4′−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ベンゾフェノン40部を用い、DM Acを2
00部用いた以外は実施例1と全く同様に反応を行って
生成物44部を得た。
スルフィドのかわりに4.4′−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ベンゾフェノン40部を用い、DM Acを2
00部用いた以外は実施例1と全く同様に反応を行って
生成物44部を得た。
得た生成物をIRスペクトル、NMRスペクトルにて分
析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミドフェノ
キシ)ベンゾフェノンであることが確認された。収率は
99%であった。第5図にIRスペクトルを示す。また
、融点は145℃であった。
析したところ、4.4’−ビス(4−シアナミドフェノ
キシ)ベンゾフェノンであることが確認された。収率は
99%であった。第5図にIRスペクトルを示す。また
、融点は145℃であった。
応用例1
実施例1〜6で得られた新規な芳香族ビスシアナミド化
合物をそれぞれ、180〜200℃で2時間加熱したと
ころ不溶、不融の硬化物を得た。
合物をそれぞれ、180〜200℃で2時間加熱したと
ころ不溶、不融の硬化物を得た。
また、これらの新規なビスシアナミド化合物の示差熱分
析(DSC)を行ったところ、いずれの化合物も120
〜180℃付近に鋭い発熱ピークを示した。この時点に
おいてシアナミド基の環化三量化反応が起り、本発明の
新規な芳香族ビスシアナミド化合物は架橋網状化すると
考えられる。加熱前後のIRスペクトルにおいて、加熱
前のシアナミド基のニトリルに由来する2 20 (1
m の吸収が、加熱によりほとんど消失し、イノメラ
ミン環のケミチン構造に由来すると思われる新たな吸収
が1620の に観察された。
析(DSC)を行ったところ、いずれの化合物も120
〜180℃付近に鋭い発熱ピークを示した。この時点に
おいてシアナミド基の環化三量化反応が起り、本発明の
新規な芳香族ビスシアナミド化合物は架橋網状化すると
考えられる。加熱前後のIRスペクトルにおいて、加熱
前のシアナミド基のニトリルに由来する2 20 (1
m の吸収が、加熱によりほとんど消失し、イノメラ
ミン環のケミチン構造に由来すると思われる新たな吸収
が1620の に観察された。
応用例2
実施例1〜6で得られた新規な芳香族ビスシアナミド化
合物をそれぞれ、メチルエチルケトンとセロソルブ混合
溶媒(実施列1.2.4.5)、または、N、N’−ジ
メチルアセトアミド溶媒(実施列3.6)に溶解し、固
形分50%のフェスを調製した。
合物をそれぞれ、メチルエチルケトンとセロソルブ混合
溶媒(実施列1.2.4.5)、または、N、N’−ジ
メチルアセトアミド溶媒(実施列3.6)に溶解し、固
形分50%のフェスを調製した。
これらのフェスをガラス板上に塗布し、50℃、70℃
、90℃で各々1時間乾燥させた後、120℃、150
℃、200℃各2時間加熱した。いずれの場合も可撓性
の良いフィルムが得られた。
、90℃で各々1時間乾燥させた後、120℃、150
℃、200℃各2時間加熱した。いずれの場合も可撓性
の良いフィルムが得られた。
b記6種類のフィルムの加熱減量特性(T G A)を
昇温速度10℃/分、空気中で測定したところ、いずれ
のフィルムも分解開始温度は430℃以上であり、また
10%重量重量減変温480℃以上であシ、極めて耐熱
性にすぐれていることがわかった。。
昇温速度10℃/分、空気中で測定したところ、いずれ
のフィルムも分解開始温度は430℃以上であり、また
10%重量重量減変温480℃以上であシ、極めて耐熱
性にすぐれていることがわかった。。
応用例3
実施列4で得た新規な芳香族ビスシアナミド化合物のフ
ィルムの電気的性質を測定した。フィルムの両面に直径
1ctnの銀電極を蒸着により付着させ測定用試料とし
、周波数100 KHzで誘電率、誘電損失及び、抵抗
率を測定した。
ィルムの電気的性質を測定した。フィルムの両面に直径
1ctnの銀電極を蒸着により付着させ測定用試料とし
、周波数100 KHzで誘電率、誘電損失及び、抵抗
率を測定した。
誘電率 3.96
誘電損失 0.0044
抵抗率 z x i o”Ω・α
応用例4
実施例4で得た新規な芳香族ビスシアナミド化合物をア
セトンとセロソルブの1:1混合溶媒に溶解し、更に、
60℃で約2時間予備反応させ、固形分50%フェスを
調製した。
セトンとセロソルブの1:1混合溶媒に溶解し、更に、
60℃で約2時間予備反応させ、固形分50%フェスを
調製した。
上記、フェスをアミノシラン処理されたガラスクロスに
含浸し、80℃で10分間乾燥して樹脂含浸量が約45
%のプリプレグを作成した。
含浸し、80℃で10分間乾燥して樹脂含浸量が約45
%のプリプレグを作成した。
次いで、各プリプレグを8枚重ね、圧力20〜40Kf
/i、温度100〜120℃の温度で積層接着し、更に
150℃、180℃各2時間硬化させ厚さ約1.6 w
mの積層板を作成した。得られた積層板は、内部に気泡
、はがれ等なく、表面平滑性に優れていた。
/i、温度100〜120℃の温度で積層接着し、更に
150℃、180℃各2時間硬化させ厚さ約1.6 w
mの積層板を作成した。得られた積層板は、内部に気泡
、はがれ等なく、表面平滑性に優れていた。
第1図、第2図、第3図、第4図および第5図は本発明
の実権例で得られたビスシアナミドのIRスペクトル図
である。
の実権例で得られたビスシアナミドのIRスペクトル図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、XはS、O、SO_2またはCOであり;Yは
SまたはOである。nは0または1 の整数である〕 で示されるビスシアナミド。 2)、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示されるジアミンと、ハロゲン化シアンとを反応させ
て次式で示されるビスシアナミドを製造する方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、XはS、O、SO_2またはCOであり;Yは
SまたはOである。nは0または1 の整数である。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18608984A JPS6163647A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | ビスシアナミドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18608984A JPS6163647A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | ビスシアナミドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163647A true JPS6163647A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=16182171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18608984A Pending JPS6163647A (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | ビスシアナミドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163647A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012520388A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-06 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | シアナート及びシラザンから成るハイブリイドポリマー、その製造方法、及びその使用方法 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP18608984A patent/JPS6163647A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012520388A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-06 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | シアナート及びシラザンから成るハイブリイドポリマー、その製造方法、及びその使用方法 |
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