JPS6165433A - 対物レンズの物体位置検出装置 - Google Patents
対物レンズの物体位置検出装置Info
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- JPS6165433A JPS6165433A JP59186471A JP18647184A JPS6165433A JP S6165433 A JPS6165433 A JP S6165433A JP 59186471 A JP59186471 A JP 59186471A JP 18647184 A JP18647184 A JP 18647184A JP S6165433 A JPS6165433 A JP S6165433A
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- Japan
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- capacitance
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- electrodes
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｕ発明の分野Ｊ
本発明は、対物レンズに対する対象物体の位置を検出す
る装置に関し、特に、光学式顕微鏡あるいは半導体露光
装置等の焦点深度の浅い対物レンズの物体位置を検出し
自動焦点合せを行なう為の検出系として好適な対物レン
ズの物体位置検出装置に関する。
る装置に関し、特に、光学式顕微鏡あるいは半導体露光
装置等の焦点深度の浅い対物レンズの物体位置を検出し
自動焦点合せを行なう為の検出系として好適な対物レン
ズの物体位置検出装置に関する。
［発明の荷置］
従来、この種の装置としては、光学式の検出手段やエア
ーセンサによる検出手段などが提案されている。前者の
光学式検出手段においては、第５図に示すように、光源
１からの光を第１の光学系２を通して試料３上に集光さ
せ、試料３からの反射光を第２の光学系４を通して受光
素子５で受光し、反射光の受光素子５における入射位置
から主光学系（対物レンズ）６の位置を検出する方法が
取られている。しかし、この方法では試料３の反射率が
低い場合には、検出誤差が大きくなったり、検出不能と
なる場合もある。さらに第６図に示すように試料が傾む
いた場合にも検出誤差を生じる欠点があった。すなわち
、第６図において、太線で示される試料３は、主光学系
６の光軸上の位置が細線で示されるものと同一であるが
、太線で示すように傾いていると、第２の光学系４に対
する反射光（２点鎖線）の入射位置が上方にずれてしま
い、試料３の位置が細線のものより上側にあるものとし
て検出されてしまう。
ーセンサによる検出手段などが提案されている。前者の
光学式検出手段においては、第５図に示すように、光源
１からの光を第１の光学系２を通して試料３上に集光さ
せ、試料３からの反射光を第２の光学系４を通して受光
素子５で受光し、反射光の受光素子５における入射位置
から主光学系（対物レンズ）６の位置を検出する方法が
取られている。しかし、この方法では試料３の反射率が
低い場合には、検出誤差が大きくなったり、検出不能と
なる場合もある。さらに第６図に示すように試料が傾む
いた場合にも検出誤差を生じる欠点があった。すなわち
、第６図において、太線で示される試料３は、主光学系
６の光軸上の位置が細線で示されるものと同一であるが
、太線で示すように傾いていると、第２の光学系４に対
する反射光（２点鎖線）の入射位置が上方にずれてしま
い、試料３の位置が細線のものより上側にあるものとし
て検出されてしまう。
これに対処する為、第７図に示すように、主光学系６の
周囲にエアーセンサ７を複数個配置して、各センサの値
から対物レンズと物体の相対位置を検出する方法も実用
化されている。しかし、この方式では、エアー・センサ
の特性上応答速度が遅いという欠点がある。さらに、こ
のようなエアー・センサは主光学系６の周囲にしか配置
できない為、主光学系６の口径が大きくなると各センサ
７の相対間隔も広くなり、試料３に各センサの相対Ｍ隔
より小さい領域での凹凸があっても検出できない等の欠
点がある。
周囲にエアーセンサ７を複数個配置して、各センサの値
から対物レンズと物体の相対位置を検出する方法も実用
化されている。しかし、この方式では、エアー・センサ
の特性上応答速度が遅いという欠点がある。さらに、こ
のようなエアー・センサは主光学系６の周囲にしか配置
できない為、主光学系６の口径が大きくなると各センサ
７の相対間隔も広くなり、試料３に各センサの相対Ｍ隔
より小さい領域での凹凸があっても検出できない等の欠
点がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、上述の従来例における問題点に鑑み、
検出精度が試料の反射率や表面の傾きおよび凹凸に影響
され難く、かつ高速での物体位置検出が可能な対物レン
ズの物体位置検出装置を提供することにある。また、試
料表面の傾きゃ凹凸を検出可能な装置を提供することを
第２の目的とする。
検出精度が試料の反射率や表面の傾きおよび凹凸に影響
され難く、かつ高速での物体位置検出が可能な対物レン
ズの物体位置検出装置を提供することにある。また、試
料表面の傾きゃ凹凸を検出可能な装置を提供することを
第２の目的とする。
［実施例の説明ｌ
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明一実施例（係る付物１〕゛ノアの物体
位置検出装置を適用した対物レンズ部分の構成を示す。
位置検出装置を適用した対物レンズ部分の構成を示す。
同図において、３は試料（対象物体）、６１ま主光学系
としての対物レンズ、８は第１の電極、９は第２の電極
である。また、６１は対物レンズ６の鏡筒、６２は対物
レンズ６の光学系を構成している物体３に最も近い位置
のレンズである。
としての対物レンズ、８は第１の電極、９は第２の電極
である。また、６１は対物レンズ６の鏡筒、６２は対物
レンズ６の光学系を構成している物体３に最も近い位置
のレンズである。
第１の電極８は、透明で導電性のある薄膜をレンズ６２
にコーティングすることにより形成される。
にコーティングすることにより形成される。
この第１の電極８は、光学的損失のできるだけ少ないこ
とが好ましく、例えば、レンズの反射防止コートとして
通常用いられる金属（アルミニウム等）コーティング材
料を用いることができる。また、レンズ６２の物体側の
面にこのような反射防止用金属、コートを施す場合、こ
の金属コート周辺部の鏡筒６１と接する部分を除去する
等、この金属コートを鏡筒６１から絶縁させることによ
り、本発明の第１の電極として用いることができる。
とが好ましく、例えば、レンズの反射防止コートとして
通常用いられる金属（アルミニウム等）コーティング材
料を用いることができる。また、レンズ６２の物体側の
面にこのような反射防止用金属、コートを施す場合、こ
の金属コート周辺部の鏡筒６１と接する部分を除去する
等、この金属コートを鏡筒６１から絶縁させることによ
り、本発明の第１の電極として用いることができる。
第２の電極９は鏡筒６１の物体３に最も近い位置に構成
される。これは、例えば鏡筒６１が金属等の導電製材料
で構成されてぃれば−この１ｆｔＦｉｌＡＩＧネのまま
第２の電極として用いればよい。また、鏡筒６１の物体
３に近１きする面に曲の材料で構成した上極を取付ける
ようにしてもよい。例えば第２の電極をプリント配線板
で構成すれば、鏡筒６１が導電性であっても電１ｆｉ９
を鏡筒６１から絶縁することができる。
される。これは、例えば鏡筒６１が金属等の導電製材料
で構成されてぃれば−この１ｆｔＦｉｌＡＩＧネのまま
第２の電極として用いればよい。また、鏡筒６１の物体
３に近１きする面に曲の材料で構成した上極を取付ける
ようにしてもよい。例えば第２の電極をプリント配線板
で構成すれば、鏡筒６１が導電性であっても電１ｆｉ９
を鏡筒６１から絶縁することができる。
第２図は、本発明の検出子部分の他の実施例を示す。同
図においては、対物レンズ６の一部として対物レンズ６
を構成するレンズのうち対象物体３に最も近いレンズ６
２と物体３との間に平行平面ガラス６３を組込み、この
平行平面ガラス６３の物体３１ｔｌｌｌの面に第１の電
極８としてアルミニウム等、光学的損失の少ない導電性
薄膜をコートしている。
図においては、対物レンズ６の一部として対物レンズ６
を構成するレンズのうち対象物体３に最も近いレンズ６
２と物体３との間に平行平面ガラス６３を組込み、この
平行平面ガラス６３の物体３１ｔｌｌｌの面に第１の電
極８としてアルミニウム等、光学的損失の少ない導電性
薄膜をコートしている。
第３図は、本発明の検出子部分のさらに他の実施例を示
す底面図である。同図の検出子は、第２図のものに対し
、鏡筒６１に構成する第２の電極９を３個に分割したも
のである。これにより、第１の電極８を共通電極として
この第１の電極８と容筒２の電極９との間に３個のコン
デンサが構成され、各コンデンサの容量または容量変化
を測定すれば、物体３の傾きや凹凸を検出することかで
きる。
す底面図である。同図の検出子は、第２図のものに対し
、鏡筒６１に構成する第２の電極９を３個に分割したも
のである。これにより、第１の電極８を共通電極として
この第１の電極８と容筒２の電極９との間に３個のコン
デンサが構成され、各コンデンサの容量または容量変化
を測定すれば、物体３の傾きや凹凸を検出することかで
きる。
第４図は、本発明の対物レンズの物体位置検出装置の全
体構成例を示す。この装置は、検出子すなわち第１の電
極８と第２の電極９、それに物体３および両電極８．９
と物体３との間に介在する物質（空気等）によって構成
されるコンデンサＧｏの静電容量を測定し、この容量ま
たは容量変化をもとに対物レンズ６の物体位置を検出す
るものである。同図において、１１はコンデンサＣ１゜
Ｃ２、Ｃ３およびＣＯで構成されたインピーダンスブリ
ッジ、１２は発振回路、１３は検出回路、１４は直流増
幅器、１５は物体３の位置または標準位置からのずれを
示す指示計、１６は電源である。
体構成例を示す。この装置は、検出子すなわち第１の電
極８と第２の電極９、それに物体３および両電極８．９
と物体３との間に介在する物質（空気等）によって構成
されるコンデンサＧｏの静電容量を測定し、この容量ま
たは容量変化をもとに対物レンズ６の物体位置を検出す
るものである。同図において、１１はコンデンサＣ１゜
Ｃ２、Ｃ３およびＣＯで構成されたインピーダンスブリ
ッジ、１２は発振回路、１３は検出回路、１４は直流増
幅器、１５は物体３の位置または標準位置からのずれを
示す指示計、１６は電源である。
検出回路１３は、発撮器１２から発生される高周波電圧
を搬送波として上記コンデンサＧｏの静電容量もしくは
静電容量の変化により変調される被変調波から変調成分
を検出する不図示の検波回路とこの検波回路の出力信号
から不所望の周波数成分例えば上記搬送波をカットする
不図示のフィルタ回路とで構成され、インピーダンスブ
リッジ１１のコンデンサＣ１とＣ２との接続点およびコ
ンデンサＣ３と第１の電極８との接続点の間に発生する
不平衡電圧を検出する。
を搬送波として上記コンデンサＧｏの静電容量もしくは
静電容量の変化により変調される被変調波から変調成分
を検出する不図示の検波回路とこの検波回路の出力信号
から不所望の周波数成分例えば上記搬送波をカットする
不図示のフィルタ回路とで構成され、インピーダンスブ
リッジ１１のコンデンサＣ１とＣ２との接続点およびコ
ンデンサＣ３と第１の電極８との接続点の間に発生する
不平衡電圧を検出する。
次に、同図の装置の動作を説明する。
この装置においては、発振回路１２で周波数の安定した
高周波を作り、これをインピーダンスブリッジ１１のコ
ンデンサＣ２とＣ３との接続点およびコンデンサＣ１と
第２の電極９との接続点の間に印加する。したがって、
物体３と対物レンズ６の相対位置が変化すると、電極８
およびって構成されたコンデンサＣＯの容量が変化し、
発振回路１２からブリッジ１１に印加された高周波は、
この高周波が搬送波として振幅変調（ＡＭ）されたかた
らとなってブリッジ１１から出力される。検出回路１３
は、このブリッジ１１より入力される変調波を上記検波
回路および搬送波を除去する為のローパスフィルタを通
すことにより、その変調成分すなわち不平衡電圧を取り
出し、直流増幅器１４は、この不平衡電圧を増幅して、
指示計１５を駆動する。これにより、指示計１５は、対
象物体３の位置を表示する。ここで、予め物体３を合焦
位置にセットした状態でインピーダンスブリッジ１１が
平衡づるようにコンデンサＣ１の容量を調整すれば、指
示計１５は対客物体３の合焦位置からのずれ吊を表示す
ることになる。
高周波を作り、これをインピーダンスブリッジ１１のコ
ンデンサＣ２とＣ３との接続点およびコンデンサＣ１と
第２の電極９との接続点の間に印加する。したがって、
物体３と対物レンズ６の相対位置が変化すると、電極８
およびって構成されたコンデンサＣＯの容量が変化し、
発振回路１２からブリッジ１１に印加された高周波は、
この高周波が搬送波として振幅変調（ＡＭ）されたかた
らとなってブリッジ１１から出力される。検出回路１３
は、このブリッジ１１より入力される変調波を上記検波
回路および搬送波を除去する為のローパスフィルタを通
すことにより、その変調成分すなわち不平衡電圧を取り
出し、直流増幅器１４は、この不平衡電圧を増幅して、
指示計１５を駆動する。これにより、指示計１５は、対
象物体３の位置を表示する。ここで、予め物体３を合焦
位置にセットした状態でインピーダンスブリッジ１１が
平衡づるようにコンデンサＣ１の容量を調整すれば、指
示計１５は対客物体３の合焦位置からのずれ吊を表示す
ることになる。
なお、上記電極８および９で構成されるコンデンサＣｏ
を発振回路１２の発掘に寄与する可変客間素子として用
いるようにすれば、発掘回路１２からの出力は周波数変
調されることになるが、この場合は、検出回路１３とし
てはＦＭ検波回路を使用すれば、コンデンサＣＯの容量
または容量変化を検出することができる。
を発振回路１２の発掘に寄与する可変客間素子として用
いるようにすれば、発掘回路１２からの出力は周波数変
調されることになるが、この場合は、検出回路１３とし
てはＦＭ検波回路を使用すれば、コンデンサＣＯの容量
または容量変化を検出することができる。
［発明の適用例１
なお、上述の実施例においては、本発明を、対物レンズ
の物体位置検出装置として説明しているが、本発明は、
特に、半導体製造装置として使用される縮小投影露光装
置の焼付は用メインレンズのオートフォーカス用の計測
装置として使用すると一層の効果がある。この場合、レ
ンズの最適ビント位置でインピーダンスブリッジ１１の
バリアプルキャパシタンスＣ１の容（６）を調整して出
力電圧をＯに設定しておき、何らかの原因でピントがず
れた場合、出力が０１．：なるようにレンズ６あるいは
物体３を自動制御すれば、常に最適ピント位置での露光
が可能となる。
の物体位置検出装置として説明しているが、本発明は、
特に、半導体製造装置として使用される縮小投影露光装
置の焼付は用メインレンズのオートフォーカス用の計測
装置として使用すると一層の効果がある。この場合、レ
ンズの最適ビント位置でインピーダンスブリッジ１１の
バリアプルキャパシタンスＣ１の容（６）を調整して出
力電圧をＯに設定しておき、何らかの原因でピントがず
れた場合、出力が０１．：なるようにレンズ６あるいは
物体３を自動制御すれば、常に最適ピント位置での露光
が可能となる。
さらに、鏡筒に構成する上極を複数個に分割１ノで、各
々について前記のような検出装置を構成すれば、各セン
昏すからの出力によって物体の傾向きも計測可能となる
。
々について前記のような検出装置を構成すれば、各セン
昏すからの出力によって物体の傾向きも計測可能となる
。
［発明の効果］
以上のように本発明によれば、対物レンズを構成するガ
ラス面のうち対象物体に最も近いガラス面と、レンズ鏡
筒の物体に近接する面にそれぞれ形成された電極と、こ
れらの電極および対象物体の間に介在する物質とで構成
されるコンデンサの静電容量により対象物体までの距離
を測定するようにしているため、検出精度が試料の反射
率や表面の傾きおよび凹凸に影響され難い。また、エア
ーセンナ等を用いる場合に比べ、検出速度が速い。
ラス面のうち対象物体に最も近いガラス面と、レンズ鏡
筒の物体に近接する面にそれぞれ形成された電極と、こ
れらの電極および対象物体の間に介在する物質とで構成
されるコンデンサの静電容量により対象物体までの距離
を測定するようにしているため、検出精度が試料の反射
率や表面の傾きおよび凹凸に影響され難い。また、エア
ーセンナ等を用いる場合に比べ、検出速度が速い。
さらに、主光学系の光学素子の一部を検出子の一部とし
て利用している為に、検出系の安定性が向上し、コスト
も低減できる利点がある。さらに、一方の電極を複数個
に分割し、他方の電極を共通電極とするコンデンサを複
数個構成するようにすれば、対象物体の表面の傾きや凹
凸を検出することも可能である。
て利用している為に、検出系の安定性が向上し、コスト
も低減できる利点がある。さらに、一方の電極を複数個
に分割し、他方の電極を共通電極とするコンデンサを複
数個構成するようにすれば、対象物体の表面の傾きや凹
凸を検出することも可能である。
第１図は、本発明を適用した対物レンズ部分の概略の構
成を示す縦断面図、 第２図は、本発明の他の実施例に係る対物レンズ部分の
縦断面図、 第３図は、本発明のさらに他の実施例に係る対物レンズ
部分の底面図、 第４図は、本発明の対物レンズの物体位置検出装置の実
施例の全体構成を示すブロック図、第５図は、従来の光
学式フォーカス検出機構の概略構成図、 第６図は、第５図の機構の動作を説明する為の図、 第７図はエアーセンサ方式のフォーカス検出機構の概略
構成図である。 ３・・・試料（対象物体）、６・・・対物レンズ、６１
・・・鏡筒、６２・・・対象物体に最も近いレンズ、６
３・・・平行平面ガラス、８・・・第１の電極、９山第
２の電極、１２・・・発振回路、１３・・・検出回路、
１４・・・直流増幅器、・・・指示計。
成を示す縦断面図、 第２図は、本発明の他の実施例に係る対物レンズ部分の
縦断面図、 第３図は、本発明のさらに他の実施例に係る対物レンズ
部分の底面図、 第４図は、本発明の対物レンズの物体位置検出装置の実
施例の全体構成を示すブロック図、第５図は、従来の光
学式フォーカス検出機構の概略構成図、 第６図は、第５図の機構の動作を説明する為の図、 第７図はエアーセンサ方式のフォーカス検出機構の概略
構成図である。 ３・・・試料（対象物体）、６・・・対物レンズ、６１
・・・鏡筒、６２・・・対象物体に最も近いレンズ、６
３・・・平行平面ガラス、８・・・第１の電極、９山第
２の電極、１２・・・発振回路、１３・・・検出回路、
１４・・・直流増幅器、・・・指示計。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対象物体の対物レンズに対する位置を検出する装置
であつて、対物レンズの光学系を構成するガラス面のう
ち対象物体に最も近い面にコートされた導電性薄膜から
なる第１の電極と、該対物レンズの鏡筒の対象物体に近
接した面に形成された第２の電極と、これら第１および
第２の電極間の静電容量を測定する手段とを具備し、こ
の静電容量をもとに上記対象物体の対物レンズに対する
位置を検出することを特徴とする対物レンズの物体位置
検出装置。 ２、前記対象物体に最も近いガラス面が、前記対物レン
ズの上記対象物体に最も近いレンズ面であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の対物レンズの物体位
置検出装置。 ３、前記対物レンズの前記対象物体に最も近いレンズと
該対象物体との間に前記対物レンズの光学系の一部とし
て平行平面ガラスを組込み、該平行平面ガラスの物体に
近接する面に光学的損失の少ない導電性薄膜をコートし
てこれを第１の電極としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の対物レンズの物体位置検出装置。 ４、前記第２の電極を複数個に分割したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１〜３項のいずれか１つに記載の対
物レンズの物体位置検出装置。 ５、前記第１および第２の電極間の静電容量を測定する
手段が、第１および第２の電極間に高周波電圧を印加す
る発振器と、第１および第２の電極間の静電容量もしく
は静電容量の変化を検出する検出回路とを有することを
特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１つに
記載の対物レンズの物体位置検出装置。 ６、前記検出回路が、前記第１および第２の電極間に印
加された高周波電圧を搬送波として該第１および第２の
電極間の静電容量もしくは静電容量の変化により変調さ
れた被変調波から変調成分を検出する検波回路と、該検
波回路の出力信号から不所望の周波数成分をカットする
フィルタ回路と、該フィルタ回路の出力信号を増幅する
直流増幅器と、該直流増幅器の出力により前記対象物体
の位置を表示する指示計とからなることを特徴とする特
許請求の範囲第５項記載の対物レンズの物体位置検出装
置。 ７、前記第１および第２の電極の外周に第３の電極を設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第１〜６項のいず
れか１つに記載の対物レンズの物体位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186471A JPS6165433A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 対物レンズの物体位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186471A JPS6165433A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 対物レンズの物体位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165433A true JPS6165433A (ja) | 1986-04-04 |
Family
ID=16189052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186471A Pending JPS6165433A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 対物レンズの物体位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165433A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002116136A (ja) * | 2000-05-23 | 2002-04-19 | General Electric Co <Ge> | 高サイクル疲労寿命試験の方法及び装置 |
| EP0984329A3 (en) * | 1998-09-04 | 2002-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus having a plurality of detection sections, and exposure apparatus |
| JP2013187206A (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-19 | Canon Inc | 検出装置、露光装置及びデバイスを製造する方法 |
| EP3413114A1 (en) * | 2017-06-06 | 2018-12-12 | United Arab Emirates University | Functionalized optical lens and method of manufacturing |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59186471A patent/JPS6165433A/ja active Pending
Cited By (8)
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| US6529263B2 (en) | 1998-09-04 | 2003-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus having a plurality of detection sections, and exposure apparatus |
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