JPS6167765A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
イオンプレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPS6167765A JPS6167765A JP18887384A JP18887384A JPS6167765A JP S6167765 A JPS6167765 A JP S6167765A JP 18887384 A JP18887384 A JP 18887384A JP 18887384 A JP18887384 A JP 18887384A JP S6167765 A JPS6167765 A JP S6167765A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion plating
- ionization
- plating apparatus
- high frequency
- evaporation source
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明はイオンプレーティング装置に関する。
［従来技術］
イオンプレーティング装置はイオン加速用陰極としての
基板支持部と蒸発源と該蒸発源近傍に配置したイオン化
手段たとえばイオン化電極とを収容した真空室を有して
おり、この真空室には反応ガス導入口が設けられている
。このようなイオンプレーティング装置においては、従
来、成膜前に基板の表面をクリーニングする場合、低真
空中（たとえばｌＸｌ０−ＩＴｏｒｒ−ＩＸＩＯ２Ｔｏ
ｒｒ）でアルゴンガスを用いて直流放電イオンボンバー
ドが行なわれいる。そのため、クリーニング後、イオン
プレーティングを開始するまでに真空度を上げなければ
ならない（たとえば１×１０ ６Ｔｏｒｒ）。この高真
空化の間はクリーニングされた基板が低真空状態に置か
れるので基板が汚染され易く、このため形成ｙれる膜の
基板への密着性が低下するという問題があった。
基板支持部と蒸発源と該蒸発源近傍に配置したイオン化
手段たとえばイオン化電極とを収容した真空室を有して
おり、この真空室には反応ガス導入口が設けられている
。このようなイオンプレーティング装置においては、従
来、成膜前に基板の表面をクリーニングする場合、低真
空中（たとえばｌＸｌ０−ＩＴｏｒｒ−ＩＸＩＯ２Ｔｏ
ｒｒ）でアルゴンガスを用いて直流放電イオンボンバー
ドが行なわれいる。そのため、クリーニング後、イオン
プレーティングを開始するまでに真空度を上げなければ
ならない（たとえば１×１０ ６Ｔｏｒｒ）。この高真
空化の間はクリーニングされた基板が低真空状態に置か
れるので基板が汚染され易く、このため形成ｙれる膜の
基板への密着性が低下するという問題があった。
［発明の目的］
本発明は、上記の如き従来技術に鑑み、高真空中でもイ
オンボンバードを行なうことができ、これにより短時間
でイオンポンバード工程からイオンプレーティング工程
へと移行することができ、従って密着性の良好な膜を形
成できるイオンプレーティング装置を提供することにあ
る。
オンボンバードを行なうことができ、これにより短時間
でイオンポンバード工程からイオンプレーティング工程
へと移行することができ、従って密着性の良好な膜を形
成できるイオンプレーティング装置を提供することにあ
る。
［発明の要旨１
本発明によれば、以上の様な目的は、イオン化手段と基
板支持手段との間に高周波アンテナが設置されているこ
とを特徴とする、イオンプレーティング装置により達成
される。
板支持手段との間に高周波アンテナが設置されているこ
とを特徴とする、イオンプレーティング装置により達成
される。
［発明の実施例］
以下、添伺図面を参照しながら本発明の具体的実施例を
説明する。
説明する。
第１図は本発明によるイオンプレーティング装置の一実
施例の概略構成図である。ここに示すイオンプレーティ
ング装置は真空室ｌを有し、この真空室１は導管２を通
じて真空源（図示せず）に接続されている。
施例の概略構成図である。ここに示すイオンプレーティ
ング装置は真空室ｌを有し、この真空室１は導管２を通
じて真空源（図示せず）に接続されている。
真空室ｌの底部には蒸発源３が配置されており、該蒸発
源３−にには蒸発物質４が収容される。
源３−にには蒸発物質４が収容される。
蒸発源３としては、たとえば電子銃装置または抵抗加熱
装置を使用することができる。蒸発源３の−に方には隣
接してイオン化手段としてのイオン化用アノード５が配
置されている（尚、イオン化手段としてはイオン化用ア
ノードのほかに、たとえばイオン化用熱電子発生源を用
いることもできる）。該アノード５は真空室１外の電源
６に接続されている。アノード５の」二方には蒸着用シ
ャッタ７が配置されている。
装置を使用することができる。蒸発源３の−に方には隣
接してイオン化手段としてのイオン化用アノード５が配
置されている（尚、イオン化手段としてはイオン化用ア
ノードのほかに、たとえばイオン化用熱電子発生源を用
いることもできる）。該アノード５は真空室１外の電源
６に接続されている。アノード５の」二方には蒸着用シ
ャッタ７が配置されている。
真空室１内の頂部付近には、基板支持用ドーム８が設け
られており、該ドーム８の下面側に基板が支持固定され
る。このドーム８は真空室１外のイオン加速用電源９に
接続されており、負にバイアスされるようになっている
。
られており、該ドーム８の下面側に基板が支持固定され
る。このドーム８は真空室１外のイオン加速用電源９に
接続されており、負にバイアスされるようになっている
。
基板支持用ドーム８の下方すなわちドーム８とイオン化
用アノード５との間には高周波アンテナ１０が配置され
ており、これは真空室ｌ外のイオンボンバード用高周波
電源１１に接続されている。この高周波アンテナ１０は
、蒸着作用を妨げないように直径の大きいリングあるい
はコイルの形にするのが好ましい。
用アノード５との間には高周波アンテナ１０が配置され
ており、これは真空室ｌ外のイオンボンバード用高周波
電源１１に接続されている。この高周波アンテナ１０は
、蒸着作用を妨げないように直径の大きいリングあるい
はコイルの形にするのが好ましい。
真空室ｌの底部には、ボンバード用ガスあるいは反応ガ
スを供給するための導入口１２が接続されている。
スを供給するための導入口１２が接続されている。
本実施例装置において、たとえばＴｉＮ膜を形成する場
合には、真空源（図示せず）によって真空室ｌ内をｌＸ
ｌ０ ５〜ｌＸｌ０ ６Ｔｏｒｒに排気した後、荒引き
状態でアルゴンガスを導入口１２を通して真空室１内に
送り込み、真空室１内の圧力をｔｘｉｏ−’１〜ｔｘｔ
ｏ ２Ｔｏｒｒとする。次にイオン加速用電源９によ
って基板支持用ドーム８に電圧を印加すると、直流イオ
ンボンバードが行なわれる。その後、木引き状態にする
と同時にアルゴンガスを導入して真空室１内の圧力をＩ
ＸＩ Ｏ−３〜ｌＸｌ０−４ Ｔｏｒｒとし、高周波電
源１１により高周波アンテナ１０に高周波電圧を印加す
る。これにより、高周波イオンボンバードが行なわれ、
基板のクリーニングがなされる。
合には、真空源（図示せず）によって真空室ｌ内をｌＸ
ｌ０ ５〜ｌＸｌ０ ６Ｔｏｒｒに排気した後、荒引き
状態でアルゴンガスを導入口１２を通して真空室１内に
送り込み、真空室１内の圧力をｔｘｉｏ−’１〜ｔｘｔ
ｏ ２Ｔｏｒｒとする。次にイオン加速用電源９によ
って基板支持用ドーム８に電圧を印加すると、直流イオ
ンボンバードが行なわれる。その後、木引き状態にする
と同時にアルゴンガスを導入して真空室１内の圧力をＩ
ＸＩ Ｏ−３〜ｌＸｌ０−４ Ｔｏｒｒとし、高周波電
源１１により高周波アンテナ１０に高周波電圧を印加す
る。これにより、高周波イオンボンバードが行なわれ、
基板のクリーニングがなされる。
この高周波イオンボンバードによるクリーニングの後、
導入口１２から反応ガスとして窒素ガスを真空室ｌ内に
導入し、蒸発源３により膜形成用Ｔｉ蒸気を発生させる
。このとき、電源６によりイオン化用アノード５に電圧
を印加すると、Ｔｉ蒸気および窒素ガスがイオン化ある
いは励起されてドーム８の方へと引きつけられ、基板上
にＴｉＮの膜が形成される。
導入口１２から反応ガスとして窒素ガスを真空室ｌ内に
導入し、蒸発源３により膜形成用Ｔｉ蒸気を発生させる
。このとき、電源６によりイオン化用アノード５に電圧
を印加すると、Ｔｉ蒸気および窒素ガスがイオン化ある
いは励起されてドーム８の方へと引きつけられ、基板上
にＴｉＮの膜が形成される。
［発明の効果］
以−ヒの様な本発明によれば、高周波アンテナ１０によ
る高周波放電は高真空中でも可能であるから、高真空中
でイオンボンバードにて基板のクリーニングを行なうこ
ぶができ、従ってクリーニング後すみやかに膜形成工程
に移行できると共に膜の密着性を改善でき、このため従
来イオンプレーティングではむずかしいとされていたＴ
ｉＮ、ＴｉＣ等の膜形成を容易に行なうことができる。
る高周波放電は高真空中でも可能であるから、高真空中
でイオンボンバードにて基板のクリーニングを行なうこ
ぶができ、従ってクリーニング後すみやかに膜形成工程
に移行できると共に膜の密着性を改善でき、このため従
来イオンプレーティングではむずかしいとされていたＴ
ｉＮ、ＴｉＣ等の膜形成を容易に行なうことができる。
第１図は本発明によるイオンプレーティング装置の構成
図である。 ｌｅｅ・真空室、２・・・導管、 ３・・・蒸発源、５・・・イオン化用アノード、７・・
・蒸着用シャッタ、 ８・・・基板支持用ドーム、 １０・・・高周波アンテナ、 １２・・拳ガス導入口 第１図
図である。 ｌｅｅ・真空室、２・・・導管、 ３・・・蒸発源、５・・・イオン化用アノード、７・・
・蒸着用シャッタ、 ８・・・基板支持用ドーム、 １０・・・高周波アンテナ、 １２・・拳ガス導入口 第１図
Claims (3)
- （１）蒸発源と該蒸発源近傍に設置されているイオン化
手段と該イオン化手段から隔たって設置されている基板
支持手段とを有し、これらがすべて真空室内に配置され
ているイオンプレーティング装置において、イオン化手
段と基板支持手段との間に高周波アンテナが設置されて
いることを特徴とする、イオンプレーティング装置。 - （２）蒸発源が電子銃装置または抵抗加熱装置である、
第１項のイオンプレーティング装置。 - （３）イオン化手段がイオン化用アノードまたはイオン
化用熱電子発生源である、第１項のイオンプレーティン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18887384A JPS6167765A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18887384A JPS6167765A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167765A true JPS6167765A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16231365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18887384A Pending JPS6167765A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5879741A (en) * | 1993-03-24 | 1999-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming film |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278778A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-02 | Takeo Okazaki | Ionic plating apparatus |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP18887384A patent/JPS6167765A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5278778A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-02 | Takeo Okazaki | Ionic plating apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5879741A (en) * | 1993-03-24 | 1999-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming film |
| US6261634B1 (en) | 1993-03-24 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for forming film |
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