JPS6168802A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS6168802A JPS6168802A JP59191052A JP19105284A JPS6168802A JP S6168802 A JPS6168802 A JP S6168802A JP 59191052 A JP59191052 A JP 59191052A JP 19105284 A JP19105284 A JP 19105284A JP S6168802 A JPS6168802 A JP S6168802A
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- JP
- Japan
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- mol
- temperature
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- dielectric
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分身
本発明は誘電体磁器λ、Ｒ成物、特にコンデンサ用誘電
体磁器組成物に関する。
体磁器組成物に関する。
従来例の構成とその問題点
セラミックコンデンサ用の高誘゛屯率を存する誘電体磁
器組成物を作るための材料として、チタン酸バリウム系
の材料か広く使用されている。
器組成物を作るための材料として、チタン酸バリウム系
の材料か広く使用されている。
この系の材料を用いた従来の誘電体磁器組成物の比誘電
率は、その温度特性と密接な関係にあり、ＪＩＳ規格に
定められた７級り特性（−２５℃〜８５℃の温度範囲で
誘電率の温度変化が２０℃の値を基準にして＋３０幅〜
−８０幅以内）を頌す磁器組成物では４０００程度、Ｙ
級Ｂ特性（上記条件で±１０％以内）では２０００程度
である。かかるチタン酸バリウム系の材料を用いた誘電
体磁器組成物は、その誘電体損失ｔａｎδも低く、寿命
特性等その他の緒特性も優れているが、その焼成には１
２００〜１４００℃という相当高い温度を必要とする。
率は、その温度特性と密接な関係にあり、ＪＩＳ規格に
定められた７級り特性（−２５℃〜８５℃の温度範囲で
誘電率の温度変化が２０℃の値を基準にして＋３０幅〜
−８０幅以内）を頌す磁器組成物では４０００程度、Ｙ
級Ｂ特性（上記条件で±１０％以内）では２０００程度
である。かかるチタン酸バリウム系の材料を用いた誘電
体磁器組成物は、その誘電体損失ｔａｎδも低く、寿命
特性等その他の緒特性も優れているが、その焼成には１
２００〜１４００℃という相当高い温度を必要とする。
このためチタン酸バリウム系の材料からなる組成物から
セラミックコンデンサを作るときには、焼成に要する費
用が高くなるばかりでなく、内部電極として尚価な白金
またはパラジウム系の１Ｊｉ極が必要となる。
セラミックコンデンサを作るときには、焼成に要する費
用が高くなるばかりでなく、内部電極として尚価な白金
またはパラジウム系の１Ｊｉ極が必要となる。
一方安価な銀電極が使用できる焼成温度の低１、’柄ｔ
＃−組成物として、Ｐ ｂ （Ｆｅ ’７ｔ Ｎ ｂ
１４）ｘ （” ｐ３ ” ’７３）ｒ −Ｘ Ｏｔま
たはＰ ｂ （Ｚ ｎ ７．Ｎ ｂ ４ ）、 （Ｍ
ｇ ’／Ｓ Ｎ ｂ ５／ｓ ）、（Ｆｅ ”／ａ Ｗ
’／ｓ ） 、 ０３等の材料か数多く知られている
。これらの材料からなる誘電体組成物は誘電率の温度変
化が大きく、小さい温度変化率が要求される前述したＹ
級Ｂ特性のものは知られていない。
＃−組成物として、Ｐ ｂ （Ｆｅ ’７ｔ Ｎ ｂ
１４）ｘ （” ｐ３ ” ’７３）ｒ −Ｘ Ｏｔま
たはＰ ｂ （Ｚ ｎ ７．Ｎ ｂ ４ ）、 （Ｍ
ｇ ’／Ｓ Ｎ ｂ ５／ｓ ）、（Ｆｅ ”／ａ Ｗ
’／ｓ ） 、 ０３等の材料か数多く知られている
。これらの材料からなる誘電体組成物は誘電率の温度変
化が大きく、小さい温度変化率が要求される前述したＹ
級Ｂ特性のものは知られていない。
従って銅の如き安価な電極材料が使用できる１１００℃
以下の溶成温度を有し、かつ小さい温度変化率と高い誘
電輩を有する誘電体磁器組成物が得られるならばその工
業的価値か大であることは明らかである。
以下の溶成温度を有し、かつ小さい温度変化率と高い誘
電輩を有する誘電体磁器組成物が得られるならばその工
業的価値か大であることは明らかである。
発明の目的
本発明は焼成温度が１１００℃以下と低く、かつＪ！Ｓ
規格で定められた７級り特性またはＹ級Ｂ特性を満す、
すぐれた温度変化飄を示し、更に高い誘電率を有するコ
ンデンサ用誘電体磁器組成物を提供することにある。
規格で定められた７級り特性またはＹ級Ｂ特性を満す、
すぐれた温度変化飄を示し、更に高い誘電率を有するコ
ンデンサ用誘電体磁器組成物を提供することにある。
発明の構成
本発明のコンデンサ用誘電体磁器組成物は、Ｐｂ （Ｚ
ｎ ｉ、４Ｎｂ ！／、）ｘ（ｒｅ １７．Ｎｌ） ！
／、）、 （Ｍｇ ’Ａ” ｌ／、） 、 Ｏｓ （た
たしＸ＋７−＋＃＝ １である）からなる第１成分を５
０〜９０モル％、およびＢａＴｉＯｓを８０モル％以上
含有する第２成分を５０〜１０モル％からなる。
ｎ ｉ、４Ｎｂ ！／、）ｘ（ｒｅ １７．Ｎｌ） ！
／、）、 （Ｍｇ ’Ａ” ｌ／、） 、 Ｏｓ （た
たしＸ＋７−＋＃＝ １である）からなる第１成分を５
０〜９０モル％、およびＢａＴｉＯｓを８０モル％以上
含有する第２成分を５０〜１０モル％からなる。
なお上記本発明によるｔＡｔｈ体磁器組成物において誘
電体損失ｔａｎδはＭｎ０１を添加することにより改良
されるので、これを添加するのが好ましい。ただしＭｎ
０１の添加は０．２重量％程度でｔａｎδは１幅以下と
なるが１重惜気を越えると再びｔａｎδは大きくなるの
でＭｎ０１の添加量は１重量幅以下にするのが好ましい
。
電体損失ｔａｎδはＭｎ０１を添加することにより改良
されるので、これを添加するのが好ましい。ただしＭｎ
０１の添加は０．２重量％程度でｔａｎδは１幅以下と
なるが１重惜気を越えると再びｔａｎδは大きくなるの
でＭｎ０１の添加量は１重量幅以下にするのが好ましい
。
本発明で使用する上記第１戒分において、Ｘ。
７１”はそれぞれ０．４≦Ｘ≦Ｏ１９，０≦ｙ≦０．５
および０．１≦２≦０．６である第１成分を使用するの
が好ましい。この範囲をそれぞれ逸脱すると強誘電的相
転移温度か室温から大きく外れたり、誘電率の温度綾化
か急峻となり、温度変化率か大きくなるので好ましくな
い。
および０．１≦２≦０．６である第１成分を使用するの
が好ましい。この範囲をそれぞれ逸脱すると強誘電的相
転移温度か室温から大きく外れたり、誘電率の温度綾化
か急峻となり、温度変化率か大きくなるので好ましくな
い。
ＢａＴｉ０＠を８０モル％以上含有する第２成分はＢａ
ＴｉＯ３のみからなってもよく、また他成分としてＳｒ
、 Ｚｒ 、 Ｌａ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、および
／またはｓｂを含有してもよく、例えはＢａＩ−ｕＳｒ
ｕＴｉ０３ （ただしＱ （ｕ≦０．２である）、Ｂａ
Ｔｉ １−ｙＺｒｖＯ３（ただしＯ＜ＶＳ２．１５であ
る）の組成を存していてもよい、なお上記他成分はそれ
ぞれの酸化物の形で含有されることは勿論である。
ＴｉＯ３のみからなってもよく、また他成分としてＳｒ
、 Ｚｒ 、 Ｌａ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、および
／またはｓｂを含有してもよく、例えはＢａＩ−ｕＳｒ
ｕＴｉ０３ （ただしＱ （ｕ≦０．２である）、Ｂａ
Ｔｉ １−ｙＺｒｖＯ３（ただしＯ＜ＶＳ２．１５であ
る）の組成を存していてもよい、なお上記他成分はそれ
ぞれの酸化物の形で含有されることは勿論である。
上記第１成分が５０モル幅未満、従って＠２２戒か５０
モル％を越えると焼成温度か１１００℃を越えて好まし
くない。また上記第１５５．分が９０モル％を越えると
、従って第２成分か１０モル％未満となると誘電率の温
度変化か大となるため好ましくない。
モル％を越えると焼成温度か１１００℃を越えて好まし
くない。また上記第１５５．分が９０モル％を越えると
、従って第２成分か１０モル％未満となると誘電率の温
度変化か大となるため好ましくない。
また第２成分において、ＢａＴｉＯｓの含有率が８０モ
ル％未満になると、例えば上記Ｓｒ 、 Ｚｒ 、 Ｌ
ａ。
ル％未満になると、例えば上記Ｓｒ 、 Ｚｒ 、 Ｌ
ａ。
Ｎｂ 、 Ｔａが大となると誘電率の温度変化が大とな
るので好ましくない。
るので好ましくない。
本発明の誘電体磁器組成物を作るに当っては従来より知
られている任麓の方法を使用できる。
られている任麓の方法を使用できる。
実施例の説明
以下実施例を挙げて本発明を説明する。
実施例
表１に示す各試料の第１成分および第２成分を、それぞ
れ化学的に純粋なＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ１０Ｂ。
れ化学的に純粋なＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ１０Ｂ。
Ｆｅ１０３ 、ＭｇＯ、ｗｏ、、ＢａＣＯ５，５ｒＣ
Ｏｓ 、Ｔｉ０ｔＩＺｒＯ１、Ｔａ１０Ｂ 、および
ｓｂ、ｏ、を表１の各成分の組成になるように秤量した
。更に本実施例の誘電体磁器組成物ではＭｎ０１を表１
に示す割合で含有させた。
Ｏｓ 、Ｔｉ０ｔＩＺｒＯ１、Ｔａ１０Ｂ 、および
ｓｂ、ｏ、を表１の各成分の組成になるように秤量した
。更に本実施例の誘電体磁器組成物ではＭｎ０１を表１
に示す割合で含有させた。
各試料の組成割合になるように上記各成分をポリエチレ
ンのポットに入れ、更に純水とめのう玉石を入れ、１５
時間攪拌混合し、めのう玉石を除き、乾燥した後６５０
〜８００℃で予備暇焼した。この准焼物を再びポリエチ
レンポットに入れて再び純粋水とめのう玉石を入れて１
５時間粉砕し、めのう玉石を除いた後乾燥した。
ンのポットに入れ、更に純水とめのう玉石を入れ、１５
時間攪拌混合し、めのう玉石を除き、乾燥した後６５０
〜８００℃で予備暇焼した。この准焼物を再びポリエチ
レンポットに入れて再び純粋水とめのう玉石を入れて１
５時間粉砕し、めのう玉石を除いた後乾燥した。
その後各乾燥試料にポリビニルアルコール水溶液をバイ
ンダーとして加え、直径１３謳、高さ１０謳の円柱状に
加圧成形し、バインダーを焼却した後、マグネシア容器
に入れ、表１に示す如き焼成温度で各試料を焼成した。
ンダーとして加え、直径１３謳、高さ１０謳の円柱状に
加圧成形し、バインダーを焼却した後、マグネシア容器
に入れ、表１に示す如き焼成温度で各試料を焼成した。
得られた各焼成試料を１順に切断し、両面にＣｒ−Ａｕ
を蒸着して電極を形成し、それぞれの試料についてＩＫ
Ｈｚ、ｌ’／／口の電界で２０℃での比誘電率、ｔａｎ
δおよび一２５℃〜８５℃での比誘電率の温度変化率を
測定した。これらの結果を表１に ７示す。
を蒸着して電極を形成し、それぞれの試料についてＩＫ
Ｈｚ、ｌ’／／口の電界で２０℃での比誘電率、ｔａｎ
δおよび一２５℃〜８５℃での比誘電率の温度変化率を
測定した。これらの結果を表１に ７示す。
上記表１中１菱印を付したものは本発明の範囲外の試料
である。上記表１のデータから明らかな如く、本発明に
よる誘電体磁器組成物は全て一２５℃〜８５℃の温度範
囲で、２０℃の値を基嘔とする比誘電率の変化率がＪｒ
Ｓ規格に定められたＹＲＤ特性（−３０〜＋２０％以内
）を満し、特にすぐれた試料はＹ級Ｂ特性（±１０幅以
内）を満していることが判る。また室温付近の比誘電率
も高誘電率セラミックコンデンサ用材料として充分満足
できる値を示し、誘電体損失ｔａｎδも２．５％以下で
ある。
である。上記表１のデータから明らかな如く、本発明に
よる誘電体磁器組成物は全て一２５℃〜８５℃の温度範
囲で、２０℃の値を基嘔とする比誘電率の変化率がＪｒ
Ｓ規格に定められたＹＲＤ特性（−３０〜＋２０％以内
）を満し、特にすぐれた試料はＹ級Ｂ特性（±１０幅以
内）を満していることが判る。また室温付近の比誘電率
も高誘電率セラミックコンデンサ用材料として充分満足
できる値を示し、誘電体損失ｔａｎδも２．５％以下で
ある。
上記表１の本発明の範囲外の試料のデータから、 Ｐ
ｂ（Ｚｎし、Ｎｂシｓ ） ｘ （” ’／−ｂ’／＊
） ｙ （Ｍｇ ’／＊ ” Ｚ ） ｚ ”のＸ、
ｙ％の値が前述した範囲を逸脱する試料は強誘矩的嘲Ｆ
ｉ、移温度が急峻となるため、温度変化率か大となり、
実用に供し得ないことが判る（試料番号１，６．３３参
照）。また第２成分中のＢａＴｉ０．が８０モル％未満
となると、即ちＳｒ 、 Ｌａ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ、
Ｓｂの含有猷が多くなると誘′ｔピ率の温度変化か急峻
（こなり、好ましくない（試料番号２３，２５，２７．
３１参照）。また第２成分の債が５０モル％を越えると
焼成温度が１１００℃を越え、目的とする低温焼成か達
成されない（試料番号２０．２１参照）。
ｂ（Ｚｎし、Ｎｂシｓ ） ｘ （” ’／−ｂ’／＊
） ｙ （Ｍｇ ’／＊ ” Ｚ ） ｚ ”のＸ、
ｙ％の値が前述した範囲を逸脱する試料は強誘矩的嘲Ｆ
ｉ、移温度が急峻となるため、温度変化率か大となり、
実用に供し得ないことが判る（試料番号１，６．３３参
照）。また第２成分中のＢａＴｉ０．が８０モル％未満
となると、即ちＳｒ 、 Ｌａ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ、
Ｓｂの含有猷が多くなると誘′ｔピ率の温度変化か急峻
（こなり、好ましくない（試料番号２３，２５，２７．
３１参照）。また第２成分の債が５０モル％を越えると
焼成温度が１１００℃を越え、目的とする低温焼成か達
成されない（試料番号２０．２１参照）。
発明の効果
以上述べたように、本発明による誘電体磁器組成物は１
１００℃より低い温度で焼成ができ、ＪＩＳに定められ
た７級り特性およびＹ級Ｂ特性の温度特性に適合し、か
つ高誘電率を有する。
１００℃より低い温度で焼成ができ、ＪＩＳに定められ
た７級り特性およびＹ級Ｂ特性の温度特性に適合し、か
つ高誘電率を有する。
従って本発明による誘電体磁器組成物を用いて積層した
セラミックコンデンサはすぐれた温度特性を有するばか
りでなく、安価な内部電極材料例えば銀を使用できるす
ぐれた効果を有する。
セラミックコンデンサはすぐれた温度特性を有するばか
りでなく、安価な内部電極材料例えば銀を使用できるす
ぐれた効果を有する。
特許出願人 松下電器産業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿ｘ（
Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）＿ｙ（Ｍｇ＿１＿
／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１である）からなる第１成分を５０〜９０モル％、お
よびＢａＴｉＯ＿３を８０モル％以上含有する第２成分
を５０〜１０モル％からなることを特徴とするコンデン
サ用誘電体磁器組成物。 ２、Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿２）＿ｘ（
Ｆｅ＿１＿／＿２Ｎｂ＿１＿／＿２）＿ｙ（Ｍｇ＿１＿
／＿２Ｗ＿１＿／＿２）＿ｚＯ＿３からなる第１成分に
おいて、ｘ、ｙ、ｚの各々が０．４≦ｘ≦０．９、０≦
ｙ≦０．５および０．１≦ｚ≦０．６である特許請求の
範囲第１項記載のコンデンサ用誘電体磁器組成物。 ３、ＢａＴｉＯ＿３を８０モル％以上含有する第２成分
がＢａＴｉＯ＿３１００％である特許請求の範囲第１項
記載のコンデンサ用誘電体磁器組成物。 ４、ＢａＴｉＯ＿３を８０モル％以上含有する第２成分
がＢａ＿１＿−＿ｕＳｒ＿ｕＴｉＯ＿３（ただし０＜ｕ
≦０．２である）である特許請求の範囲第１項記載のコ
ンデンサ用誘電体磁器組成物。 ５、ＢａＴｉＯ＿３を８０モル％以上含有する第２成分
がＢａＴｉ＿１＿−＿ｖＺｒ＿ｖＯ＿３（ただし０＜ｖ
≦０．１５）である特許請求の範囲第１項記載のコンデ
ンサ用誘電体磁器組成物。 ６、ＢａＴｉＯ＿３を８０モル％以上含有する第２成分
がＮｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ＿３、Ｓｂ＿２Ｏ＿３を
２モル％以下含有している特許請求の範囲第１項記載の
コンデンサ用誘電体磁器組成物。 ７、更にＭｎＯ＿２を１重量％以下含有する特許請求の
範囲第１項〜第６項の何れか一つに記載のコンデンサ用
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191052A JPS6168802A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191052A JPS6168802A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6168802A true JPS6168802A (ja) | 1986-04-09 |
Family
ID=16268089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59191052A Pending JPS6168802A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6168802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498272U (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP59191052A patent/JPS6168802A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0498272U (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-25 |
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