JPS6169185A

JPS6169185A - 金属蒸気レ−ザ装置

Info

Publication number: JPS6169185A
Application number: JP60129731A
Authority: JP
Inventors: ロデリツク・シー・トービン; ニゲル・デイー・ペリー
Original assignee: Monash University
Current assignee: Monash University
Priority date: 1984-06-15
Filing date: 1985-06-14
Publication date: 1986-04-09
Also published as: US4641313A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、金属蒸気レーザ装置に関するものである。

〔従来の技術〕

金属蒸気レーザ装置における技術的な困難性および制限
の主たる要因は、レーザ放電容器内に金′　　属原子を
安定化するための方法にある。金属原子を供するために
金属を気化させる在来の方法には制限がある。

外部の炉または放電加熱を用いた金属の直接的な気化（
１９６６年ウォルつ他による）を行なうには、銅の場合
で１５００°Ｃと、高い温度が要求される。高出力の銅
および金レーザは、レーザ管を加熱するのに放電エネル
ギを利用している。炉が必要な場合も、他の有効な興味
深い自己終端中性金属レーザ遷移の励起のために高速放
電回路要素を構成することが容易ではない。

例えば、ハロゲン化金属等の、揮発性の金属化合物の使
用（１９７３年チェン他による）により、適切な金属の
濃度を達成するために必要な温度が低減される。しかし
ながら、適切な化合物を実現する金属は比較的少ない。

また、自己終端レーザにおける高速放電のために必要と
される密接に結合された放電回路を構成することも、依
然として困難である。揮発性金属化合物の使用に関連し
て、分子を解離することか必要となる。このため、中性
遷移レーザの場合、解離−再結合サイクルによってシス
テムが強いられる全ての制限とともに、ダブルパルス放
電または連続パルス放電が必要となる。特に、該解離ｔ
プロセスは、結果として低いレーザレベルの集合を生ず
る。これに対して、連続波（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｗ
ａｖｅ　〜［ｃ　ｗ　Ｊと略称される）金属イオンレー
ザは、解離および励起の両者を生じさせる直流放電を使
用する。解離が、事実上完全であれば、蒸気圧は、管温
度により制御され、その結果、励起は単独に最適化され
得る。

その他の、一般に使用される金属生成の方法は、所望の
材質のカソードからの金属原子のスパッタリングによる
もの（１９８０年ジャースターンバーガーによる）であ
る。現在までのところ、レーザ動作を保持するために要
求される金属密度は、ホロー（中空の）カソードを用い
たカソードのスパッタリングによって生成される。ホロ
ーカソードの使用は、また、より一般的な陽光柱タイプ
のガス放電に見られる、バッフ１ガス内におけるイオン
化の広がりを著しく増大させる。これは、次式で表わさ
れる電荷遷移反応の強化と組合わせられる。

Ｂ　　十Ｍ　　−＋　８＋（Ｍ　　）傘＋ΔＥここで、
Ｂ、Ｂ　　およびＭは、それぞれバッファガス原子、バ
ッファガスイオンおよび金属原子を示し、且つ（Ｍ＋）
−は励起された状態の金属イオンを示す。

その結果、ホローカソード放電は、電荷遷移金属イオン
レーザに特に適したものとなる。実際、これまでは、ス
パッタリングは、比較的高い放電電流（１〜１００Ａ　
＞を必要とするＣＷ金属イオンレーザに限られていた。

このタイプのホローカソードイオンレーザの動作理論は
、ワーナ他によって明らかにされている（１９７９年）
。彼等のモデルによれば、希カスイオン、金属蒸気原子
および金属蒸気イオンの密度に関する式は、上述の電荷
遷移反応によって結合される。この結果として、放電電
流は、所望の金属原子密度について独立に変化しあるい
は最適化することはできない。この制限は、今までのス
パッタリングレーザの実用上の大きな不都合であった。

スパッタリングのみが、広範囲の金属に適用でき、且つ
室温において１０１４ｃｍ’のオーダでの金属原子の連
続的な濃度を生じ１ｑる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

現存するスパッタリングレーザにおいては、金属のスパ
ッタリングおよびレーザ、遷移の励起の両方が静的な希
ガス金属蒸気混合物における単一の放電によって達成さ
れる。在来の方法は、金属蒸気濃度および励起放電の別
々の制御と最適化を許容しない。

したがって、本発明の目的とするところは、上述した全
ての欠点を克服し、室温において有効に動作し得る金属
蒸気レーザ装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明の第
１の態様における特徴は、光学キャビティと、この光学
キャビティ内に金属蒸気ビーｆ　　　　　ムを供給する
ために金属をスパッタするためのスパッタリング手段と
を具備し、且つ前記スパッタリング手段は、前記金属を
スパッタするために放電を生じさせるためのスパッタリ
ングカソードおよびスパッタリングアノードと、該スパ
ッタされた金属を前記光学キャビティ内で金属蒸気ヒー
ム状に搬送するためのガス流を生じさせるための手段と
を備えた金属蒸気レーザ装置にある。

スパッタリング手段は放電によって金属をスパッタする
から、該装置は室温で動作し得る。

本発明の第２の態様における特徴は、光学キャビティと
、金属をスパッタするための第１の放電手段を有し前記
光学キャビティ内に金属蒸気を生成するために金属をス
パッタするためのスパッタリング手段と、金属蒸気を励
起するため前記光学キヤとティ内に配置された第２の放
電手段とを具備する金属蒸気レーザ装置にある。

本発明のこの態様は、金属をスパッタリングするためお
よび金属蒸気を励起するために分離された放電手段を提
供するから、金属蒸気を励起するための最適な放電の集
中はもちろん、どの特定金属についても最適な金属蒸気
濃度が得られる。

好ましくは、前記スパッタリング手段は、ざらに、光学
キャビティ内にスパッタされた金属を搬送し且つ金属蒸
気ビームを形成するためのガスジェット（ｇａｓｅｏｕ
ｓ　ｊｅｔ　）を生成する手段を備える。

好ましくは、該スパッタリング手段は、光学キャビティ
の一端に配置され、該光学キャビティの他端には、チェ
ンバに通ずる出口開口が設けられ、該チェンバは前記光
学キャビティを同軸上に貫くガス流内に搬送される金属
蒸気を引出すために真空ポンプに接続するための出口を
有する。好ましくは、前記スパッタリング手段は、カソ
ードと、光学キャビティに対して該カソードを露出させ
るための開口を有して該カソードを囲む円筒状絶縁体と
、光学キャビティに対して露出されて前記カソードの近
傍に該カソードに対して間隙を存して配置されたアノー
ドと、前記アノードと前記カソードの前記光学キャビテ
ィに対して露出する部分との間に放電が生じたときに、
前記カソードの金属がスパッタされ且つガス流に搬送さ
れて前記光学キャビティ内に金属蒸気ビームを生成する
ようにガスジェットを供給するため、前記アノードと前
記カソードの前記キャビティに対して露出される部分と
の間に形成される環状の通路とを備える。

前記カソードは、それによって金属蒸気が生成される金
属により形成されるスパッタリングカソードにより構成
してもよく、あるいは、前記カソードは、光学キャビテ
ィ内に露出するスパッタリングカソードがその一端部に
配設されたカソードプラグにより構成してもよい。好ま
しくは、絶縁体とカソード部のスパッタされる部分にギ
ャップが設けられる。

本発明の第３の態様におりる特徴は、金属蒸気ビームを
生成させる手段と、この手段で生成された金属蒸気ビー
ム近傍に配設される電極と、この電極から前記ビームへ
の放電を生じさせる手段とを備えることにより、金属蒸
気ビームを励起する構成にある。

金属蒸気ビーム近傍に電極を配設することにより、放電
は、該ビームを囲む雰囲気よりはむしろ該ビーム内に引
込まれるほうが支配的となる。したがって、該ビームを
励起するために必要な放電を提供するのに必要とされる
電流は着しく低減される。

好ましくは、前記電極は、前記ビームがそれを貫通する
リング状の電極からなる。しかしながら、該電極は、ビ
ームに対して垂直に配設されたピン状に形成されていて
もよい。

好ましくは、金属蒸気ビームは、希ガス雰囲気中で生成
され、該金属蒸気ビームは、希ガスのジェットガス流内
に搬送される。

〔実　施　例〕

第１図に本発明の第１の実施例によるレーザ装置の構成
を模式的に示す。

第１図において、金属蒸気レーザ装置１０は、ガラス等
の非導電材料により形成された光学キャビティ１２を備
えている。該光学キャビティ１２は、一端にスパッタリ
ング手段１４が設けられ、且つ他端に石英窓１７を備え
たチェンバ１６が設けられている。

″　　　この実施例では、スパッタリング手段１４は、
断面がほぼＴ型をなす環状のスパッタリングカソード１
８を有している。該スパッタリングカソード１８は、軸
方向にそれ＠目通ずる光学出口キャビティ２０を備え、
この光学出口キャビティ２０は、該キャビティからのス
パッタリング放電を除外するための手段を備えている。

カソード１８の軸部２２は、放電アレスタ２４内に保持
されている。このアレスタ２４は、軸部２２がキャビテ
ィ１２に対して露出され、且つカソード１８が該アレス
タ２４から除去し得るようにするため、本質的には円筒
状をなし、且つ両端にｄ５いて同口している。該アレス
タ２４は、マコール（Ｈａｃｏｒ〜商標）セラミックの
内側シリンダ２６、ならびにカソード軸２２の端部を横
切る希ガスの通路としての環状の通路３３を提供するた
め内側シリンダ２６に間隙を存して設けられたマコール
セラミックの外側シリンダおよびキャップ２８から構成
されている。内側マコールシリンダ２６および外側マコ
ールシリンダ２８は、通路３３および希ガス入口４０に
通ずる環状のチェンバ３８を決定するロッキングリング
３６によって、それぞれの位置に固定される。

カソード１８は、アレスタ２４内にて、Ｏリング３０に
よってシールされている。該アレスタ２４は、カソード
１８をキャビティ１２に露出させるためアノード３２に
おける開口３４の背後に隣接するＯリング３１によって
、環状アノード３２に対してシールされている。アノー
ド３２は接地されてあり、該アノード３２は、キャビテ
ィ１２の一端の壁部を形成している。

スパッタされるべきカソード１８の軸部２２の端部は、
小径部からなり且つアレスタ２４に対して間隙を存して
いる。

キャビティ１２の他端に位置するチェンバ１６は、真空
ポンプ（図示されていない）に接続するための出口４４
を有している。スパッタリングパルス発生器５０は、カ
ソード１８にパルス電流を供給するために設けられてい
る。カソード１８に対するパルス電流の供給時に、矢印
Ａで図示されるようにアノード３２とカソード１８との
間に放電が生ずる。該放電は、カソード軸２２の小径端
部において金属をスパッタし、スパッタされた金属は、
アルゴンガスが入口４０から導入されたときに生成され
るジェットガス流で搬送され、環状チェンバ３８および
通路３３を通り、さらに出口４４に結合された真空ポン
プによって、キャビティ１２をチェンバ１６と連結する
開口５４を通って図示矢印Ｂの方向に導かれる。これに
よって、キャビティ１２内にアルゴンガスによって搬送
される金属蒸気の同軸ビームが生成される。。キャビテ
ィ１２は、希ガス雰囲気を収容している。該希ガスは、
経済的な理由によれば、アルゴンが望ましいが、ネオン
または他の希ガス混合物でもよい。

電極（詳細には図示しておらず概略を模式的に示してい
る）５５は、開口５４の近傍に配設され、金属蒸気ビー
ムを励起するための放電を生じさせるため励起パルス発
生器に結合されている。該電極は、ビーム近傍に配設さ
れたピン型電極であってもよく、またはそれを通してビ
ームが通過するようなリング型の電極で構成してもよい
。放電は、金属蒸気ビームを囲む希ガス雰囲気内よりも
むしろ直接金属蒸気ビーム内に引込まれ、そのため該金
属蒸気ビームを励起するための放電を生じさせるのに必
要な電流が最小の電流で済むということがわかる。ガラ
ス円盤絶縁体３５は、電極５５から端璧３７を保護する
ために２２けられている。絶縁体３５は、開口３４に一
致する環状の開口を有している。

第２図に本発明の第２の実施例にけるレーザ装着の要部
であるスパッタリング手段の構成を模式第２図において
、スパッタリング手段は、マコールセラミックシリンダ
６４内にＯリング６２によって保持されたカソードプラ
グ６０を備えている。プラグ６０の軸部６６の端部は、
金属蒸気を生成するもととなる金属により形成されるス
パッタリングカソード６８に接している。第２の環状の
マコールセラミック絶縁体７０は、絶縁体６４の内側端
部の周縁に配置され１．且つスペーサリブおよびフィー
ト７２により該絶縁体６４に対して間隙を存している。

絶縁体６４と７０との空隙は、スパッタリングカソード
６８の直前の環状の出口までのガス流通路を形成してい
る。該ガス流通路は、ガス入口アロを有する環〆　　　
　　状チェンバ７４に通じ工いる。接地されたアワード
ブレート８０は、絶縁体７０の内側端部に配設され、該
スパッタリングカソード６８を光学キャビティ（第２図
には示されていない）に対して露出させるための開口８
２を有している。アノードプレー１−８０とスパッタリ
ングカソード６８との間の放電の生成時に、スパッタリ
ングカソードの金属がスパッタされ、ガス入口６８にア
ルゴンガス源を接続することにより生成されるアルゴン
ガスのジェットガス流にて搬送される。これにより、ア
ルゴンガスを、第１図を参照して説明された真空ポンプ
の助けにより、環状チェンバ７４およびガス流通路およ
び光学キャビティを通して流すことが可能となる。

スパッタされた金属は、アルゴンのジェットガス流にて
搬送され、キャビティ内に金属蒸気ビームを生成する。

アノード８０とカソード６８との間に放電電流を生成す
るための電源は、一般にパルス電圧源および直流シマ゛
−電圧源（ｄｃ　ｓｉｍｍｅｒ　ｖｏｌｔａｇｅ　５ｏ
ｕｒｃｅ）を有している。

゛第１図および第２図を参照して説明したスパッタリン
グ手段は、金属原子をガスジェットにて搬送し１０１４
ｃｍ−３のオーダの局部集中により集束された金属蒸気
ビームを形成する。この装置におけるガス流は、スパッ
タリングのための処理とそれに続く金属原子の励起のた
めの処理とを切離し、金属原子の密度および励起放電電
流の個別の放電と独立の制御を可能とする。最も高い濃
度は、電流密度５５０ｍＡＣｍ’において達成され、そ
の値はホローカソード金属イオンスパッタリングレーザ
において同じ電流密度にて得られるものと同一である。

しかしながら、在来のホローカソード放電の形態は、充
分な利得通路を得るために非常に大きなカソード領域を
必要とし、且つ本発明の実施例において用いられるより
も１〜２段階高いカソード領域を必要とする。

高い金属原子基底状態濃度、低い金属資格、およびスパ
ッタリングと励起電流との独立の制御により、本発明は
自己終端中性レーザ遷移（例えば、銅　Ｐ３／２　→Ｄ
５／２　、５１０．６　ｎｍ）のための金属恭気源に適
している。

他の実施例においては、スパッタリング手段は、金属蒸
気のプレーナシート（ｐｌａｎａｒ　５ｈｅｃｔ）を作
るための円形または環状以外の幾何学形状のスパッタリ
ングカソード、アレスタおよびアノードを備え、且つホ
ローカソードを金属蒸気の前記プレーナビームを受ける
ためのその長さに沿って延びるスリットを有する円筒状
のホローカソードとし、該ホローカソード内で放電によ
って金属原子が励起される構成とする。こともできる。

以上に述べた本発明の実施例により次の利点が提供され
る。

放電が金属蒸気を生成するためと金属蒸気を励起するた
めとに分離されることにより、励起放電の濃度の制御を
非常に柔軟に行なうことかできる。

したがって、直流スパッタリング放電と直流励起放電（
ＣＷ金属イオンレーザ〉おるいは直流スパッタリング放
電とパルス励起放電（パルス中性金属原子レーザ）の組
合せが可能である。

金属蒸気の生成および該蒸気の励起のための分離した放
電の提供という点から見れば、該装置は室温で動作させ
ることができるのに対し、多くの先行技術装置は、金属
蒸気を生成するのに価ｉ；、に高い温度の印加を必要と
する。

カソードのスパッタリングは、広範囲の金属または合金
または化合物をレーザの励起媒体として使用することを
可能とし、また複数の異なる金属を使用した同時動作を
も可能とする。さらに、該異なる金属の各々の蒸気圧を
各別に制御することもできる。

また、本発明装置は、＠造が簡単で且つ安価に製造でき
る。構成の技術的な簡単さは、室温動作に由来する。と
りわけ、パルス中性金属原子遷移のための横励起レーザ
管の設計非常に単純化される。

ＣＷレーザのための閾値放電電流は、より高効率のスパ
ッタリング、およびスパッタリング処理と励起処理の個
別の最適化によって、著しく低減される。

適切な、金属の、分離され、独立に最適化された１　　
　スパッタリングによれば、複数の波長での同時動作、
例えば白色レーザ、が可能となる。これは、該蒸気にお
ける各金属の部分的な圧力の独立の制御を可能とする。

広範囲の金属のスパッタが可能となる。ガスジェットで
補助されたスパッタリングは、アルミニウムのようなス
パッタリングの困難な金属を有効にスパッタさせる。そ
して、このレーザ装置の潜在する概念は、大部分の金属
に適用でき、新たな遷移での動作を可能とする。

本発明の技術思想の範囲内での変形は当業者によって容
易に実現できることから、本発明の適用は上述された特
定の実施例にのみ限定されないことはいうまでもない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、金属蒸気濃度および励起放電の別々の
制御と最適化を可能とし、室温において有効に動作し得
る金属蒸気レーザ装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による金属蒸気レーザ装
置の構成を示す模式的断面図、第２図は本発明の第２の
実施例の要部構成を模式的に示す断面図である。１０・・・金属蒸気レーザ装置、１２・・・光学キャビ
ティ、１４・・・スパッタリング手段、１６・・・チェ
ンバ、１７・・・石英窓、１８・・・スパッタリングカ
ソード／アノード、２４・・・アレスタ、５０・・・ス
パッタリングパルス発生器、５５・・・電極。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光学キャビティと、この光学キャビティ内に金属
蒸気ビームを供給するために金属をスパッタするための
スパッタリング手段とを具備し、且つ前記スパッタリン
グ手段は、前記金属をスパッタするために放電を生じさ
せるためのスパッタリング電極と、該スパッタされた金
属を前記光学キャビティ内で金属上記ビーム状に搬送す
るためのガス流を生じさせるための手段とを備えたこと
を特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（２）特許請求の範囲第１項記載の金属蒸気レーザ装置
において、スパッタリング手段は、スパッタされた金属
を搬送して、光学キャビティ内に金属蒸気ビームを形成
するためのガスジェットを生成する手段を備えたことを
特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（３）特許請求の範囲第２項記載の金属蒸気レーザ装置
において、スパッタリング手段は、光学キャビティの一
端に配置され、且つ光学キャビティの他端には、該光学
キャビティを同軸状に貫くガス流内に搬送される金属蒸
気を引出すために真空ポンプに接続するための出口を有
するチエンバに通ずる出口開口が設けられたことを特徴
とする金属蒸気レーザ装置。
（４）特許請求の範囲第１項記載の金属蒸気レーザ装置
において、スパッタリング手段は、カソードと、光学キ
ャビティに対して該カソードを露出させるための開口を
有して該カソードを囲む円筒状絶縁体と、光学キャビテ
ィに対して露出されて前記カソードの近傍に該カソード
に対して間隙を存して配置されたアノードと、前記アノ
ードと前記カソードの前記光学キャビティに対して露出
する部分との間に放電が生じたときに、前記カソードの
金属がスパッタされ且つガス流に搬送されて前記光学キ
ャビティ内に金属蒸気ビームを生成するようにガスジェ
ットを供給するため、前記アノードと前記カソードの前
記キャビティに対して露出される部分との間に形成され
る環状の通路とを備えたことを特徴とする金属蒸気レー
ザ装置。
（５）特許請求の範囲第４項記載の金属蒸気レーザ装置
において、カソードは、それによつて金属蒸気が生成さ
れる金属により形成されたスパッタリングカソードから
なることを特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（６）特許請求の範囲第４項記載の金属蒸気レーザ装置
において、カソードは、光学キャビティ内に露出するス
パッタリングカソード部がその一端部に配置されたカソ
ードプラグからなることを特徴とする金属蒸気レーザ装
置。
（７）光学キャビティと、金属をスパッタするための第
１の放電手段を有し前記光学キャビティ内に金属蒸気を
生成するために金属をスパッタするためのスパッタリン
グ手段と、金属蒸気を励起するため前記光学キャビティ
内に配置された第２の放電手段とを具備したことを特徴
とする金属蒸気レーザ装置。
（８）特許請求の範囲第７項記載の金属蒸気レーザ装置
において、スパッタリング手段は、スパッタされた金属
を搬送して、光学キャビティ内に金属蒸気ビームを形成
するためのガスジェットを生成する手段を備えたことを
特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（９）特許請求の範囲第８項記載の金属蒸気レーザ装置
において、スパッタリング手段は、光学キャビティの一
端に配置され、且つ光学キャビティの他端には、該光学
キャビティを同軸状に貫くガス流内に搬送される金属蒸
気を引出すために真空ポンプに接続するための出口を有
するチエンバに通ずる出口開口が設けられたことを特徴
とする金属蒸気レーザ装置。
（１０）特許請求の範囲第７項記載の金属蒸気レーザ装
置において、スパッタリング手段は、カソードと、光学
キャビティに対して該カソードを露出させるための開口
を有して該カソードを囲む円筒状絶縁体と、光学キャビ
ティに対して露出されて前記カソードの近傍に該カソー
ドに対して間隙を存して配置されたアノードと、前記ア
ノードと前記カソードの前記光学キャビティに対して露
出する部分との間に放電が生じたときに、前記カソード
の金属がスパッタされ且つガス流に搬送されて前記光学
キャビティ内に金属蒸気ビームを生成するようにガスジ
ェットを供給するため、前記アノードと前記カソードの
前記キャビティに対して露出される部分との間に形成さ
れる環状の通路とを備えたことを特徴とする金属蒸気レ
ーザ装置。
（１１）特許請求の範囲第１０項記載の金属蒸気レーザ
装置において、カソードは、それによつて金属蒸気が生
成される金属により形成されたスパッタリングカソード
からなることを特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（１２）特許請求の範囲第１０項記載の金属蒸気レーザ
装置において、カソードは、光学キャビティ内に露出す
るスパッタリングカソード部がその一端部に配置された
カソードプラグからなることを特徴とする金属蒸気レー
ザ装置。
（１３）光学キャビティと、このキャビティの一端に設
けられ、該光学キャビティと実質的に同軸の中央開口を
有するスパッタリングカソードと、アノードと、金属を
気化させるために前記スパッタリングカソードとアノー
ドとの間に放電を生じさせるための電力供給手段と、前
記光学キャビティ内に実質的に同軸に配置される集束ビ
ーム状に金属蒸気を搬送するために前記スパッタリング
カソードの中央開口を通してガス流を導入するための手
段と、周囲の雰囲気よりはむしろ集束ビーム内に引込ま
れるように放電を生じさせて金属蒸気を励起するために
前記光学キャビティ内に前記スパッタリングカソードか
ら離間して配置された放電素子を有する放電手段とを具
備したことを特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（１４）特許請求の範囲第１３項記載の金属蒸気レーザ
装置において、スパッタリングカソードは、少なくとも
その一部分が気化されるべき金属で形成されていること
を特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（１５）特許請求の範囲第１４項記載の金属蒸気レーザ
装置において、アノードは、光学キャビティの端部壁面
にあつて開口部を有し、且つスパッタリングカソードは
、該光学キャビティの外面の前記端部壁面の開口部近傍
に配設されたことを特徴とする金属蒸気レーザ装置。
（１６）金属蒸気ビームを生成させる手段と、この手段
で生成された金属蒸気ビーム近傍に配設される電極と、
この電極から前記ビームへの放電を生じさせ該金属蒸気
ビームを励起する手段と、この手段により励起された金
属蒸気ビームを用いてレーザ発振を生じさせる手段とを
具備したことを特徴とする金属蒸気レーザ装置。