JPS6171628A - 半導体オ−ム接触形成方法 - Google Patents
半導体オ−ム接触形成方法Info
- Publication number
- JPS6171628A JPS6171628A JP59193111A JP19311184A JPS6171628A JP S6171628 A JPS6171628 A JP S6171628A JP 59193111 A JP59193111 A JP 59193111A JP 19311184 A JP19311184 A JP 19311184A JP S6171628 A JPS6171628 A JP S6171628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- ohmic contact
- layer
- gas plasma
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
障壁の生じない半導体と金属との間の接触を得るために
、半導体表面をサンドブラストで予め荒らしておくこと
は周知の技術である。しかしこのような方法は半導体素
体の表面を数μ鋼も削り取ってしまい、しかもその削り
量の精密な制御が困難であるため、半導体素体に形成さ
れる帯域の厚さの精密な制御が必要な素子の場合には問
題がある。例えば第１図に示すようなダイオードの場合
、Ｎ型単結晶シリコン基板１の下面全面にＮ′層２を形
成し、ＰＭ横接合形成するために２層３、さらにオーム
接触制御向上のために上面近く高濃度に不純物を導入し
たＰ゛層４設けられている。 ＰＮ接合の浅い高速ダイ
オードにおいては、このような２０層４は１〜２μ−の
厚さにする必要があり、サンドブラストをかけるとこの
Ｐ゛層４削り取られてしまい、このためその上のＳｉＪ
膜５のない部分で接触する金属電極膜６のオーム接触性
が低下してしまう。
、半導体表面をサンドブラストで予め荒らしておくこと
は周知の技術である。しかしこのような方法は半導体素
体の表面を数μ鋼も削り取ってしまい、しかもその削り
量の精密な制御が困難であるため、半導体素体に形成さ
れる帯域の厚さの精密な制御が必要な素子の場合には問
題がある。例えば第１図に示すようなダイオードの場合
、Ｎ型単結晶シリコン基板１の下面全面にＮ′層２を形
成し、ＰＭ横接合形成するために２層３、さらにオーム
接触制御向上のために上面近く高濃度に不純物を導入し
たＰ゛層４設けられている。 ＰＮ接合の浅い高速ダイ
オードにおいては、このような２０層４は１〜２μ−の
厚さにする必要があり、サンドブラストをかけるとこの
Ｐ゛層４削り取られてしまい、このためその上のＳｉＪ
膜５のない部分で接触する金属電極膜６のオーム接触性
が低下してしまう。
本発明は、上記の問題を解決して半導体素体表面を多く
削り取ることなく、しかも削り量の制御が容易な半導体
オーム接触形成方法を提供することを目的とする。
削り取ることなく、しかも削り量の制御が容易な半導体
オーム接触形成方法を提供することを目的とする。
本発明は、半導体素体表面を気相エツチング法により荒
らしたのち、その面に金属膜を被着してオーム接触を形
成することにより上記の目的を達成する。気相エツチン
グ法としてはガスプラズマエツチング、スパッタエツチ
ングおよびイオンビ−ムエッチングのいずれも適用でき
る。特にガスプラズマエツチングはエツチング速度が遅
いのでより精密な削り取り量の制御が可能な点で望まし
い方法である。
らしたのち、その面に金属膜を被着してオーム接触を形
成することにより上記の目的を達成する。気相エツチン
グ法としてはガスプラズマエツチング、スパッタエツチ
ングおよびイオンビ−ムエッチングのいずれも適用でき
る。特にガスプラズマエツチングはエツチング速度が遅
いのでより精密な削り取り量の制御が可能な点で望まし
い方法である。
第１図に示す高速ダイオードのＰ゛層４表面をガスプラ
ズマにより荒らす、この場合、２９層４の表面は０．１
〜０．５μ繭程度削り取られるだけである。これにより
その上に被着される＾ｌ蒸着膜６との間には良好なオー
ム性を有する接触が形成される。この結果、プラズマエ
ツチングを施さない表面に電極を設けた高速ダイオード
の場合より順方向電圧降下が約０． Ｉ Ｖ減少した。 プラズマエツチングは例えばＳｔｏｗ膜５のパターニン
グにも使用できるので、バターニング工程にひきつづい
て露出しなＰ゛層４表面の粗面化工程を行うことにより
生産能率を向上できる。
ズマにより荒らす、この場合、２９層４の表面は０．１
〜０．５μ繭程度削り取られるだけである。これにより
その上に被着される＾ｌ蒸着膜６との間には良好なオー
ム性を有する接触が形成される。この結果、プラズマエ
ツチングを施さない表面に電極を設けた高速ダイオード
の場合より順方向電圧降下が約０． Ｉ Ｖ減少した。 プラズマエツチングは例えばＳｔｏｗ膜５のパターニン
グにも使用できるので、バターニング工程にひきつづい
て露出しなＰ゛層４表面の粗面化工程を行うことにより
生産能率を向上できる。
本発明によれば、オーム接触形成のために予め施す半導
体素体表面の粗面化を気相エツチング法で行うことによ
り表面を多く削り取ることなく金属膜との間の良好なオ
ーム接触を形成を可能にするものである。プラズマエツ
チングに限らずスバフタエッチングあるいはイオンビー
ムエツチングを用いても、エツチング速度に差はあるも
のの削り取り量の制御は容易であり、いずれも表面に再
結合準位が生ずることによりオーム接触性が改善される
。その上、他の半導体製作技術に通用される技術をその
まま流用できるため余分の設備を必要とせず、高速ダイ
オードに限らず、精密な素子設計を必要とする半導体素
子、集積回路の製造に極めて育効である。
体素体表面の粗面化を気相エツチング法で行うことによ
り表面を多く削り取ることなく金属膜との間の良好なオ
ーム接触を形成を可能にするものである。プラズマエツ
チングに限らずスバフタエッチングあるいはイオンビー
ムエツチングを用いても、エツチング速度に差はあるも
のの削り取り量の制御は容易であり、いずれも表面に再
結合準位が生ずることによりオーム接触性が改善される
。その上、他の半導体製作技術に通用される技術をその
まま流用できるため余分の設備を必要とせず、高速ダイ
オードに限らず、精密な素子設計を必要とする半導体素
子、集積回路の製造に極めて育効である。
第１図は本発明の一実施例の対象である高速ダイオード
の断面図である。 ３：２層、４；Ｐ°層、６：金属ｔ８ｉ膜。
の断面図である。 ３：２層、４；Ｐ°層、６：金属ｔ８ｉ膜。
Claims (1)
- １）半導体素体表面を気相エッチング法により荒らした
のち、該面に金属膜を被着することを特徴とする半導体
オーム接触形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193111A JPS6171628A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 半導体オ−ム接触形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59193111A JPS6171628A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 半導体オ−ム接触形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171628A true JPS6171628A (ja) | 1986-04-12 |
Family
ID=16302429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59193111A Pending JPS6171628A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 半導体オ−ム接触形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8035927B2 (en) | 2008-01-28 | 2011-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | EMR magnetic sensor having its active quantum well layer extending beyond an over-lying semiconductor layer end with tab and lead structure for improved electrical contact |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764927A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59193111A patent/JPS6171628A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764927A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8035927B2 (en) | 2008-01-28 | 2011-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | EMR magnetic sensor having its active quantum well layer extending beyond an over-lying semiconductor layer end with tab and lead structure for improved electrical contact |
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