JPS617357A - ビスアジド化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はビスアジド化合物に関し、さらに詳しくは、環
化ゴムなどと組み合わせて、集積回路や大規模集積回路
などの作製に用いられるフォトレジスト用感元剤として
極めて有用な、有機溶剤に対する溶解性を向上させた２
、６−ビス−（ｐ−アジドシンナミリデン）シクロヘキ
サノン誘導体に関するものである。

従来の技術 従来、環化ポリイソプレンやポリブタジェンとビスアジ
ド化合物とから成るゴム系フォトレジストが、半導体工
業において集積回路や大規模集積回路の微細加工用フォ
トレジストとして多用されている。

ところで、近年、半導体工業の急速な進歩に伴い、要求
される画像精度がますます厳しくなｐつつあり、また同
時に焼付画像が微細化するに従って、そのフォトマスク
も高価となることから、マスクとウェハとの接触を無く
す方向、すなわち密着露光方式から投影露光方式へと変
化しつつある。

したがって、フォトレジストも投影露光方式に対応した
ものが必要とされる。この投影露光方式では、水銀灯の
４３６ｎｍのｇ線又は４０５ｎｍのｈ線のみで露光する
ために、この波長域において高感度を示すビスアジド化
合物が要求される。

このようなビスアジド化合物としては、例えば２．６−
ビス（ｐ−アジドシンナミリデン）シクロヘキサノンや
、２，６−ビス（ｐ−アジドシンナミリデン）−４−メ
チルシクロヘキサノンなどが知られている（米国特許第
３６９５８８６号明細書）。しかしながら、これらの化
合物は、ゴム系フォトレジストに通常用いられているキ
シレンやトルエンなどの有機溶剤に対する溶解度が極め
て小さくて、その機能を十分に発揮することができない
という欠点を有しておシ、溶解性の改良が望まれている
。

本発明者らは、このような事情に鑑み、有機溶剤に対し
て十分な溶解性を有する２、６−ビス（ｐ−アジドシン
ナミリデン）シクロヘキサノン誘導体について鋭意研究
を重ねた結果、該誘導体におけるシクロヘキサノン環の
４−位に、炭素数４以上の直鎖状又は分枝鎖状アルキル
基を導入することにより、その目的を達成しうろことを
見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った
。

問題点全解決するための手段 すなわち、本発明は、一般式 ％式％（１） （式中のＲは炭素数４以上の直鎖状又は分枝鎖状アルキ
ル基である） で表わされるビスアジド化合物を提供するものでらるＯ なお、本発明の化合物に類似したものとして、米国特許
第３６９５８８６号明細書に記載された化合物があるが
、これｉｊ：２，６−ビス（ｐ−アジドシンナミリデン
）シクロヘキサノン、２．６−ビス（ｐ−アジドシンナ
ミリデン）−４−メチルシクロヘキサノンなどで１、本
発明の化合物とはシクロヘキサノン環の４位の置換基が
メチル基のような低級アルキル基である点で異なる。

本発明のビスアジド化合物は、前記一般式（１）で表わ
される２、６−ビス（ｐ−アジドシンナミリデン）シク
ロヘキサノン誘導体でアリ、このよウナものとしては、
例えば一般式（１）におけるＲがｎ−ブチル基、ｔｅ　
ｒｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔａｒｔ−アミル基、
ｎ−デシル基などであるものが好ましく挙げられる。こ
れらのビスアジド化合物は有機溶剤に対して良好な溶解
性を有しておυ。

またその最大吸収波長はいずれも４０４ｎｍである。

第１表に、得られた２、６−ビス（ｐ−アジドシンナミ
リデン）シクロヘキサノン誘導体についてｍ一般式（１
）におけるＲの種類と有機溶剤に対する溶解度との関係
の１例を示す。

この表から分るように、Ｒが炭素数４以上の直鎖状又は
分枝鎖状アルキル基である、本発明のビスアジド化合物
は、有機溶剤に対する溶解性が良好である。

本発明のビスアジド化合物の原料として用いる４−アル
キルシクロへキサノンは通常の方法、例えばｐ−アルキ
ルフェノールを水添して４−アルキルシクロへキサノー
ルにしたのち、脱水素する方法などによって得られ、ま
た、ｐ−アジドシンナムアルデヒドは、例えばｐ−アミ
ノベンズアルデヒドをジアゾ化したのち、アジ化すトリ
ウムを反応させてｐ−アジドシンナアルデヒドヲ得、次
いでこのものとアセトアルデヒドとを縮合させる方法に
よって得られる。

本発明のビスアジド化合物は前記の４−アルキルシクロ
へキサノンとｐ−アジドシンナミリデンデヒドとを触媒
の存在下、縮合させることによって得られる。好適な縮
合方法の１例について説明すると、メタノールなどの溶
剤に４−アルキルシクロヘキサノンとｐ−アジドシンナ
ムアルデヒドとを溶解し触媒を加え、１０〜５０℃の温
度で縮合させて目的のビスアジド化合物を得る。この際
の触媒としては、例えばカセイアルカリ、炭酸アルカリ
、アルカリ金属アルコラードのようなアルカリ触媒が通
常用いられる。

発明の効果 本発明のビスアジド化合物は有機溶剤に対する溶解性が
良好であり、環化ゴムなどと組み合わせて、集積回路や
大規模集積回路などの作製に用いられるフォトレジスト
用感光剤として極めて有用である。

実施例 次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。

実施例１ ４−　ｎ−ブチルシクロヘキサノン１０？及びｐ−アジ
ドシンナムアルデヒド２２．６　ｔ　’ｉｉ　２５０ｍ
７！のメタノールに溶解し、これに１０％水酸化ナトリ
ウム１０．Ｏｆ’ｌｚ加え３０℃で１晩かきまぜた。析
出物を反応液からろ別し、メタノール及びアセトンで洗
浄、乾燥して橙色の２，６−ビス（ｐ−アジドシンナミ
リデン）　−４−ｎ−ブチルシクロへキサノン１５．４
ｆを得た。

このもののｍ−キシレン、トルエン、ベンゼン及びクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ２．０３重量％、
２．４５重量％、３．０１重量％、５．０７重量％であ
った。また、最大吸収波長λｒｔａｘは４０４　ｎｍで
あシ、λｍａｘにおけるモル吸光係数εｍａｘは７．０
２　Ｘ　１０”であった。

実施例２ ４−　ｎ−アミルシクロへキサノン１ｏｒ及びｐ−アジ
ドシンナムアルデヒド２０．６ｆ’ｚ用いる以外は、実
施例１と同様にして、２，６−ビス（ｐ−アジドシンナ
ミリデン）−４−ｔｅｒｔ−アミルシクロへキサノン１
２．３ｔ’ｉ得た。

このもののｍ−キシレン、トルエン、ベンゼン及びクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ２．５９，３．６
１．　４．１０及び６．２０重量％であり。

λｍａｘ　４０４　ｎｍ　、　ｇｍａｘ　７．０１　Ｘ
　１０　　であった。

また、４−　ｎ−アミルシクロヘキサノンの代りに４−
ｔｅｒｔ−アミルシフ５ヘキサノンを用い、同様にして
２，６−ビス（ｐ−アジドシンナミリデン）　−４−１
ｓｏ−アミルシクロヘキサノンを得た。

コノモののｍ−キシレン、トルエン、ベンゼン及びクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ１．７５．２．０
１．２．４０及び４．１７重量％であυ。

λｍａｘ　４０４　ｎｍ　、’　ｔｍａｘ　６．９０　
Ｘ　１０　　であった。

実施例３ ４−　ｎ−デシルシクロへキサノン１０？及びｐ−アジ
ドシンナムアルデヒド１４．５Ｓ’ｉ用いる以外は、実
施例１と同様にして、２，６−ビス（ｐ−アジドシンナ
ミリデン）　−４−ｎ−デシルシクロへキサノン１２．
Ｏｆ’ｉｉ（得た。

このもののｍ−キシレン、トルエン、ベンゼン及ヒクロ
ルベンゼンに対する溶解度はそれぞれ３．６８．４．６
３．５，３０．７，４５重量％であり、λｍａ’ｘ　４
０４　ｎｍ、ｇｍａｘ　６．９６　Ｘ　１０　　であっ
た。

比較例 シクロヘキサノン、４−メチルシクロヘキサノン、４−
イソプロピルシクロヘキサノン及び４−シクロヘキシル
シクロヘキサノンをそれぞれ用い。

これらとｐ−アジドシンナムアルデヒドとを実施例１と
同様にして縮合させ、ビスアジド化合物を得た。

これらのビスアジド化合物の各溶解度、λｍａｘ及びε
ｍａｘ　ｋ、実施例１〜３で得たビスアジド化合物のデ
ーターとともに第２表に示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲは炭素数４以上の直鎖状又は分枝鎖状アルキ
   ル基である） で表わされるビスアジド化合物。