JPS6174340A - 薄膜素子製造装置 - Google Patents
薄膜素子製造装置Info
- Publication number
- JPS6174340A JPS6174340A JP59196029A JP19602984A JPS6174340A JP S6174340 A JPS6174340 A JP S6174340A JP 59196029 A JP59196029 A JP 59196029A JP 19602984 A JP19602984 A JP 19602984A JP S6174340 A JPS6174340 A JP S6174340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- thin film
- vacuum
- interval
- film element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、グロー放電によって原料ガスを分解し堆積す
る装置や、グロー放電によって分解励起されたガスを用
いて材料をエッチソゲする装置ならびにスパッタリング
法によって薄膜を堆積またはエツチングする装置に関す
る。
る装置や、グロー放電によって分解励起されたガスを用
いて材料をエッチソゲする装置ならびにスパッタリング
法によって薄膜を堆積またはエツチングする装置に関す
る。
従来例の構成とその問題点
近年、グロー放電法ならびに、スパッタリング法によっ
て薄膜を堆積したりエツチングしたりする薄膜素子製造
装置社、大型化されつつあり、生産速度も大きくなって
きているために、原料ガスや放電の媒体となるガスの流
量が増加している。
て薄膜を堆積したりエツチングしたりする薄膜素子製造
装置社、大型化されつつあり、生産速度も大きくなって
きているために、原料ガスや放電の媒体となるガスの流
量が増加している。
このため、排気口とその反対側とでは真空度の差が無視
できなくなっており、放電の状態が場所によって異なっ
ていた。
できなくなっており、放電の状態が場所によって異なっ
ていた。
交流電力供給用電極とこれに近接するシールド板との間
隔は従来、いかに一定に保つかに注意が払われていた。
隔は従来、いかに一定に保つかに注意が払われていた。
放電は装置内では一定であるという前提のもとに行なわ
れていたものである。しかし、前述のとおり、大型化高
速化のため装置内の放電は一定ではなくシールド板と電
極との間で、異常放電が起こりやすかった。
れていたものである。しかし、前述のとおり、大型化高
速化のため装置内の放電は一定ではなくシールド板と電
極との間で、異常放電が起こりやすかった。
発明の目的
本発明は上記欠点に鑑み異常放電や放電ムラを軽減し、
安定で均一な放電を得る薄膜素子製造装置を提供するも
のである。
安定で均一な放電を得る薄膜素子製造装置を提供するも
のである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するため薄膜素子製造装置の排
気口側ではシールド板と交流電力供給電極との間隔を大
きく1反対側では小さくなるようにまたは、間隔の大小
を逆にして配することにより放電を安定かつ均一にする
。
気口側ではシールド板と交流電力供給電極との間隔を大
きく1反対側では小さくなるようにまたは、間隔の大小
を逆にして配することにより放電を安定かつ均一にする
。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について図に基づいて説明する
。
。
第1図は1本発明による薄膜素子製造装置の一例の断面
図である。本実施例ではグロー放電法による非晶質シリ
コン堆積装置を示した。反応室1内に高周波電源2から
電力を供給する電極3と、シールド板4および対向電極
5が図のように配設されている。電力供給電極3は、原
料ガス噴出供給口をも兼ねている。対向電極5は、被堆
積基板eを支持する役割も果たしてい冬。
図である。本実施例ではグロー放電法による非晶質シリ
コン堆積装置を示した。反応室1内に高周波電源2から
電力を供給する電極3と、シールド板4および対向電極
5が図のように配設されている。電力供給電極3は、原
料ガス噴出供給口をも兼ねている。対向電極5は、被堆
積基板eを支持する役割も果たしてい冬。
第2図には、同装置第2図に示すように電力供給電極3
とシールド板4は、排気ロアの近くでは。
とシールド板4は、排気ロアの近くでは。
間隔が大きく、反対側では小さくなっている。排気ロア
側では、高真空になり、反対側では低真空になっている
ためにシールド間隔の最適距離が異なるためである。な
お、放電状態が異なるとシールド間隔もまた異なってく
る。このため、排気口T側では間隔を小さく、反対側で
は大きくするようにシールド板4を配すことによって異
常放電を防止することが可能となる。すなわち、シール
ド間隔を放電状態によって場所場所で変えることによっ
て本発明は実現できる。
側では、高真空になり、反対側では低真空になっている
ためにシールド間隔の最適距離が異なるためである。な
お、放電状態が異なるとシールド間隔もまた異なってく
る。このため、排気口T側では間隔を小さく、反対側で
は大きくするようにシールド板4を配すことによって異
常放電を防止することが可能となる。すなわち、シール
ド間隔を放電状態によって場所場所で変えることによっ
て本発明は実現できる。
以上、グロー放電堆積装置について述べてきたが、グロ
ー放電によるエツチング装置でも、スノくツタリング装
置でも放電を用いる装置では同様であることは言うまで
もない。
ー放電によるエツチング装置でも、スノくツタリング装
置でも放電を用いる装置では同様であることは言うまで
もない。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、7一ルド間隔を反応室
内の場所による真空度に応じて最適にしてfることに゛
より異状放電を防止し、放電を安定かつ均一にすること
ができるため、唯積膜質の良好な膜を安定かつ均一に形
成することが可能となっ罠。従って近年ますます大型化
高速化されつつある放電を用いた薄膜素子製造装置を効
率良く有効に使用することができる。
内の場所による真空度に応じて最適にしてfることに゛
より異状放電を防止し、放電を安定かつ均一にすること
ができるため、唯積膜質の良好な膜を安定かつ均一に形
成することが可能となっ罠。従って近年ますます大型化
高速化されつつある放電を用いた薄膜素子製造装置を効
率良く有効に使用することができる。
第1図は本発明による薄膜素子製造装置の横断面図、第
2図は同縦断面図である。 1・・・・・・反応室、2・・・・・・高周波電源、3
・・・・・・電力供給電極、4・・・・・・シールド板
、6・・・・・・対向電極。 6・・・・・・被堆積基板、7・・・・・・排気口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
2図は同縦断面図である。 1・・・・・・反応室、2・・・・・・高周波電源、3
・・・・・・電力供給電極、4・・・・・・シールド板
、6・・・・・・対向電極。 6・・・・・・被堆積基板、7・・・・・・排気口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図
Claims (3)
- (1)シールド板と交流電力供給用電極との間隔を連続
に変化させて配することを特徴とする薄膜素子製造装置
。 - (2)シールド板と交流電力供給用電極との間隔を排気
口側では大きく、前記排気口と反対側では小さくするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜素子製
造装置。 - (3)シールド板と交流電力供給用電極との間隔を、排
気口側では小さく、前記排気口と反対側では大きくする
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜素子
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196029A JPS6174340A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 薄膜素子製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59196029A JPS6174340A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 薄膜素子製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174340A true JPS6174340A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16351026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59196029A Pending JPS6174340A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 薄膜素子製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174340A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1968352A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-10 | Espec Corp. | Thermostat and testing machine provided with the same |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP59196029A patent/JPS6174340A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1968352A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-10 | Espec Corp. | Thermostat and testing machine provided with the same |
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