JPS6174414A - 誘導性負荷駆動回路 - Google Patents
誘導性負荷駆動回路Info
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- JPS6174414A JPS6174414A JP60205190A JP20519085A JPS6174414A JP S6174414 A JPS6174414 A JP S6174414A JP 60205190 A JP60205190 A JP 60205190A JP 20519085 A JP20519085 A JP 20519085A JP S6174414 A JPS6174414 A JP S6174414A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
- H03K4/06—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape
- H03K4/08—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape
- H03K4/48—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices
- H03K4/60—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor
- H03K4/62—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as a switching device
- H03K4/64—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having triangular shape having sawtooth shape using as active elements semiconductor devices in which a sawtooth current is produced through an inductor using a semiconductor device operating as a switching device combined with means for generating the driving pulses
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/217—Class D power amplifiers; Switching amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電力増幅回路、特に比較的高い繰返し速度で
誘導性負荷に大電流を供給できる電力増1陥器に関する
。
誘導性負荷に大電流を供給できる電力増1陥器に関する
。
誘導性負荷を駆動するように設計した電圧増幅器は、通
常、大電流スイッチング装置として動作する。この種類
の電力増幅器は、例えば、陰極線管(CRT)を用いた
表示システムの水平偏向回路のヨーク機構を駆動するた
めに用いる。スイッチング速度即ち電力増幅器の動作周
波数は、この様な表ポジステムが形成する画像の解像度
を決定 、する−要素である。最新技術のこの種の電力
増幅器では、最大動作周波数が約64KHzである。
常、大電流スイッチング装置として動作する。この種類
の電力増幅器は、例えば、陰極線管(CRT)を用いた
表示システムの水平偏向回路のヨーク機構を駆動するた
めに用いる。スイッチング速度即ち電力増幅器の動作周
波数は、この様な表ポジステムが形成する画像の解像度
を決定 、する−要素である。最新技術のこの種の電力
増幅器では、最大動作周波数が約64KHzである。
この電力増幅器の動作周波数が制限される理由は、幾つ
かある。第1の理由は、誘電性負荷を与えたスイッチン
グ装置を駆動するため、充分な量の電流を発生させるた
めに使用するインピーダンス変成回路内に漏れインダク
タンスがあることである。動作周波数が増加する程、漏
れインダクタンスのリアクタンスが増加し、スイッチン
グ装置用の駆動信号の発生を妨害する。第2の理由は、
従来の駆動回路内で発生する駆動信号は、スイッチング
装置を駆動するために必要な電力の効率的使用を抑制す
る電流波形を有することである。この様な電力の非効率
的使用は、高スィッチング速度でスイッチング装置が壊
れやすくなる電気エネルギーの損失問題を引き起こす。
かある。第1の理由は、誘電性負荷を与えたスイッチン
グ装置を駆動するため、充分な量の電流を発生させるた
めに使用するインピーダンス変成回路内に漏れインダク
タンスがあることである。動作周波数が増加する程、漏
れインダクタンスのリアクタンスが増加し、スイッチン
グ装置用の駆動信号の発生を妨害する。第2の理由は、
従来の駆動回路内で発生する駆動信号は、スイッチング
装置を駆動するために必要な電力の効率的使用を抑制す
る電流波形を有することである。この様な電力の非効率
的使用は、高スィッチング速度でスイッチング装置が壊
れやすくなる電気エネルギーの損失問題を引き起こす。
第3の理由は、面スイッチング速度で誘導性負荷内の抵
抗を介して電流を供給するときは、この抵抗は過大な電
力m失を引き起す。
抗を介して電流を供給するときは、この抵抗は過大な電
力m失を引き起す。
従って、本発明の目的は、270KIlz以上の周波数
且つ大電流で誘導性負荷を駆動する電力増@器を提供す
ることである。
且つ大電流で誘導性負荷を駆動する電力増@器を提供す
ることである。
本発明の他の目的は、人力信号の損失又は不適当な電源
電圧による出力信号スイッチング装置の破壊を防止する
電力増幅器を提供することである。
電圧による出力信号スイッチング装置の破壊を防止する
電力増幅器を提供することである。
本発明の他の目的は、漏れインダクタンスを減少させ、
それにより増幅器の動作周波数を拡大する巻線インピー
ダンス変成回路を有する電力増幅器を提供することであ
る。
それにより増幅器の動作周波数を拡大する巻線インピー
ダンス変成回路を有する電力増幅器を提供することであ
る。
本発明の他の目的は、トランジスタ・スイッチング装置
を含み、この装置を動作させるために発生する電力の効
率的使用を促進する電流波形によりこのスイッチング装
置を駆動する電力増幅器を提供することである。
を含み、この装置を動作させるために発生する電力の効
率的使用を促進する電流波形によりこのスイッチング装
置を駆動する電力増幅器を提供することである。
本発明の他の目的は、比較的速い変移時間で大電流波形
を形成するためブツシュプル増幅器副回路を使用してイ
ンピーダンス変成回路を有する電力増幅器を提供するこ
とである。
を形成するためブツシュプル増幅器副回路を使用してイ
ンピーダンス変成回路を有する電力増幅器を提供するこ
とである。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明による
電力増幅器は、連続矩形波信号を発生ずる発振器を含む
。スイッチング回路は、発振器出力信号に応答し、出力
端に接続した誘導性負荷に大電流スイッチング信号を供
給する電力トランジスタを含む。インピーダンス変成器
即ちインピーダンス整合回路は、発振器及びスイッチン
グ回路の間に配置し、発振器の出力インピーダンスをス
イッチング回路の入力インピーダンスに整合する。イン
ピーダンス整合回路は、応答時間特性が発振器出力の連
続波信号の変移時間特性をほとんど変化させないファイ
ラ巻電力変成器を含む。
電力増幅器は、連続矩形波信号を発生ずる発振器を含む
。スイッチング回路は、発振器出力信号に応答し、出力
端に接続した誘導性負荷に大電流スイッチング信号を供
給する電力トランジスタを含む。インピーダンス変成器
即ちインピーダンス整合回路は、発振器及びスイッチン
グ回路の間に配置し、発振器の出力インピーダンスをス
イッチング回路の入力インピーダンスに整合する。イン
ピーダンス整合回路は、応答時間特性が発振器出力の連
続波信号の変移時間特性をほとんど変化させないファイ
ラ巻電力変成器を含む。
本発明の電力増幅器は少なくとも210KHzの周波数
で動作できる。これは、第1に増幅器の全体の設計を発
振器出力の矩形波信号の過渡時間特性を維持するために
最適化したことによる。
で動作できる。これは、第1に増幅器の全体の設計を発
振器出力の矩形波信号の過渡時間特性を維持するために
最適化したことによる。
CRTを使用した表示システムの水平偏向回路用に設計
した電力増幅器を一例として説明する。
した電力増幅器を一例として説明する。
この電力増幅器は、発振器の矩形波出力信号の大電流複
製信号を出力するファイラ巻インピーダンス変成回路を
使用する。インピーダンス変成出力信号は、電力スイッ
チ・トランジスタのベースに接続した結合回路に供給す
る。インピーダンス変成回路は、発振器の出力信号の比
較的に短い変移時間を維持すると同時に大電流変換出力
信号を発生スるプッシュプル構成に配置した1対のトラ
ンジスタを使用する。
製信号を出力するファイラ巻インピーダンス変成回路を
使用する。インピーダンス変成出力信号は、電力スイッ
チ・トランジスタのベースに接続した結合回路に供給す
る。インピーダンス変成回路は、発振器の出力信号の比
較的に短い変移時間を維持すると同時に大電流変換出力
信号を発生スるプッシュプル構成に配置した1対のトラ
ンジスタを使用する。
駆動信号回路の入力部に配置した結合回路は、電力トラ
ンジスタを流れるヨーク電流が増加する間、このトラン
ジスタのベースに供給する駆動電流を確実に増加させる
。この特性のベース電流波形は、電力トランジスタが高
スィッチング速度で動作する程、このトランジスタ内で
生ずる電力損を助長する。電力トランジスタのベースに
供給する電流は、電力トランジスタが導通状態にバイア
スされている間、ヨーク電流が流れるコレクタ端子に接
続したダイオードにより維持する。ヨーク電流がヨーク
に流れ込み、駆動電流が電力トランジスタのベースに流
れ込むとき、掃引期間の一部の間、ダイオードは電力ト
ランジスタのコレクタに電流が流れないようにする。こ
の間、コレクタにヨーク電流が流れ込まないようにする
ことにより、予定の時間に装置をヨーク電流が流れると
き、ヨーク電流を吸い込むための用言に、ベース電流が
電力トランジスタを飽和状態にバイアスできる。
ンジスタを流れるヨーク電流が増加する間、このトラン
ジスタのベースに供給する駆動電流を確実に増加させる
。この特性のベース電流波形は、電力トランジスタが高
スィッチング速度で動作する程、このトランジスタ内で
生ずる電力損を助長する。電力トランジスタのベースに
供給する電流は、電力トランジスタが導通状態にバイア
スされている間、ヨーク電流が流れるコレクタ端子に接
続したダイオードにより維持する。ヨーク電流がヨーク
に流れ込み、駆動電流が電力トランジスタのベースに流
れ込むとき、掃引期間の一部の間、ダイオードは電力ト
ランジスタのコレクタに電流が流れないようにする。こ
の間、コレクタにヨーク電流が流れ込まないようにする
ことにより、予定の時間に装置をヨーク電流が流れると
き、ヨーク電流を吸い込むための用言に、ベース電流が
電力トランジスタを飽和状態にバイアスできる。
発振器は、パルス整形積分器回路と共に設け、発振器矩
形波出力信号が常に確実に50%のデユーティ・サイク
ルを有するようにする。50%デユーティ・サイクルは
、インピーダンス変成回路に供給した信号に存在するD
C成分を除去し、この信号はDC駆動信号の存在により
減少しやすい。発振器は、更に所定の周波数で内部で発
生するように設け、連続波信号を當に出力するようにす
る。
形波出力信号が常に確実に50%のデユーティ・サイク
ルを有するようにする。50%デユーティ・サイクルは
、インピーダンス変成回路に供給した信号に存在するD
C成分を除去し、この信号はDC駆動信号の存在により
減少しやすい。発振器は、更に所定の周波数で内部で発
生するように設け、連続波信号を當に出力するようにす
る。
駆動増幅器は、複数の供給電圧の特定の電圧が降下する
のを検出すると増鳴1器の動作を迅速に停止するように
応答する電力レベル保護回路を使用する。保護回路は、
電源レギュレータの停止にょる電力トランジスタの破壊
を防止する。
のを検出すると増鳴1器の動作を迅速に停止するように
応答する電力レベル保護回路を使用する。保護回路は、
電源レギュレータの停止にょる電力トランジスタの破壊
を防止する。
(実施例〕
本発明による電力増1■器の好適な実施例は、CRTを
使用する表示システム用の水コv偏向回路の一部として
説明する。
使用する表示システム用の水コv偏向回路の一部として
説明する。
発振器
第1図は、本発明による発振器のブロック図を示し、発
1辰器(10)は、TTL論理電圧レベルで50%デエ
ーティ・サイクルの125KHz連続矩形波出゛力信号
を発生する。この信号を使用してCRT水平偏向回路の
ヨークを接続した電力トランジスタ・スイッチを動作さ
せる駆動信号を発生ずる。発振器(10)は、外部から
供給した水平掃引同期信号又はトリガ信号に同期し又は
独立して連続矩形波出力信号を発生する。
1辰器(10)は、TTL論理電圧レベルで50%デエ
ーティ・サイクルの125KHz連続矩形波出゛力信号
を発生する。この信号を使用してCRT水平偏向回路の
ヨークを接続した電力トランジスタ・スイッチを動作さ
せる駆動信号を発生ずる。発振器(10)は、外部から
供給した水平掃引同期信号又はトリガ信号に同期し又は
独立して連続矩形波出力信号を発生する。
水平トリガ信号の供給
第1図では、水平トリガ信号は、発振器(10)の入力
端子(12)に供給する。トリガ信号は、T T L
34理電圧レベルの低デユーティ・サイクル −・パル
ス列であり、即ち、どのサイクルでも信号の論理1状態
は周期の30%以下である。論理O状態から論理l状態
への変移により水平掃引が始まる。水平トリガ信号は、
96LSO2又は同等の単安定マルチバイブレーク(M
MV)(16)のクロック入力端(14)に直接に供給
する。水平トリガ信号が、論理O状態から論理1状態に
変化し、且っMMV(16)の反転クロック入力端が論
理1状態に(呆持されて4いるとき、Q出力端(20)
には、後述するタイミング回路により決まる期間、論理
1 (−g号が現れる。MMV(16)の入力端(■4
)に供給する水平トリガ信号が論理0状態から論理1状
態への連続的に変移すると、Q出力端は、バッファ回路
(200) (第2図)の入力端子(204)に供給
するTTL論理電圧レベルのパルス列を出力する。
端子(12)に供給する。トリガ信号は、T T L
34理電圧レベルの低デユーティ・サイクル −・パル
ス列であり、即ち、どのサイクルでも信号の論理1状態
は周期の30%以下である。論理O状態から論理l状態
への変移により水平掃引が始まる。水平トリガ信号は、
96LSO2又は同等の単安定マルチバイブレーク(M
MV)(16)のクロック入力端(14)に直接に供給
する。水平トリガ信号が、論理O状態から論理1状態に
変化し、且っMMV(16)の反転クロック入力端が論
理1状態に(呆持されて4いるとき、Q出力端(20)
には、後述するタイミング回路により決まる期間、論理
1 (−g号が現れる。MMV(16)の入力端(■4
)に供給する水平トリガ信号が論理0状態から論理1状
態への連続的に変移すると、Q出力端は、バッファ回路
(200) (第2図)の入力端子(204)に供給
するTTL論理電圧レベルのパルス列を出力する。
MMV(16)の反転クロック入力端(18)は、MM
V(16)内の内部接続により論理1状態に保持しなけ
ればならない。入力端(18)を論理0状態に保持すれ
ば、MMV(16)は、トリガし、論理1状恕を維持す
る。この問題を避けるため、リガ信号を入力端子(12
)に供給したとき、論理1状態に固定されるMMV (
24)の出力端に接続して、反転クロック入力端(18
)を論理1状態に保持する。この固定回路は、NPN
l−ランジスタ(24)及び関連する素子から成り、ト
リガ信号を入力端子(12)に供給するとき、MMV(
24)の入力端(28)を接地電位近くに保持するよう
に働く。トランジスタ(26)は、M P S 652
1又は同等の素子である。
V(16)内の内部接続により論理1状態に保持しなけ
ればならない。入力端(18)を論理0状態に保持すれ
ば、MMV(16)は、トリガし、論理1状恕を維持す
る。この問題を避けるため、リガ信号を入力端子(12
)に供給したとき、論理1状態に固定されるMMV (
24)の出力端に接続して、反転クロック入力端(18
)を論理1状態に保持する。この固定回路は、NPN
l−ランジスタ(24)及び関連する素子から成り、ト
リガ信号を入力端子(12)に供給するとき、MMV(
24)の入力端(28)を接地電位近くに保持するよう
に働く。トランジスタ(26)は、M P S 652
1又は同等の素子である。
MMV(24)の入力端(28)を接地電位近(に維持
するときは、Q出力端(22)は、入力端(14)の水
平トリガ信号により通常の形式でMMV(16)がクロ
ック動作可能になる論理1状態であると仮定する。水平
トリガ・パルスを入力端子(12)に供給するとき、I
OKオームの抵抗器(30) 、 (32)及びダイ
オード(34)は、トランジスタ(26)をバイアスし
て飽和状態にする。ダイオード(34)は、lN415
2又は同等の素子である。飽和状態の間、トランジスタ
(26)に貯った蓄積電荷は、水平トリガ信号が論理0
状態に戻った後の短期間、MMV(24)の入力端(2
8)を接地電位近(に保つ。0.001Fのコンデンサ
(36) 、 18にオームの抵抗器(38)及び5に
オームの可変抵抗器(4o)を含むタイミング素子に関
連するこの蓄積電荷は、通常、周波数30K)lz5相
当する期間、MMV(24)をオフする。水平トリガ信
号は、125KHzの周波数で繰返すので、水平トリガ
信号を入力端子(12)に供給している限り、MMV
(24)は決して停止せず、入力端(28)は略接地電
位に保持される。
するときは、Q出力端(22)は、入力端(14)の水
平トリガ信号により通常の形式でMMV(16)がクロ
ック動作可能になる論理1状態であると仮定する。水平
トリガ・パルスを入力端子(12)に供給するとき、I
OKオームの抵抗器(30) 、 (32)及びダイ
オード(34)は、トランジスタ(26)をバイアスし
て飽和状態にする。ダイオード(34)は、lN415
2又は同等の素子である。飽和状態の間、トランジスタ
(26)に貯った蓄積電荷は、水平トリガ信号が論理0
状態に戻った後の短期間、MMV(24)の入力端(2
8)を接地電位近(に保つ。0.001Fのコンデンサ
(36) 、 18にオームの抵抗器(38)及び5に
オームの可変抵抗器(4o)を含むタイミング素子に関
連するこの蓄積電荷は、通常、周波数30K)lz5相
当する期間、MMV(24)をオフする。水平トリガ信
号は、125KHzの周波数で繰返すので、水平トリガ
信号を入力端子(12)に供給している限り、MMV
(24)は決して停止せず、入力端(28)は略接地電
位に保持される。
これにより、MMV(24)の出力端(22)及びMM
V(16)の入力端(1日)が論理1状態になる。
V(16)の入力端(1日)が論理1状態になる。
水平トリガ信号の周波数が30KHz以下に下がると、
トランジスタ(26)の蓄積電荷は、水平トリガ・サイ
クルの期間MMV(24)の入力端(28)を接地電位
にもはや維持できない。この状態で、水平トリガ信号の
各パルスはMMV (24)をトリガし、タイミング抵
抗器(38) 、 (40) 、コンデンサ(36)
及びトランジスタ(26)の蓄積キャパシタンスにより
設定される30KIIzの出力パルスを発生ずる。
トランジスタ(26)の蓄積電荷は、水平トリガ・サイ
クルの期間MMV(24)の入力端(28)を接地電位
にもはや維持できない。この状態で、水平トリガ信号の
各パルスはMMV (24)をトリガし、タイミング抵
抗器(38) 、 (40) 、コンデンサ(36)
及びトランジスタ(26)の蓄積キャパシタンスにより
設定される30KIIzの出力パルスを発生ずる。
トリガ信号を供給するとき、MMV(16)の反転クロ
ック入力端(18)は、論理1状態に維持されるので、
MMV(16)は入力端(14)でトリガされる度に、
出力パルスを発生ずる。この出力パルスの期間は、M
P S 6523又は同等の素子であり可変電流源とし
て働く、トランジスタ(44)による0、001μFの
コンデンサ(42)の充電速度により決まる。後述する
様に、この期間は、L F 356又は同等の素子であ
る演算増幅器(46)及びトランジスタ(44)により
自動的に水平トリガ信号の期間の半分になるように調整
される。 MMV (16)は、入力端(14)が論理
0状態から論理1状態に変移する毎に、トリガされるの
で、出力端(20)で発生するパルス列のデユーティ・
サイクルは、50%に1周整される。従って、MMV
(16)は、50%デユーティ・サイクルの連続矩形波
信号を出力端(20)から出力する。
ック入力端(18)は、論理1状態に維持されるので、
MMV(16)は入力端(14)でトリガされる度に、
出力パルスを発生ずる。この出力パルスの期間は、M
P S 6523又は同等の素子であり可変電流源とし
て働く、トランジスタ(44)による0、001μFの
コンデンサ(42)の充電速度により決まる。後述する
様に、この期間は、L F 356又は同等の素子であ
る演算増幅器(46)及びトランジスタ(44)により
自動的に水平トリガ信号の期間の半分になるように調整
される。 MMV (16)は、入力端(14)が論理
0状態から論理1状態に変移する毎に、トリガされるの
で、出力端(20)で発生するパルス列のデユーティ・
サイクルは、50%に1周整される。従って、MMV
(16)は、50%デユーティ・サイクルの連続矩形波
信号を出力端(20)から出力する。
水平トリガ・パルスによりMMV(16)の入力端(1
4)で繰返すトリガ動作に応答してMMV(16)の出
力端(20)に現れるパルスの流れは、8.2にオーム
の抵抗器(47)を通り、0.1μFのコンデンサ(4
8)を介してダイオード(50)及び(52)にAC結
合する。ダイオード(50)及び(52)は、lN41
52又は同等の素子である。コンデンサ(48)は、T
TLパルス列を、接続点(54)で約OVに中心合せし
た両極性信号に変換する。
4)で繰返すトリガ動作に応答してMMV(16)の出
力端(20)に現れるパルスの流れは、8.2にオーム
の抵抗器(47)を通り、0.1μFのコンデンサ(4
8)を介してダイオード(50)及び(52)にAC結
合する。ダイオード(50)及び(52)は、lN41
52又は同等の素子である。コンデンサ(48)は、T
TLパルス列を、接続点(54)で約OVに中心合せし
た両極性信号に変換する。
ダイオード(50)は、そのカソードを接続点(54)
に接続し、アノードを接地して負電圧パルスを−0,6
Vに制限する。ダイオード(52)は、その7ノードを
接続点(54)に接続し、アノードを接地して正電圧パ
ルスを+0.6vに制限する。
に接続し、アノードを接地して負電圧パルスを−0,6
Vに制限する。ダイオード(52)は、その7ノードを
接続点(54)に接続し、アノードを接地して正電圧パ
ルスを+0.6vに制限する。
MMV(16)の出力端(20)のデユーティ・サイク
ルが正確に50%であるなら、接続点(54)の両極性
信号が接地電位以上である時間は、この信号が接地電位
以下である時間に等しい、これは、演算増幅器(46)
の反転入力端(56)でOVの時間平均正味電圧を生じ
させる。演算増幅器(46)の非反転入力1(60)は
、16にオームの抵抗器(62)を介して接地する。0
.1μFのコンデンサ(63)及び演算増幅器(46)
は、入力端(56)に供給する電圧レベル及び入力端(
60)の略0■の基準レベルの差をとり、増幅した差信
号を出力端(64)から出力する積分器として動作する
。接続点(54)の信号が、+ 0.6Vである時間が
一〇、6vである時間に等しければ、出力端(64)の
信号は−0,3乃至+4.5vの範囲に?t、II限さ
れる。増幅器(46)の出力端(64)に現れる電圧は
、5.1にオームの抵抗器(65)を介してトランジス
タ(44)のベース端子(67)に供給する。この電圧
は560オームの抵抗器(66)を介してトランジスタ
(44)のエミッタ端子(68)からコレクタ端子(7
0)に電流が流れるようにし、MMV(16)の出力端
(20)で信号のデユーティ・サイクルを50%に維持
するためにコンデンサ(42)に供給する必要がある適
当な量の充電電流を形成する。1N4152又は同等の
素子であるダイオード(72)は、トランジスタ(44
)のベース及び+5■電源の間に接続し、トランジスタ
(44)が比較的に高いベース電圧で逆電流ブレークダ
ウン(ツェナリング)を起ごさないようにベース駆動を
制限する。トランジスタ(44)からコンデンサ(42
)に流れる電流を調整し、トリガ信号の適当なデエーテ
イ・サイクル、又は周波数にかかわらずパルス列のデユ
ーティ・サイクルを50%に維持する。
ルが正確に50%であるなら、接続点(54)の両極性
信号が接地電位以上である時間は、この信号が接地電位
以下である時間に等しい、これは、演算増幅器(46)
の反転入力端(56)でOVの時間平均正味電圧を生じ
させる。演算増幅器(46)の非反転入力1(60)は
、16にオームの抵抗器(62)を介して接地する。0
.1μFのコンデンサ(63)及び演算増幅器(46)
は、入力端(56)に供給する電圧レベル及び入力端(
60)の略0■の基準レベルの差をとり、増幅した差信
号を出力端(64)から出力する積分器として動作する
。接続点(54)の信号が、+ 0.6Vである時間が
一〇、6vである時間に等しければ、出力端(64)の
信号は−0,3乃至+4.5vの範囲に?t、II限さ
れる。増幅器(46)の出力端(64)に現れる電圧は
、5.1にオームの抵抗器(65)を介してトランジス
タ(44)のベース端子(67)に供給する。この電圧
は560オームの抵抗器(66)を介してトランジスタ
(44)のエミッタ端子(68)からコレクタ端子(7
0)に電流が流れるようにし、MMV(16)の出力端
(20)で信号のデユーティ・サイクルを50%に維持
するためにコンデンサ(42)に供給する必要がある適
当な量の充電電流を形成する。1N4152又は同等の
素子であるダイオード(72)は、トランジスタ(44
)のベース及び+5■電源の間に接続し、トランジスタ
(44)が比較的に高いベース電圧で逆電流ブレークダ
ウン(ツェナリング)を起ごさないようにベース駆動を
制限する。トランジスタ(44)からコンデンサ(42
)に流れる電流を調整し、トリガ信号の適当なデエーテ
イ・サイクル、又は周波数にかかわらずパルス列のデユ
ーティ・サイクルを50%に維持する。
MMV(16)の出力端(20)に現れる信号のデユー
ティ・サイクルが50%より大きい(即ち、特定サイク
ルの信号の論理1状恕が論理0状態より長い)とき、接
続点(54)に現れる電圧は、−0,6Vより+O,S
Vであることが多い。これらの電圧は、演算増幅器(4
6)の反転入力端(56)に供給するので、出力端(6
4)の電圧は、その休止値以下に徐々に降下し、それに
よりトランジスタ(44)のコレクタ端子(70)を介
してコンデンサ(42)に流れ込む電流量を増加させる
。コンデンサ(42)に流れ込む電流量が増加すると、
MMV(16)のQ出力端(20)に現れるパルスの論
理l状態期間が短くなりそれによりデユーティ・サイク
ルが50%に戻る。
ティ・サイクルが50%より大きい(即ち、特定サイク
ルの信号の論理1状恕が論理0状態より長い)とき、接
続点(54)に現れる電圧は、−0,6Vより+O,S
Vであることが多い。これらの電圧は、演算増幅器(4
6)の反転入力端(56)に供給するので、出力端(6
4)の電圧は、その休止値以下に徐々に降下し、それに
よりトランジスタ(44)のコレクタ端子(70)を介
してコンデンサ(42)に流れ込む電流量を増加させる
。コンデンサ(42)に流れ込む電流量が増加すると、
MMV(16)のQ出力端(20)に現れるパルスの論
理l状態期間が短くなりそれによりデユーティ・サイク
ルが50%に戻る。
MMV(16)の出力端に現れる信号のデューティ・サ
イクルが50%より小さい(即ち、特定の信号の論理0
状態が論理1状態より長い)とき、接続点(54)の電
圧は、+ 0.6Vより一〇、6シであることが多い。
イクルが50%より小さい(即ち、特定の信号の論理0
状態が論理1状態より長い)とき、接続点(54)の電
圧は、+ 0.6Vより一〇、6シであることが多い。
この状態で、演算増幅器(46)の出力端(64)の電
圧は、その休止値以上に徐々に増加し、トランジスタ(
44)のコレクタ端子(70)を介してコンデンサ(4
2)に流れ込む電流量を減少させる。コンデンサ(42
)に流れ込む電流量が減少すると、MMV(16)の出
力端り2o)に現れるパルスの論理l状態期間が長くな
り、デユーティ・サイクルが50%に戻る。
圧は、その休止値以上に徐々に増加し、トランジスタ(
44)のコレクタ端子(70)を介してコンデンサ(4
2)に流れ込む電流量を減少させる。コンデンサ(42
)に流れ込む電流量が減少すると、MMV(16)の出
力端り2o)に現れるパルスの論理l状態期間が長くな
り、デユーティ・サイクルが50%に戻る。
演算増@器(46)及び可変電流源トランジスタ(44
)は、共働して接続点(54)のOVの時間平均信号を
維持し、従って、MMV(16)の出力端(20)の連
続矩形波信号のデユーティ・サイクルを50%に維持す
る。これは、水平トリガ信号のデ。
)は、共働して接続点(54)のOVの時間平均信号を
維持し、従って、MMV(16)の出力端(20)の連
続矩形波信号のデユーティ・サイクルを50%に維持す
る。これは、水平トリガ信号のデ。
ニーティ・サイクル又は周波数にかかわらず行われる。
水平トリガ信号の欠如
MMV(16)が静止論理l状態のままであり、入力端
子(12)に水平トリガ信号入力が無いと、結合及び駆
動信号回路を示す第3図のスイッチング・トランジスタ
(344)を連続的に大電流が流れる。この状態で流れ
る電流は、スイッチング・トランジスタ(344)を破
損するか又は、ヒユーズ(380)をとばず。この様な
事態を防止するため、水平トリガ信号を入力端子(12
)に供給しないときは、MMV(16)の出力端(20
)から125KHzの矩形波を発生するように発振″W
(10)を設計する。
子(12)に水平トリガ信号入力が無いと、結合及び駆
動信号回路を示す第3図のスイッチング・トランジスタ
(344)を連続的に大電流が流れる。この状態で流れ
る電流は、スイッチング・トランジスタ(344)を破
損するか又は、ヒユーズ(380)をとばず。この様な
事態を防止するため、水平トリガ信号を入力端子(12
)に供給しないときは、MMV(16)の出力端(20
)から125KHzの矩形波を発生するように発振″W
(10)を設計する。
水平トリガ信号が入力端子(12)に供給されないとき
、トランジスタ(26)は、カットオフ状態にバイアス
され、MMV(24)から接続が断たれる。この状態で
、MMV(24)はワンショット発11i器として動作
し、その出力パルス幅はコンデンサ(36)、抵抗器(
38)及び(40)の値で決まる。
、トランジスタ(26)は、カットオフ状態にバイアス
され、MMV(24)から接続が断たれる。この状態で
、MMV(24)はワンショット発11i器として動作
し、その出力パルス幅はコンデンサ(36)、抵抗器(
38)及び(40)の値で決まる。
これらの素子の上述した値はMMV(16)の出力端か
ら125KIIzのパルス列を発生させる。入力端子(
12)に水平トリガ信号人力が無い状態で、MMV(1
6)のクロック入力端(73)は論理O状態であるから
、反転クロック入力端(74)に信号を供給することに
より、MMV(24)はトリガされる。
ら125KIIzのパルス列を発生させる。入力端子(
12)に水平トリガ信号人力が無い状態で、MMV(1
6)のクロック入力端(73)は論理O状態であるから
、反転クロック入力端(74)に信号を供給することに
より、MMV(24)はトリガされる。
入力端(74)に供給する信号は、カスケード接続した
NANDゲー) (78) 、 (80)及び(82
)を介してMMV(24)のζ出力端(76)をMMV
(24)の入力端(74)に帰還することにより生じる
。
NANDゲー) (78) 、 (80)及び(82
)を介してMMV(24)のζ出力端(76)をMMV
(24)の入力端(74)に帰還することにより生じる
。
NANOゲート(78) 、 (80)及び(82)
をバイアスし、MMV(24)が休止し、ζ出力端(7
6)が論理l状態に変化するとき、NANロゲート(8
2)の出力が論理O状態に切換わり、それによりMMV
(24)の反転クロック入力端(74)にトリガ信号を
供給する。
をバイアスし、MMV(24)が休止し、ζ出力端(7
6)が論理l状態に変化するとき、NANロゲート(8
2)の出力が論理O状態に切換わり、それによりMMV
(24)の反転クロック入力端(74)にトリガ信号を
供給する。
特に、MMV(24)が休止し、その了出力端(76)
が論理1状恕に戻るとき、NANDゲート(78)の入
力端(84)は論理1状態になる。NANDゲート(7
8)の入力端(86)は、510オームの抵抗器(90
)及び270PPのコンデンサ(92)の接続点(88
)に接続し、コンデンサ(92)の他端は接地する。抵
抗器(90)の他端は、NANOゲート(82)の出力
#(94)及びMMV(24)の反転入力端(74)に
接続する。この状態で、MANロゲート(78)の入力
端(86)は、MMV(24)を休止させるために論理
1状態であった必要がある。 NANロゲート(78)
の両入力端(84)及び(86)は、論理1状態であり
、NANOゲート(78)の出力端(96)で論理0状
態を生じさせ、論理インメータとして構成したNAND
ゲート(80)の出力端(98)で論理l状態を生じさ
せる。NANDゲート(80)の出力端(98)は、5
10オームの抵抗器(100)の一端に接続する。抵抗
器(100)の他端は、NANDゲート(82)入力端
(102)及び270PFのコンデンサ(104)の一
端に接続する。このコンデンサ(104)の他端は、接
地する。NANDゲート(80)の出力端(98)及び
NANDゲート(82)の入力端(102)に現れる論
理1状恕は、NANDゲート(82)の出力端(94)
を論理O状態にし、MMV(24)の反転入力端(74
)にトリガ信号を供給する。上述のサイクルは、MMV
(24)が休止する毎に繰返し、そのζ出力端(76)
は論理1状態に戻る。
が論理1状恕に戻るとき、NANDゲート(78)の入
力端(84)は論理1状態になる。NANDゲート(7
8)の入力端(86)は、510オームの抵抗器(90
)及び270PPのコンデンサ(92)の接続点(88
)に接続し、コンデンサ(92)の他端は接地する。抵
抗器(90)の他端は、NANOゲート(82)の出力
#(94)及びMMV(24)の反転入力端(74)に
接続する。この状態で、MANロゲート(78)の入力
端(86)は、MMV(24)を休止させるために論理
1状態であった必要がある。 NANロゲート(78)
の両入力端(84)及び(86)は、論理1状態であり
、NANOゲート(78)の出力端(96)で論理0状
態を生じさせ、論理インメータとして構成したNAND
ゲート(80)の出力端(98)で論理l状態を生じさ
せる。NANDゲート(80)の出力端(98)は、5
10オームの抵抗器(100)の一端に接続する。抵抗
器(100)の他端は、NANDゲート(82)入力端
(102)及び270PFのコンデンサ(104)の一
端に接続する。このコンデンサ(104)の他端は、接
地する。NANDゲート(80)の出力端(98)及び
NANDゲート(82)の入力端(102)に現れる論
理1状恕は、NANDゲート(82)の出力端(94)
を論理O状態にし、MMV(24)の反転入力端(74
)にトリガ信号を供給する。上述のサイクルは、MMV
(24)が休止する毎に繰返し、そのζ出力端(76)
は論理1状態に戻る。
水平トリガ信号が入力端子(12)に供給されないとき
、MMV (24)はQ出力端(22)及び百出力端(
76)から連続パルス列を発生するように自動的に再び
トリガする。抵抗! (38) 、 (40)及びコ
ンデンサ(36)は、周波数125Kllzに相当する
8μ秒のパルス期間を設定する。MMV(24)のQ出
力端(22)に現れる125KIIz信号は、はとんど
100%のデユーティ・サイクルを有する。この信号は
、MMV(16)の反転クロック入力端(18)に供給
する。MMV(16)の入力端(18)の信号は、8μ
秒に一度、論理O状態にすばやく変移する。論理l状態
から論理O状態への変移により、MMV(16)のQ出
力端(20)にパルスが現れる。
、MMV (24)はQ出力端(22)及び百出力端(
76)から連続パルス列を発生するように自動的に再び
トリガする。抵抗! (38) 、 (40)及びコ
ンデンサ(36)は、周波数125Kllzに相当する
8μ秒のパルス期間を設定する。MMV(24)のQ出
力端(22)に現れる125KIIz信号は、はとんど
100%のデユーティ・サイクルを有する。この信号は
、MMV(16)の反転クロック入力端(18)に供給
する。MMV(16)の入力端(18)の信号は、8μ
秒に一度、論理O状態にすばやく変移する。論理l状態
から論理O状態への変移により、MMV(16)のQ出
力端(20)にパルスが現れる。
演算増幅器(46)及びトランジスタ(44)は、上述
の様に、MMV(16)のQ出力端(20)で50%デ
ユーティ・サイクル連続矩形波信号を出力するようにす
る。従って、発振回路(10)は、水平トリガ信号を回
路に供給したかにかかわらず50%デユーティ・サイク
ルの連続矩形波信号を供給する。
の様に、MMV(16)のQ出力端(20)で50%デ
ユーティ・サイクル連続矩形波信号を出力するようにす
る。従って、発振回路(10)は、水平トリガ信号を回
路に供給したかにかかわらず50%デユーティ・サイク
ルの連続矩形波信号を供給する。
発振器(10)の出力信号は、トリガ信号があれば、そ
の周波数に固定され、又はトリガ信号が無ければ、所定
の周波数で動作する。更に、トリガ・モードで動作する
発振器(10)の位相雑音は単一、低雑音活性タイミン
グ装置即ち、MMV(16)により連続波出力信号を形
成することにより減少する。
の周波数に固定され、又はトリガ信号が無ければ、所定
の周波数で動作する。更に、トリガ・モードで動作する
発振器(10)の位相雑音は単一、低雑音活性タイミン
グ装置即ち、MMV(16)により連続波出力信号を形
成することにより減少する。
入力バッファ回路
第2図は、本発明の構成の一部であるバッファ回路(2
00)及びインピーダンス変成回路(202)を示す。
00)及びインピーダンス変成回路(202)を示す。
インピーダンス・バッファ回路(200)は、発振器(
10)及びスイッチ駆動インピーダンス変成回路(20
2)の人力間のインターフェースとして働く。バッファ
回路(200)は、MMV(16)のQ出力端(20)
から発振器出力信号を受取り、この信号でインピーダン
ス変成回路(202)の低入力インピーダンスを駆動す
るようにする。
10)及びスイッチ駆動インピーダンス変成回路(20
2)の人力間のインターフェースとして働く。バッファ
回路(200)は、MMV(16)のQ出力端(20)
から発振器出力信号を受取り、この信号でインピーダン
ス変成回路(202)の低入力インピーダンスを駆動す
るようにする。
、発振器(10)の矩形波出力信号は、NPN )ラン
ジスタ(206”)及び(208)を含む電子スイッチ
ング回路である大カバ・ノファ回路(200)の入力端
子(204)に供給する。トランジスタ(206)及び
(208)は、2 N 3904又は同等の素子である
。
ジスタ(206”)及び(208)を含む電子スイッチ
ング回路である大カバ・ノファ回路(200)の入力端
子(204)に供給する。トランジスタ(206)及び
(208)は、2 N 3904又は同等の素子である
。
矩形波出力信号は、470オームの抵抗器(212)を
介してトランジスタ(206)のベース端子(210)
に供給する。トランジスタ(206)は、スイッチとし
て動作するようにバイアスし、エミッタ端子(214)
を直接に接地し、コレクタ端子(216)を270オー
ム及び定格5ワツトの抵抗器(218)を介して+15
Vの電源に接続する。125KHzの発振器出力信号の
反転及び増幅した複製信号は、トランジスタ(206)
のコレクタ端子(216)に現れる。12Vのツェナー
・ダイオード(220)は、接地電位源及びトランジス
タ(206)のコレクタ端子(21B )に接続し、+
12■の最大コレクタ電圧を設定する。ベース端子(2
10)に現れる信号の立上り時間は、コレクタ端子を+
12Vに制限することにより、トランジスタ(206)
のコレクタ端子(216)で保存される。従って、発振
器(10)の出力端に発生ずる矩形波信号の高速変移時
間は、保存される。
介してトランジスタ(206)のベース端子(210)
に供給する。トランジスタ(206)は、スイッチとし
て動作するようにバイアスし、エミッタ端子(214)
を直接に接地し、コレクタ端子(216)を270オー
ム及び定格5ワツトの抵抗器(218)を介して+15
Vの電源に接続する。125KHzの発振器出力信号の
反転及び増幅した複製信号は、トランジスタ(206)
のコレクタ端子(216)に現れる。12Vのツェナー
・ダイオード(220)は、接地電位源及びトランジス
タ(206)のコレクタ端子(21B )に接続し、+
12■の最大コレクタ電圧を設定する。ベース端子(2
10)に現れる信号の立上り時間は、コレクタ端子を+
12Vに制限することにより、トランジスタ(206)
のコレクタ端子(216)で保存される。従って、発振
器(10)の出力端に発生ずる矩形波信号の高速変移時
間は、保存される。
トランジスタ(206)のコレクタ端子(216)は、
トランジスタ(208)のベース端子(222)に直接
に接続する。トランジスタ(20B)は、エミッタ端子
(224)が出力端となる非反転スイッチとしてバイア
スする。トランジスタ(208)のコレクタ端子(22
6)は、+15■の電源に直接に接続する。トランジス
タ(208)のエミッタ端子(224)は2μFのコン
デンサ(228)を介してインピーダンス変成回路(2
02)の入力端子(230)に接続する。コンデンサ(
22B )は、エミッタ端子(224)に現れる10.
8Vのピーク・ピーク値を有する矩形波信号を入力端子
(230)にAC結合して、同一周波数の両極性信号を
供給する。コンデンサ(22B)の値を選択して入力イ
ンピーダンス変換回路(202)により与えられる負荷
インピーダンスを有効に補償する。
トランジスタ(208)のベース端子(222)に直接
に接続する。トランジスタ(20B)は、エミッタ端子
(224)が出力端となる非反転スイッチとしてバイア
スする。トランジスタ(208)のコレクタ端子(22
6)は、+15■の電源に直接に接続する。トランジス
タ(208)のエミッタ端子(224)は2μFのコン
デンサ(228)を介してインピーダンス変成回路(2
02)の入力端子(230)に接続する。コンデンサ(
22B )は、エミッタ端子(224)に現れる10.
8Vのピーク・ピーク値を有する矩形波信号を入力端子
(230)にAC結合して、同一周波数の両極性信号を
供給する。コンデンサ(22B)の値を選択して入力イ
ンピーダンス変換回路(202)により与えられる負荷
インピーダンスを有効に補償する。
1N452又は、同等の素子であるダイオード(232
)を使用して、トランジスタ(208)のエミッタ端子
(224)の矩形波信号の曲及び低電圧状態間のスイッ
チング時間を減少させる。ダイオード(232)のアノ
ードは、トランジスタ(208)のエミッタ端子(22
4)に接続し、一方、そのカソードはトランジスタ(2
06)のコレクタ端子(21B )に接続する。トラン
ジスタ(206)のベース端子(210)に供給する信
号がトランジスタ(20B)を導通状態にし、ダイオー
ド(232)はトランジスタ (206)の飽和コレク
タ・エミッタを介して接地電位への導電路を形成し、ト
ランジスタ(20B )のエミッタ端子(224)の直
前の高電圧状態の間にコンデンサ(228)に蓄積した
電荷を除去する。従って、10.8Vのピーク・ピーク
振幅を有する125KHzの両極性矩形波信号がインピ
ーダンス変成回路(202)の入力端子(230)に現
れる。
)を使用して、トランジスタ(208)のエミッタ端子
(224)の矩形波信号の曲及び低電圧状態間のスイッ
チング時間を減少させる。ダイオード(232)のアノ
ードは、トランジスタ(208)のエミッタ端子(22
4)に接続し、一方、そのカソードはトランジスタ(2
06)のコレクタ端子(21B )に接続する。トラン
ジスタ(206)のベース端子(210)に供給する信
号がトランジスタ(20B)を導通状態にし、ダイオー
ド(232)はトランジスタ (206)の飽和コレク
タ・エミッタを介して接地電位への導電路を形成し、ト
ランジスタ(20B )のエミッタ端子(224)の直
前の高電圧状態の間にコンデンサ(228)に蓄積した
電荷を除去する。従って、10.8Vのピーク・ピーク
振幅を有する125KHzの両極性矩形波信号がインピ
ーダンス変成回路(202)の入力端子(230)に現
れる。
インピーダンス変成回路
第2図を参照すると、インピーダンス変成回路(202
)は、大電力、大電流の125KHz矩形出力信号を供
給し、第3図のスイッチ駆動回路の入力端を駆動する。
)は、大電力、大電流の125KHz矩形出力信号を供
給し、第3図のスイッチ駆動回路の入力端を駆動する。
入力端子(230)の矩形波信号の高速変移時間を維持
する間、インピーダンス変成回路(202)は、この動
作を行う。
する間、インピーダンス変成回路(202)は、この動
作を行う。
インピーダンス変成回路(202)は、人力変成器(2
34)及び出力変成器(236)を含む、変成器(23
4)及び(236)は、ファイラ巻電力変成 器であり
、その応答時間特性は、供給する矩形波信号の変移時間
特性をほとんど変化させない。ここではファイラ巻線変
成器は、1次及び2次巻線を非密に密接し、且つ共通の
コアに巻いたものであるとする。この目的は、第1及び
第2巻線が占佇する区域が同じである理想的条件に近づ
けることである。1次及び2次変成巻線を近接させると
、両者間の相互誘導結合を増進させ、両者の各々での誘
導性損失を減少させる。
34)及び出力変成器(236)を含む、変成器(23
4)及び(236)は、ファイラ巻電力変成 器であり
、その応答時間特性は、供給する矩形波信号の変移時間
特性をほとんど変化させない。ここではファイラ巻線変
成器は、1次及び2次巻線を非密に密接し、且つ共通の
コアに巻いたものであるとする。この目的は、第1及び
第2巻線が占佇する区域が同じである理想的条件に近づ
けることである。1次及び2次変成巻線を近接させると
、両者間の相互誘導結合を増進させ、両者の各々での誘
導性損失を減少させる。
第4A図は、入力変成器(234)の回路図である。変
圧器(234)は、第1コイル(238)及び(240
)を含み、各コイルは環状コア(242)の裏面周囲に
糸巻状に32ゲージ・エナメル被覆導線を30回巻いた
構成である。環状コア(242)は、テクトロニソクス
社により製造及び販売された276−0535又は同等
の素子である。1次コイル(238)及び(240)の
導線(244)及び(246)は、互いに接続し、2個
のコイルの直列接続を形成する。1次コイル(23B)
の導線(24B )は、入力端子(230)に接続し、
1次コイル(240)の導線(250)は、接地電位源
に接続する(第2図参照)。
圧器(234)は、第1コイル(238)及び(240
)を含み、各コイルは環状コア(242)の裏面周囲に
糸巻状に32ゲージ・エナメル被覆導線を30回巻いた
構成である。環状コア(242)は、テクトロニソクス
社により製造及び販売された276−0535又は同等
の素子である。1次コイル(238)及び(240)の
導線(244)及び(246)は、互いに接続し、2個
のコイルの直列接続を形成する。1次コイル(23B)
の導線(24B )は、入力端子(230)に接続し、
1次コイル(240)の導線(250)は、接地電位源
に接続する(第2図参照)。
変成5(234)は、更に2次コイル(252>及び(
254)を含み、各コイルはコア(242)の表向周囲
に糸巻状に32ゲージ・エナメル被覆導線を30回巻い
た構成である。コイル(252)及び(254)の導線
(256)及び(258)は、共通基準点(260)に
接続し、この点はトランジスタ(440) (第7図
)のエミッタ端子(442)であり、電力増幅器回路の
公称動作中は、接地電位である。2次コイル(252)
及び(254)の導線(262)及び(264)は、後
述する様に出力変成器(238)を駆動するプッシュプ
ル・スイッチング増幅器副回路に信号を供給する。
254)を含み、各コイルはコア(242)の表向周囲
に糸巻状に32ゲージ・エナメル被覆導線を30回巻い
た構成である。コイル(252)及び(254)の導線
(256)及び(258)は、共通基準点(260)に
接続し、この点はトランジスタ(440) (第7図
)のエミッタ端子(442)であり、電力増幅器回路の
公称動作中は、接地電位である。2次コイル(252)
及び(254)の導線(262)及び(264)は、後
述する様に出力変成器(238)を駆動するプッシュプ
ル・スイッチング増幅器副回路に信号を供給する。
インピーダンス変成器(234)の上述の構成は、2次
コイル(252)及び(254)の各々に関して、2:
1の1吹射2次巻数比を有する。合成2次巻線に関して
は1:1の1吹射2次巻数比がある。
コイル(252)及び(254)の各々に関して、2:
1の1吹射2次巻数比を有する。合成2次巻線に関して
は1:1の1吹射2次巻数比がある。
この様に、10.8Vのピーク・ピーク矩形波信号が変
成器(234)の端子(248)及び(250)間に現
れるときは、5.4vのピーク・ピーク矩形波信号が2
次コイル(252)の導線(262)及び(256)間
と、2次コイル(254)の導線(25B )及び(2
64)間とに現れる。2次コイル(252)及び(25
4)間の信号は、基準点(260)に関し、導線(26
2)及び(264)から見ると 180°位相がずれて
いる。更に、直列接続した1次コイル(238)及び(
240)を流れる電流に比較して、2次コイル(252
’)又は(254)の一方を流れる電流の大きさは、2
倍に増加する。
成器(234)の端子(248)及び(250)間に現
れるときは、5.4vのピーク・ピーク矩形波信号が2
次コイル(252)の導線(262)及び(256)間
と、2次コイル(254)の導線(25B )及び(2
64)間とに現れる。2次コイル(252)及び(25
4)間の信号は、基準点(260)に関し、導線(26
2)及び(264)から見ると 180°位相がずれて
いる。更に、直列接続した1次コイル(238)及び(
240)を流れる電流に比較して、2次コイル(252
’)又は(254)の一方を流れる電流の大きさは、2
倍に増加する。
第4B図は、出力変成器(236)の回路図である。出
力変成器(236)は6個の1次コイル(266)。
力変成器(236)は6個の1次コイル(266)。
(268) 、 (270) 、 (272) 、
(274)及び(276)を含み、各コイルは、環
状コア(27B)の表面周囲に糸巻状に26ゲージ・エ
ナメル被覆導線を10回巻いた構成である。環状コア(
27B)は、スタックポール・カーボン社製の57−1
714又は同等のものである0図示する様に、1次コイ
ルの導線は入力変圧器(234)の1次コイル(238
)及び(240)に関して説明したと同じ方法で直列に
接続する。+15VのDC電源は、1次コイル(270
)の導線(280)及び1次コイル(272)の導線に
供給する(第2図参照)。従って、出力変成器(236
)の合成1次コイルは、2つの部分即ち1次コイル(2
66) 、 (26B)及び(270)を含む第1の
1次部分(284)と、1次コイル(272)。
(274)及び(276)を含み、各コイルは、環
状コア(27B)の表面周囲に糸巻状に26ゲージ・エ
ナメル被覆導線を10回巻いた構成である。環状コア(
27B)は、スタックポール・カーボン社製の57−1
714又は同等のものである0図示する様に、1次コイ
ルの導線は入力変圧器(234)の1次コイル(238
)及び(240)に関して説明したと同じ方法で直列に
接続する。+15VのDC電源は、1次コイル(270
)の導線(280)及び1次コイル(272)の導線に
供給する(第2図参照)。従って、出力変成器(236
)の合成1次コイルは、2つの部分即ち1次コイル(2
66) 、 (26B)及び(270)を含む第1の
1次部分(284)と、1次コイル(272)。
(274’I及び(276)を含む第2の1次部分(2
86)とを含む。第1の部分(284)の導線(288
)は、コレクタ端子(290)に接続し、第2の部分(
286)の導線(294)はトランジスタ(298)の
コレクタ端子(296)に接続する(第2図参照)。第
1図及び第2の1次部分(284)及び(286)は+
15■のバイアス電圧を夫々トランジスタ(292)及
び(298)のコレクタに供給する負荷を構成する。
86)とを含む。第1の部分(284)の導線(288
)は、コレクタ端子(290)に接続し、第2の部分(
286)の導線(294)はトランジスタ(298)の
コレクタ端子(296)に接続する(第2図参照)。第
1図及び第2の1次部分(284)及び(286)は+
15■のバイアス電圧を夫々トランジスタ(292)及
び(298)のコレクタに供給する負荷を構成する。
出力変成器(236)は、更に2次コイル(300)。
(302)及び(304)を含み、各々はコア(278
)の表面周囲に糸巻状に26ゲージ・エナメル被覆導線
を10回巻いた構成である。2次コイル(300)。
)の表面周囲に糸巻状に26ゲージ・エナメル被覆導線
を10回巻いた構成である。2次コイル(300)。
(302)及び(304)の夫々導線(306) 、
(308)及び(310)は、互いに接続する。2次
コイル(300) 、 (302)及び(304)の
夫々導線(312)。
(308)及び(310)は、互いに接続する。2次
コイル(300) 、 (302)及び(304)の
夫々導線(312)。
(314)及び(316)も、互いに接続する。これら
の接続は、2次コイル(300) 、 (302)及
び(304)の並列回路を形成し、第3図のスイッチ駆
動回路の入力端子(338)及び接地電位源に夫々接続
する導線(306)及び(316)間に信号を生じる。
の接続は、2次コイル(300) 、 (302)及
び(304)の並列回路を形成し、第3図のスイッチ駆
動回路の入力端子(338)及び接地電位源に夫々接続
する導線(306)及び(316)間に信号を生じる。
有効な1吹射2次巻数比は、トランジスタ(292)及
び(298’)のコレクタ端子の負荷となる各1次部分
に関して3:1である。従って、導線(294)及び(
28B ’)を流れる電流に比較して、導線(306)
及び(316)を通って誘導される電流は、3倍に増加
する。導線(306)及び(316)を流れる電流は、
スイッチ駆動結合回路に供給する。更に、第1又は第2
の1次部分に生じる電圧に比較してスイッチ駆動回路の
入力端に供給する電圧の大きさは3分の1に減少する。
び(298’)のコレクタ端子の負荷となる各1次部分
に関して3:1である。従って、導線(294)及び(
28B ’)を流れる電流に比較して、導線(306)
及び(316)を通って誘導される電流は、3倍に増加
する。導線(306)及び(316)を流れる電流は、
スイッチ駆動結合回路に供給する。更に、第1又は第2
の1次部分に生じる電圧に比較してスイッチ駆動回路の
入力端に供給する電圧の大きさは3分の1に減少する。
第2図を参照すると、125KIIzの両極性矩形波信
号は、入力変成器(234)の導線(248)及び(2
50)に供給する。1次コイル(240)の導線(25
0)は、接地する。2次コイル(252)の導線(26
2)及び(256)に誘導される電圧により、抵抗器(
318)を通ってNPN l−ランジスタ(292)の
ベース端子(320)に電流が流れる。同様に、2次コ
イル(254)の導線(264)及び(25B)に誘導
される電圧により、抵抗器(322)を通ってNPN
)ランジスタ(298)のベース端子(324)に電流
が流れる。2次コイル(252)及び(254)の両端
に誘導される電圧は、位相が180°ずれているので、
125KIIZの矩形波入力信号の半サイクル交替でト
ランジスタ(292)及び(298)のベース端子に電
流が流れる。抵抗器(31B )及び(322)は、定
格0.5ワツト、抵抗値27オームであり、トランジス
タ(292)及び(298)は、M J E 521又
は同等の素子である。トランジスタ(292)のコレク
タ端子(290)は、第1の1次部分(284)を介し
て+15VのDC電源に接続し、トランジスタ(298
)のコレクタ端子(296)は、第2の1次部分(28
6)を介して+15VのDC電源に接続する。トランジ
スタ(292)及び(298)の夫々エミッタ端子(3
26)及び(328)は直接に接地する。
号は、入力変成器(234)の導線(248)及び(2
50)に供給する。1次コイル(240)の導線(25
0)は、接地する。2次コイル(252)の導線(26
2)及び(256)に誘導される電圧により、抵抗器(
318)を通ってNPN l−ランジスタ(292)の
ベース端子(320)に電流が流れる。同様に、2次コ
イル(254)の導線(264)及び(25B)に誘導
される電圧により、抵抗器(322)を通ってNPN
)ランジスタ(298)のベース端子(324)に電流
が流れる。2次コイル(252)及び(254)の両端
に誘導される電圧は、位相が180°ずれているので、
125KIIZの矩形波入力信号の半サイクル交替でト
ランジスタ(292)及び(298)のベース端子に電
流が流れる。抵抗器(31B )及び(322)は、定
格0.5ワツト、抵抗値27オームであり、トランジス
タ(292)及び(298)は、M J E 521又
は同等の素子である。トランジスタ(292)のコレク
タ端子(290)は、第1の1次部分(284)を介し
て+15VのDC電源に接続し、トランジスタ(298
)のコレクタ端子(296)は、第2の1次部分(28
6)を介して+15VのDC電源に接続する。トランジ
スタ(292)及び(298)の夫々エミッタ端子(3
26)及び(328)は直接に接地する。
トランジスタ(292)及び(298)は、プッシュプ
ル・スイッチング増幅器副回路を形成する。
ル・スイッチング増幅器副回路を形成する。
入力端子(230)に現れる信号がOvよりも大きいと
き、正電圧がトランジスタ(292)のベース端子に生
じ、トランジスタ(292)のコレクタ端子(290)
からエミッタ端子(326)の向きで、第1の1次部分
(284)の1次コイルに電流が流れる。トランジスタ
(298)は、この期間、非導通状態である。入力端子
(230)に現れる信号がOV以下であるとき、正電圧
がトランジスタ(298)のベース端子(324)に生
じ、トランジスタ(298)のコレクタ端子(296)
からエミッタ端子(32B >への向きで第2の1次部
分の1次コイルに電流が流れる。トランジスタ(292
)は、この期間、非導通状懸である。
き、正電圧がトランジスタ(292)のベース端子に生
じ、トランジスタ(292)のコレクタ端子(290)
からエミッタ端子(326)の向きで、第1の1次部分
(284)の1次コイルに電流が流れる。トランジスタ
(298)は、この期間、非導通状態である。入力端子
(230)に現れる信号がOV以下であるとき、正電圧
がトランジスタ(298)のベース端子(324)に生
じ、トランジスタ(298)のコレクタ端子(296)
からエミッタ端子(32B >への向きで第2の1次部
分の1次コイルに電流が流れる。トランジスタ(292
)は、この期間、非導通状懸である。
ダイオード(330)及び(332)は、夫々抵抗器(
318)及び(322) の両端に並列に接続し、IF
雷電圧半サイクルの間、トランジスタのベースに蓄積し
た電荷を接地するための低インピーダンス導電路を形成
する。それにより、ダイオード(330)及び(332
)は、夫々トランジスタ(292)及び(298)のタ
ーンオフ時間を減少させる。ダイオード(330)及び
(332)はlN4152又は同等の素子である。
318)及び(322) の両端に並列に接続し、IF
雷電圧半サイクルの間、トランジスタのベースに蓄積し
た電荷を接地するための低インピーダンス導電路を形成
する。それにより、ダイオード(330)及び(332
)は、夫々トランジスタ(292)及び(298)のタ
ーンオフ時間を減少させる。ダイオード(330)及び
(332)はlN4152又は同等の素子である。
従って、ファイラ巻出力変成器(236’) ハスイッ
チ駆動回路の入力端(338)に変移が比較的高速であ
る最大電圧5v及び最大電流6Aの大電力連続矩形信号
を供給する。 125KHzの矩形波に関し、変移時間
の測定値は、約0.1μ秒であった。
チ駆動回路の入力端(338)に変移が比較的高速であ
る最大電圧5v及び最大電流6Aの大電力連続矩形信号
を供給する。 125KHzの矩形波に関し、変移時間
の測定値は、約0.1μ秒であった。
スイッチ駆動回路
第3図は、結合回路及び大電流スイッチとしてり1作す
る電力トランジスタを含む本発明の構成の一部であるス
イッチ駆動回路をボす。結合回路は、出力変成器(23
6)から125Klzの矩形波信号を受取り、駆動信号
を電力トランジスタ(344)のベース端子に供給し、
電力トランジスタは適当な時間に、CRTの水平偏向回
路のヨークに電流を流す。
る電力トランジスタを含む本発明の構成の一部であるス
イッチ駆動回路をボす。結合回路は、出力変成器(23
6)から125Klzの矩形波信号を受取り、駆動信号
を電力トランジスタ(344)のベース端子に供給し、
電力トランジスタは適当な時間に、CRTの水平偏向回
路のヨークに電流を流す。
第3図において、結合回路は0.5オーム、定格5ワツ
トの抵抗器(336)と直列に接続した2、5μHのイ
ンダクタ(334)を含む。インダクタ(334)の導
線(338)は、結合回路の入力端子であり、出力変成
器(236)の導線(306)に接続する。
トの抵抗器(336)と直列に接続した2、5μHのイ
ンダクタ(334)を含む。インダクタ(334)の導
線(338)は、結合回路の入力端子であり、出力変成
器(236)の導線(306)に接続する。
ダイオード(340)は、80SQO40又は同等の素
子であり、インダクタ(334)及び抵抗器(336)
に並列に接続し、ダイオード(340)のカソードは、
インダクタ(334)の導線(338)に接続する。イ
ンダクタ(334)は、アーノルド・エンジニアリング
社i A −301072−2コアの如き環状コアの周
囲に、22ゲージ・エナメル被覆導線を6回巻いて構成
する。抵抗器(336)は、サンヨー製の2S0348
又は同等の素子であるNPN電力トランジスタ(344
)のベース端子に接続する。トランジスタ(344)は
、そのエミッタ端子(346)を接地した大電流スイッ
チとして使用する。
子であり、インダクタ(334)及び抵抗器(336)
に並列に接続し、ダイオード(340)のカソードは、
インダクタ(334)の導線(338)に接続する。イ
ンダクタ(334)は、アーノルド・エンジニアリング
社i A −301072−2コアの如き環状コアの周
囲に、22ゲージ・エナメル被覆導線を6回巻いて構成
する。抵抗器(336)は、サンヨー製の2S0348
又は同等の素子であるNPN電力トランジスタ(344
)のベース端子に接続する。トランジスタ(344)は
、そのエミッタ端子(346)を接地した大電流スイッ
チとして使用する。
第5図は、°スイッチ駆動回路に関連する信号の波形を
示す、第5図において、波形(34B)は、インダクタ
(334)の導線(338”)上の矩形波電圧信号を表
す。波形(350)は、トランジスタ(344)のベー
ス端子(342)を流れる電流を表す。波形(352)
は、CRT偏向回路のヨークを流れる電流を表す。第5
図に示す様に、導線(338)上の矩形波信号は、時刻
T1で負電圧サイクルの終りから正電圧サイクルの始め
へ遷移する。トランジスタ(344)のベース端子(3
42)に流れ込む電流は、時刻T1からT2の約0.4
μ砂の期間にOから約2. OAに急速に増加する。電
流の急速な増加は、直前の正電圧サイクルでインダクタ
(334)に蓄積した残りのエネルギーにより生じる。
示す、第5図において、波形(34B)は、インダクタ
(334)の導線(338”)上の矩形波電圧信号を表
す。波形(350)は、トランジスタ(344)のベー
ス端子(342)を流れる電流を表す。波形(352)
は、CRT偏向回路のヨークを流れる電流を表す。第5
図に示す様に、導線(338)上の矩形波信号は、時刻
T1で負電圧サイクルの終りから正電圧サイクルの始め
へ遷移する。トランジスタ(344)のベース端子(3
42)に流れ込む電流は、時刻T1からT2の約0.4
μ砂の期間にOから約2. OAに急速に増加する。電
流の急速な増加は、直前の正電圧サイクルでインダクタ
(334)に蓄積した残りのエネルギーにより生じる。
時刻T2からT4の約3.6μ紗の間、トランジスタ(
344)のベース端子(342)に流れ込む電流は、導
線(33B)の信号の正電圧サイクルの間、2.0八か
ら略4.4八に徐々に増加する。
344)のベース端子(342)に流れ込む電流は、導
線(33B)の信号の正電圧サイクルの間、2.0八か
ら略4.4八に徐々に増加する。
トランジスタ(344)のベース端子に流れ込む電流は
、CRTのヨークを介してトランジスタ(344)のコ
レクタ端子(354)からエミッタ端子(346)の向
きに電流を流す、トランジスタ(344)のコレクタを
流れる電流量は、後述する様に時刻T3からT5で増加
する。トランジスタ(344)のコレクタ電流が徐々に
増加する間、正のサイクル中、時間が経過するにつれて
、ベース電流の徐々の増加は、良好な電力処理を行い、
正電圧サイクルの初期部分の間、トランジスタ(344
)のエミッタ・ベース接合の不必要な予熱を取り除く。
、CRTのヨークを介してトランジスタ(344)のコ
レクタ端子(354)からエミッタ端子(346)の向
きに電流を流す、トランジスタ(344)のコレクタを
流れる電流量は、後述する様に時刻T3からT5で増加
する。トランジスタ(344)のコレクタ電流が徐々に
増加する間、正のサイクル中、時間が経過するにつれて
、ベース電流の徐々の増加は、良好な電力処理を行い、
正電圧サイクルの初期部分の間、トランジスタ(344
)のエミッタ・ベース接合の不必要な予熱を取り除く。
導線(338)上の電圧が正であるとき、ダイオード(
340)を逆バイアスし、導線(33B )に電流は流
れない。導線(338)上の信号が正電圧サイクルから
負電圧サイクルへ遷移するとき、ダイオード(340)
は順バイアスされ、正電圧サイクルの間にトランジスタ
(344)のベースに蓄積した不要な電荷用の直接放電
路を形成する。これにより、トランジスタ(344)は
、非常に迅速にオフする。
340)を逆バイアスし、導線(33B )に電流は流
れない。導線(338)上の信号が正電圧サイクルから
負電圧サイクルへ遷移するとき、ダイオード(340)
は順バイアスされ、正電圧サイクルの間にトランジスタ
(344)のベースに蓄積した不要な電荷用の直接放電
路を形成する。これにより、トランジスタ(344)は
、非常に迅速にオフする。
トランジスタ(344)のコレクタ端子(354)は、
直列接続した1 0mHのチョーク(358)及びダイ
オード(360)を介しテ+ 150VノD C電源に
接続する。チョーク(358)は、アーノルド・エンジ
ニアリング社製のA −214276−6装置の如き、
環状コアに29ゲージ・エナメル被覆導線を195回巻
いた構成である。ダイオード(360)は、lN389
0又は同等の素子である。ダイオード(360)のカソ
ードは、トランジスタ(344)のコレクタ端子(35
4)に接続する。電力増幅器の誘導負荷は、チョーク(
358)及びダイオード(360)の接続点(362)
でトランジスタ(344)のコレクタ端子(354)に
接続する。好適な実施例における誘4負荷は、CRTの
偏向回路のヨーク(364)である。ヨーク(364)
の導線(366)は、接続点(362)に接続し、導線
(368) は0.5μFのコンデンサ(370)の
一端に接続し、このコンデンサの他端は接地する。
直列接続した1 0mHのチョーク(358)及びダイ
オード(360)を介しテ+ 150VノD C電源に
接続する。チョーク(358)は、アーノルド・エンジ
ニアリング社製のA −214276−6装置の如き、
環状コアに29ゲージ・エナメル被覆導線を195回巻
いた構成である。ダイオード(360)は、lN389
0又は同等の素子である。ダイオード(360)のカソ
ードは、トランジスタ(344)のコレクタ端子(35
4)に接続する。電力増幅器の誘導負荷は、チョーク(
358)及びダイオード(360)の接続点(362)
でトランジスタ(344)のコレクタ端子(354)に
接続する。好適な実施例における誘4負荷は、CRTの
偏向回路のヨーク(364)である。ヨーク(364)
の導線(366)は、接続点(362)に接続し、導線
(368) は0.5μFのコンデンサ(370)の
一端に接続し、このコンデンサの他端は接地する。
トランジスタ(344)が導通状態であるとき、電流は
ヨーク (364)の端子(368)からヨーク(36
4)の端子(366)に流れ、次にトランジスタ(34
4)のコレクタ・エミッタ導電路を流れる。
ヨーク (364)の端子(368)からヨーク(36
4)の端子(366)に流れ、次にトランジスタ(34
4)のコレクタ・エミッタ導電路を流れる。
例えば、ヨークは略75μH標準リンツ導線ヨーク又は
、補償回路網及び直線性コイルを有する略75μHのリ
ッツ導線ヨークであることが望ましい。
、補償回路網及び直線性コイルを有する略75μHのリ
ッツ導線ヨークであることが望ましい。
後者の型のコークは、第3図で参照番号(364a)で
示す。
示す。
第5図に示す様に、電流ば時刻T3からT5の間、トラ
ンジスタ(344)のコレクタを流れる。
ンジスタ(344)のコレクタを流れる。
駆動信号回路の人力信号が時刻T→で正電圧から負電圧
に変化するとき、ベース1!流波形(350)は、減少
し始めるが、トランジスタ(344)は、時刻T5まで
完全に非導通状態に切換わらない。
に変化するとき、ベース1!流波形(350)は、減少
し始めるが、トランジスタ(344)は、時刻T5まで
完全に非導通状態に切換わらない。
時刻T4からT5の間、トランジスタ(344)のエミ
ッタ・ベース接合に蓄積した大量電荷により、ヨーク電
流波形(352)は増加し続ける。
ッタ・ベース接合に蓄積した大量電荷により、ヨーク電
流波形(352)は増加し続ける。
信号波形(348)が時刻T4で正サイクルから負サイ
クルに変化するとき、及びトランジスタ(344)に蓄
積した電荷が時刻T4からT5で掃引された後、CR’
Tのヨークの水平偏向帰線期間が始まる。帰線期間中、
トランジスタ(344)は、非導通状態である。非導通
状態のトランジスタ(344’)に関し、インダクタ(
358)により接続点(362)が非常に高インピーダ
ンスになる。従って、時刻T3からT5の間にヨーク
(364)に蓄積したエネルギーが、3500PFのフ
ライバックコンデンサ(372)に移され、時刻T5か
らTeの間に略1200Vを充電する6 時刻T6で、ヨーク電流はOAであり、これは帰線期間
の中間点にあたる。時刻T6からT7の間に、フライバ
ンク・コンデンサ(372)に蓄積したエネルギーは、
ヨーク(36/l )に戻る。フライバック・コンデン
サ(372)及びヨーク(364)の間のエネルギーの
転送は、接続点(362)に接続したダンパ・ダイオー
ド(374>により制動する。ダンパ・ダイオード(3
74)は、ジェネラル・インスツルメント社製のRKB
PC606装置の如きブリッジ整流回路である。ブリッ
ジ整流回路は、直列接続した2個のダイオードの並列組
合せから成る。各対の並列ダイオードは、電圧略120
0V及び電流3Aに耐えられる。従って、ダンパ・ダイ
オードは、接地電位から6Aの電流を供給できる。
クルに変化するとき、及びトランジスタ(344)に蓄
積した電荷が時刻T4からT5で掃引された後、CR’
Tのヨークの水平偏向帰線期間が始まる。帰線期間中、
トランジスタ(344)は、非導通状態である。非導通
状態のトランジスタ(344’)に関し、インダクタ(
358)により接続点(362)が非常に高インピーダ
ンスになる。従って、時刻T3からT5の間にヨーク
(364)に蓄積したエネルギーが、3500PFのフ
ライバックコンデンサ(372)に移され、時刻T5か
らTeの間に略1200Vを充電する6 時刻T6で、ヨーク電流はOAであり、これは帰線期間
の中間点にあたる。時刻T6からT7の間に、フライバ
ンク・コンデンサ(372)に蓄積したエネルギーは、
ヨーク(36/l )に戻る。フライバック・コンデン
サ(372)及びヨーク(364)の間のエネルギーの
転送は、接続点(362)に接続したダンパ・ダイオー
ド(374>により制動する。ダンパ・ダイオード(3
74)は、ジェネラル・インスツルメント社製のRKB
PC606装置の如きブリッジ整流回路である。ブリッ
ジ整流回路は、直列接続した2個のダイオードの並列組
合せから成る。各対の並列ダイオードは、電圧略120
0V及び電流3Aに耐えられる。従って、ダンパ・ダイ
オードは、接地電位から6Aの電流を供給できる。
ダイオードは、ヨーク電流が時刻T3にOAに達した後
、略2001秒の高速回復時間をもつ。
、略2001秒の高速回復時間をもつ。
フライバック・コンデンサ(372)にエネルギーを戻
すための転送の開始により、ダンパ・ダイオード(37
4)のブリッジ整流回路のダイオードを順バイアスする
負電圧が生じる。ダンパ・ダイオード(374)は、ヨ
ーク(364)に蓄積したエネルギーを接地するための
放電路を形成する。
すための転送の開始により、ダンパ・ダイオード(37
4)のブリッジ整流回路のダイオードを順バイアスする
負電圧が生じる。ダンパ・ダイオード(374)は、ヨ
ーク(364)に蓄積したエネルギーを接地するための
放電路を形成する。
ダイオード(360)は、時刻T1からT3の間、トラ
ンジスタ(344)のコレクタ端子(354,)を電流
が流れないようにする働きをする0時刻T1からT3の
間、電流はトランジスタ(344)のベースに流れ込み
、電流は端子(366)からヨーク(364)の端子(
368)に流れる。ダイオード(360)は、電流がト
ランジスタ(344)のコレクタからヨークへ流れるの
を防ぎ、この間、トランジスタ(344)のエミッタ・
ベース接合に電荷を蓄積するようにする。トランジスタ
(344)に電流を流す必要があるとき、時刻T3で確
実に導通状態にベースをバイアスするためにトランジス
タ(344)のベースに大電流が流れ込むようにするこ
とが望ましい。上述の説明は、電力増幅器の全効率を促
進し、装置のスイッチング状態間で比較的高速の変移時
間を維持するために必須のものである。
ンジスタ(344)のコレクタ端子(354,)を電流
が流れないようにする働きをする0時刻T1からT3の
間、電流はトランジスタ(344)のベースに流れ込み
、電流は端子(366)からヨーク(364)の端子(
368)に流れる。ダイオード(360)は、電流がト
ランジスタ(344)のコレクタからヨークへ流れるの
を防ぎ、この間、トランジスタ(344)のエミッタ・
ベース接合に電荷を蓄積するようにする。トランジスタ
(344)に電流を流す必要があるとき、時刻T3で確
実に導通状態にベースをバイアスするためにトランジス
タ(344)のベースに大電流が流れ込むようにするこ
とが望ましい。上述の説明は、電力増幅器の全効率を促
進し、装置のスイッチング状態間で比較的高速の変移時
間を維持するために必須のものである。
抵抗器(376)及び(378)は、+150νのDC
電源及びヨーク(364)の導線(36B)間に直列接
続する。11を抗器(376)及び<318 )の各々
は、20オーム及び定格10ワツトである。インダクタ
(358) 、コンデンサ(370)及び直列接続抵抗
m (37B ) 、 (37B )は、並列共振回
路を形成する。コンデンサ(370) は、第5図の
波形(352)上に示す様に、ヨーク電流波形にその最
大値付近で丸みをつけるように働く。コンデンサ(37
0)は、水平偏向回路内に含まれ電子ビームがCRTの
画面を横断する際、その偏向速度を更に均一にするよう
にする。従って、抵抗器(376)及び(378)は、
高効率ヨーク及びトランジスタ(344)に関して定め
た2SD34Hの如き高効率スイッチを使用するとき、
インダクタ(35B)及びコンデンサ(370)の共振
回路を制動するための手段になる。
電源及びヨーク(364)の導線(36B)間に直列接
続する。11を抗器(376)及び<318 )の各々
は、20オーム及び定格10ワツトである。インダクタ
(358) 、コンデンサ(370)及び直列接続抵抗
m (37B ) 、 (37B )は、並列共振回
路を形成する。コンデンサ(370) は、第5図の
波形(352)上に示す様に、ヨーク電流波形にその最
大値付近で丸みをつけるように働く。コンデンサ(37
0)は、水平偏向回路内に含まれ電子ビームがCRTの
画面を横断する際、その偏向速度を更に均一にするよう
にする。従って、抵抗器(376)及び(378)は、
高効率ヨーク及びトランジスタ(344)に関して定め
た2SD34Hの如き高効率スイッチを使用するとき、
インダクタ(35B)及びコンデンサ(370)の共振
回路を制動するための手段になる。
高効率ヨークの例は、38ゲート・エナメル被覆導線の
135本のより線で置換した水平巻線を有するジントロ
ニック・インスツルメント社製の型番号C7635−2
である。2つのコイルの各々は、巻数16回である。
135本のより線で置換した水平巻線を有するジントロ
ニック・インスツルメント社製の型番号C7635−2
である。2つのコイルの各々は、巻数16回である。
従来、ヨーク及びスイッチの抵抗損失を用いて回路を制
動した。好適な実施例で説明した高効率回路では、抵抗
器(376)及び(37B )は、回路の効率を下げず
に必要な制動を行う。
動した。好適な実施例で説明した高効率回路では、抵抗
器(376)及び(37B )は、回路の効率を下げず
に必要な制動を行う。
電力レベル故障検出回路
第7図は、電力レベル故障検出回路(400)の回路図
である。逸品の動作中、+15■及び−15VのDC電
源は、故障検出回路(400)が基準点(260)(第
2図)を接地するようにする。抵抗器(402)に供給
する+15Vは6.2vツエナー(404)と共に、M
PS6523又は同等の素子のPNPトランジスタ(4
06)を飽和させる。トランジスタ(406)のコレク
タ端子(408)の電圧は、トランジスタ(406)の
ベース端子(410)上の6.2vと、そのエミッタ及
びコレクタ間の電圧隆ドとの関連により、6.75Vに
固定される。NPNトランジスタ(414)のベース端
子(412)は、UIKオームの抵抗器(416)を介
して6.75Vの基準信号及び68にオームのバイアス
抵抗器(418)を介して一5■の電力信号によりバイ
アスする。
である。逸品の動作中、+15■及び−15VのDC電
源は、故障検出回路(400)が基準点(260)(第
2図)を接地するようにする。抵抗器(402)に供給
する+15Vは6.2vツエナー(404)と共に、M
PS6523又は同等の素子のPNPトランジスタ(4
06)を飽和させる。トランジスタ(406)のコレク
タ端子(408)の電圧は、トランジスタ(406)の
ベース端子(410)上の6.2vと、そのエミッタ及
びコレクタ間の電圧隆ドとの関連により、6.75Vに
固定される。NPNトランジスタ(414)のベース端
子(412)は、UIKオームの抵抗器(416)を介
して6.75Vの基準信号及び68にオームのバイアス
抵抗器(418)を介して一5■の電力信号によりバイ
アスする。
トランジスタ(414)は2N3563又は同等の素子
である。+15V及び−15V電源が共に、後述する規
定制限範囲で動作しているとき、トランジスタ(414
)はカットオフにバイアスし、それにより、そのコレク
タ端子(420)から接地したエミッタ端子(422)
に電流が流れないようにする。この状態で、トランジス
タ(414)を回路から接続が断たれる。
である。+15V及び−15V電源が共に、後述する規
定制限範囲で動作しているとき、トランジスタ(414
)はカットオフにバイアスし、それにより、そのコレク
タ端子(420)から接地したエミッタ端子(422)
に電流が流れないようにする。この状態で、トランジス
タ(414)を回路から接続が断たれる。
公称動作用にfl!i!整される+15Vの電源は、2
にオームの抵抗器(424)を介して22μFのコンデ
ンサ(426)及び8.2■ツエナー・ダイオード(4
28)に接続する。抵抗器(424)及びコンデ/す(
426)は、電力増幅器の誘導回路内でスイッチする大
電流により生じる+15Vの電力線上の湯渡ひずみをろ
波する。トランジスタ(414)をカットオフにバイア
スするときは、−5V及び+5vはDC電源が適切に動
作している場合、10にオームの抵抗器(430)の両
端電圧は、6.8■であり、この電圧は、+15■電源
の電圧及びツェナー・ダイオード(428)の両端の8
.2■の電圧降下の差である。この電圧は、PNP )
ランジスタ(434)のベース端子(432’)に供給
する。
にオームの抵抗器(424)を介して22μFのコンデ
ンサ(426)及び8.2■ツエナー・ダイオード(4
28)に接続する。抵抗器(424)及びコンデ/す(
426)は、電力増幅器の誘導回路内でスイッチする大
電流により生じる+15Vの電力線上の湯渡ひずみをろ
波する。トランジスタ(414)をカットオフにバイア
スするときは、−5V及び+5vはDC電源が適切に動
作している場合、10にオームの抵抗器(430)の両
端電圧は、6.8■であり、この電圧は、+15■電源
の電圧及びツェナー・ダイオード(428)の両端の8
.2■の電圧降下の差である。この電圧は、PNP )
ランジスタ(434)のベース端子(432’)に供給
する。
トランジスタ(434)及び(436)は、シュミット
・トリガ回路を形成する。両トランジスタは共に、MP
S6523又は同等の素子である。トランジスタ(43
4”)のエミッタ端子(438)は、 1.5にオーム
の抵抗器(439)を介してトランジスタ(406)の
コレクタ端子(408)に6゜75Vの基準信号を供給
する。トランジスタ(434) のベース端子(432
)の電圧が、トランジスタ(434)のエミッタ端子(
43B)の電圧に0.6■を加えた電圧である約+3.
8v以下であるとき、トランジスタ(434)はオンす
る。公称動作状態で、トランジスタ(434)のベース
端子(432)の電圧は、3.8V (公称6.8V)
を超え、トランジスタ(7134)をカットオフ状態に
保つ。トランジスタ(434)がカットオフ状態である
と、トランジスタ(436)がオンする。トランジスタ
(436)をオンするとNPN )ランジスタ(440
)がオンし、従ってそのエミッタ端子(442)を接地
したコレクタ端子(444)に電気的に接続する。トラ
ンジスタ(440)ハMPS6521型又は同等の素子
である。トランジスタ(440)のエミッタ端子(44
2)は、基準点(260)(第2図)に接続し、それに
より公称動作状態でコイル(252)及び(254)の
夫々導線(256)及び(258)を接地する。
・トリガ回路を形成する。両トランジスタは共に、MP
S6523又は同等の素子である。トランジスタ(43
4”)のエミッタ端子(438)は、 1.5にオーム
の抵抗器(439)を介してトランジスタ(406)の
コレクタ端子(408)に6゜75Vの基準信号を供給
する。トランジスタ(434) のベース端子(432
)の電圧が、トランジスタ(434)のエミッタ端子(
43B)の電圧に0.6■を加えた電圧である約+3.
8v以下であるとき、トランジスタ(434)はオンす
る。公称動作状態で、トランジスタ(434)のベース
端子(432)の電圧は、3.8V (公称6.8V)
を超え、トランジスタ(7134)をカットオフ状態に
保つ。トランジスタ(434)がカットオフ状態である
と、トランジスタ(436)がオンする。トランジスタ
(436)をオンするとNPN )ランジスタ(440
)がオンし、従ってそのエミッタ端子(442)を接地
したコレクタ端子(444)に電気的に接続する。トラ
ンジスタ(440)ハMPS6521型又は同等の素子
である。トランジスタ(440)のエミッタ端子(44
2)は、基準点(260)(第2図)に接続し、それに
より公称動作状態でコイル(252)及び(254)の
夫々導線(256)及び(258)を接地する。
−5V電源が一5■より上がると、トランジスタ(41
4)はオンし、そのコレクタ端子(420)の電圧はO
v付近に下がる。これにより、トランジスタ(434)
のベース端子(432)は、接地電位になり、トランジ
スタ(434) はオンする。トランジスタ(434
)がオンするとき、トランジスタ(436)はオフする
。トランジスタ(436)がオフすると、トランジスタ
(440)はオフし、トランジスタ(440)のエミッ
タ端子(442)及び基準点(260)(第2図)は接
地状態でなくなる。
4)はオンし、そのコレクタ端子(420)の電圧はO
v付近に下がる。これにより、トランジスタ(434)
のベース端子(432)は、接地電位になり、トランジ
スタ(434) はオンする。トランジスタ(434
)がオンするとき、トランジスタ(436)はオフする
。トランジスタ(436)がオフすると、トランジスタ
(440)はオフし、トランジスタ(440)のエミッ
タ端子(442)及び基準点(260)(第2図)は接
地状態でなくなる。
+15■電源の電圧が+12Vより下がると、ツェナー
・ダイオード(428)を介したトランジスタ(434
)のベース端子(432)の電圧は、3.8■より下が
る。これは、トランジスタ(434)をオンして、再び
トランジスタ<436 )及び(440’)をオフさせ
、それによりトランジスタ(440)のエミッタ端子(
442)及び基準点(260)(第2図)は、接地状態
でなくなる。
・ダイオード(428)を介したトランジスタ(434
)のベース端子(432)の電圧は、3.8■より下が
る。これは、トランジスタ(434)をオンして、再び
トランジスタ<436 )及び(440’)をオフさせ
、それによりトランジスタ(440)のエミッタ端子(
442)及び基準点(260)(第2図)は、接地状態
でなくなる。
一5V電源が一4vより上がり、+15■電源が+12
vより下がるとき、基準点(260)を接地電位でなり
、駆動増幅器が連続的に動作しなくなる。
vより下がるとき、基準点(260)を接地電位でなり
、駆動増幅器が連続的に動作しなくなる。
これは、駆動増幅器の効率がこらの状態で減少し、機能
が著しく低下するために起きる。
が著しく低下するために起きる。
電力増++q器の動作周波数の変化
上述において定めた素子の値は、周波数約125KHz
で動作する電力増幅器に対応する。小数の素子を交換す
れば、本発明による電力増幅器は約270KIIzの周
波数で動作するように変更できる。電力トランジスタの
熱損失及び周波数限界、インピーダンス交換器の漏れイ
ンダクタンス、ヨークの磁束密度及び熱限界(vj!の
設計)及び偏向電子ビームのスティフネスの如きを配慮
すれば、電力増幅器は270KH1以上の周波数でも動
作する。
で動作する電力増幅器に対応する。小数の素子を交換す
れば、本発明による電力増幅器は約270KIIzの周
波数で動作するように変更できる。電力トランジスタの
熱損失及び周波数限界、インピーダンス交換器の漏れイ
ンダクタンス、ヨークの磁束密度及び熱限界(vj!の
設計)及び偏向電子ビームのスティフネスの如きを配慮
すれば、電力増幅器は270KH1以上の周波数でも動
作する。
周波数に関係する素子を下表に示す。
64−180KHz 225−270K)Iz
インピーダンス 第4八及びi4B図参照 第6図を参
照変換器(202) 抵抗器(336) 0.5オーム、5ワツト 5
オーム、5ワツトトランジスタ M J E
521 M J E 224(292)及び(2
98) 駆動信号回路電源電圧 +15V + 18
V225 270KHz動作用のインピーダンス変成器
(202> r、i、入力変成器(234)及び出力変
成器(236)を有する。入力変成器(234)は、第
4A図に示すものと同じである。出力変成器(236)
は、次の点のみ第4B図に示したものと異なる。
インピーダンス 第4八及びi4B図参照 第6図を参
照変換器(202) 抵抗器(336) 0.5オーム、5ワツト 5
オーム、5ワツトトランジスタ M J E
521 M J E 224(292)及び(2
98) 駆動信号回路電源電圧 +15V + 18
V225 270KHz動作用のインピーダンス変成器
(202> r、i、入力変成器(234)及び出力変
成器(236)を有する。入力変成器(234)は、第
4A図に示すものと同じである。出力変成器(236)
は、次の点のみ第4B図に示したものと異なる。
出力変成″W(236)の6個の1次コイルの各々は、
コア(278)の周囲に3回巻いた26ゲージ・エナメ
ル被覆導線の4本のより線を含む、出力変成器(236
)の3個の2次コイルの各々は、コア(278)の周囲
に3回巻いた26ゲージ・エナメル被覆導線の4本より
線を含む。
コア(278)の周囲に3回巻いた26ゲージ・エナメ
ル被覆導線の4本のより線を含む、出力変成器(236
)の3個の2次コイルの各々は、コア(278)の周囲
に3回巻いた26ゲージ・エナメル被覆導線の4本より
線を含む。
タイミング・コンデンサ(36)は、発振器周波数決定
素子である。125K)Iz及び270KHz動作のた
め、コンデンサ(36)は夫々0.001μF及び47
0PFである。
素子である。125K)Iz及び270KHz動作のた
め、コンデンサ(36)は夫々0.001μF及び47
0PFである。
100にHz以下の動作が完了すると、ヨークに供給し
た+150vは、そのa積エネルギーが電力トランジス
タ(344)を破壊しないように、現象させねばならな
い。
た+150vは、そのa積エネルギーが電力トランジス
タ(344)を破壊しないように、現象させねばならな
い。
本発明の電力増幅器によれば、インピーダンス変成器は
、第1及び第2の変成器と、プッシュプル動作する1対
のトランジスタを含み、発振器出力信号の急速な変移を
維持し、且つ大電流出力信号を供給するのでスイッチ駆
動回路の出力トランジスタを高速に駆動できる。
、第1及び第2の変成器と、プッシュプル動作する1対
のトランジスタを含み、発振器出力信号の急速な変移を
維持し、且つ大電流出力信号を供給するのでスイッチ駆
動回路の出力トランジスタを高速に駆動できる。
図[1uの簡単な説明
第1図は、本発明の電力増幅器の一部である発振器の回
路図、第2図は、同じくインピーダンス・バッファ回路
及びインピーダンス変成回路の回路図、第3図は、間し
く結合回路及びスイッチ駆動回路の回路図、第4図は、
第2図のインピーダンス変成器を説明するための回路図
、第5図は、第3図のスイッチ駆動回路の動作を説明す
るための波形図、第6図は、スイッチ駆動回路を270
kHzで駆動するための出力側変成器の回路図、第7図
は、電源の異常を検出する保護回路の回路図をボす。
路図、第2図は、同じくインピーダンス・バッファ回路
及びインピーダンス変成回路の回路図、第3図は、間し
く結合回路及びスイッチ駆動回路の回路図、第4図は、
第2図のインピーダンス変成器を説明するための回路図
、第5図は、第3図のスイッチ駆動回路の動作を説明す
るための波形図、第6図は、スイッチ駆動回路を270
kHzで駆動するための出力側変成器の回路図、第7図
は、電源の異常を検出する保護回路の回路図をボす。
図中において、α〔は発振器、(202)はインピーダ
ンス変成器、(344)及び(358)は、夫々スイッ
チ駆動回路の構成要素である電力トランジスタ及びチョ
ークである。
ンス変成器、(344)及び(358)は、夫々スイッ
チ駆動回路の構成要素である電力トランジスタ及びチョ
ークである。
FIG、4B
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 連続波信号を発生する発振器と、 出力端に誘導性負荷を接続し、上記連続波信号に応答し
て、上記誘導性負荷に電流を供給する電力トランジスタ
を含むスイッチ駆動回路と、上記発振器及び上記スイッ
チ駆動回路間に設けられたインピーダンス変成器とを具
えたことを特徴とする電力増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US651732 | 1984-09-17 | ||
| US06/651,732 US4670692A (en) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | High-speed power amplifier for driving inductive loads |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174414A true JPS6174414A (ja) | 1986-04-16 |
| JPH0568891B2 JPH0568891B2 (ja) | 1993-09-29 |
Family
ID=24613999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60205190A Granted JPS6174414A (ja) | 1984-09-17 | 1985-09-17 | 誘導性負荷駆動回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4670692A (ja) |
| JP (1) | JPS6174414A (ja) |
| DE (1) | DE3531324A1 (ja) |
| FR (1) | FR2570561B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698559A (en) * | 1984-09-17 | 1987-10-06 | Tektronix, Inc. | Power amplifiers for driving inductive loads |
| US4897580A (en) * | 1989-06-20 | 1990-01-30 | Motorola Inc. | Amplifier drive circuit for inductive loads |
| DE4007564A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Siemens Ag | Leistungsverstaerker zur speisung induktiver lasten mit mos-feldeffekttransistoren |
| FR2691308B1 (fr) * | 1992-05-12 | 1997-08-14 | Thomson Csf | Inductance commutable pour forts courants et circuit d'accord d'antenne muni d'au moins une telle inductance. |
| US10020781B2 (en) | 2016-01-20 | 2018-07-10 | Steven M. Fryette | Noise cancellation in amplifier systems |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1057702B (de) * | 1958-07-08 | 1959-05-21 | Telefunken Gmbh | Schaltungsanordnung zur Erzeugung saegezahnfoermiger Stroeme in einer Induktivitaet mittels eines Transistors |
| FR2166753A5 (ja) * | 1972-01-07 | 1973-08-17 | Trt Telecom Radio Electr | |
| JPS49123721A (ja) * | 1973-03-31 | 1974-11-27 | ||
| US3894270A (en) * | 1973-06-04 | 1975-07-08 | Zenith Radio Corp | Voltage-limited deflection system for a television receiver |
| US4162433A (en) * | 1974-03-28 | 1979-07-24 | U.S. Philips Corporation | Circuit arrangement including a line deflection circuit |
| NL7501339A (nl) * | 1975-02-05 | 1976-08-09 | Philips Nv | Schakelinrichting in een televisie-ontvanger, voorzien van een lijnafbuigschakeling en van een geschakelde voedingsspanningsschakeling. |
| US4238774A (en) * | 1978-04-17 | 1980-12-09 | Cpt Corporation | Drive circuits for a high resolution cathode ray tube display |
| GB2044029B (en) * | 1978-09-12 | 1982-11-10 | Elliott Brothers London Ltd | Circuit for driving deflection coil |
| US4216414A (en) * | 1978-12-22 | 1980-08-05 | United Technologies Corporation | Isolation transformer for a magnetic deflection yoke |
| US4442384A (en) * | 1981-10-19 | 1984-04-10 | Hitachi, Ltd. | Horizontal deflection circuit |
| US4472662A (en) * | 1983-06-10 | 1984-09-18 | Terminal Data Corporation | Deflection circuit |
-
1984
- 1984-09-17 US US06/651,732 patent/US4670692A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-09-02 DE DE19853531324 patent/DE3531324A1/de not_active Ceased
- 1985-09-10 FR FR858513400A patent/FR2570561B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-17 JP JP60205190A patent/JPS6174414A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2570561A1 (fr) | 1986-03-21 |
| US4670692A (en) | 1987-06-02 |
| DE3531324A1 (de) | 1986-03-27 |
| FR2570561B1 (fr) | 1992-05-07 |
| JPH0568891B2 (ja) | 1993-09-29 |
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