JPS6174865A - Method of manufacturing thermal head - Google Patents

Method of manufacturing thermal head

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Publication number
JPS6174865A
JPS6174865A JP59197877A JP19787784A JPS6174865A JP S6174865 A JPS6174865 A JP S6174865A JP 59197877 A JP59197877 A JP 59197877A JP 19787784 A JP19787784 A JP 19787784A JP S6174865 A JPS6174865 A JP S6174865A
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JP
Japan
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pair
resistor
group
lead
thermal head
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Pending
Application number
JP59197877A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norio Yamamura
山村 則夫
Katsuhiko Murakami
勝彦 村上
Kenichi Kanazawa
健一 金澤
Mitsuyoshi Mizuno
水野 満芳
Kensho Tokuda
憲昭 徳田
Akihiko Hamamura
濱村 昭彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6174865A publication Critical patent/JPS6174865A/en
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明はサーマルヘッドの新規な製造方法に関する。[Detailed description of the invention] (Technical field of invention) The present invention relates to a novel method for manufacturing a thermal head.

(発明の背景) テレビ、ビデオカメラ、ビデオディスク、電子カメラ等
から得られる電気的画像信号から、写真の如きハードコ
ピーの形で画像を再生する方法が盛んに研究されている
。そのなかで最も有力な方法が感熱画像記録方式である
。これは、主走査方向に一列に並んだ発熱抵抗体ドア)
群と各ドツトに通電するための一対の電極群とからなる
サーマルヘッドに感熱記録紙を押しあてた状態で、人力
する電気的画像信号に基づいて前記ドツトを選択的にI
j1電発熱させ、この熱によって記録紙に1行分の画素
を印字し、次いで記録紙を1行分移動させ、次の行の信
号に基づいて同様に次の行の画素を印字し、以下、順次
同様に移動及び各行画素の印字を操り返し、最後に2次
元画像を得るものである。
(Background of the Invention) A method of reproducing images in the form of hard copies such as photographs from electrical image signals obtained from televisions, video cameras, video disks, electronic cameras, etc. has been actively researched. The most effective method among these is the thermal image recording method. This is a heating resistor door lined up in the main scanning direction)
While the thermal recording paper is pressed against a thermal head consisting of a group of electrodes and a pair of electrode groups for energizing each dot, the dots are selectively energized based on an electrical image signal input manually.
j1 generate electric heat, use this heat to print one line of pixels on the recording paper, then move the recording paper one line, print the next line of pixels in the same way based on the next line's signal, and do the following: , the movement and printing of each row of pixels are repeated in the same way, and finally a two-dimensional image is obtained.

この場合、サーマルヘッドの抵抗体ドツトは、(イ)画
質に直接影響することから、写真に近い画質の画像を得
るには、一般に8ド−zト/mm以上の密度で形成しな
ければならないこと、(ロ)−列に並んだ発熱抵抗体ド
ツト群の中でドツト間に電気抵抗値にバラツキがあると
印字4度が不揃いになること、(ハ)熱応答特性を速く
するために発熱抵抗体を出来るだけ薄く形成し、その熱
容量を小さくしたいこと、(ニ)厚膜法に適用可能な抵
抗体材料は、今のところ実用上酸化ルテニウムが唯一の
材料であり、この酸化ルテニウムを後工程でパターニン
グするためのホトエツチングに必要な適当な(つまり、
下地の蓄熱層やアルミナ基板を腐食せずに酸化ルテニウ
ムだけを腐食できる)エツチング液が今のところ無いこ
と、などの理由から、発熱抵抗体は薄膜法で形成し、そ
の後、ホトエツチングによりパターニングして各ドツト
を形成する。
In this case, the resistor dots of the thermal head (a) directly affect the image quality, so in order to obtain an image with a quality close to that of a photograph, they must generally be formed at a density of 8 dots/mm or more. (b) - If there are variations in electrical resistance between dots in a group of heating resistor dots arranged in a row, the printed 4 degrees will be uneven; (c) heating is done to speed up the thermal response characteristics. We want to make the resistor as thin as possible and reduce its heat capacity, and (d) ruthenium oxide is currently the only material for the resistor that can be applied to the thick film method. The appropriate amount of photoetching required for patterning in the process (i.e.
Due to the fact that there is currently no etching solution (that can corrode only the ruthenium oxide without corroding the underlying heat storage layer or alumina substrate), the heating resistor was formed by a thin film method, and then patterned by photoetching. Form each dot.

ここで言う「薄膜法」とは、真空雰囲気中で分子、原子
またはイオンを飛ばしてそれを基板上に沈着させて薄膜
を形成させる方法であり、例えば真空蒸着、イオンブレ
ーティング、スパッタリング、CVOなどがあげられる
。
The "thin film method" referred to here is a method of forming a thin film by ejecting molecules, atoms, or ions in a vacuum atmosphere and depositing them on a substrate, such as vacuum evaporation, ion blating, sputtering, CVO, etc. can be given.

しかしながら、薄膜法は、(イフ真空雰囲気を作る装置
が必要であり、製造設備が大型で高価になること、(ロ
)8ドツト/ll1v1以上という微細な薄膜パターン
を得るには、薄膜形成後、ホトリソグラフィーによるバ
ター;、ングが必要で、そのための高価な設備が必要と
なること、(ハ)ホトリソグラフィーによるパターニン
グは、概して工程数が多く、時間がかかること、(ニ)
材料の使用効率が悪く、製造コストが高くつくこと、な
どの欠点を有している。
However, the thin film method requires a device to create a vacuum atmosphere, making the manufacturing equipment large and expensive. (c) patterning by photolithography generally involves a large number of steps and is time consuming; (d)
It has drawbacks such as poor material usage efficiency and high manufacturing costs.

それに対して「厚膜法」は、ペースト状の材料を基板に
塗布した後、焼成して被膜を形成させる方法であり、(
イ)製造設備が小型で安価で済むこと、(ロ)連続運転
が容易であり、生産効率が高いこと、(ハ)大きな基板
に被膜を形成できること、(ニ)塗布の際、スクリーン
印刷を使用すれば、塗布段階でパターニングすることが
でき、被膜形成後、パターニングする必要がないこと、
(ホ)材料の使用効率が高く、無駄が少ないこと、など
の特長を有している。特に(ニ)の特長は、厚膜法の最
も大きな特長であり、厚膜法=スクリーン印刷と考える
人も多い。
On the other hand, the "thick film method" is a method in which a paste-like material is applied to a substrate and then baked to form a film.
(b) Manufacturing equipment is small and inexpensive; (b) continuous operation is easy and production efficiency is high; (c) coatings can be formed on large substrates; (d) screen printing is used during coating. Then, patterning can be performed at the coating stage, and there is no need to pattern after the film is formed.
(e) It has features such as high material usage efficiency and little waste. In particular, feature (d) is the most significant feature of the thick film method, and many people think that the thick film method equals screen printing.

他方、各抵抗体ドツトに通電するための一対のコンタク
ト電極は、(イ)発熱抵抗体ドツトとの断差を少なくし
て感熱記録紙との当たりを良くするため、できるだけ薄
く作る必要があること、(ロ)抵抗体ドツトの抵抗値を
決定する副走査方向の電極間隔は、精度良く形成しなけ
ればならないことなどの理由から、一旦薄膜法で全面に
RQ膜を形成し、その後ホトエツチングによりパターニ
ングして各ドツトと同し位置にドツトとほぼ同し幅の帯
にする。
On the other hand, the pair of contact electrodes for energizing each resistor dot must be made as thin as possible in order to (a) reduce the gap with the heating resistor dot and improve contact with the thermal recording paper; (b) Since the electrode spacing in the sub-scanning direction, which determines the resistance value of the resistor dots, must be formed with high precision, an RQ film is first formed on the entire surface by a thin film method, and then patterned by photoetching. Make a strip approximately the same width as the dot at the same position as each dot.

ところが、一般には、(イ)薄膜法によるTM、Wxで
は電気抵抗が大きすぎること、(ロ)薄膜法により電極
を形成する場合、純度99.5%の表面平滑性の高いア
ルミナ法板を使う必要があり (なぜならば、もし純度
96%の表面積度の粗い安価なアルミナ基板を使用する
と、薄くて均一な薄膜が形成されないので)、そのよう
な基板は非常に高価であること、(ハ)それに対して、
臥膜法では純度96%の表面精度の粗い安価なアルミナ
基板を使用することができ、むしろ表面精度の粗い安価
なアルミナ基板の方が付着力が高いこと、などの理由か
ら、一対のコンタクト電極は、余り長くは形成せずに、
別途厚膜法で一対のリード電極を形成しておいて、各コ
ンタクト′gL’r5iをそれぞれのリード電極に接続
させることが提案された(特開昭54−17853号公
N)。
However, in general, (a) TM and Wx using the thin film method have too high electrical resistance, and (b) when forming electrodes using the thin film method, an alumina process plate with a purity of 99.5% and a high surface smoothness is used. (Because if a cheap alumina substrate with a rough surface area of 96% purity is used, a thin and uniform thin film will not be formed), and such a substrate is very expensive (c) On the other hand,
In the wafer method, an inexpensive alumina substrate with a rough surface precision of 96% purity can be used, and for reasons such as the fact that an inexpensive alumina substrate with a rough surface precision has higher adhesion, it is possible to use a pair of contact electrodes. do not form for too long,
It has been proposed to separately form a pair of lead electrodes by a thick film method and connect each contact 'gL'r5i to each lead electrode (Japanese Patent Application Laid-open No. 17853/1983).

この特開昭54−17853号公報に記載された方法で
は、第1工程でスクリーン印刷で所定パターンに導電ペ
ーストを塗布した後、焼成することにより、一対のリー
ド!極群を形成し、そして第2工程で一対のリード電極
の対向する隙間にガラスを主成分とする跣’4体ペース
トを用い゛(スクリーン印刷及び焼成により、蓄軌層を
形成している。
In the method described in JP-A-54-17853, in the first step, a conductive paste is applied in a predetermined pattern by screen printing, and then baked to form a pair of leads! A group of poles is formed, and in the second step, a base paste mainly composed of glass is used in the gap between a pair of lead electrodes facing each other (a track storage layer is formed by screen printing and firing.

しかしながら、本発明者らの研究によると、上述の特開
昭54−17853号公報に記載された方法で製造され
たサーマルヘッドのうち密度8ドツト/IIIm以上の
サーマルヘッドでは、(イ)コンタクトtJ(iのリー
ド電極に対する付着力の耐久性に乏しいこと、 (ロ)
リード電極の位置とコンタクト電極の位置が一敗しない
こと、(ハ)リード電極にピンホールが生し易いこと、
(ニ)リード電極のパターンが不正確なこと、(ホ)交
互リードを去による電極パターンを採用しなければ8ド
−zト/mm以上の密度は不可能であり、ところが交互
リード法は駆動法が極めてyi雑て回路構成が複雑にな
ること、などの欠点が生していることが判った。
However, according to research by the present inventors, among the thermal heads manufactured by the method described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-17853, the thermal heads with a density of 8 dots/IIIm or more have (a) contact tJ (The adhesion force of i to the lead electrode is poor in durability, (b)
The position of the lead electrode and the position of the contact electrode must be consistent; (c) Pinholes are likely to form in the lead electrode;
(d) The pattern of the lead electrode is inaccurate; (e) It is impossible to achieve a density of 8 dots/mm or more unless an electrode pattern based on alternating leads is adopted; however, the alternating lead method is difficult to drive. It has been found that there are disadvantages such as the method being extremely sloppy and the circuit configuration becoming complicated.

(発明の目的) 従って、本発明の目的は、上述の特開昭54−1785
3号公報に記載された製造方法を改良してそれの持つ1
1:1記諸欠点を解消することにある。
(Object of the Invention) Therefore, the object of the present invention is to
1 by improving the manufacturing method described in Publication No. 3
1: The aim is to eliminate the various shortcomings listed in 1.

(発明の概要) 本発明者らは、鋭意研究の結果、厚膜法でり一ド電掻を
形成する際に、スクリーン印刷を用いずに、厚膜法で一
旦全面に厚膜導電膜を形成した後、ホトエツチングでパ
ターニングすることにより、リード電極を形成すると、
前記諸欠点が解消されることを見い出し、本発明を成す
に至った。
(Summary of the Invention) As a result of intensive research, the present inventors have discovered that when forming a single conductive layer using a thick film method, they can use a thick film method to form a thick conductive film on the entire surface without using screen printing. After formation, lead electrodes are formed by patterning using photoetching.
It has been discovered that the above-mentioned drawbacks can be overcome, and the present invention has been completed.

従って、本発明は、主走査方向に一列に並んだ発熱抵抗
体ドツト群、各ドツトに副走査方向から通電するための
一対のコンタクト電極群および各コンタクト′心極に1
ffi電するためのリード電極群からなるドツト重度8
ドツト/mm以上のサーマルヘッドの製造方法に於いて
、 (1)厚119法で基板の上に厚膜4電膜を形成し、(
2)前記厚膜導電膜をホトエツチングによりパターニン
グして一対のり一ドを極群を形成しく3)前記一対のリ
ード電極が対向する隙間およびそこから一対のり−ドを
掻の端部にかけて、スクリーン印刷及び焼成により、M
g層を形成し、 (4)前記蓄熱層の上に薄膜法で発熱抵抗体層を形成し
、 (5)前記発熱抵抗体をホトエツチングによりパターニ
ングして、帯状の抵抗体群を形成し、(6)前記抵抗体
群の上およびそこから前記一対のリード電極群の端部に
かけて、薄膜法により、薄膜導電膜を形成し、 (7)前記薄膜導電膜をホトエツチングによりパターニ
ングして、一対のコンタクト電極群を形成する ことを特徴とするサーマルへ、ドの製造方法を提供する
。
Therefore, the present invention provides a group of heating resistor dots lined up in a row in the main scanning direction, a pair of contact electrode groups for supplying current to each dot from the sub-scanning direction, and a single contact electrode at the center pole of each contact.
Dot weight 8 consisting of a group of lead electrodes for ffi electricity
In the method of manufacturing a thermal head of dots/mm or more, (1) a thick 4-electrode film is formed on a substrate using the 119-thickness method;
2) The thick conductive film is patterned by photo-etching to form a pair of glue leads to form a pole group. 3) The pair of lead electrodes are formed into a gap where they face each other, and from there, the pair of glue leads are applied to the ends of the lead electrodes by screen printing. And by firing, M
(4) forming a heating resistor layer on the heat storage layer by a thin film method; (5) patterning the heating resistor by photoetching to form a band-shaped resistor group; 6) forming a thin conductive film on the resistor group and from there to the ends of the pair of lead electrode groups by a thin film method; (7) patterning the thin conductive film by photoetching to form a pair of contacts. The present invention provides a method for manufacturing a thermal device characterized by forming an electrode group.

以下、図面を引用して実施例により本発明をより具体的
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない
。
Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings and examples, but the present invention is not limited thereto.

(実施例) ml工程、純度96%の表面積度の粗い安価なアルミナ
基板(1)の上に、金、Ag−Pdなどの貴金属を主成
分とする導電ペーストをスクリーンを通して全面に塗布
した後、850〜900℃で焼成することにより膜厚 
5〜6ミクロンの厚膜導電膜(2)を形成する。
(Example) In the ml process, a conductive paste mainly composed of noble metals such as gold and Ag-Pd was applied to the entire surface through a screen on an inexpensive alumina substrate (1) with a rough surface area and a purity of 96%. The film thickness can be increased by firing at 850-900℃.
A thick conductive film (2) of 5 to 6 microns is formed.

第2工程;厚膜導電膜(2)の上にホトレジストを塗布
した後、密度 8〜20ドツト/ll11の所定パター
ンのホトマスクを通して露光してレノスト・パターンを
形成し、次いでエツチングを行い、レジスト・パターン
を除去すると、一対のリード電極群(2a)、(2b)
が形成される(第1図参照)。
Second step: After applying photoresist on the thick conductive film (2), it is exposed through a photomask with a predetermined pattern of density 8 to 20 dots/11 to form a renost pattern, and then etching is performed to remove the resist. When the pattern is removed, a pair of lead electrode groups (2a) and (2b)
is formed (see Figure 1).

第3工程ニ一対のリード電極(2a)、(2b)が対向
する隙間およびそこから一対のリード電極(2a)、(
2b)の端部にかけて、ガラスを主成分とする講′1「
体ペーストを用い(スクリーン印刷により塗布し、次い
で850〜900°Cで焼成して、蓄熱層(3)を形成
する(第2図及び第2AUjJ参照)、この蓄熱層(3
)は、その表面粗さがアルミナ基板(1)よりも平滑で
あるので、次の薄膜形成にとって都合がよい。
Third step - A gap where the pair of lead electrodes (2a), (2b) face each other and a pair of lead electrodes (2a), (
2b), the glass is the main component.
The heat storage layer (3) is formed using a body paste (applied by screen printing and then baked at 850-900°C (see Figure 2 and 2AUjJ).
) has a smoother surface than the alumina substrate (1), so it is convenient for the next thin film formation.

第4工程:蓄熱層(3)及びそこから一対のリード電極
(2a)、(2b)の端部にかけて、マスクを用いてス
パッタリングにより膜厚0.07〜0.3ミクロンの窒
化タンタル、Cr−3iO1NiCrなどの発熱抵抗体
薄膜(4)を形成する(第3図及び第3A図参照)。
Fourth step: A film of tantalum nitride, Cr- A heating resistor thin film (4) of 3iO1NiCr or the like is formed (see FIGS. 3 and 3A).

第5工程:抵抗体薄膜(4)の上にホトレジストを塗布
した後、所定パターンのホトマスクを通して露光してレ
ノスト・パターンを形成し、次いでエツチングを行い、
レノスト パターンを除去することにより、帯状の抵抗
体パターン(4)を得る(第4図及び第3A図参照)。
Fifth step: After coating the resistor thin film (4) with photoresist, it is exposed through a photomask with a predetermined pattern to form a Renost pattern, and then etched.
By removing the Lenost pattern, a band-shaped resistor pattern (4) is obtained (see FIGS. 4 and 3A).

第6王程:帯状の抵抗体(4)及びそこから一対のリー
ド電極(2a)、(2b)の端部にかけて、膜厚1〜2
ミクロンのCr/Au、 NiCr/Auなどの(2層
)薄膜導電膜(5)をスパッタリングにより形成する(
第5図及び第5A図参照)。
Sixth rule: The film thickness is 1 to 2
A (two-layer) thin conductive film (5) of micron Cr/Au, NiCr/Au, etc. is formed by sputtering (
(See Figures 5 and 5A).

第7エ程・薄膜導電膜(5)の上にホトレノストを塗布
した後、所定パターンのホトマスクを通して露光してレ
ノスト・パターンを形成し、次いでエツチングを行い、
レジスト・パターンを除去することにより、一対のコン
タクト電極(5a)、(5b)を形成する(第6図及び
第6A図参照)。こうして形成された一対のコンタクト
電極(5a)−(5b)の隙間に位置する帯状の抵抗体
(4)が抵抗体ドツト(4a)となる。
Seventh step: After applying photorenost on the thin conductive film (5), it is exposed through a photomask with a predetermined pattern to form a renost pattern, and then etching is performed.
By removing the resist pattern, a pair of contact electrodes (5a) and (5b) are formed (see FIGS. 6 and 6A). The strip-shaped resistor (4) located in the gap between the pair of contact electrodes (5a) and (5b) thus formed becomes a resistor dot (4a).

第8工程:最後に抵抗体ドツト(4a)及び一対のコン
タクト電極(5a)、(5b)の保護のために、全体に
真空f着法により、膜厚5〜10ミクロンの保護+1A
 (6)例えば5if2/ Taxesの2層膜、Al
□0□、SiC−Si3N4などを積層する(第7図参
照)と、密度8〜20ドツト/mmのサーマルヘッドが
得られる。
8th step: Finally, in order to protect the resistor dot (4a) and the pair of contact electrodes (5a) and (5b), the entire surface is coated with a vacuum f coating method to protect the film thickness from 5 to 10 microns + 1A.
(6) For example, 5if2/Taxes two-layer film, Al
By laminating □0□, SiC-Si3N4, etc. (see FIG. 7), a thermal head with a density of 8 to 20 dots/mm can be obtained.

(発明の効果) 本発明により製造されたサーマルヘッドは、従来法で製
造された密度8ドフ)/m+n以上の同一密度のサーマ
ルヘッドに比べ、(イ)コンタクト電極のリード電極に
対する付着力の耐久性に優れること、(ロ)リード電極
の位置とコンタクト電極の位置が正確に一致すること、
()・)リード電極にピンホールが生しないこと、(ニ
) リード電極のパターンが正確なこと、(ホ)コノタ
クト電極とリード電極とを同一の幅に作成した場合、両
者は正確に重複するので接触面積が大きく、そのため付
着力が大きいこと(それに対して、スクリーン印刷によ
る厚膜法でリード電極を形成した場合には、リード電極
の幅が局部的に狭く形成されたり広く形成されたりづ″
るので、コンタクト電極との接触面積が小さく、そのた
め付着力が小さい)などの特長を有する。
(Effects of the Invention) The thermal head manufactured by the present invention has (a) durability of adhesion of the contact electrode to the lead electrode compared to a thermal head manufactured by the conventional method with the same density of 8 dof)/m+n or more. (b) The position of the lead electrode and the position of the contact electrode must match accurately;
()・) There should be no pinholes in the lead electrode, (d) The pattern of the lead electrode should be accurate, and (e) If the Conotact electrode and the lead electrode are made to have the same width, they will overlap accurately. (On the other hand, when lead electrodes are formed using a thick film method using screen printing, the width of the lead electrodes may be locally narrow or wide.) ″
Because of this, the contact area with the contact electrode is small, and therefore the adhesion force is small.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図、第2図、第3図、第4図、第5図および第6図
は、本発明の実施例で製造するサーマルヘッドの各工程
における概略平面図である6 第2A図は、第2図中のX、−X、矢視断面端面図であ
る。 第3A図は、第3図及び第4図中のX、−X2矢視断面
端面図である。 第5A図は、第5図中のX、−X□矢視断面瑞面図であ
る。 第6A図は、第6図中のX、−X、矢視断面端面図であ
る。 第7図は、本発明の実施例で製造するサーマルヘッドの
最後の工程における断面端面図である。 〔土層部分の符号の説明〕 1  −   基板 2−−− −−− 厚膜導電膜 2a、2 b  −−一対のリード電極3−−  −蓄
熱層 4    − 薄膜抵抗体 4 a   −−−−−一発臥抵抗体ドノド5  − 
 薄pIJ、導電膜 5a、5b   一対のコンタクト電極6 −    
保護層
1, 2, 3, 4, 5, and 6 are schematic plan views at each step of the thermal head manufactured in an embodiment of the present invention6. Figure 2A is a FIG. 2 is a cross-sectional end view taken along arrows X and -X in FIG. 2; FIG. 3A is a cross-sectional end view taken along arrows X and -X2 in FIGS. 3 and 4. FIG. FIG. 5A is a cross-sectional plan view taken along arrows X and -X□ in FIG. 5. FIG. 6A is a cross-sectional end view taken along arrows X and -X in FIG. 6. FIG. 7 is a cross-sectional end view at the final step of the thermal head manufactured in the embodiment of the present invention. [Explanation of symbols of soil layer parts] 1 - Substrate 2 - - Thick film conductive films 2 a, 2 b - Pair of lead electrodes 3 - Heat storage layer 4 - Thin film resistor 4 a ---- - One shot resistance body Donodo 5 -
Thin pIJ, conductive film 5a, 5b pair of contact electrodes 6-
protective layer

Claims (1)

【特許請求の範囲】  主走査方向に一列に並んだ発熱抵抗体ドット群、各ド
ットに副走査方向から通電するための一対のコンタクト
電極群および各コンタクト電極に通電するためのリード
電極群からなるドット密度:8ドット/mm以上のサー
マルヘッドの製造方法に於いて、 (1)厚膜法で基板の上に厚膜導電膜を形成し、(2)
前記厚膜導電膜をホトエッチングによりパターニングし
て一対のリード電極群を形成し、 (3)前記一対のリード電極が対向する隙間およびそこ
から一対のリード電極の端部にかけて、スクリーン印刷
及び焼成により、蓄熱層を形成し、 (4)前記蓄熱層の上に薄膜法で発熱抵抗体を形成し、 (5)前記発熱抵抗体をホトエッチングによりパターニ
ングして、帯状の抵抗体群を形成し、 (6)前記抵抗体群の上およびそこから前記一対のリー
ド電極群の端部にかけて、薄膜法により、薄膜導電膜を
形成し、 (7)前記薄膜導電膜をホトエッチングによりパターニ
ングして、一対のコンタクト電極群を形成することを特
徴とするサーマルヘッドの製造方法。
[Scope of Claims] Consisting of a group of heating resistor dots arranged in a line in the main scanning direction, a pair of contact electrode groups for energizing each dot from the sub-scanning direction, and a lead electrode group for energizing each contact electrode. In the method of manufacturing a thermal head with a dot density of 8 dots/mm or more, (1) a thick conductive film is formed on a substrate by a thick film method; (2)
The thick conductive film is patterned by photoetching to form a pair of lead electrode groups, and (3) the gap where the pair of lead electrodes face each other and from there to the ends of the pair of lead electrodes are patterned by screen printing and baking. , forming a heat storage layer; (4) forming a heat generating resistor on the heat storage layer by a thin film method; (5) patterning the heat generating resistor by photoetching to form a band-shaped resistor group; (6) forming a thin conductive film on the resistor group and from there to the ends of the pair of lead electrode groups by a thin film method; (7) patterning the thin conductive film by photoetching, A method of manufacturing a thermal head, comprising forming a group of contact electrodes.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032158A (en) * 1988-03-02 1991-07-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing thermal printer head

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