JPS617623A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JPS617623A JPS617623A JP12875384A JP12875384A JPS617623A JP S617623 A JPS617623 A JP S617623A JP 12875384 A JP12875384 A JP 12875384A JP 12875384 A JP12875384 A JP 12875384A JP S617623 A JPS617623 A JP S617623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- nozzle
- thin film
- heater block
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、気相成長装置に関する。
（発明の技術的背景）
従来、第４図及び第５図に示すような気相成長装置が使
用されている。図中１は、被処理体であるウェハ２が設
置されるサセプタである。サセプタ１は、ヒーターブロ
ック３上に設置されている。
用されている。図中１は、被処理体であるウェハ２が設
置されるサセプタである。サセプタ１は、ヒーターブロ
ック３上に設置されている。
ヒーターブロック３は、水平状態を調節するスクリュー
４を介して取付板５上に載置されている。
４を介して取付板５上に載置されている。
サセプタ１の上方には、所定間隔を設けてガス噴出ノズ
ル６が移動自在に設けられている。
ル６が移動自在に設けられている。
このように構成された気相成長装置上止は、次のような
欠点を有する。
欠点を有する。
クリユー４で水平度を調節しなければならない。
■サセプタ１で水平状態を調節した場合、第５図に示す
如く、サセプタ１の中央部からそ両端部に亙ってガス噴
出ノズル６とサセプタ１の表面との間隔（Ｌｌ）・・・
（Ｌ２）を全て等しい値にするのは不可能である。
如く、サセプタ１の中央部からそ両端部に亙ってガス噴
出ノズル６とサセプタ１の表面との間隔（Ｌｌ）・・・
（Ｌ２）を全て等しい値にするのは不可能である。
■■の結果から膜厚及び不純物濃度が均一な薄膜を形成
できない。
できない。
本発明は、ヒーターブロックとガス噴出口との間隔を常
に所定値に保って、均一な膜厚及び不純物濃度で薄膜を
容易に形成することができる気相成長装置を提供するこ
とをその目的とするものである。
に所定値に保って、均一な膜厚及び不純物濃度で薄膜を
容易に形成することができる気相成長装置を提供するこ
とをその目的とするものである。
本発明は、ガス噴出ノズルを回転ローラを介してザセブ
タ上を移動させると共に、サセプタに対向して設けたガ
ス噴出口から所定の雰囲気ガスを噴出するようにして、
実質上ヒーターブロックとガス噴出口との間隔を常に所
定値に保って、均一な膜厚及び不純物濃度で薄膜を容易
に形成することができる気相成長装置である。
タ上を移動させると共に、サセプタに対向して設けたガ
ス噴出口から所定の雰囲気ガスを噴出するようにして、
実質上ヒーターブロックとガス噴出口との間隔を常に所
定値に保って、均一な膜厚及び不純物濃度で薄膜を容易
に形成することができる気相成長装置である。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明の一実施例の正面図、第２図は、同実
施例の要部の斜視図である。
施例の要部の斜視図である。
図中１０は、取付板１１上に設置された平板状のヒータ
ーブロックである。ヒーターブロック１０上には、サセ
プタ１２が載置されている。サセプタ１２の上方には、
ガス噴出口１３をサセプタ１２の表面から所定の間隔（
Ｌ３）で離間するようにして、ガス噴出ノズル１４が設
けられている。
ーブロックである。ヒーターブロック１０上には、サセ
プタ１２が載置されている。サセプタ１２の上方には、
ガス噴出口１３をサセプタ１２の表面から所定の間隔（
Ｌ３）で離間するようにして、ガス噴出ノズル１４が設
けられている。
ガス噴出ノズル１４は、例えばその片側端部に導出した
２本のローラーホルダー１５と、他方の端部に導出した
１本のローラーホルダー１６の先端部に夫々回転ローラ
ー１８を取付け、この回転ローラー１８をサセプタ１２
の表面に沿って転勤させることにより、自在に移動でき
るようになっている。また、ガス噴出口１３からはサセ
プタ１２上のウェハ１９の表面に薄膜を形成するための
所定のガスを噴出するようになっている。而して、サセ
プタ１２上に所望枚数のウェハ１９を設置し、これをヒ
ーターブロック１０により所定の温度に加熱する。次い
で、ウェハ１９の上方に沿ってガス噴出ノズル１４を移
動させながらガス噴出口１３より所定のガスを噴出する
ことにより、薄膜の形成を行なうようになっている。
２本のローラーホルダー１５と、他方の端部に導出した
１本のローラーホルダー１６の先端部に夫々回転ローラ
ー１８を取付け、この回転ローラー１８をサセプタ１２
の表面に沿って転勤させることにより、自在に移動でき
るようになっている。また、ガス噴出口１３からはサセ
プタ１２上のウェハ１９の表面に薄膜を形成するための
所定のガスを噴出するようになっている。而して、サセ
プタ１２上に所望枚数のウェハ１９を設置し、これをヒ
ーターブロック１０により所定の温度に加熱する。次い
で、ウェハ１９の上方に沿ってガス噴出ノズル１４を移
動させながらガス噴出口１３より所定のガスを噴出する
ことにより、薄膜の形成を行なうようになっている。
このように構成された気相成長装置ＬＬによれば、ヒー
ターブロック１０による加熱によってサセプタ１２が第
３図に示すように弓形に変形しても、ガス噴出ノズル１
４は回転ローラー１８の転勤によってサセプタ１２上を
移動するため、ガス噴出口１３とサセプタ１２の表面と
の間隔（Ｌ３）は、サセプタ１２の中央部あるいは両端
部等のサセプタ１２の全域でほぼ常に所定の値に保たれ
る。
ターブロック１０による加熱によってサセプタ１２が第
３図に示すように弓形に変形しても、ガス噴出ノズル１
４は回転ローラー１８の転勤によってサセプタ１２上を
移動するため、ガス噴出口１３とサセプタ１２の表面と
の間隔（Ｌ３）は、サセプタ１２の中央部あるいは両端
部等のサセプタ１２の全域でほぼ常に所定の値に保たれ
る。
つまり、ガス噴出口１３とサセプタ１２の表面との間隔
（Ｌ３）は、回転ローラー１８とローラーホルダー１６
の形状によって常に所定の随に保たれているので、洗浄
処理等のためにガス噴出ノズル１４をサセプタ１２から
取外してもガス噴出口１３とサセプタ１２の表面との間
隔（Ｌ３）が変化することはない。その結果、膜厚及び
不純物濃度の均一な薄膜を容易に形成することができる
。
（Ｌ３）は、回転ローラー１８とローラーホルダー１６
の形状によって常に所定の随に保たれているので、洗浄
処理等のためにガス噴出ノズル１４をサセプタ１２から
取外してもガス噴出口１３とサセプタ１２の表面との間
隔（Ｌ３）が変化することはない。その結果、膜厚及び
不純物濃度の均一な薄膜を容易に形成することができる
。
以上説明した如く、本発明に係る気相成長装置によれば
、ヒーターブロックとガス噴出口との間隔を常に所定値
に保って、均一な膜厚及び不純物濃度で薄膜を容易に形
成することができるものである。
、ヒーターブロックとガス噴出口との間隔を常に所定値
に保って、均一な膜厚及び不純物濃度で薄膜を容易に形
成することができるものである。
第１図は、本発明の一実施例の正面図、第２図は、同実
施例の要部の斜視図、第３図は、同実施例でサセプタが
反った時の状態を示す、説明図、第４図は、従来の気相
成長装置の正面図、第５図は、従来の気相成長装置の要
部の斜視図、第６図は、従来の気相成長装置でサセプタ
が反った時の状態を示す説明図である。 １０・・・ヒーターブロック、１１・・・取付板、１２
・・・サセプタ、１３・・・ガス噴出口、１４・・・ガ
ス噴出ノズル、１５．１６・・・ロラーホルダー、１８
・・・回転ローラー、２０ ・・・気相成長装置。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第３図
施例の要部の斜視図、第３図は、同実施例でサセプタが
反った時の状態を示す、説明図、第４図は、従来の気相
成長装置の正面図、第５図は、従来の気相成長装置の要
部の斜視図、第６図は、従来の気相成長装置でサセプタ
が反った時の状態を示す説明図である。 １０・・・ヒーターブロック、１１・・・取付板、１２
・・・サセプタ、１３・・・ガス噴出口、１４・・・ガ
ス噴出ノズル、１５．１６・・・ロラーホルダー、１８
・・・回転ローラー、２０ ・・・気相成長装置。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第３図
Claims (1)
- 平板状のヒーターブロック上に設置されたサセプタと、
該サセプタ上に回転ローラを介して移動自在に設けられ
該サセプタに対向してガス噴出口を有するガス噴出ノズ
ルとを具備することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12875384A JPS617623A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12875384A JPS617623A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617623A true JPS617623A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14992609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12875384A Pending JPS617623A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617623A (ja) |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP12875384A patent/JPS617623A/ja active Pending
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