JPS6176262A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
- Publication number
- JPS6176262A JPS6176262A JP19472384A JP19472384A JPS6176262A JP S6176262 A JPS6176262 A JP S6176262A JP 19472384 A JP19472384 A JP 19472384A JP 19472384 A JP19472384 A JP 19472384A JP S6176262 A JPS6176262 A JP S6176262A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- polished
- section
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は研磨技術、特に、半魂体ウェハの研磨加工に通
用して効果のある技術に関するものであ〔背景技術〕 半導体ウェハに対して鏡面ボリフシェ加工を施す場合、
複数枚のウェハを研磨プレート上に載置し、パンチ式に
研磨する方式が考えられる。
用して効果のある技術に関するものであ〔背景技術〕 半導体ウェハに対して鏡面ボリフシェ加工を施す場合、
複数枚のウェハを研磨プレート上に載置し、パンチ式に
研磨する方式が考えられる。
ところが、このようなバンチ式の研磨方法では、ウェハ
の大口径化に伴って装置が著しく大型化し、またスルー
ブツトが低く、スペース効率が良くないという問題が考
えられる。しかも、同時に複数枚のウェハを研磨するた
め、加工精度が必ずしも良くない場合も考えられる。
の大口径化に伴って装置が著しく大型化し、またスルー
ブツトが低く、スペース効率が良くないという問題が考
えられる。しかも、同時に複数枚のウェハを研磨するた
め、加工精度が必ずしも良くない場合も考えられる。
なお、ウェハの研摩いついては、工業調査会、1983
年11月15日発行の「趨LSI製造・試験装置ガイド
ブック」電子材料1983年11月号別冊、P49〜P
56に詳しく説明されている。
年11月15日発行の「趨LSI製造・試験装置ガイド
ブック」電子材料1983年11月号別冊、P49〜P
56に詳しく説明されている。
本発明の目的は、小形の装置で大口径の被研磨物を効率
良く研磨できる技術を提供することにある。
良く研磨できる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、高精度の研磨を行うことのできる
技術を提供することにある。
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、搬送手段で個別に保持されて搬送されて来た
被研磨物を1枚ずつ研磨手段で自動研磨することにより
、大口径の被研磨物でも小形の装置で研磨でき、前記目
的を達成できるものである。
被研磨物を1枚ずつ研磨手段で自動研磨することにより
、大口径の被研磨物でも小形の装置で研磨でき、前記目
的を達成できるものである。
第1図は本発明の一実施例である研磨装置の斜視図、第
2図はその研磨部の拡大部分断面図である。
2図はその研磨部の拡大部分断面図である。
本実施例における研磨装置はシリコンの如き半導体ウェ
ハの鏡面ボリソンユ加工用のものである。
ハの鏡面ボリソンユ加工用のものである。
この研m装置において、被研磨物であるウェハlはロー
ダ2上から研磨装置のキャリア3で搬送されながらポリ
ッシング処理された後、アンローダ4上に回収される。
ダ2上から研磨装置のキャリア3で搬送されながらポリ
ッシング処理された後、アンローダ4上に回収される。
そのため、ローダ2上のウェハlをキャリア3上に移載
するアーム5がキャリア3の始端側にウェハlを真空吸
着等で保持して所定角度だけ揺動可能に設けられている
。
するアーム5がキャリア3の始端側にウェハlを真空吸
着等で保持して所定角度だけ揺動可能に設けられている
。
キャリア3はエンドレスベルト型の構造よりなり、その
長さ方向に沿って所定間隔でウェハ保持孔6を有してい
る。ウェハ保持孔6はその中にウェハlを収容して保持
しながら搬送中に研磨加工を施すためのものである。ウ
ェハlがウェハ保持孔6から落下しないようにするため
、キャリア3の下側には無端ベルト型の案内ベルト7が
ローラ8の回りでキャリア3と同一方向に運動するよう
配設されている。
長さ方向に沿って所定間隔でウェハ保持孔6を有してい
る。ウェハ保持孔6はその中にウェハlを収容して保持
しながら搬送中に研磨加工を施すためのものである。ウ
ェハlがウェハ保持孔6から落下しないようにするため
、キャリア3の下側には無端ベルト型の案内ベルト7が
ローラ8の回りでキャリア3と同一方向に運動するよう
配設されている。
アーム5の下流側(第1図の右側)には、粗研磨部9が
配置され、この粗研磨部9では、ウェハ1が粗ポリッシ
ング加工される。
配置され、この粗研磨部9では、ウェハ1が粗ポリッシ
ング加工される。
粗研磨部9の下流側には、ウェハ1を水洗等で洗浄する
洗浄ノズル10a、10bよりなる洗浄部ioが設けら
れている。
洗浄ノズル10a、10bよりなる洗浄部ioが設けら
れている。
さらに、この洗浄部10の下流側(右側)には、粗ポリ
ッシングされたウェハlを仕上げポリ7シング加工する
仕上げ研磨部11が設けられている。
ッシングされたウェハlを仕上げポリ7シング加工する
仕上げ研磨部11が設けられている。
この仕上げ研摩部11で仕上げポリッシングされたウェ
ハlをキャリア3の下流端からアンローダ4の上に移載
するため、アーム12がウェハlを真空吸着等で保持し
て所定角度だけ揺動可能に設けられている。
ハlをキャリア3の下流端からアンローダ4の上に移載
するため、アーム12がウェハlを真空吸着等で保持し
て所定角度だけ揺動可能に設けられている。
前記粗研磨部9および仕上げ研磨部11は粗研−磨と仕
上げ研磨で目的は異なるが、いずれも第2図に略示する
ような研磨機構を有している。
上げ研磨で目的は異なるが、いずれも第2図に略示する
ような研磨機構を有している。
すなわち、この研磨機構は、ウェハlの両面研磨を行う
ものであり、ウェハ1の下側には該ウェハ1の下面をポ
リッシングするための下定盤工3がモータ14で強制回
転駆動されるよう設けられている。一方、ウェハ1の上
側には、土足1915が配設されている。この上定盤1
5はシリンダ16により上下動可能であるが、本実施例
では強制回転されず、下定盤13の回転にょるウェハl
の回転でアイドル回転される。もっとも、上定盤15も
強制回転駆動することができる。
ものであり、ウェハ1の下側には該ウェハ1の下面をポ
リッシングするための下定盤工3がモータ14で強制回
転駆動されるよう設けられている。一方、ウェハ1の上
側には、土足1915が配設されている。この上定盤1
5はシリンダ16により上下動可能であるが、本実施例
では強制回転されず、下定盤13の回転にょるウェハl
の回転でアイドル回転される。もっとも、上定盤15も
強制回転駆動することができる。
次に、本実施例の作用について説明する。
被研摩物であるウェハ1はローダ2上からアーム5で保
持され、キャリア3のウェハ保持孔6の中にセットされ
る。このようにしてキャリア3で保持されたウェハlは
該キャリア3のエンドレス回転移動につれて図の右方向
に搬送され、粗研磨部9に送られる。
持され、キャリア3のウェハ保持孔6の中にセットされ
る。このようにしてキャリア3で保持されたウェハlは
該キャリア3のエンドレス回転移動につれて図の右方向
に搬送され、粗研磨部9に送られる。
粗研磨部9では、ウェハ1はその上下両面に上定盤15
と下定盤13とを接触させた状態でモータ14によって
下定盤13を回転駆動することにより、上下両面を粗ポ
リノンングされる。
と下定盤13とを接触させた状態でモータ14によって
下定盤13を回転駆動することにより、上下両面を粗ポ
リノンングされる。
その後、ウェハIは洗浄部10に送られ、洗浄ノズル1
0a、10bから噴出される洗浄水により粗研磨面を洗
浄される。
0a、10bから噴出される洗浄水により粗研磨面を洗
浄される。
洗浄後のウェハ1は仕上げ研磨部11に搬送され、その
上下両面を上定盤15と下定盤13によって仕上げ研磨
される。
上下両面を上定盤15と下定盤13によって仕上げ研磨
される。
仕上げ研磨を終了したウェハlはアーム12によりキャ
リア3からアンローダ4上に回収される。
リア3からアンローダ4上に回収される。
このようにして、ウェハ1は1枚ずつ枚葉式に順次両面
研磨される。
研磨される。
(l)、被処理物を個別的に枚葉式に研磨することによ
り、大口径の被処理物でも小形の装置で効率的に研摩で
きる。
り、大口径の被処理物でも小形の装置で効率的に研摩で
きる。
(2)、前記il+により、高精度の研磨を行うことが
できる。
できる。
(3)、前記(1)により、自動研磨を実現することが
できる。
できる。
(4)、前記(1)により、スペース効率を向上させる
ことができる。
ことができる。
(5)、前記illにより、被処理物のサイズの変化に
容易に対応できる。
容易に対応できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、定磐は上下いずれを回転駆動しても、あるい
は両方を回転駆動してもよく、その場合、両定盤の回転
速度を互いに相違させることにより表裏両面の区別が容
易につけられるという利点がある。
は両方を回転駆動してもよく、その場合、両定盤の回転
速度を互いに相違させることにより表裏両面の区別が容
易につけられるという利点がある。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの研磨に通用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、たとえば、それ以外の被研磨物の研磨に広く適
用できる。
をその背景となった利用分野であるウェハの研磨に通用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はなく、たとえば、それ以外の被研磨物の研磨に広く適
用できる。
第1図は本発明の一実施例である研磨装置の斜視図、
第2図はその研磨部の拡大部分断面図である。
l・・・ウェハ(被研磨物)、2・・・ローダ、3・・
・キャリア(搬送手段)、4・・・アンローダ、5・・
・アーム、6・・・ウェハ保持孔、7・・・案内ベルト
、8・・・ローラ、9・・・粗研磨部、IO・・・洗浄
部、toa、tob・・・洗浄ノズル、11・・・仕上
げ研磨部、12・・・アーム、13・・・下定盤(研磨
手段)、14・・・モータ(駆動手段)、15・・・上
定盤(研磨手段)、16・・・シリンダ。
・キャリア(搬送手段)、4・・・アンローダ、5・・
・アーム、6・・・ウェハ保持孔、7・・・案内ベルト
、8・・・ローラ、9・・・粗研磨部、IO・・・洗浄
部、toa、tob・・・洗浄ノズル、11・・・仕上
げ研磨部、12・・・アーム、13・・・下定盤(研磨
手段)、14・・・モータ(駆動手段)、15・・・上
定盤(研磨手段)、16・・・シリンダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被研磨を保持して搬送する搬送手段と、この搬送手
段で個別に保持されて搬送されて来た被研磨物の両面と
接触可能でかつ少なくとも一方が回転駆動される研磨手
段と、前記研磨手段の少なくとも一方を回転駆動する駆
動手段とを備えてなる研磨装置。 2、搬送手段が、被研磨物の保持孔を持つ無端コンベヤ
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の研
磨装置。 3、被研磨物がウェハであり、各ウェハが1枚ずつ枚葉
研磨されることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
は第2項記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19472384A JPS6176262A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19472384A JPS6176262A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176262A true JPS6176262A (ja) | 1986-04-18 |
Family
ID=16329170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19472384A Pending JPS6176262A (ja) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6176262A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207559A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエ−ハ自動研削装置 |
| EP0755751A1 (en) * | 1995-07-28 | 1997-01-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers and process of and apparatus for grinding used for the same method of manufacture |
| JP2007163005A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sanden Corp | 冷凍サイクル |
| KR100776014B1 (ko) | 2006-06-29 | 2007-11-15 | 주식회사 싸이노스엔지니어링 | 인라인 연마 시스템 |
| CN105773333A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-20 | 佛山市宝航机械装备行业知识产权服务有限公司 | 一种高效率、低成本的砖坯抛磨设备 |
-
1984
- 1984-09-19 JP JP19472384A patent/JPS6176262A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63207559A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエ−ハ自動研削装置 |
| EP0755751A1 (en) * | 1995-07-28 | 1997-01-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor wafers and process of and apparatus for grinding used for the same method of manufacture |
| JP2007163005A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sanden Corp | 冷凍サイクル |
| KR100776014B1 (ko) | 2006-06-29 | 2007-11-15 | 주식회사 싸이노스엔지니어링 | 인라인 연마 시스템 |
| CN105773333A (zh) * | 2014-12-24 | 2016-07-20 | 佛山市宝航机械装备行业知识产权服务有限公司 | 一种高效率、低成本的砖坯抛磨设备 |
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