JPS617634A - 半導体薄膜の分解装置 - Google Patents
半導体薄膜の分解装置Info
- Publication number
- JPS617634A JPS617634A JP12850784A JP12850784A JPS617634A JP S617634 A JPS617634 A JP S617634A JP 12850784 A JP12850784 A JP 12850784A JP 12850784 A JP12850784 A JP 12850784A JP S617634 A JPS617634 A JP S617634A
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- JP
- Japan
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- semiconductor thin
- decomposition
- films
- analysis
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体薄膜の分解装置に関する〇〔発明の技
術的背景とその問題点〕 ＬＳＩ素子材料の高純度化が進むにつれて、ＬＳＩ素子
を構成するシリコンウェハ中に存在する不純物や、ウニ
ハエ程で混入する重金属尋の微量の不純物は、素子特性
に悪影響を及ぼす。
術的背景とその問題点〕 ＬＳＩ素子材料の高純度化が進むにつれて、ＬＳＩ素子
を構成するシリコンウェハ中に存在する不純物や、ウニ
ハエ程で混入する重金属尋の微量の不純物は、素子特性
に悪影響を及ぼす。
このためこのような微量不純物の把握が切望されている
。
。
従来、半導体薄膜中の微量不純物の分析は、放射化分析
、二次イオン質量分析等によシ行われている。しかし、
元素によっては検出感度が低く、両方共に大規模で高価
な測定装置を必要とする。また、測定時間が長く作業性
が悪い。
、二次イオン質量分析等によシ行われている。しかし、
元素によっては検出感度が低く、両方共に大規模で高価
な測定装置を必要とする。また、測定時間が長く作業性
が悪い。
また、気相分解法とフレームレス原子吸光法により、半
導体薄膜中の微量不純物の分析が行われている、これら
の方法は、前述のものに比べて簡便かつ安価であり、低
濃度の微量不純物を高い感度で分析できる利点がある。
導体薄膜中の微量不純物の分析が行われている、これら
の方法は、前述のものに比べて簡便かつ安価であり、低
濃度の微量不純物を高い感度で分析できる利点がある。
例えば、ウェハの表面に形成された酸化膜中の微量不純
物を、気相分解と７レームレス原子吸光法で分析する装
置として第２図に示す構造のものが使用されている０図
中１は、密閉容器である。密閉容器１内には、作用ｇ、
２である超高純度の弗化水素険を収容した容器３が設置
されているＣまた、密閉容器１内には、複数枚のウェハ
４ｔ−垂下した状態で保持したウェハキャリア５が設置
されている。ウェハ４の表面には、半導体薄膜６が形成
されている。ウェハ４の直下には、各々のウェハ４に対
応して仕切板で隔壁した分解液受容器７が設置されてい
る。分解液受容器７は、キャリア保持台８によって固定
されているＯ 而して、ウェハ４をウェハキャリア５に設定して密閉容
器１内で常温で所定時間放置すると、作用液２の蒸気９
が半導体薄膜６の表面に接触し、半導体薄膜６は分解す
る。得られた分解液ｌＯは、半導体薄膜６０表ｍを伝っ
て落下し、分解液受容器７内に溜る。このようにして得
た分解液１０を回収し、攪拌、計量した後、フレームレ
ス原子吸光分析装置“にがけて不純物の定性、定量分析
を行う。
物を、気相分解と７レームレス原子吸光法で分析する装
置として第２図に示す構造のものが使用されている０図
中１は、密閉容器である。密閉容器１内には、作用ｇ、
２である超高純度の弗化水素険を収容した容器３が設置
されているＣまた、密閉容器１内には、複数枚のウェハ
４ｔ−垂下した状態で保持したウェハキャリア５が設置
されている。ウェハ４の表面には、半導体薄膜６が形成
されている。ウェハ４の直下には、各々のウェハ４に対
応して仕切板で隔壁した分解液受容器７が設置されてい
る。分解液受容器７は、キャリア保持台８によって固定
されているＯ 而して、ウェハ４をウェハキャリア５に設定して密閉容
器１内で常温で所定時間放置すると、作用液２の蒸気９
が半導体薄膜６の表面に接触し、半導体薄膜６は分解す
る。得られた分解液ｌＯは、半導体薄膜６０表ｍを伝っ
て落下し、分解液受容器７内に溜る。このようにして得
た分解液１０を回収し、攪拌、計量した後、フレームレ
ス原子吸光分析装置“にがけて不純物の定性、定量分析
を行う。
しかしながら、このような半導体薄膜の分解装置では、
半導体薄膜６の形成は熱処理炉等の外部の装置で行って
いるため半導体薄膜形成装置内でウェハ４が汚染され易
く、又ウェハを分解装置内に収容する際にも汚染を受は
易い。このため、分析精度が低下し、分析結果を直ちに
微量不純物に対するものとして採用できない問題があっ
た。
半導体薄膜６の形成は熱処理炉等の外部の装置で行って
いるため半導体薄膜形成装置内でウェハ４が汚染され易
く、又ウェハを分解装置内に収容する際にも汚染を受は
易い。このため、分析精度が低下し、分析結果を直ちに
微量不純物に対するものとして採用できない問題があっ
た。
本発明け、酸化膜形成時の汚染による影響を排除して分
析Ｗ度の向上を達成した半導体薄膜の分解装置を提供す
ることをぞの目的とするものである。
析Ｗ度の向上を達成した半導体薄膜の分解装置を提供す
ることをぞの目的とするものである。
本発明は、酸化膜の形成と分解を同領域内で行うことが
できる構成にして酸化膜の形成から分解して分析に至る
間に汚染の発生を防止し、分析精度の向上ｔｌ−達成し
た半導体薄膜の分解装置である〇 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
できる構成にして酸化膜の形成から分解して分析に至る
間に汚染の発生を防止し、分析精度の向上ｔｌ−達成し
た半導体薄膜の分解装置である〇 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図で
ある。図中２０は、密閉容器である。
ある。図中２０は、密閉容器である。
密閉容器２０内には、作用液２６である超高純度の弗化
水素酸を収容した作用液収容容器２１が設置されている
。また、密閉容器２Ｑ内には、複数枚のウェハ２２を垂
下した状態で保持したウェハキャリア２３が、キャリア
保持台２４によって支持されている０ウエハ２２の表面
には、後述するオゾンの作用により酸化膜からなる半導
体薄膜２５が形成されるようになっている。
水素酸を収容した作用液収容容器２１が設置されている
。また、密閉容器２Ｑ内には、複数枚のウェハ２２を垂
下した状態で保持したウェハキャリア２３が、キャリア
保持台２４によって支持されている０ウエハ２２の表面
には、後述するオゾンの作用により酸化膜からなる半導
体薄膜２５が形成されるようになっている。
密閉容器２０の両側壁部には、酸素ガス排気口２７が形
成されている。ま友、一方の側壁部には、酸素ガス供給
口２８が形成されている０また、ウェハキャリア２３の
上方の側壁部には、サファイア等の透明部材からなる窓
２９が形成されている。窓２９を構成する透明部材は、
作用液２６に不溶であると共に、後述する紫外線を透過
するものであればよい０窓２９の外側には、紫外線ラン
プ３０が設けられている。紫外線ランプ３０は、内面を
鏡面仕上げした紫外線ランプカバー３１で覆われている
。なお、同図中３２は、後述する分解液３３を捕集する
分解液受容器である。分解液受容器３２は、各々のウェ
ハ２２に対応して仕切板で隔壁されている。
成されている。ま友、一方の側壁部には、酸素ガス供給
口２８が形成されている０また、ウェハキャリア２３の
上方の側壁部には、サファイア等の透明部材からなる窓
２９が形成されている。窓２９を構成する透明部材は、
作用液２６に不溶であると共に、後述する紫外線を透過
するものであればよい０窓２９の外側には、紫外線ラン
プ３０が設けられている。紫外線ランプ３０は、内面を
鏡面仕上げした紫外線ランプカバー３１で覆われている
。なお、同図中３２は、後述する分解液３３を捕集する
分解液受容器である。分解液受容器３２は、各々のウェ
ハ２２に対応して仕切板で隔壁されている。
ここで、紫外線ランプ３０は、波長が１８４．９ｎｍと
２５３．７ｎｍの光を効率良く放出できる低圧水銀灯が
使用されている。１８４．９ｎｍ の紫外線は、雰囲気
中の高純度酸素によって吸収されてオゾンを生成し、２
５３．７ ｎｍ備外線はオゾンによって吸収されてオゾ
ンを分解する作用を有している。つまり、１８４．９ｎ
ｍと２５３．７ｎｍの光が酸素雰囲気中に存在すると、
オゾンの連続的な生成と分解が起きる。その結果、オゾ
ンの生成と分解の過程で発生する原子状の酸素の強力な
酸化作用により、ウェハ２２の表面に酸化膜からなる半
導体薄膜２５が形成されるようになっている〇 而して、このように構成された半導体薄膜の分解装置４
０によれば、予め酸素供給口２８から密閉容器２０内に
高純度の酸素を導入し、酸素ガス排気口２２からこれを
放出して密閉容器２０内を高純度酸素雰囲気に設定する
。ことで、酸素ガスと塩素ガスを密閉容器２０内に導入
し、これを酸素ガス排気口２７から放出して、密閉容器
２０内を酸素と塩素の混合ガス雰囲気に設定しても良い
。次い″で、ウェハ２２を保持したウェハキャリア２３
をキャリア保持台２４上に設置し、密閉容器２０の蓋体
２０ａを閉じて密閉状態にする。勿論、作用液収容容器
２１には、作用液２６が満されている。この状態で紫外
線ラング３０から波長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎ
ｍの紫外線を放出し、窓２９を透過して密閉容器２０内
の酸素に吸収させる。この紫外線の照射によってオゾン
が発生・分解し、その際に生じる原子状の酸素によシウ
エハ２２の表面に酸化膜から々る半導体薄膜２５が形成
される。一方、作用液収容容器２ノから蒸発した作用液
２６の蒸気２６ａは、半導体薄膜２５の表面に付着し、
これを分解する。その結果生じた分解液３３は、ウェハ
２２の表面を伝って落下し、分解液受容器３２中に溜る
。
２５３．７ｎｍの光を効率良く放出できる低圧水銀灯が
使用されている。１８４．９ｎｍ の紫外線は、雰囲気
中の高純度酸素によって吸収されてオゾンを生成し、２
５３．７ ｎｍ備外線はオゾンによって吸収されてオゾ
ンを分解する作用を有している。つまり、１８４．９ｎ
ｍと２５３．７ｎｍの光が酸素雰囲気中に存在すると、
オゾンの連続的な生成と分解が起きる。その結果、オゾ
ンの生成と分解の過程で発生する原子状の酸素の強力な
酸化作用により、ウェハ２２の表面に酸化膜からなる半
導体薄膜２５が形成されるようになっている〇 而して、このように構成された半導体薄膜の分解装置４
０によれば、予め酸素供給口２８から密閉容器２０内に
高純度の酸素を導入し、酸素ガス排気口２２からこれを
放出して密閉容器２０内を高純度酸素雰囲気に設定する
。ことで、酸素ガスと塩素ガスを密閉容器２０内に導入
し、これを酸素ガス排気口２７から放出して、密閉容器
２０内を酸素と塩素の混合ガス雰囲気に設定しても良い
。次い″で、ウェハ２２を保持したウェハキャリア２３
をキャリア保持台２４上に設置し、密閉容器２０の蓋体
２０ａを閉じて密閉状態にする。勿論、作用液収容容器
２１には、作用液２６が満されている。この状態で紫外
線ラング３０から波長が１８４．９ｎｍと２５３．７ｎ
ｍの紫外線を放出し、窓２９を透過して密閉容器２０内
の酸素に吸収させる。この紫外線の照射によってオゾン
が発生・分解し、その際に生じる原子状の酸素によシウ
エハ２２の表面に酸化膜から々る半導体薄膜２５が形成
される。一方、作用液収容容器２ノから蒸発した作用液
２６の蒸気２６ａは、半導体薄膜２５の表面に付着し、
これを分解する。その結果生じた分解液３３は、ウェハ
２２の表面を伝って落下し、分解液受容器３２中に溜る
。
このようにして得られた分解液３３をマイフロピベント
で回収し、攪拌して計量した後直接原子吸光分析装置で
分析し、半導体薄膜２５中の微量不純物の定量・定性分
析を行う〇このようにこの半導体薄膜の分解装置−先１
−によれば、同じ密閉容器２Ｑ内で半導体薄膜２５の形
成と、その分解を行って微量不純物の分析を行うので、
半導体薄膜２５の形成する際、及び密閉容器２０内にこ
の半導体薄膜２５を形成したウェハ２２を収容する際に
汚染が起きるのを阻止することができる。その結果、分
析精度を著しく向上させることができるものである。
で回収し、攪拌して計量した後直接原子吸光分析装置で
分析し、半導体薄膜２５中の微量不純物の定量・定性分
析を行う〇このようにこの半導体薄膜の分解装置−先１
−によれば、同じ密閉容器２Ｑ内で半導体薄膜２５の形
成と、その分解を行って微量不純物の分析を行うので、
半導体薄膜２５の形成する際、及び密閉容器２０内にこ
の半導体薄膜２５を形成したウェハ２２を収容する際に
汚染が起きるのを阻止することができる。その結果、分
析精度を著しく向上させることができるものである。
以上説明した如く、本発明に係る半導体薄膜の分解装置
によれば、酸化膜形成時の汚染による影響１に排除して
分析精度を向上させることができるものである。
によれば、酸化膜形成時の汚染による影響１に排除して
分析精度を向上させることができるものである。
第１図は、本発明の一実施例の半導体薄膜の分解装置の
概略構成を示す説明図、第２図は、従来の半導体薄膜の
分解装置の概略構成を示す説明図である０ ２０・・・密閉容器、２１・・・作用液収容容器、２２
・・・ウェハ、２３・・・ウェハキャリア、２４・・・
キャリア保持台、２５・・・半導体薄膜、２６・・・作
用液、２７・・・酸素ガス排気口、２８・・・酸素ガス
供給口、２９・・・窓、３０・・・紫外線ランプ、３１
・・・紫外線ランプカバー、３２・・・分解液受容器、
３３・・・分解液、４０−・・・半導体薄膜の分解装置
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
概略構成を示す説明図、第２図は、従来の半導体薄膜の
分解装置の概略構成を示す説明図である０ ２０・・・密閉容器、２１・・・作用液収容容器、２２
・・・ウェハ、２３・・・ウェハキャリア、２４・・・
キャリア保持台、２５・・・半導体薄膜、２６・・・作
用液、２７・・・酸素ガス排気口、２８・・・酸素ガス
供給口、２９・・・窓、３０・・・紫外線ランプ、３１
・・・紫外線ランプカバー、３２・・・分解液受容器、
３３・・・分解液、４０−・・・半導体薄膜の分解装置
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (1)
- ウェハを保持したウェハキャリアを収容した密閉容器と
、前記ウェハの直下に開口部を対向するようにして該密
閉容器内に設置された分解液受容器と、前記密閉容器内
に設置された一端を開口した作用液収容容器と、前記ウ
ェハに対向する前記密閉容器の一壁部に取付けられ、前
記作用液収容容器内の作用液に対して不溶性の透明部材
からなる窓と、該窓を介して前記密閉容器の外側に取付
けられた紫外線ランプとを具備することを特徴とする半
導体薄膜の分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12850784A JPS617634A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体薄膜の分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12850784A JPS617634A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体薄膜の分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617634A true JPS617634A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14986452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12850784A Pending JPS617634A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | 半導体薄膜の分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617634A (ja) |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP12850784A patent/JPS617634A/ja active Pending
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