JPS6179768A - スパツタ方法 - Google Patents
スパツタ方法Info
- Publication number
- JPS6179768A JPS6179768A JP20311884A JP20311884A JPS6179768A JP S6179768 A JPS6179768 A JP S6179768A JP 20311884 A JP20311884 A JP 20311884A JP 20311884 A JP20311884 A JP 20311884A JP S6179768 A JPS6179768 A JP S6179768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- treated
- central
- peripheral
- sputtering method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スパッタ方法に係り、特に、例えば半導体装
置の主要部品である半導体チップを製造するウェーハな
どの被処理体の被着面に、例えば電極を形成する材料な
どを被着するスパッタ方法の改良に関す。
置の主要部品である半導体チップを製造するウェーハな
どの被処理体の被着面に、例えば電極を形成する材料な
どを被着するスパッタ方法の改良に関す。
半導体チップは、一般に半導体ウェーハ上にトランジス
タなどの半導体素子を形成したもので、その信頼性には
、該半導体素子そのものの良し悪しは勿論であるが、該
半導体素子からの配線導出の良し悪しも大きく影響する
。
タなどの半導体素子を形成したもので、その信頼性には
、該半導体素子そのものの良し悪しは勿論であるが、該
半導体素子からの配線導出の良し悪しも大きく影響する
。
この配線導出は、通常、前記半導体素子を覆う絶縁膜に
コンタクトホールを形成し、その上に例えばアルミニウ
ムなどの電極材料をスパッタ法などにより被着し、この
被着膜をバターニングして電極および配線を形成するこ
とによって行っている。
コンタクトホールを形成し、その上に例えばアルミニウ
ムなどの電極材料をスパッタ法などにより被着し、この
被着膜をバターニングして電極および配線を形成するこ
とによって行っている。
この際、該配線導出の良し悪しは、該被着膜の該コンタ
クトホール部におけるカバレージの良し悪しに左右され
、特に大型ウェーハの周辺部において問題になる該カバ
レージを良くするスパッタ方法の提案が望まれている。
クトホール部におけるカバレージの良し悪しに左右され
、特に大型ウェーハの周辺部において問題になる該カバ
レージを良くするスパッタ方法の提案が望まれている。
第２図（Ａ）は従来の一般的なスパッタ方法の要部構成
を示した側断面図で、ｌは被着膜を被着する半導体ウェ
ーハなどの被処理体、ｌａは被処理体１の被着面、２は
被着膜材料で形成されるターゲソト、２ａは該材料を放
射するターゲット２の放射面である。
を示した側断面図で、ｌは被着膜を被着する半導体ウェ
ーハなどの被処理体、ｌａは被処理体１の被着面、２は
被着膜材料で形成されるターゲソト、２ａは該材料を放
射するターゲット２の放射面である。
スパッタ記よる被着膜の形成は、凡そ）０−３Ｔｏｒｒ
程度のアルゴン雰囲気中に、被処理体１とターゲット２
とを被着面１ａが放射面２ａに対して中心を酪合わせ平
行に対峙するように配置し、ターゲット２をカソードに
して図示されないアノードとの間に放電させることによ
り、被着膜材料を放射面２ａ・ から放射させ被着面１
ａに被着させてなされる。
程度のアルゴン雰囲気中に、被処理体１とターゲット２
とを被着面１ａが放射面２ａに対して中心を酪合わせ平
行に対峙するように配置し、ターゲット２をカソードに
して図示されないアノードとの間に放電させることによ
り、被着膜材料を放射面２ａ・ から放射させ被着面１
ａに被着させてなされる。
この際、被処理体１の大きさく例えば直径）に対して、
ターゲット２の大きさを約１．５倍、にすると、被着面
１ａに形成される被着膜の厚さが全面に渡り略均−にな
ることが経験的に知られている。
ターゲット２の大きさを約１．５倍、にすると、被着面
１ａに形成される被着膜の厚さが全面に渡り略均−にな
ることが経験的に知られている。
しかしながら、前述したコンタクトホールを有する場合
などのように、被着面２に側断面図で示した第２図（Ｂ
−１） 、（Ｂ−２）図示の如（窪３がある場合には、
被着膜４の厚さは、窪３の部分で均一にならない。
などのように、被着面２に側断面図で示した第２図（Ｂ
−１） 、（Ｂ−２）図示の如（窪３がある場合には、
被着膜４の厚さは、窪３の部分で均一にならない。
即ち、図（Ｂ−１）は窪３が被着面１ａの中央部にある
場合を、図（Ｂ−２）は窪３が被着面の周辺部（図上、
左が中央側、右側が縁側を示す）にある場合を示し、図
（３−１）においては窪３の肩部における被着膜４の厚
さＴ１およびＴ２が揃っているが、図（Ｂ−２）におい
ては窪３の肩部における被着膜４の厚さＴ３とＴ４とが
異なり、被着面１ａの縁側になるＴ４が薄くなっている
。この傾向は被処理体１が大きくなると顕著である。
場合を、図（Ｂ−２）は窪３が被着面の周辺部（図上、
左が中央側、右側が縁側を示す）にある場合を示し、図
（３−１）においては窪３の肩部における被着膜４の厚
さＴ１およびＴ２が揃っているが、図（Ｂ−２）におい
ては窪３の肩部における被着膜４の厚さＴ３とＴ４とが
異なり、被着面１ａの縁側になるＴ４が薄くなっている
。この傾向は被処理体１が大きくなると顕著である。
例えば、大きさ約１．５μｍ角、深さ約１μ鋼のコンタ
クトホールを有する直径約１５０ｆｌの大型ウェーハ（
６エンウエーハ）に、厚さＴが約１μｍになるようアル
ミニウムをスバ・ツタすると、厚さＴｌ〜Ｔ３は厚さＴ
の略４０％程度に揃っているが、厚さＴ４は厚さＴ３の
１７２以下と極めて薄くなる。
クトホールを有する直径約１５０ｆｌの大型ウェーハ（
６エンウエーハ）に、厚さＴが約１μｍになるようアル
ミニウムをスバ・ツタすると、厚さＴｌ〜Ｔ３は厚さＴ
の略４０％程度に揃っているが、厚さＴ４は厚さＴ３の
１７２以下と極めて薄くなる。
このことは、例えば、半導体チップの前記配線導出にお
いて、ウェー八が太き（なるとウェーハ周辺部における
コンタクトホールのカバレージが悪くなり、その部分で
断線を生ずる危険性に繋がる問題点となる。
いて、ウェー八が太き（なるとウェーハ周辺部における
コンタクトホールのカバレージが悪くなり、その部分で
断線を生ずる危険性に繋がる問題点となる。
上記問題点↓よ、中央部と周辺部とに分離させたターゲ
ットを使用して被処理体りこ対するターゲメト材料のス
パッタを行う本発明のスパック方法すこよって解決され
る。
ットを使用して被処理体りこ対するターゲメト材料のス
パッタを行う本発明のスパック方法すこよって解決され
る。
本発明によれ、ば、前記周辺部ターゲ、７トの放射面を
前記中央部ターゲットの放射面に対し内側に向けて傾斜
させ、被処理体の被着面を該中央部ターゲットの放射面
に対して平行シこ対・峙させるのがよい。
前記中央部ターゲットの放射面に対し内側に向けて傾斜
させ、被処理体の被着面を該中央部ターゲットの放射面
に対して平行シこ対・峙させるのがよい。
（作用〕
従来方法において、被処理体被着面の周辺部にある窪に
対する被着膜のカバレージが悪いのは、ターゲットの形
状から制約されて、該周辺部において被着材料の縁側に
向かう横方向の放射密度が少ないことに起因するものと
考えされる。
対する被着膜のカバレージが悪いのは、ターゲットの形
状から制約されて、該周辺部において被着材料の縁側に
向かう横方向の放射密度が少ないことに起因するものと
考えされる。
そこで、ターゲットを中央部と周辺部とに分離させ、該
周辺部の放射面を例えば上記のようにして、被着材料の
方向による放射密度の均一化を図ることにより、問題の
カバレージ不良を改善させることが可能になり、その結
果、例えば、半導体千ノブの前記配線導出において、コ
ンタクトホール部分で断線を生ずる危険性を低減させる
ことが可能りこなる。
周辺部の放射面を例えば上記のようにして、被着材料の
方向による放射密度の均一化を図ることにより、問題の
カバレージ不良を改善させることが可能になり、その結
果、例えば、半導体千ノブの前記配線導出において、コ
ンタクトホール部分で断線を生ずる危険性を低減させる
ことが可能りこなる。
［実施例〕
以下本発明の一実施例を図により説明する。全図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
同一符号は同一対象物を示す。
第１図（Ａ）！よ本発明によるスパック方法の一実施例
の要部構成を示した側断面図、第１図（Ｂ−１）、（Ｂ
−２）はその実施例による膜被着状況の一例を示した側
断面図である。
の要部構成を示した側断面図、第１図（Ｂ−１）、（Ｂ
−２）はその実施例による膜被着状況の一例を示した側
断面図である。
第１図（Ａ）は第２図（Ａ）に対応する図であり、第１
図（Ａ）図示の方法においては、ターゲット２が中央部
と周辺部とに分離された中央ターゲット５と周辺ターゲ
ット６とに置換されている。
図（Ａ）図示の方法においては、ターゲット２が中央部
と周辺部とに分離された中央ターゲット５と周辺ターゲ
ット６とに置換されている。
中央ターゲット５は、直径約１００ｍでその放射面５ａ
は従来の放射面２ａと同様に被処理体ｌの被着面１ａに
対峙している。周辺ターゲット６は、その放射面６ａが
内径約１３０鶴、外形的２５０ｔｍの円錐台状をなし、
放射面５ａに対する放射面６ａの傾斜角αは約４０度で
ある。
は従来の放射面２ａと同様に被処理体ｌの被着面１ａに
対峙している。周辺ターゲット６は、その放射面６ａが
内径約１３０鶴、外形的２５０ｔｍの円錐台状をなし、
放射面５ａに対する放射面６ａの傾斜角αは約４０度で
ある。
本願の発明者は、中央ターゲット５と周辺ターゲット６
を組み合わせた上記ターゲットをアルミニウムで形成し
、例えば、先に述べたものと同様な、大きさ約１．５μ
ｍ角、深さ約１μｍのコンタクトホールを有する直径約
１５０ｍ謹の大型ウェーハ（６Ｐウエーハ）の被着面１
ａを放射面５ａから約７０籠の位置に配置し、厚さＴが
約１μｍになるようアルミニウムをスパッタした。
を組み合わせた上記ターゲットをアルミニウムで形成し
、例えば、先に述べたものと同様な、大きさ約１．５μ
ｍ角、深さ約１μｍのコンタクトホールを有する直径約
１５０ｍ謹の大型ウェーハ（６Ｐウエーハ）の被着面１
ａを放射面５ａから約７０籠の位置に配置し、厚さＴが
約１μｍになるようアルミニウムをスパッタした。
その結果は、第２図（Ｂ−１） 、（Ｂ−２）に対応す
る第１図（Ｂ〜１） 、（Ｂ−２）が示すように、窪３
の肩部における被着ＩＰＪ ４の厚さＴ１〜Ｔ４は共に
厚さＴの略４０％程度になり、従来周辺部にある窪３に
おいて悪かったカバレージを改善することが出来た。
る第１図（Ｂ〜１） 、（Ｂ−２）が示すように、窪３
の肩部における被着ＩＰＪ ４の厚さＴ１〜Ｔ４は共に
厚さＴの略４０％程度になり、従来周辺部にある窪３に
おいて悪かったカバレージを改善することが出来た。
更に本出願人は、直径約２００ｔｍの大型ウェーハ（８
！ンウエーハ）に至るまで、上記ターゲットを使用して
略良好な結果を得ることが可能なことも確認した。
！ンウエーハ）に至るまで、上記ターゲットを使用して
略良好な結果を得ることが可能なことも確認した。
以上説明したように、本発明によるスパッタ方法によれ
ば、被処理体の大型化に伴い、その被着面周辺部にある
窪のカバレージが悪化するのを抑制することが可能にな
り、例えば、半導体チップの製造において、大型ウェー
ハ周辺部における配線導出のコンタクトホール部分での
断線を生ずる危険性を低減させ、酸ウェーハの大型化を
可能にさせる効果がある。
ば、被処理体の大型化に伴い、その被着面周辺部にある
窪のカバレージが悪化するのを抑制することが可能にな
り、例えば、半導体チップの製造において、大型ウェー
ハ周辺部における配線導出のコンタクトホール部分での
断線を生ずる危険性を低減させ、酸ウェーハの大型化を
可能にさせる効果がある。
図面において、
第１図（Ａ）は本発明によるスパッタ方法の一実施例の
要部構成を示した（、１ＩＩＪ １）面図、第１図（Ｂ
−１） 、（Ｂ−２）はその実施例による膜被着状況の
一例を示した側断面図、 第２図（Ａ）は従来の一般的なスパッタ方法の要部構成
を示した側断面図、 第２図（Ｂ−１） 、（Ｂ−２）はその方法による膜被
着状況の一例を示した側断面図である。 また、図中において、 ■は被処理体、 １ａは被着面、２はターゲット
、 ２ａはその放射面、３は窪、
４は被着膜、５は中央ターゲット、 ５ａはその被着面
、６は周辺ターゲット、 ６ａはその被着面、Ｔ、Ｔｌ
〜Ｔ４は厚さ、 αは傾斜角、をそれぞれ示す。 第２図 （Ａ）
要部構成を示した（、１ＩＩＪ １）面図、第１図（Ｂ
−１） 、（Ｂ−２）はその実施例による膜被着状況の
一例を示した側断面図、 第２図（Ａ）は従来の一般的なスパッタ方法の要部構成
を示した側断面図、 第２図（Ｂ−１） 、（Ｂ−２）はその方法による膜被
着状況の一例を示した側断面図である。 また、図中において、 ■は被処理体、 １ａは被着面、２はターゲット
、 ２ａはその放射面、３は窪、
４は被着膜、５は中央ターゲット、 ５ａはその被着面
、６は周辺ターゲット、 ６ａはその被着面、Ｔ、Ｔｌ
〜Ｔ４は厚さ、 αは傾斜角、をそれぞれ示す。 第２図 （Ａ）
Claims (2)
- （１）中央部と周辺部とに分離させたターゲットを使用
して被処理体に対するターゲット材料のスパッタを行う
ことを特徴とするスパッタ方法。 - （２）前記周辺部ターゲットの放射面を前記中央部ター
ゲットの放射面に対し内側に向けて傾斜させ、被処理体
の被着面を該中央部ターゲットの放射面に対して平行に
対峙させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のスパッタ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20311884A JPS6179768A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | スパツタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20311884A JPS6179768A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | スパツタ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179768A true JPS6179768A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16468696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20311884A Pending JPS6179768A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | スパツタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179768A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63103065A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリングによる成膜方法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20311884A patent/JPS6179768A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63103065A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Tokyo Electron Ltd | スパツタリングによる成膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0630423B1 (en) | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly | |
| US6283357B1 (en) | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets | |
| US6875325B2 (en) | Sputtering target producing few particles | |
| JPH0151542B2 (ja) | ||
| US5540820A (en) | Thin film forming method | |
| KR20030064398A (ko) | 내부 냉각 채널을 갖는 스퍼터 타겟의 제조 방법 | |
| US5336386A (en) | Target for cathode sputtering | |
| US5362372A (en) | Self cleaning collimator | |
| JP2001032065A (ja) | スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 | |
| US5876861A (en) | Sputter-deposited nickel layer | |
| JP2720755B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用Ｔｉターゲット材 | |
| KR20140015367A (ko) | 확산-접합 스퍼터링 타겟 조립체 및 그 제조 방법 | |
| JPS6179768A (ja) | スパツタ方法 | |
| US4726983A (en) | Homogeneous fine grained metal film on substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2001140063A (ja) | 延長された寿命を有するスパッタターゲット | |
| US6723213B2 (en) | Titanium target assembly for sputtering and method for preparing the same | |
| US5271817A (en) | Design for sputter targets to reduce defects in refractory metal films | |
| JP3852967B2 (ja) | 低圧スパッタリング装置 | |
| JPH09330890A (ja) | 金属薄膜形成方法 | |
| US4923526A (en) | Homogeneous fine grained metal film on substrate and manufacturing method thereof | |
| JP2002004038A (ja) | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット | |
| JPS59179783A (ja) | スパツタリングタ−ゲツト | |
| JP2580149B2 (ja) | スパツタ装置 | |
| US5047394A (en) | Sputtering method | |
| KR19980050037A (ko) | 반도체 제조용 스퍼터링 타겟트 |