JPS6180097A - 一次元ｘ線螢光面素子 - Google Patents
一次元ｘ線螢光面素子Info
- Publication number
- JPS6180097A JPS6180097A JP59201557A JP20155784A JPS6180097A JP S6180097 A JPS6180097 A JP S6180097A JP 59201557 A JP59201557 A JP 59201557A JP 20155784 A JP20155784 A JP 20155784A JP S6180097 A JPS6180097 A JP S6180097A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dimensional
- ray
- columnar crystal
- optical fiber
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は一次元のＸ線像を光の像に変換する螢光面素子
に関するものである。
に関するものである。
医療分野のＸ線像については二次元の拡がるをもつ画像
が通常用いられているが、被写体Ｃ二よるＸ線像散乱お
よび受像素子内でのＸ線およびその光の散乱を少なくし
てコントラストの良い画像を得るため、−次元向に伸び
る撮影システムを用いる場合がある。
が通常用いられているが、被写体Ｃ二よるＸ線像散乱お
よび受像素子内でのＸ線およびその光の散乱を少なくし
てコントラストの良い画像を得るため、−次元向に伸び
る撮影システムを用いる場合がある。
これらのシステムでは、従来がドリニクムオキシサルフ
ァイド螢光体粒子等の粒子螢光体をバインダでシート状
に固めてＸ線螢光面としている。
ァイド螢光体粒子等の粒子螢光体をバインダでシート状
に固めてＸ線螢光面としている。
また、Ｘ線イメージ管の入力螢光面としてはアルミニウ
ム基板に沃化セシクム螢光体を真空蒸着し、入力螢光面
としている。
ム基板に沃化セシクム螢光体を真空蒸着し、入力螢光面
としている。
上述のように粒子螢光体をバインダで固めてシートとし
たＸ線螢光面ではＸｖＡ吸収を良くするためシートを厚
くすると解像度が大巾に悪くなり、解像度を高くするた
めシートを薄くするとＸ線吸収が悪くＳハ比が大幅に低
下するという関係がある。
たＸ線螢光面ではＸｖＡ吸収を良くするためシートを厚
くすると解像度が大巾に悪くなり、解像度を高くするた
めシートを薄くするとＸ線吸収が悪くＳハ比が大幅に低
下するという関係がある。
一方、アルミニウム基板に沃化セシウム螢光面を蒸着し
た場合、柱状結晶が得られ解像度も良好であるが、沃化
セシウム螢光面は非常に吸湿性があるため防湿のための
カバーが必要となり、このカバーは光を遮ることにより
カバーでの光の反射ζ；よりコントラストが著しく低下
する欠点がある。
た場合、柱状結晶が得られ解像度も良好であるが、沃化
セシウム螢光面は非常に吸湿性があるため防湿のための
カバーが必要となり、このカバーは光を遮ることにより
カバーでの光の反射ζ；よりコントラストが著しく低下
する欠点がある。
また、Ｘ線イメージ管の入力螢光面として使用した場合
はその表面の凹凸のため均一な光電面の形成かつむずか
しく光電面感度が低下する欠点がある。
はその表面の凹凸のため均一な光電面の形成かつむずか
しく光電面感度が低下する欠点がある。
〔発明の目的〕
−本発明は上記欠点を改良して解像度が高くかつ、Ｓハ
比の良い一次元のＸ線螢光面素子を得ることにある。
比の良い一次元のＸ線螢光面素子を得ることにある。
本発明はコアおよびクラッド部からなる多数のオプチカ
ルファイバを束ねて横方向に延長するように固体化した
オプチカルファイバプレートと、該オプチカルファイバ
プレートの光導入側に形成された露出コア部と、該露出
コア防止に形成された沃化セシウムを主成分とする柱状
結晶とを具備し、前記オプチカルファイバプレートの長
辺方向を一次元方向とする一次元Ｘ線螢光面素子にあり
、解像度及び８／Ｎ比の向上が得られる。
ルファイバを束ねて横方向に延長するように固体化した
オプチカルファイバプレートと、該オプチカルファイバ
プレートの光導入側に形成された露出コア部と、該露出
コア防止に形成された沃化セシウムを主成分とする柱状
結晶とを具備し、前記オプチカルファイバプレートの長
辺方向を一次元方向とする一次元Ｘ線螢光面素子にあり
、解像度及び８／Ｎ比の向上が得られる。
以下、本発明の一実施例について第１図ないし第３図を
参照して説明する。
参照して説明する。
なお、共通部分は共通の符号を付す。
本実施例に用いるオプチカルファイバはガラス又はプラ
スチック製でもよいがガラス製オブｔカルファイバにつ
いて述べることとする。
スチック製でもよいがガラス製オブｔカルファイバにつ
いて述べることとする。
第１図に示すとおり、−次元Ｘ線螢光面素子は矩形状の
支持枠（１）、オプチカルファイバプレート（２）、沃
化セシ・ラムを主成分とする柱状結晶（３）、カバー（
４）からなる。
支持枠（１）、オプチカルファイバプレート（２）、沃
化セシ・ラムを主成分とする柱状結晶（３）、カバー（
４）からなる。
矩形状支持枠（１）はコア部四およびクラッド部罰から
なるオプチカルファイバを束ねて横方向に延長するよう
に固体化したオプチカルファイバ（２）を内部；−収納
し支持している。上記プレート（２）のＸ線源側は僅か
に支持枠（１）から突出した構造をとり、突出したオプ
チカルファイバプレート（２）のクラッド部ロア）は除
去されコア部材が露出している、コア部ｔ２ｅには沃化
セシウムを主成分とする柱状結晶（３）が形成されてお
り、この柱状結晶（３）で発光した光はコア部ＯＥ９の
中を通って第２図の左方から右方へと導かれる。しかし
て上記柱状結晶（３）の表面にはアルミニウム反射膜（
５）を有する。またこの柱状結晶（３）を外光から遮断
しかつ吸湿を防ぐため、柱状結晶（３）を碑うように支
持枠（１）に固定されたカバー（４）も有する。
なるオプチカルファイバを束ねて横方向に延長するよう
に固体化したオプチカルファイバ（２）を内部；−収納
し支持している。上記プレート（２）のＸ線源側は僅か
に支持枠（１）から突出した構造をとり、突出したオプ
チカルファイバプレート（２）のクラッド部ロア）は除
去されコア部材が露出している、コア部ｔ２ｅには沃化
セシウムを主成分とする柱状結晶（３）が形成されてお
り、この柱状結晶（３）で発光した光はコア部ＯＥ９の
中を通って第２図の左方から右方へと導かれる。しかし
て上記柱状結晶（３）の表面にはアルミニウム反射膜（
５）を有する。またこの柱状結晶（３）を外光から遮断
しかつ吸湿を防ぐため、柱状結晶（３）を碑うように支
持枠（１）に固定されたカバー（４）も有する。
このように構−成された一次元Ｘ線螢光面素子は第６図
に示すような投影システムに組込まれることとなる。
に示すような投影システムに組込まれることとなる。
この第６図の撮影システムは、Ｘ線源（６２）からＸ線
スリッ） （６８）を通して投射されたファンビームＸ
線（６６）が被写体（６３）を透過して一次元Ｘ線螢光
素子（６１）に入射し、そこで第１図に示した柱状結晶
（３）で四方に発散する光に変換され、この光は反射膜
（５）でコア部（ハ）の方に集められ、コア部（至）の
螢光体ＩＩ（３１が配置されている面と反対側の面から
放出される。この光（６７）はレンズ（６４）によって
撮像素子（６５） ｌ二段形され、撮像される。
スリッ） （６８）を通して投射されたファンビームＸ
線（６６）が被写体（６３）を透過して一次元Ｘ線螢光
素子（６１）に入射し、そこで第１図に示した柱状結晶
（３）で四方に発散する光に変換され、この光は反射膜
（５）でコア部（ハ）の方に集められ、コア部（至）の
螢光体ＩＩ（３１が配置されている面と反対側の面から
放出される。この光（６７）はレンズ（６４）によって
撮像素子（６５） ｌ二段形され、撮像される。
上述した一次元Ｘ線螢光面素子の製造法（二ついて説明
する。まず−次元方向に長く伸びたプラスファイバプレ
ート（２）の片面にフォトレジストを被覆し反対の面か
ら光を照射してガラスファイバープレート（２）のコア
部翰の上の部分のフォトレジストを焼きつける。次にフ
ォトレジストの焼きつけられていない部分即ちクラッド
部罰の上ζ二重布されているフォトレジストを洗い流し
、濃酸でエツチングする。次にコア部Ｃｅに焼き付けら
れたフォトレジストを削り取る。すると第２図に示すよ
うにコア部■ｅがクラッド部（５）又はオプテカルファ
イバプレート（２）より突出した。構造となる。この面
に真空ＦＭ Ｎ法により沃化セシウム発光体を蒸着する
。
する。まず−次元方向に長く伸びたプラスファイバプレ
ート（２）の片面にフォトレジストを被覆し反対の面か
ら光を照射してガラスファイバープレート（２）のコア
部翰の上の部分のフォトレジストを焼きつける。次にフ
ォトレジストの焼きつけられていない部分即ちクラッド
部罰の上ζ二重布されているフォトレジストを洗い流し
、濃酸でエツチングする。次にコア部Ｃｅに焼き付けら
れたフォトレジストを削り取る。すると第２図に示すよ
うにコア部■ｅがクラッド部（５）又はオプテカルファ
イバプレート（２）より突出した。構造となる。この面
に真空ＦＭ Ｎ法により沃化セシウム発光体を蒸着する
。
沃化セシウム螢光体は真空蒸着すると突起の部分１；柱
状結晶が成長するので柱状結晶を充分長く成長させても
隣りの柱状結晶と合体することがない。
状結晶が成長するので柱状結晶を充分長く成長させても
隣りの柱状結晶と合体することがない。
したがって柱状結晶内でｘ Ｗ ｃより発光した光がそ
の柱状結晶体内にとじ込められコア部（５）へと導びか
れる。その結果光の利用効率が高まり解像度の劣化が防
がれる。コア部罰と柱状結晶（３）の接面は平で、柱状
結晶（３）にほか垂直なので効率良く光が柱状結晶（３
）からコア部（至）へ導びかれる。また柱状結晶（３）
の表面にはアルミニウムを薄く蒸着して反射膜（５）を
形成している。この反射［ｉｋｒ （５） ｌ二より柱
状結晶（３）からコア部＠以外の方向へ出る光は反射さ
れて柱状結晶（３）内に戻されコア部（イ）へ達する光
の効率をより向上させるとともに柱状結晶（３）の隣の
柱状結晶（３）への光の漏れを防ぎ解像度の低下をより
確実に防ぐ。この上う１ニジて沃化セシウムを主成分と
する柱状結晶からなる螢光面を充分厚くしても解像度の
劣化しない面が得られ、Ｘ線吸収と解像度と共に良い非
常に優れたＸ線螢光面が得られる。解像度の絶対値は柱
状結晶（３）の大きさにより定まるが柱状結晶の大きさ
はコア部翰の大きさにより定まる。コア部（イ）は必要
に応じて大きくも小さくもでき通常数μ〜数百μ径であ
りこの例では２００μとした。従って解像度ははゾ２．
５１ｐＡ４ｍとなった。尚沃化セシウム柱状結晶は非常
こ吸湿性が強く、吸湿すると発光しなくなり結晶がくず
れるのでカバー（４）を取りつけ内部Ｉ：乾燥した空気
を入れ防湿する。カバー（４）はＸ線を減衰させないよ
うに薄いプラスチフスで形成する。次に他の実施例を第
４図ないし第６図を参照して説明する。
の柱状結晶体内にとじ込められコア部（５）へと導びか
れる。その結果光の利用効率が高まり解像度の劣化が防
がれる。コア部罰と柱状結晶（３）の接面は平で、柱状
結晶（３）にほか垂直なので効率良く光が柱状結晶（３
）からコア部（至）へ導びかれる。また柱状結晶（３）
の表面にはアルミニウムを薄く蒸着して反射膜（５）を
形成している。この反射［ｉｋｒ （５） ｌ二より柱
状結晶（３）からコア部＠以外の方向へ出る光は反射さ
れて柱状結晶（３）内に戻されコア部（イ）へ達する光
の効率をより向上させるとともに柱状結晶（３）の隣の
柱状結晶（３）への光の漏れを防ぎ解像度の低下をより
確実に防ぐ。この上う１ニジて沃化セシウムを主成分と
する柱状結晶からなる螢光面を充分厚くしても解像度の
劣化しない面が得られ、Ｘ線吸収と解像度と共に良い非
常に優れたＸ線螢光面が得られる。解像度の絶対値は柱
状結晶（３）の大きさにより定まるが柱状結晶の大きさ
はコア部翰の大きさにより定まる。コア部（イ）は必要
に応じて大きくも小さくもでき通常数μ〜数百μ径であ
りこの例では２００μとした。従って解像度ははゾ２．
５１ｐＡ４ｍとなった。尚沃化セシウム柱状結晶は非常
こ吸湿性が強く、吸湿すると発光しなくなり結晶がくず
れるのでカバー（４）を取りつけ内部Ｉ：乾燥した空気
を入れ防湿する。カバー（４）はＸ線を減衰させないよ
うに薄いプラスチフスで形成する。次に他の実施例を第
４図ないし第６図を参照して説明する。
この上りな一次元Ｘ線螢光素子は第６図のように配置し
て、−次元Ｘ線螢光素子（６１）と垂直方向にＸ線管（
６２）と−次元螢光素子（６１）を被写体（６３）に対
して移動させることにより２次元の像を形成する。この
場合被写体（６３）が人体であるからＸ線管（６２）と
−次元Ｘ線螢光素子（６１）の間隙は約１ｃｒＦＬと大
きな装置１；なりこれを移動させるのでその期間中Ｘ線
ファンビーム（６６）の位置がｏ、ｉｔｓ以下の精度ご
走査することは非常にむずかしく、ｘｌファンビーム（
６６）が−次元Ｘ線螢光素子（６１）に照射される位置
がずれる。そこで−次元Ｘ線螢光素子（６１）に照射さ
れる位置がずれる。そこで−次元Ｘ線螢光素子（６１）
の構造を第４図１；示すよう（ユ照射位置のずれ方向に
拡げることにより容易（；解消される。即ち第４図で支
持枠（１）、クラッド部２７沃化セシウムを主成分とす
る柱状結晶（３）１反射ｍ ｆ５） 、 カバー（４
）として、コア部磯および柱状結晶（３）の断面を偏平
（ニジ例えば２００μＸ １０００μとする。
て、−次元Ｘ線螢光素子（６１）と垂直方向にＸ線管（
６２）と−次元螢光素子（６１）を被写体（６３）に対
して移動させることにより２次元の像を形成する。この
場合被写体（６３）が人体であるからＸ線管（６２）と
−次元Ｘ線螢光素子（６１）の間隙は約１ｃｒＦＬと大
きな装置１；なりこれを移動させるのでその期間中Ｘ線
ファンビーム（６６）の位置がｏ、ｉｔｓ以下の精度ご
走査することは非常にむずかしく、ｘｌファンビーム（
６６）が−次元Ｘ線螢光素子（６１）に照射される位置
がずれる。そこで−次元Ｘ線螢光素子（６１）に照射さ
れる位置がずれる。そこで−次元Ｘ線螢光素子（６１）
の構造を第４図１；示すよう（ユ照射位置のずれ方向に
拡げることにより容易（；解消される。即ち第４図で支
持枠（１）、クラッド部２７沃化セシウムを主成分とす
る柱状結晶（３）１反射ｍ ｆ５） 、 カバー（４
）として、コア部磯および柱状結晶（３）の断面を偏平
（ニジ例えば２００μＸ １０００μとする。
この上う１−することによりずれが８００μあっても良
いことになる。従って装置の構成が大巾に簡易化され経
済的効果が大きい。
いことになる。従って装置の構成が大巾に簡易化され経
済的効果が大きい。
次に更に他の実施例を第６図を参照して説明する。
第６図に示すように一次元Ｘ線螢光面素子（６１）はＸ
線ファンビーム（６６）によって照射されるため入射Ｘ
＠はその焦点がＸ線管（６２）にありその点よりＸ線ス
リット（６ｇ）を通してファン状に照射される。
線ファンビーム（６６）によって照射されるため入射Ｘ
＠はその焦点がＸ線管（６２）にありその点よりＸ線ス
リット（６ｇ）を通してファン状に照射される。
そこで−次元Ｘ線螢光面素子（６１）のＸ線の入射方向
はその位置（二よりそれぞれ異なる。Ｘ線の入射方向と
柱状結晶（３）の成長方向がずれていると、同じ１つの
Ｘ線が隣り合った柱状結晶（３）を通ることになり１つ
のＸ線による発光点が拡がり、解像度を悪くする。そこ
で柱状結晶（３）の成長方向をそれぞれＸ線の入射方向
に傾（すると良い。このため１：沃化セシウム螢光体を
真空蒸着するときに、蒸着面Ｉ：対して蒸発源の位置を
斜め方向に置くことにより目的が達成できる。必要とす
る柱状結晶の傾きは一次元Ｘ線螢光面の中心に対して対
称となっているので、蒸発源を一次元Ｘ線螢光面の中心
に垂直な方向ｇ二集中することにより得られる。このよ
うにしてより解像度の優れた一次元螢光面素子が得られ
る。
はその位置（二よりそれぞれ異なる。Ｘ線の入射方向と
柱状結晶（３）の成長方向がずれていると、同じ１つの
Ｘ線が隣り合った柱状結晶（３）を通ることになり１つ
のＸ線による発光点が拡がり、解像度を悪くする。そこ
で柱状結晶（３）の成長方向をそれぞれＸ線の入射方向
に傾（すると良い。このため１：沃化セシウム螢光体を
真空蒸着するときに、蒸着面Ｉ：対して蒸発源の位置を
斜め方向に置くことにより目的が達成できる。必要とす
る柱状結晶の傾きは一次元Ｘ線螢光面の中心に対して対
称となっているので、蒸発源を一次元Ｘ線螢光面の中心
に垂直な方向ｇ二集中することにより得られる。このよ
うにしてより解像度の優れた一次元螢光面素子が得られ
る。
更；：他の実施例として、この−次元のＸ線像の光像変
換を更に光の強さを強めるため、これら−次元Ｘ線螢光
面素子をイ゛メージ管の入力面としオプティカルファイ
バ側の面に光電面を形成して近接集束型のイメージ管を
構成する。このようにすると大幅ζ二感度の向上した一
次元Ｘ線螢光面素子が得られる。真空容器の強度の面か
ら２次元のイメ−ジ管では大きなものは非常に高価とな
るが一次元ではその制限がなく長いものが容易にできる
。
換を更に光の強さを強めるため、これら−次元Ｘ線螢光
面素子をイ゛メージ管の入力面としオプティカルファイ
バ側の面に光電面を形成して近接集束型のイメージ管を
構成する。このようにすると大幅ζ二感度の向上した一
次元Ｘ線螢光面素子が得られる。真空容器の強度の面か
ら２次元のイメ−ジ管では大きなものは非常に高価とな
るが一次元ではその制限がなく長いものが容易にできる
。
このようにして厚膜にしても解像の劣化しにくい一次元
Ｘ線螢光面が得られるので、Ｘ線吸収効率が良い即ちＳ
ハが良く、かつ解像度の良い優れた一次Ｘ線螢光面素子
が得られ、非常Ｃ二優れたＸ線像装置を提供することが
できる。
Ｘ線螢光面が得られるので、Ｘ線吸収効率が良い即ちＳ
ハが良く、かつ解像度の良い優れた一次Ｘ線螢光面素子
が得られ、非常Ｃ二優れたＸ線像装置を提供することが
できる。
第１図は本発明の一実施例の一次元Ｘ線螢光面素子を示
す概略図、第２図は第１図の線Ａ−Ａで切断して示す断
面図、第３図は第２図の線Ｂ−Ｂで切断して示す断面図
、第４図は本発明の他の実施例を示す断面図、第５図は
第４図の線Ｃ−Ｃで切断して示す断面図、第６図は本発
明の素子の使用の仕方を説明する概念図である。 １・・・支持枠 ２・・・オプティカルファイバープレート２６・・・コ
ア部 γ・・・クラッド部３・・・沃化セシ
ウム柱状結晶 ５・・・反射膜 ４・・・カバー６２・・・
Ｘ線管 ６４・・・レンズ６５・・・光学描
像素子 ６８・・・Ｘ線スリット代理人 弁理士
則 近 憲 佑 （Ｉｉ）ソＡ） 第１図 第２図 第８図 箪４図 第５図 ＳＬ。 第６図
す概略図、第２図は第１図の線Ａ−Ａで切断して示す断
面図、第３図は第２図の線Ｂ−Ｂで切断して示す断面図
、第４図は本発明の他の実施例を示す断面図、第５図は
第４図の線Ｃ−Ｃで切断して示す断面図、第６図は本発
明の素子の使用の仕方を説明する概念図である。 １・・・支持枠 ２・・・オプティカルファイバープレート２６・・・コ
ア部 γ・・・クラッド部３・・・沃化セシ
ウム柱状結晶 ５・・・反射膜 ４・・・カバー６２・・・
Ｘ線管 ６４・・・レンズ６５・・・光学描
像素子 ６８・・・Ｘ線スリット代理人 弁理士
則 近 憲 佑 （Ｉｉ）ソＡ） 第１図 第２図 第８図 箪４図 第５図 ＳＬ。 第６図
Claims (4)
- （１）コア部およびクラッド部からなる多数のオプチカ
ルファイバを束ねて横方向に延長するように固体化した
オプチカルファイバプレートと、該オプチカルファイバ
プレートの光導入側に形成された露出コア部と、該露出
コア部上に形成された沃化セシウムを主成分とする柱状
結晶とを具備し、前記オプチカルファイバプレートの長
辺方向を一次元方向とする一次元Ｘ線螢光面素子。 - （２）コア部の断面が偏平形状でありその短軸方向が一
次元方向と一致するよう配列していることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の一次元Ｘ線螢光面素子。 - （３）前記柱状結晶は最上層に光反射層または光遮断層
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第２項記載の一次元Ｘ線螢光面素子。 - （４）前記柱状結晶は成長方向が柱状結晶列の中央から
垂直方向の一点方向に向かうように傾いて形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項
記載の一次元Ｘ線螢光面素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201557A JPS6180097A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 一次元ｘ線螢光面素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59201557A JPS6180097A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 一次元ｘ線螢光面素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180097A true JPS6180097A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16443020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59201557A Pending JPS6180097A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 一次元ｘ線螢光面素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180097A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004515790A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | アグファ ゲーヴェルト アクチェンゲゼルシャフト | メモリ層，変換層，ｘ線情報の読出装置及びｘ線カセット |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59201557A patent/JPS6180097A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004515790A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-05-27 | アグファ ゲーヴェルト アクチェンゲゼルシャフト | メモリ層，変換層，ｘ線情報の読出装置及びｘ線カセット |
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