JPS6180245A - レジスト組成物およびパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジスト組成物およびパタ−ン形成方法Info
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- JPS6180245A JPS6180245A JP59203222A JP20322284A JPS6180245A JP S6180245 A JPS6180245 A JP S6180245A JP 59203222 A JP59203222 A JP 59203222A JP 20322284 A JP20322284 A JP 20322284A JP S6180245 A JPS6180245 A JP S6180245A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路、磁気バブルメモリ等の製造
に適用される微細なパターンの形成に適するレジスト組
成物、および該組成物を用いたパターン形成方法に関す
るものである。
に適用される微細なパターンの形成に適するレジスト組
成物、および該組成物を用いたパターン形成方法に関す
るものである。
（従来技術とその問題点）
集積回路、バブルメモリ素子などの製造において、光学
的リンクラフィオたは電子ビームリングラフィが主要な
手段として用いられている。これらの手段を用いて微細
なパターンを形成する際、光学的リソグラフィζこおい
て≦」基板からの反射波の影智、電子ビーｌ、リソグラ
フィにおいては電子の散乱の影餐によりレジストが厚い
場合は解像度が低下することが知られている。また、高
解像のレジストパターンを得るためにレジストを薄くす
ると、後のフロセスにおけるレジストの耐性が不充分に
なるという不都合さかある。さらに、基板に段差がある
場合には、従来のリソグラフィζこよって微細なレジス
トパターンを形成することは著しく困難である。
的リンクラフィオたは電子ビームリングラフィが主要な
手段として用いられている。これらの手段を用いて微細
なパターンを形成する際、光学的リソグラフィζこおい
て≦」基板からの反射波の影智、電子ビーｌ、リソグラ
フィにおいては電子の散乱の影餐によりレジストが厚い
場合は解像度が低下することが知られている。また、高
解像のレジストパターンを得るためにレジストを薄くす
ると、後のフロセスにおけるレジストの耐性が不充分に
なるという不都合さかある。さらに、基板に段差がある
場合には、従来のリソグラフィζこよって微細なレジス
トパターンを形成することは著しく困難である。
かかる不都合さを解決するために三層構造レジストがジ
ェイ・エム・モラン（Ｊ −Ｍ、ｈｔＩｏｒａｎ ＞う
Ｓｃヨって゛ジャーｆ）し・オフ・バキューム サイエ
ンスアンド テクノロジー（Ｊ、Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃ、
１ｅｎｃｅ ａｎｄ’ｌ’ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）第１
６巻１６２０ページ（１９７９年）に提案されている。
ェイ・エム・モラン（Ｊ −Ｍ、ｈｔＩｏｒａｎ ＞う
Ｓｃヨって゛ジャーｆ）し・オフ・バキューム サイエ
ンスアンド テクノロジー（Ｊ、Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃ、
１ｅｎｃｅ ａｎｄ’ｌ’ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ）第１
６巻１６２０ページ（１９７９年）に提案されている。
三層構造ｉこおいては、第一層（最下層）に厚い有機層
を塗布したのちシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリ
コン膜などのようにＯ６を使用するドライエツチングに
おいて蝕刻され難い薄膜を中間層として形成する。しか
る彼、中間層の上にレジストをスピン塗布し、電子ヒー
ムや光によりレジストを露光し、現像する。得られたレ
ジストパターンをマスクに中間層をドライエツチングし
しかる後、中間層をマスクにＭ一層の厚い有機層をＯ
２を用いた反応性スパッタエツチング法によりエツチン
グする。この方法により高解像度の薄いレジストパター
ンを厚い有機層のパターンに変換することが出来る。し
かしながらこのような方法−こおいては第一層を形成し
た後、中間層を蒸着法、スパッタ法あるいはプラズマＣ
ＶＤ法により形成し、さらにパターンニング用レジスト
を塗布するため工程が複雑でかつ長くなるという欠点が
ある。
を塗布したのちシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリ
コン膜などのようにＯ６を使用するドライエツチングに
おいて蝕刻され難い薄膜を中間層として形成する。しか
る彼、中間層の上にレジストをスピン塗布し、電子ヒー
ムや光によりレジストを露光し、現像する。得られたレ
ジストパターンをマスクに中間層をドライエツチングし
しかる後、中間層をマスクにＭ一層の厚い有機層をＯ
２を用いた反応性スパッタエツチング法によりエツチン
グする。この方法により高解像度の薄いレジストパター
ンを厚い有機層のパターンに変換することが出来る。し
かしながらこのような方法−こおいては第一層を形成し
た後、中間層を蒸着法、スパッタ法あるいはプラズマＣ
ＶＤ法により形成し、さらにパターンニング用レジスト
を塗布するため工程が複雑でかつ長くなるという欠点が
ある。
本発明らはかかる欠点を克服するために、基板上に有機
高分子膜を形成する工程、該高分子膜上に、トリアルキ
ルシリル基またはジメチルフェニルシリル基を有する高
分子よりなるレジストを塗布する工程、リングラフィ技
術を用いて前記レジスト膜に所望のパターンを形成する
工程、前記パターンか形成された前記レジスト族をマス
クとして、前記有（政高分子膜をドライエツチングする
工程を１することを特徴とＡ−る微細パターン形成方法
を提供し、この方法が、三膚構造に比ベニ程が簡略化さ
れており、実用的であることを示した。
高分子膜を形成する工程、該高分子膜上に、トリアルキ
ルシリル基またはジメチルフェニルシリル基を有する高
分子よりなるレジストを塗布する工程、リングラフィ技
術を用いて前記レジスト膜に所望のパターンを形成する
工程、前記パターンか形成された前記レジスト族をマス
クとして、前記有（政高分子膜をドライエツチングする
工程を１することを特徴とＡ−る微細パターン形成方法
を提供し、この方法が、三膚構造に比ベニ程が簡略化さ
れており、実用的であることを示した。
（この成果の一部は、ジャーナル・Ａブ・ジ・エレクト
ｒ］ケミカル・ソサエティ、Ｊ 、ＥｌｅｃＬｒｏｃｈ
−ｃｍ 、 ５（Ｉｃ 、第１３０巻、１９６２ベージ
（１９８３年）に発表した）。発表した前ｈ［ｉパター
ン形成方法はネカ型のパタンを形成するものであり、ポ
ジ型のパタンを形成し得るレジスト組成物およびパタン
形成方法が望まれていた。
ｒ］ケミカル・ソサエティ、Ｊ 、ＥｌｅｃＬｒｏｃｈ
−ｃｍ 、 ５（Ｉｃ 、第１３０巻、１９６２ベージ
（１９８３年）に発表した）。発表した前ｈ［ｉパター
ン形成方法はネカ型のパタンを形成するものであり、ポ
ジ型のパタンを形成し得るレジスト組成物およびパタン
形成方法が望まれていた。
（発明の目的）
本発明は、微細で高ｙｎｊ度のホジ型パターンを容易に
形成できるレジスト組成物およびしレジスト組成物の高
いドライエツチング耐性を利用したポジ型のパターン形
成方法を提供しようとするものである。
形成できるレジスト組成物およびしレジスト組成物の高
いドライエツチング耐性を利用したポジ型のパターン形
成方法を提供しようとするものである。
（発明の構成）
本発明によれば、一般式ＡまたはＣで示される構造を含
むノボラック樹脂と、一般式１（で示される感光剤とを
共に含むことを特徴とするレジスト組成物が得られる。
むノボラック樹脂と、一般式１（で示される感光剤とを
共に含むことを特徴とするレジスト組成物が得られる。
更に本発明によれば基板上に有機高分子膜を塗布する工
程、該有機高分子膜上にドライエツチング耐性の高いレ
ジスト材料を塗布する工程、リングラフィ技術を用いて
該レジスト膜に所望のパターンを形成する工程、および
該パターンか形成された前記レジスト膜をマスクとして
前記有機高分子膜をドライエラランクする工程を有する
微細パターン形成方法において、前記レジスト材料とし
て一般式Ａ又はＣで示される構造を含むノボラック樹脂
と一般式Ｂで示される感光剤さを共に含むレジスト組成
物を用いることを特徴とするレジストパターン形成方法
が得られる。
程、該有機高分子膜上にドライエツチング耐性の高いレ
ジスト材料を塗布する工程、リングラフィ技術を用いて
該レジスト膜に所望のパターンを形成する工程、および
該パターンか形成された前記レジスト膜をマスクとして
前記有機高分子膜をドライエラランクする工程を有する
微細パターン形成方法において、前記レジスト材料とし
て一般式Ａ又はＣで示される構造を含むノボラック樹脂
と一般式Ｂで示される感光剤さを共に含むレジスト組成
物を用いることを特徴とするレジストパターン形成方法
が得られる。
（式中、ｎは１ないし３．Ｒは水素原
子またはメナル基を表わす）
一般式Ｃ：
（式中、ｎは正の整数）
（式中、Ｒ′およびＲ＃は同一でも異
なっていてもよく、各々、置換も
しくは非置換アルキル基、置換も
しくは非ｆｊｊＬ換アリール基を表わす）（構成の詳細
な説明） 本発明は上述の構成をとることにより従来技術の問題点
を解決した。以下に本発明の構成を詳細に説明する。
な説明） 本発明は上述の構成をとることにより従来技術の問題点
を解決した。以下に本発明の構成を詳細に説明する。
本発明で用いられるノボラック樹脂は、特許請求の範囲
に示した一般式ＡまたはＣで表わされる単位構造を少な
くとも含むが、該樹脂は、一般式ＡまたはＣで示される
単位構造のほかに、などで示される構造を含んでいても
よい。
に示した一般式ＡまたはＣで表わされる単位構造を少な
くとも含むが、該樹脂は、一般式ＡまたはＣで示される
単位構造のほかに、などで示される構造を含んでいても
よい。
上記構造単位の中ではアルカリ可溶性を最も増大させる
という観点からは（Ｃ１が最もよい。また、このノボラ
ック樹脂の重合度は、本発明者らの実験１こよれは２０
を越えない。本発明のノボラック樹脂憂こ感光性物質を
添加してレジスト組成物として用いる場合には、該樹脂
は塗布され得るために何らかの溶剤に可溶である必要が
あり、また現像に適した溶剤（例えば、アルカリ性物質
を含む水溶液）に可溶である必要かあるので、ノボラッ
ク樹脂中の一般式ＡまたはＣの含有率は８０ｎ−＋ｏｚ
％以下が望才しい。また十分なドライエッナング耐性を
もたせるためには一般式ＡｔたはＣの含有率は２ Ｏｎ
＋ｏｚ−以上が望才し、い。
という観点からは（Ｃ１が最もよい。また、このノボラ
ック樹脂の重合度は、本発明者らの実験１こよれは２０
を越えない。本発明のノボラック樹脂憂こ感光性物質を
添加してレジスト組成物として用いる場合には、該樹脂
は塗布され得るために何らかの溶剤に可溶である必要が
あり、また現像に適した溶剤（例えば、アルカリ性物質
を含む水溶液）に可溶である必要かあるので、ノボラッ
ク樹脂中の一般式ＡまたはＣの含有率は８０ｎ−＋ｏｚ
％以下が望才しい。また十分なドライエッナング耐性を
もたせるためには一般式ＡｔたはＣの含有率は２ Ｏｎ
＋ｏｚ−以上が望才し、い。
本発明のレジスト組成物は、上記ノボラック樹脂と共に
、特許請求の範囲に示した一般式Ｂで表わされる感光剤
を含むことを特徴とする。該感光剤は、捺紫外光露光用
ホジ型レジストの感光剤として、ヒー＝フイ＝クランド
（Ｂ−１）−Ｇｒａｎｔ ）らによって試用されており
、その結果かアイ・イーイー・イー・トランサクション
・オン・エレクトロン・デバイス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓａｃＬｉｏｎｓ ｏｎ ＥＩｅ −ｃｔｒｏｎ ｌ’
）ｅｖｉｃｅｓ ）第２８巻１３００ページ（１９８１
年）に報告されているが、パターンの解像度、精度およ
び再現性に欠けている。本発明者らが、本発明における
レジスト組成物の感光剤として前記しかも再現性よく有
られることがわかった。才た電子ビーム、イオンビーム
、やＸ線等の光源に対してもこの感光剤を使用すること
ができる。
、特許請求の範囲に示した一般式Ｂで表わされる感光剤
を含むことを特徴とする。該感光剤は、捺紫外光露光用
ホジ型レジストの感光剤として、ヒー＝フイ＝クランド
（Ｂ−１）−Ｇｒａｎｔ ）らによって試用されており
、その結果かアイ・イーイー・イー・トランサクション
・オン・エレクトロン・デバイス（ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓａｃＬｉｏｎｓ ｏｎ ＥＩｅ −ｃｔｒｏｎ ｌ’
）ｅｖｉｃｅｓ ）第２８巻１３００ページ（１９８１
年）に報告されているが、パターンの解像度、精度およ
び再現性に欠けている。本発明者らが、本発明における
レジスト組成物の感光剤として前記しかも再現性よく有
られることがわかった。才た電子ビーム、イオンビーム
、やＸ線等の光源に対してもこの感光剤を使用すること
ができる。
該感光剤のレジスト組成物中における割合は、ケイ素原
子を含むノボラック樹脂１００クラムに対して５ないし
１００クラムの範囲であることが望才しく、２０ないし
５０クラムの範囲であることがさらに望ましい。感光剤
以外に少量のセ」加重な樹脂（例えば塗布ａＬ下地の接
着性を向上させるもの）、可塑剤などが添加されていて
もよい。
子を含むノボラック樹脂１００クラムに対して５ないし
１００クラムの範囲であることが望才しく、２０ないし
５０クラムの範囲であることがさらに望ましい。感光剤
以外に少量のセ」加重な樹脂（例えば塗布ａＬ下地の接
着性を向上させるもの）、可塑剤などが添加されていて
もよい。
つづいて、パターンを形成する方法を詳細に説明する。
第−増に厚い有機Ｍ４−スピン塗布し、蒸発乾固せしめ
た後、該有機膜上に、本発明のレジスト組成物クニスピ
ン塗布する。塗布の際の溶剤としては、第一１−の有機
膜を溶解・変形しない溶剤を選択する必要かある。塗布
後、適当な条件で加熱乾燥した後、本発明のレジスト組
成物を、電子線・イオンビーム・Ｘ線・深紫外線等で露
光し、ひきつづいて現像することにより、所定のレジス
トパターンを描くことができるか、本発明のレジスト組
成物の現像に適する現像液としては、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム尋の無機アルカリ水溶液、水酸化テト
ラメチルアンモニウム、コリン等の有機アルカリを含む
水溶液など、アルカリ性を示す水溶液をずべて含む。ア
ルカリ性物質の他（こ、界面活性剤等の付加的な添加剤
か加えられていてもよい、。
た後、該有機膜上に、本発明のレジスト組成物クニスピ
ン塗布する。塗布の際の溶剤としては、第一１−の有機
膜を溶解・変形しない溶剤を選択する必要かある。塗布
後、適当な条件で加熱乾燥した後、本発明のレジスト組
成物を、電子線・イオンビーム・Ｘ線・深紫外線等で露
光し、ひきつづいて現像することにより、所定のレジス
トパターンを描くことができるか、本発明のレジスト組
成物の現像に適する現像液としては、水酸化ナトリウム
、水酸化カリウム尋の無機アルカリ水溶液、水酸化テト
ラメチルアンモニウム、コリン等の有機アルカリを含む
水溶液など、アルカリ性を示す水溶液をずべて含む。ア
ルカリ性物質の他（こ、界面活性剤等の付加的な添加剤
か加えられていてもよい、。
現像により得られたレジストパターンをマスクとして、
第一層の厚い有機層を酸素を用いた反応性イオンエッチ
ンクや酸素イＡンビームエツナングに代表されるドライ
エッチツク法によってエツチングする３３シかる後、微
細パターンが形成された厚い高機層が得られる。
第一層の厚い有機層を酸素を用いた反応性イオンエッチ
ンクや酸素イＡンビームエツナングに代表されるドライ
エッチツク法によってエツチングする３３シかる後、微
細パターンが形成された厚い高機層が得られる。
本発明におけるレジスト組成物は酸素による反応性イオ
ンエッチンクや酸素イオンヒームエッチングやＮ、＋）
］２による反応性イオンエツチング勢のドライエッナツ
ク法に対しで極めて強いので、２０００′Ａ程の膜厚が
あれは、１５０００ス程度の厚い有機膜をエツチングす
る際のマスクとなり得る。
ンエッチンクや酸素イオンヒームエッチングやＮ、＋）
］２による反応性イオンエツチング勢のドライエッナツ
ク法に対しで極めて強いので、２０００′Ａ程の膜厚が
あれは、１５０００ス程度の厚い有機膜をエツチングす
る際のマスクとなり得る。
シタがってパターン形成のためのレジスト膜は薄くてよ
いので高解像度のパターンか容易に得られる。また第一
層に厚い有機膜があるため、基板からの反射等の悪影譬
、段差部における異常な近接効果を除くことかできる。
いので高解像度のパターンか容易に得られる。また第一
層に厚い有機膜があるため、基板からの反射等の悪影譬
、段差部における異常な近接効果を除くことかできる。
また工程も三膚構造に比べ簡略化でき、かつ深紫外線霧
光で高ｆｉ１１度θ′）ポジ型レジストパターンか容易
に伯られるという利点を持つため、より実用的である。
光で高ｆｉ１１度θ′）ポジ型レジストパターンか容易
に伯られるという利点を持つため、より実用的である。
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
（実施例）
表１に、本発明のレジスト組成物中に用いたケイ素原子
を含有するノホラツク樹脂の合成結果を示す。＋ｊ加加
縮及反応、エタノール中で濃塩酸を添加して１２時間行
なった。樹脂の収率はすべて定量的であったので、原料
の比率が、樹脂中でも保たれている。
を含有するノホラツク樹脂の合成結果を示す。＋ｊ加加
縮及反応、エタノール中で濃塩酸を添加して１２時間行
なった。樹脂の収率はすべて定量的であったので、原料
の比率が、樹脂中でも保たれている。
ユニ’ＩＯ′ｏ□＋Ｃ１ＪＳ＋ （（，１１３）３引き
つづき、レジスト組成物の調整の実施例を詳細に示す。
つづき、レジスト組成物の調整の実施例を詳細に示す。
５．ＯｆのＰｉ、２．Ｏｆの感光剤（２，２−ジメチル
−５−ジアゾ−１，３−シオキ勺ンー４．６−ン詞ン、
以下へ・＋１と略す）を、４５ｆのシフライム（ジエチ
レンクリコールジメナハエーテル）に溶解して得た組成
物を０２μｍ１１のフィルターで濾過し、レジスト組成
物溶液ＰＩ−Ｍｌを得た。構造の異なる樹脂（Ｐ２〜Ｐ
１２）、および構造の異なる感光剤（２−メチル−２−
フェニル−５−ジアン−１，３−ジオキサン−４，６−
シオン、以下Ｍ２と略す）を用いたレジスト組成物を、
シフライムを溶媒として、同様−こあわせて調製した。
−５−ジアゾ−１，３−シオキ勺ンー４．６−ン詞ン、
以下へ・＋１と略す）を、４５ｆのシフライム（ジエチ
レンクリコールジメナハエーテル）に溶解して得た組成
物を０２μｍ１１のフィルターで濾過し、レジスト組成
物溶液ＰＩ−Ｍｌを得た。構造の異なる樹脂（Ｐ２〜Ｐ
１２）、および構造の異なる感光剤（２−メチル−２−
フェニル−５−ジアン−１，３−ジオキサン−４，６−
シオン、以下Ｍ２と略す）を用いたレジスト組成物を、
シフライムを溶媒として、同様−こあわせて調製した。
それらの組成をＰＩ−Ｍｌとあわせて表２に示す。
表 ２
つづいて、実際に基板上でパターン形成を行なった実施
例について記す。シリコン基板上に、デュポン社製ポリ
イミドｅ１ｍ （商品名：ＰＩ−２５５５）を塗布し、
３５０℃で１時間焼きしめを行い１３μｍの厚みを得た
。
例について記す。シリコン基板上に、デュポン社製ポリ
イミドｅ１ｍ （商品名：ＰＩ−２５５５）を塗布し、
３５０℃で１時間焼きしめを行い１３μｍの厚みを得た
。
しかる後にレジスト組成物Ｐ４−ＭｌをＰＩ−２５５５
上にスピン塗布して２８０ＯＡの膜を形成した。８０°
０で３０分間乾燥後に波長２５４ｎｍの光源を用いて、
クロムマスクを介して６００ｍＪ／ｍの照射量で路光し
、０．１５規定の水酸化ナトリウム水溶液による現像を
行なった後に、水洗して、乾＊ｍ、平材平板型の反応性
１１累イオンエツチング装置を用いて、０．０８Ｗ／ｃ
＋ノｌＯ）■也）゛パワー、酸素流ｆｉ ５５ｃＣＩｎ
、圧力１．６ ｐａで１００分間エラランクたところ、
Ｐ４−Ｍｌの膜ζこ措かれていたサフミクロンのホシ型
パターンが、高精度でＰ Ｉ −２５５５に転写された
２表２に示した他のレジスト組成物をＰ４−１ｋ・１１
のかわりに用いても同じく、１７ミクロンパターンの形
成が行なわれた。転写により得られた厚いパターンは、
引きつついて基板の加工（エツチング、イオン壮大、リ
ントオフ等）を行なつ場合に光分なマスク効果を有する
もＱ）である。
上にスピン塗布して２８０ＯＡの膜を形成した。８０°
０で３０分間乾燥後に波長２５４ｎｍの光源を用いて、
クロムマスクを介して６００ｍＪ／ｍの照射量で路光し
、０．１５規定の水酸化ナトリウム水溶液による現像を
行なった後に、水洗して、乾＊ｍ、平材平板型の反応性
１１累イオンエツチング装置を用いて、０．０８Ｗ／ｃ
＋ノｌＯ）■也）゛パワー、酸素流ｆｉ ５５ｃＣＩｎ
、圧力１．６ ｐａで１００分間エラランクたところ、
Ｐ４−Ｍｌの膜ζこ措かれていたサフミクロンのホシ型
パターンが、高精度でＰ Ｉ −２５５５に転写された
２表２に示した他のレジスト組成物をＰ４−１ｋ・１１
のかわりに用いても同じく、１７ミクロンパターンの形
成が行なわれた。転写により得られた厚いパターンは、
引きつついて基板の加工（エツチング、イオン壮大、リ
ントオフ等）を行なつ場合に光分なマスク効果を有する
もＱ）である。
（発明の効果）
本発明によって、ケイ素原子４−含むフェノール樹脂と
２．２−２９換−５−シアシー１．二う−ジオキサン類
４０−ノ詞ン類を共に含ゼ１新規ｌまボッ型レジスト組
成物が得られた。該レジスト組成物に無光によって描か
れたパターンは、ドライエソチンクにおいて厚い有機層
をエツチングする際（）、・マス（１の
２．２−２９換−５−シアシー１．二う−ジオキサン類
４０−ノ詞ン類を共に含ゼ１新規ｌまボッ型レジスト組
成物が得られた。該レジスト組成物に無光によって描か
れたパターンは、ドライエソチンクにおいて厚い有機層
をエツチングする際（）、・マス（１の
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式Ａで示される構造を含むノボラック樹脂と、
一般式Ｂで示される感光剤とを共に含むことを特徴とす
るレジスト組成物。 一般式Ａ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｎは１ないし３、Ｒは水素原子またはメチル基
を表わす） 一般式Ｂ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ′およびＲ″は同一でも異なっていてもよく
、各々、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは
非置換アリール基を表わす。） ２、一般式Ｃで示される構造を含むノボラック樹脂と、
一般式Ｂで示される感光剤とを共に含むことを特徴とす
るレジスト組成物。 一般式Ｃ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｎは正の整数） 一般式Ｂ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ′およびＲ″は同一でも異なっていてもよく
、各々、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは
非置換アリール基を表わす。） ３、基板上に有機高分子膜を塗布する工程、該有機高分
子膜上にドライエッチング耐性の高いレジスト材料を塗
布する工程、リソグラフィ技術を用いて該レジスト膜に
所望のパターンを形成する工程、および該パターンが形
成された前記レジスト膜をマスクとして前記有機高分子
膜をドライエッチングする工程を有する微細パターン形
成方法において、前記レジスト材料として一般式Ａで示
される構造を含むノボラック樹脂に感光剤として一般式
Ｂで示される化合物を添加してなるレジスト組成物を用
いることを特徴とするパターン形成方法。 一般式Ａ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｎは１ないし３、Ｒは水素原子またはメチル基
を表わす） 一般式Ｂ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ′およびＲ″は同一でも異なっていてもよく
、各々、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは
非置換アリール基を表わす） ４、基板上に有機高分子膜を塗布する工程、該有機高分
子膜上にドライエッチング耐性の高いレジスト材料を塗
布する工程、リソグラフィ技術を用いて該レジスト膜に
所望のパターンを形成する工程、および該パターンが形
成された前記レジスト膜をマスクとして前記有機高分子
膜をドライエッチングする工程を有する微細パターン形
成方法において、前記レジスト材料として一般式Ｃで示
される構造を含むノボラック樹脂に感光剤として一般式
Ｂで示される化合物を添加してなるレジスト組成物を用
いることを特徴とするパターン形成方法。 一般式Ｃ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｎは正の整数） 一般式Ｂ： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ′およびＲ″は同一でも異なっていてもよく
、各々、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは
非置換アリール基を表わす）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203222A JPS6180245A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レジスト組成物およびパタ−ン形成方法 |
| US06/724,457 US4624909A (en) | 1984-04-27 | 1985-04-18 | Silicon-containing novolak resin and resist material and pattern forming method using same |
| GB08510722A GB2158450B (en) | 1984-04-27 | 1985-04-26 | Silicon-containing novolak resin and material and pattern forming method using same |
| DE19853515210 DE3515210A1 (de) | 1984-04-27 | 1985-04-26 | Trimethylsilygruppen enthaltende novolakharze, ihre verwendung zur herstellung von photoresist-material und -mustern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203222A JPS6180245A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | レジスト組成物およびパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180245A true JPS6180245A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16470478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203222A Pending JPS6180245A (ja) | 1984-04-27 | 1984-09-28 | レジスト組成物およびパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6180245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344652A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-25 | Sony Corp | レジスト材料 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203222A patent/JPS6180245A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344652A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-25 | Sony Corp | レジスト材料 |
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