JPS6182434A

JPS6182434A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JPS6182434A
Application number: JP59204824A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yamazaki; 隆山崎; Haruo Okano; 晴雄岡野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1984-09-29
Filing date: 1984-09-29
Publication date: 1986-04-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は、半導体装置の製造等に用いられるプラズマ処
理装置に係わり、特に高速にドライエツチング若しくは
膜形成等を行うプラズマ処理装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

近年、半導体集積回路は微細化の一途を辿り、最近では
最小寸法が１〜２［μｍ］の超微細素子も試作開発され
ている。このような微細加工には、通常平行平板型電極
を有する真空排気された容器内にＣＦ４やＣＣｌ２等の
反応性ガスを導入ＩＪ、試料載置の電極（陰極）に高周
波電力を印加することによりグロー放電を生じさせ、こ
の陰極に生じる負の直流自己バイアス（陰極降下電圧）
によりプラズマ中の正イオンを加速して試料に垂直に照
射し、該試料を物理化学反応によりエツチングする、所
謂反応性イオンエツチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ
　ｌ　ｏｎ　　Ｅ　ｔｃｈｉｎｇ）法が用いられている
。

しかし、この平行平板電極によるＲＩＥでは、ガス解離
効果の比較的低いグロー放電を利用しているので、例え
ばＣＦ４　＋Ｈ２ガスを用いたＳ　ｉ　０２のエツチン
グ速度は高々３００〜４００［人／ｌｌ１ｉｎ　］に過
ぎず、コンタクトホール等の１［μｍ］膜厚のＳ　ｉ　
０２をエツチングするのに数１０分以上もの時間を要し
、量産性の点で極めて不都合であった。このため、エツ
チング速度の高速化が望まれている。

これに対し本発明者は、高周波電力印加の陰極下に永久
磁石からなる磁場発生手段を設け、マグネトロン放電に
より高速エツチングを可能としたドライエツチング装置
を開発した（特開昭５７−９８６７８号）。この装置の
原理は、第１０図に示す如く永久磁石１の閉ループを形
成する磁極間隙２に発生する磁界３とこの磁界３に直交
する電界４とにより、電子５をサイクロイド運動させ、
導入した反応性ガスとの衝突頻度を大幅に増加させて多
量の反応イオンを発生させることにある。

なお、図中６は被エツチング試料を示している。

その結果、多量のイオンが試料６に垂直に入射すること
になり、高速の異方性エツチングが達成される。

しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。即ち、前記磁極間隙２を静止したままだとト
ラック状に発生する高密度のマグネトロン放電領域７の
みしかエツチングされず、試料６全体を均一にエツチン
グするためには！！磁極間隙を試料６の長径より大きく
走査する必要がある。第１１図はＣＦ４ガスによりＳｉ
Ｏ２をエツチングしたときのエツチング速度を試料エツ
ジからの距離の関数として測定した結果を示す特性図で
ある。なお、このとき磁極間隙２は第１２図に示す如く
試料６のエツジから３０［ｍｍ］離して静止させておい
た。第１１図から、試料エツジ付近では１０秒間のエツ
チングで約１０００〜２０００　［人コエッチングされ
、試料エツジより内側となる程エツチング速度が遅くな
ることが判る。前記走査の戻り時間が例えばｏ、０５秒
と高速であったとしても、約８０回の走査で２秒間磁極
間隙２を試料６の両側に静止させたことと等価となり、
従ってこの走査回数において第１２図に示す状態でエツ
チングされる試料エツジの深さは５００　［人］に近い
値となる。このような周辺の領域の速いエラ升ングが試
料全体の均一エツチング性を低下させる要因となる。こ
れを防止する手法として磁極間隙２の走査幅を広げるこ
とが考えられるが、この場合装置の大形化やエツチング
速度の低下等を招き、将来の大口径化（６インチ以上）
への対応が困難となる。

また、上述した問題はエツチングに限らずプラズマＣＶ
Ｄやスパッタリング堆積による膜形成にも同様に言える
ことである。例えば、スパッタリング堆積の場合、平行
平板型電極を用い陰極に試料としてのターゲットを、陽
極に膜形成されるべきウェハを配置して膜形成を行う際
に、陰極上のターゲットが均一にエツチングされないと
ウェハ上に形成される膜が不均一となり均一な膜形成が
できないし、ターゲットの寿命も短くなってしまう。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、装置構成の大形化を招くことなり１．
試料を均一に高速エツチング若しくはスパッタリング或
いは試料上に均一な厚みの膜を形成することができ、且
つ試料の大口径化にも十分対処し得るプラズマ処理装置
を提供することにある。

〔発明の概要〕

本発明の骨子は、前述した磁極間隙を有する永久磁石に
代えて、所定方向に連続移動可能な磁場を電気的に発生
する磁場発生手段を用いることにある。

即ち本発明は、高周波電力が印加されると共に表面側に
試料が配置される陰極及び該陰極に対向配置された陽極
を備えたプラズマ処理室と、この処理゛堅固に被励起ガ
スを導入すると共に、上記処理空白を排気する手段と、
磁性コア及び該磁性コアに巻装され相互に位相の異なる
交流電流が通流される複数のコイルからなり、前記処理
室外で前記陰極の裏面側に対向配置され、該陰極の表面
側に磁場を印加し且つこの磁場を一方向に連続移動する
磁場発生器と、上記磁場の゛移動方向を反転する手段を
具備してなるものであり、上記磁場発生器により陰極上
の試料の表面側に進行磁界を発年させ、仮想的に高密度
プラズマ領域を試料上で均一に一方向に走査するように
したものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁性コア及び複数のコイルからなる磁
場発生手段により高密度プラズマ領域を常に一方向（及
びこれと逆方向）に走査することになるので、陰極上に
試料として被エツチング試料を配置した場合、試料全体
を高速エツチングすることができる。しかも、磁極間隔
を往復走査させた場合のように試料エツジ近傍のエツチ
ング速度が特に速くなる等の不都合はなく、試料全体を
均一にエツチングすることができる。また、陰極上に膜
形成されるべき試料を配置した場合、その膜の均一性を
向上させることができる。さらに、陰極上に試料として
のターゲットを、陽極上に膜形成されるべき部材を配置
した場合、ターゲットが高速に均一エツチングされるの
で、試料上に被膜を均一に且つ速やかに形成することが
できる。

また、前記高密度プラズマの走査を電気的に行うことが
でき、つまり磁場発生手段を固定したまま磁場を一方向
に連続移動できるので、装置構成の小形化をはかり得る
。ざらに、上記理由から機械的可動部が不要となり、信
頼性の向上をはかることができる。従って、半導体製造
技術分野における有用性は絶大であり、試料の大口径化
にも十分対処し得る。

また、磁場の移動方向を処理中に少なくとも１回反転さ
せることにより、リング巻或いは２相巻等のりニアモー
タ固定子を用いた場合の磁界強度不均一性の問題を解決
することができる。

〔発明の実施例〕

第１図は本発明の第１の実施例に係わるドライエツチン
グ装置を示す概略構成図である。図中１１は接地された
容器であり、この容器１１内は陰８ｉ１２によりエツチ
ング空くプラズマ処理室）１３と磁場発生器収納室１４
とに分離されている。

陰極１２には、マツチング回路１５を介して高周波電源
１６からの高周波電力が印加される。また、陰極１２は
水冷管１７により冷Ｗされており、この水冷管１７は上
記電力印加のリードとして用いられる。エツチング室１
３には反応性ガス、例えばＣＦ４を導入するためのガス
導入口１３ａ及び上記ガスを排気するためのガス排気口
１３ｂがそれぞれ設けられている。そして、被エツチン
グ試料１８はエツチング室１３内の陰極１２上に載置さ
れるものとなっている。なお、陰極１２上に対向する陽
極はエツチング室１３の土壁で形成されるものとなって
いる。

一方、前記磁場発生器収納ｖ１４内には磁性コア２０及
び数１０本以上の細い導線を束ねたコイル３０からなる
磁場発生器４０が陰極１２の下面に対向して配置されて
いる。ここで、磁性コア２０は第２図に示す如く磁性材
料の薄板を積層してなり、上面に複数の溝２１を一定間
隔に形成した断面が櫛歯状のものであり、溝２１の長さ
は試料１８の長径よりも長く、同様に溝２１と直交する
方向の磁性コア２０の長さも試料１８より長いものとな
っている。磁性コア２０の下面には内部に水路を持つ水
冷板２２が取付けられ、この水冷板・２２に接続された
水冷管２３により水冷板２２内に冷却水が通流され、磁
性コア２０が冷却されるものとなっている。ざらに、前
記コイル３０の製作後に磁性コア２０の溝２１にコイル
３０の一辺を組込むために、゛磁性コア２０は櫛歯状コ
ア２０ａとバックコア２０ｂとに分割可能な構造となっ
ている。また、前記コイル３０は第１乃至第３のコイル
３１ａ、３１ｂ、３１ｃからなるもので、第３図（１）
）に示す如く磁性コア２０の溝２１にリング巻で周期的
に巻装されている。即ち、コイル３１ａは溝２１中に一
辺が組込まれ他の一辺が該溝２１の反対側に位置するよ
うに磁性コア２０に巻装され、さらに３つの溝２１毎に
それぞれ直列接続されている。他のコイル３１ｂ、３１
についても同様である。そして、これらのコイル３１ａ
、３１ｂ、３１ｃにはスイッチ回路２５を介して位相の
異なる３相交流電流が通流されるものとなっている。な
お、スイッチ回路２５は３相交流Ｕ、Ｖ、Ｗの極性を切
換えるものである。

ここで、上記各：＋イル３１　ａ、３１　ｂ、３１　ｃ
に互いに１２０度位相の異なる３相交流電流を流すと、
磁場発生器４０上、つまり前記陰極１２上には第３図（
ａ）、に示す如く、次式で与えられるような磁束密度Ｂ
が発生する。

Ｂ−ＢＯＣＯ８（ωを一πＸ／τ）・・・・・・■ただ
し、ω−２πｆ；電源の角周波数［ｒａｄ／ｓｅａ　］
　、ｆｆ；周波数［Ｈｚ］、ｔ；時間［ｓｅｃ］、Ｘ：
磁性コア表面上の基準点からの距離［ａ＋］、τ；ポー
ルピッチ［ｊＩａ＋］である。ポールピッチは図に示す
ように磁束密度の半波長、即ち半周期の長さである。上
式より明らかなように、Ｂは時間と共に紙面右方向に移
動していく進行磁界となる（第３図　（ａ）は１−０の
時の関係を示している）。また、スイッチ回路２５によ
り任意の２回路、例えばＵ、■を切換えると、上記進行
磁界は紙面左方向に移動することになる。なお、第３図
（ｂ）は前記第２図の矢？！Ａ−Ａ断面に相当する断面
模式図である。従って、陰極１２面上には磁性コア２０
の水平方向に強弱を持つ平行磁界が発生し、あ々かも移
動しているように見えることになる。即ち、前記第１０
図で説明したように陰極１２上に高密度のプラズマ領域
が発生し、このプラズマ領域が一方向に連続移動するこ
とになる。

さらに、スイッチ回路２５により任意の２回路を切換え
ることにより、上記プラズマ領域の移動方向が反転する
ことになる。

また、前記磁場発生器収納室１４にはガス排気口１４ａ
が設けられており、収納室１４内は前記磁場発生器４０
による放電を防止するためのガス排気口１４ａを介して
１０→［ｔｏｒｒ］以下の高真空に排気されている。さ
らに、収納”ｆｆ１１４と前記エツチング室１３との間
には、電磁弁５１により駆動される仕切り弁５２が設け
られており、この仕切り弁５２によりエツチング時に各
室１３゜１４が遮断されるものとなっている。なお、第
４図中５３は弗素樹脂等の絶縁物、５４はＯリングシー
ルをそれぞれ示している。

このように構成された本装置の作用について説明する。

まず、ガス導入口１３ａからエツチング室１２内に例え
ばＣＦ４等の反応性ガスを導入し、エツチング室１２内
を１０　’　［ｔｏｒｒ］に保持した後、陰極１２に高
周波電力（１３，５６ＭＨｚ）を印加すると、陰極１２
と陽極（エツチング室１３の土壁）との間にグロー放電
を生じ低密度プラズマ領域６）が発生する。これと同時
に、前記コイル３０に交流電流を通流すると、各磁極間
隙では、互いに直交する電界Ｅと磁界Ｂとの作用により
図中に示したように互いに位相のずれた大。

中、小のマグネトロン放電を生じ、電子がＥＸ８方向に
サイクロイド運動を行いながらＣＦ４分子と多数回衝突
を繰返すことにより、高密度プラズマ領域６２が！１磁
極隙に沿って発生する。この高密度プラズマ領域６２は
前記第３図で説明したように一方向への進行磁界に周期
して動くため、試料１８が高密度プラズマ領域６２に晒
される間の積分値は試料全面で一定となる。このため、
試料全面が均一に且つ高速にエツチングされることにな
る。また、上記のエツチング処理中に、スイッチ回路２
５により１秒間に約１回の間隔で進行磁界の方向を反転
させるようにした。

このように本装置によれば、磁場発生器４０の作用によ
り試料１８を高速で且つ均一にエツチングすることがで
きる。さらに、磁場発生器４０の大きさは試料１８より
僅かに大きい程度でよく、装置の大形化を招くこともな
い。また、機械的可動部が不要となるので信頼性の向上
をはかり得、さらにこのことから装置ｉｔ１！成の小形
化をはかり得る。また、本装置では試料１８が常に高密
度プラズマ領域６２に晒されることになるので、試料１
８が大口径化してもエツチング速度の低下は極めて小さ
く、前記磁極間隙を静止させたときに近いエツチング速
度（約５μｕ／ｍｉｎ　）を得ることができる。

また、本実施例装置によれば、先に本発明者等が提案し
たプラズマ処理装置（特願昭５９−１７７９６号、特願
昭５９−１５０２０２号）に比較しても次のような利点
がある。

即ち、先願の装置ではスイッチ回路２５・を用いること
なく、コイル３０に直接３相交流電流を通流するように
しているので、磁場の移動方向は一方向であった。そし
て、上記磁場の移動方向を第１図で左から右方向とし、
本実施例と同じ条件で実験を行ったところ、第１３図（
ａ）に示す如く磁場の強さは磁性コアの左側が高く、右
側が低い傾向を示した。さらに、同図（ｂ）に示す如く
エツチングの分布もそれに伴って左側が速く、右側が遅
くなっていた。この原因について詳細は明らかではない
が、例えば磁界の進行方向を紙面布から左にした場合は
、上記の場合とは逆に右側の磁界が高く、左側が低くな
ることから、リング巻或いは二層巻等のりニアモータ固
定子を用いた場合の特性と考えられる。

これに対し、本実施例装置では、スイッチ回路２５によ
り１秒間に１回の間隔で進行磁界の向きを反転させたと
ころ、上記の不均一磁界部分（試料の両端部）が相互に
打消されることになり、第４図に示す如く良好な均一エ
ツチング特性が得られた。このため、先願よりも更にエ
ツチング均一性の向上をはかり得るのである。

第５図は本発明の第２の実施例に係わるドライエツチン
グ装置を示す概略構成図である。なお、第１図と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、前記コ
イル３０の巻方がある。即ち本実施例では、３相のコイ
ル３０ａ。

３０ｂ、３０ｃが異なる溝間に所定数（２個）の溝を挟
むように、コイル３０ａ、３０ｂ、３０ｃを周期的に巻
装した。つまり、３相交流２相巻コイルを用いた。この
ような構成であっても、先の実施例と同様の効果が得ら
れるのは、勿論のことである。

第６図は本発明の第３の実施例を説明するための要部構
成図である。この実施例が先に説明した第１の実施例と
異なる点は、前記陰極１２上にヘルムホルツコイル７１
．７２を設けたことにあり、他は先の実施例と全く同様
である。

このような構成であれば、ヘルムホルツコイル７１．７
２に電流を流すことにより、試料１８表面上の磁界強度
を増強させることができる。これにより、試料表面の水
平磁界が大きくなり、従ってイオンの加速電圧が大幅に
低下してラジエーションダメージが軽減されると云う利
点がある（Ｙ。

Ｈｏｒｉｉｋｅ、　Ｈ，０ｋａｎｏ；　Ｊｐｎ、　Ｊ、
　ＡＩ）Ｉ）Ｉ　１）ｈＹｓ。

２０（１９８１）　Ｌ８１７参照）。

第７図は本発明の第４の実施例に係わるドライエツチン
グ装置を示す概略構成図である。なお、第１図と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

この実施例が先の第１の実施例と異なる点は、前記磁場
発生器４０を大気中に配置したことにある。即ち、上記
磁場発生器４０を有する装置では、磁極間隙に発生する
磁界の大きさ及び高周波電力の大きざを十分小さくして
も従来装置を大幅に上回るエツチング速度を得ることが
できるので、陰極１２の厚みを十分厚く（１ｏｊＩ１１
以上）することもでき、格別に高真空の磁場発生器収納
室１４を設けなくても磁場発生器４ｏが放電する等の虞
れは殆どない。

従って本実施例においては、先の実施例と同様な効果が
得られるのは勿論のこと、装置構成のより簡略化をはか
り得る等の利点がある。

第８図幡本発明の第５の実施例に係わるドライエツチン
グ装置を示す概略構成図である。なお、第１図と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

この実施例が先の第１の実施例と異なる点は、前記陰極
１２の外周に磁性材料を埋込んだことにある。即ち、陰
極１２の上面には前記試料１８が載置される領域より外
側に該領域を囲むように鉄板８０が埋込まれている。

このような構成であれば、前記磁極間隙の端部が仮に鉄
板８０の下にあっても磁力線の大部分が透磁率の高い鉄
板８０内を通過することになり、鉄板色０上には磁界は
発生しない。このため、試料１８の周辺部の高密度プラ
ズマ領域６２が除去されることになる。従って、進行磁
界方向の均一性の向上をはかり得、より均一性良いエツ
チング速度を得ることができる。

なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記磁場発生器のコイルは３相巻線に限
るものではなく、２相以上であればよく、好ましくは３
ｎ相（ｎは正の整数）であればよい。つまり、磁場発生
器は、磁性コア及び複数のコイルからなり、前記陰極上
に磁場を生成しこの磁場を一方向に連続移動できるもの
であればよい。また、磁性コアに形成する溝の大きさ及
びその間隔等は仕様に応じて適宜変更可能である。

さらに、コイルに流す電流は３相交流に限るものではな
く、コイルの相数に応じた交流、つまり２相以上の交流
であればよい。ここで、コイル及び交流電流の相数を増
やす程、より均一な磁場分布を得ることが可能である。

また、前記スイッチ回路の代りには、前記コイルに流す
電流の位相を変え磁場の進行方向を反転し得るものであ
れば用いることができる。また、前記陰極を第９図に示
す如くトラック状に形成し磁場発生器もトラック状に形
成することにより、複数の試料を同時にエツチングする
ようにしてもよい。これにより農産性の向上をはかり得
る。ざらに、試料の落下防止手段を付加すれば、各実施
例装置の上下関係を逆にすることも可能である。また、
試料としては５ｉＯｚに限らず、各種被膜のエツチング
に適用できるのは勿論のことである。

また、本発明装置エツチングに限らず、プラズマＣＶＤ
やスパッタリング堆積等の膜形成、或いは灰化処理にも
適用することができる。ただし、スパッタリング堆積の
場合前記陰極上に試料としてのターゲットを配置し、前
記陽極上に膜形成されるべき部材を配置する必要がある
。そしてこの場合、前述した被エツチング試料のエツチ
ングと同様にターゲットが高速で均一にエツチングされ
るので、試料上に被膜を速い速度で形成することができ
、且つ形成される被膜の膜厚を均一にすることができる
。ざらに、エツチングの場合と同様に磁場発生器を固定
したまま磁場を一方向に移動できるので、装置構成の小
型化をはかり得、機械的可動部が不要なことから信頼性
の向上をはかり得る。またプラズマ処理室に導入する被
励起ガスは、陰極上の被エツチング試料、被堆積試料或
いはターゲットの種類に応じて適宜窓めればよい。

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して
実施することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図はそれぞれ本発明の第１の実施例に係
わるドライエツチング装置を説明するためのもので第１
図は全体構成を示す概略構成図、第２図は磁性コア構造
を示す斜視図、第３図はコ＠イルの巻き方及び発生磁界を示す模式図、第４Ｖは磁場
移動方向を反転した場合のエツチング分布を示す特性図
、第５図は本発明の第２の実施例を示す概略構成図、第
６図は本発明の第３の実施例を説明するための要部構成
図、第７図は本発明の第４の実施例を示す概略構成図、
第８図は本発明の第５の実施例を示す概略構成図、第９
図は変形例を説明するための要部構成図、第１０図乃至
第１２因はそれぞれ従来の問題点を説明するためのもの
で第１０図はマグネトロン放電利用のドライエツチング
装置の原理を示す斜視図、第１１図は試料位置とエツチ
ング深さとの関係を示す特性図、第１２図は磁極間隙と
試料位置との関係を示す模式図、第１３図は本発明者等
が先に提案したプラズマ処理装置（特願昭５９−１７７
９６号、特願昭５９−１５０２０２号）の問題点を説明
するための特性図である。１１・・・エツチング容器、１２・・・陰極、１３・・
・エツチング空（プラズマ処理室）、１３ａ・・・ガス
導入口、１３ｂ、１４ａ・・・ガス排気口、１４・・・
磁場発生器収納空、１５・・・マツチング回路、１６・
・・高周波電源、１７・・・水冷管、１８・・・被エツ
チング試料、２ｏ・・・磁性コア、２０ａ・・・櫛歯状
コア、２０ｂ・・・バックコア、２１・・・溝、２５・
・・スイッチ回路、３０．３０ａ、３　ｌ　ｂ、３１　
ｃ・・・コイル、６）・・・低密度プラズマ領域、６２
・・・高密度プラズマ処理室、７１．７２・・・ヘルム
ホルツコイル、８０・・・鉄板。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦９５６図第７図　ｖ　Ｗ第９図第１０図第１２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高周波電力が印加されると共に試料が配置される
陰極及び該陰極に対向配置された陽極を備えたプラズマ
処理室と、この処理室内に被励起ガスを導入する手段と
、上記処理室内を排気する手段と、前記処理室外で前記
陰極に対向配置される磁性コア及び該磁性コアに巻装さ
れ相互に位相の異なる交流電流が通流される複数のコイ
ルからなり、前記試料上に所定方向に連続移動する磁場
を発生する磁場発生手段と、上記磁場の移動方向を反転
する手段とを具備してなることを特徴とするプラズマ処
理装置。
（２）前記被励起ガスは反応性ガスであり、これにより
前記陰極上に配置される試料がエッチングされることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装
置。
（３）前記陰極上に配置される試料の表面には、気相成
長により膜が形成されることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のプラズマ処理装置。
（４）前記陰極上に配置される試料は、膜形成の原料と
なるターゲットであり、このターゲットに対するスパッ
タリングにより前記陽極上に配置される部材に膜が形成
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ラズマ処理装置。
（５）前記磁性コアは断面が櫛歯状でその複数の溝が前
記陰極に対向するように配置され、前記各コイルは上記
溝中に一辺が組込まれ他の一辺が該溝の反対側に位置す
るリング巻に上記磁性コアに巻装されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。
（６）前記磁性コアは、断面が櫛歯状でその複数の溝が
前記陰極に対向するよう配置され、前記各コイルはそれ
ぞれ異なる溝間に所定数の溝を挟み周期的に巻装される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ
処理装置。
（７）前記複数のコイルは３ｎ相（ｎは正の整数）のコ
イルを構成し、これらのコイルに３ｎ相交流電流が通流
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプ
ラズマ処理装置。
（８）前記磁場の移動方向を反転する手段は、前記３ｎ
相のコイルに通流される３ｎ相交流電流の位相を切換え
るスイッチ回路からなるものであることを特徴とする特
許請求の範囲第７項記載のプラズマ処理装置。