JPS6182468A - カラ−イメ−ジセンサ - Google Patents
カラ−イメ−ジセンサInfo
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- JPS6182468A JPS6182468A JP59204889A JP20488984A JPS6182468A JP S6182468 A JPS6182468 A JP S6182468A JP 59204889 A JP59204889 A JP 59204889A JP 20488984 A JP20488984 A JP 20488984A JP S6182468 A JPS6182468 A JP S6182468A
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- conversion element
- element array
- semiconductor film
- amorphous semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
- H10F39/192—Colour image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はカラーイメージセンサ、特にアモルファス半
°導体膜を用いて長尺化した場合に適した構造のカラー
イメージセンサに関する。
°導体膜を用いて長尺化した場合に適した構造のカラー
イメージセンサに関する。
原稿上の画像を読取るためのデバイスとして、大面積化
が容易なアモルファスシリコン膜を使用した密着型イメ
ージセンサと呼ばれる長尺イメージセンサの開発が盛ん
である。このようなイメージセンサの代表的な構造は、
基板上に素子毎に分割された個別電極としてのＱｒ等に
よる金属電極。
が容易なアモルファスシリコン膜を使用した密着型イメ
ージセンサと呼ばれる長尺イメージセンサの開発が盛ん
である。このようなイメージセンサの代表的な構造は、
基板上に素子毎に分割された個別電極としてのＱｒ等に
よる金属電極。
水素化アモルファスシリコン躾、共通電極としてのＩＴ
Ｏ膜等による透明電極を順次積層形成して、光電変換素
子列（フォトダイオードアレイ）を形成したものであり
、透明電極側から光を入射し、金ｆｉ電極を通して光電
流を取出す構成となっている。
Ｏ膜等による透明電極を順次積層形成して、光電変換素
子列（フォトダイオードアレイ）を形成したものであり
、透明電極側から光を入射し、金ｆｉ電極を通して光電
流を取出す構成となっている。
このような構造のイメージセンサは単色雨傘を読取るに
は適しているが、カラー画像を読取ろうとすると、少な
くとも３倍の画素を必要とするため、解８度が低下する
という問題があった。この問題を解決するには色分離を
主走査方向（光電変換素子列の配列方向）でなく、これ
と直交する方向、すなわち副走査方向に行なえばよい。
は適しているが、カラー画像を読取ろうとすると、少な
くとも３倍の画素を必要とするため、解８度が低下する
という問題があった。この問題を解決するには色分離を
主走査方向（光電変換素子列の配列方向）でなく、これ
と直交する方向、すなわち副走査方向に行なえばよい。
ところが、副走査方向に色分離を行なうには少なくとも
３列の光電変換素子列を近接させて形成する必要がある
ため、前記金属電極からの引出し配線の配列凸度が増大
してイメージセンサの製造が困難となり、歩留りの低下
が避けられなくなる。また、内側の光電変換素子列にお
いては、隣接する素子と素子との間に外側の光電変換素
子列のための引出し配線を通す必要がある関係で、電極
面積、すなわち感光面積が外側の光電変換素子列のそれ
より低下するという問題が生じる。
３列の光電変換素子列を近接させて形成する必要がある
ため、前記金属電極からの引出し配線の配列凸度が増大
してイメージセンサの製造が困難となり、歩留りの低下
が避けられなくなる。また、内側の光電変換素子列にお
いては、隣接する素子と素子との間に外側の光電変換素
子列のための引出し配線を通す必要がある関係で、電極
面積、すなわち感光面積が外側の光電変換素子列のそれ
より低下するという問題が生じる。
本発明の目的は解像度が高く、また基板上の配線密度の
増大や、感光面積の不均一のないカラーイメージセンサ
を提供することにある。
増大や、感光面積の不均一のないカラーイメージセンサ
を提供することにある。
本発明に係るカラーイメージセンサは、透明基板の第１
の面上に所定の色光に感応する少なくとも１列の光電変
換素子列を形成し、第２の面上に′第１の面上の光電変
換素子列が感応する色光と異なる色光にそれぞれ感応す
る少なくとも２列の光電変換素子列を第１の面上の光電
変換素子列に隣接させて形成してなり、第１および第２
の面のいずれか一方の側を光入射面とすることを特徴と
している。
の面上に所定の色光に感応する少なくとも１列の光電変
換素子列を形成し、第２の面上に′第１の面上の光電変
換素子列が感応する色光と異なる色光にそれぞれ感応す
る少なくとも２列の光電変換素子列を第１の面上の光電
変換素子列に隣接させて形成してなり、第１および第２
の面のいずれか一方の側を光入射面とすることを特徴と
している。
ここで、光電変換素子列は例えばアモルファス半導体膜
を金属電極と透明電極とで挟んで構成される。この場合
、第１および第２の面上のアモルファス半導体膜を少な
くとも光入射面側と反対側の面上の光電変換素子列領域
に対応した位置で重なるように形成し、かつ光入射面側
のアモルファス半導体膜の禁制帯幅を光入射面と反対側
のアモルファス半導体膜の禁制帯幅より大きくして、光
入射面側のアモルファス半導体膜を透過した波長の光を
光入射面側と反対側のアモルファス半導体膜によって吸
収する構成とすれば、第１の面上の光電変換素子列が感
応する色光と第２の光電変換素子列が感応する色光とを
分離することができる。
を金属電極と透明電極とで挟んで構成される。この場合
、第１および第２の面上のアモルファス半導体膜を少な
くとも光入射面側と反対側の面上の光電変換素子列領域
に対応した位置で重なるように形成し、かつ光入射面側
のアモルファス半導体膜の禁制帯幅を光入射面と反対側
のアモルファス半導体膜の禁制帯幅より大きくして、光
入射面側のアモルファス半導体膜を透過した波長の光を
光入射面側と反対側のアモルファス半導体膜によって吸
収する構成とすれば、第１の面上の光電変換素子列が感
応する色光と第２の光電変換素子列が感応する色光とを
分離することができる。
従って、カラーフィルタとして第２の面上の少なくとも
２列の光電変換素子列が感応する色光を分離するカラー
フィルタを付加することにより、カラー画像の読取りの
ための少な（とも３色の色分離を行なうことが可能であ
る。
２列の光電変換素子列が感応する色光を分離するカラー
フィルタを付加することにより、カラー画像の読取りの
ための少な（とも３色の色分離を行なうことが可能であ
る。
本発明によれば、透明基板の両面を利用して各色光に感
応する少なくとも３列の光電変換素子列を形成するため
、従来のような不都合を伴わずにカラー画像の読取りを
行なうことができる。
応する少なくとも３列の光電変換素子列を形成するため
、従来のような不都合を伴わずにカラー画像の読取りを
行なうことができる。
すなわち、本発明では各色光に感応する光電変換素子列
が平行に並んだ形となるため、色分離は光電変換素子列
の配列方向と直交する方向においてなされることになり
、解像度は単色画像を読取る場合と変わらない。また、
基板の第１および第２の面のいずれにおいても光電変換
素子列は１列または２列でよいため、光電変換素子列の
素子毎に分割された個別電極からの引出し配線の密度は
特に増加しない。さらに、個別電極からの引出し配線を
光電変換素子列の素子と素子の間を通す必要もないので
、個別電極の電極面積、すなわち実質的な感光面積の均
一化を図ることができ、結果的に画像読取り出力から原
画像について可視記録等を行なった場合、色再現性の良
好なカラー画像を得ることが可能となる。
が平行に並んだ形となるため、色分離は光電変換素子列
の配列方向と直交する方向においてなされることになり
、解像度は単色画像を読取る場合と変わらない。また、
基板の第１および第２の面のいずれにおいても光電変換
素子列は１列または２列でよいため、光電変換素子列の
素子毎に分割された個別電極からの引出し配線の密度は
特に増加しない。さらに、個別電極からの引出し配線を
光電変換素子列の素子と素子の間を通す必要もないので
、個別電極の電極面積、すなわち実質的な感光面積の均
一化を図ることができ、結果的に画像読取り出力から原
画像について可視記録等を行なった場合、色再現性の良
好なカラー画像を得ることが可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例のカラーイメージセンサ
の構成を示すもので、（”ａ ）は平面図、（ｂ）はＡ
−Ａ断面図である。
の構成を示すもので、（”ａ ）は平面図、（ｂ）はＡ
−Ａ断面図である。
図において、透明基板１０は例えばガラス基板であり、
その第１の面１０ａ上に第１の光電変換素子列１１が形
成され、第２の面１０ｂ上に第２および第３の光電変換
素子列１２．１３が形成されている。
その第１の面１０ａ上に第１の光電変換素子列１１が形
成され、第２の面１０ｂ上に第２および第３の光電変換
素子列１２．１３が形成されている。
第１の光電変換素子列１１は、透明基板１０の第１の面
１０ａ上に形成され各素子毎に主走査方向に分割形成さ
れた個別電極としてのＣｒ等からなる金Ｒ電極１４と、
その上に第１〜第３の光電変換素子列１１〜１３の領域
に対応する位置に一様に形成された水素化アモルファス
シリコン膜１５と、このアモルファスシリコン膜１５上
の第１の光電変換素子列１１の領域に対応する位置に帯
状に選択形成された共通電極としてのＩＴＯ等による透
明電極１６とからなっている。
１０ａ上に形成され各素子毎に主走査方向に分割形成さ
れた個別電極としてのＣｒ等からなる金Ｒ電極１４と、
その上に第１〜第３の光電変換素子列１１〜１３の領域
に対応する位置に一様に形成された水素化アモルファス
シリコン膜１５と、このアモルファスシリコン膜１５上
の第１の光電変換素子列１１の領域に対応する位置に帯
状に選択形成された共通電極としてのＩＴＯ等による透
明電極１６とからなっている。
なお、アモルファスシリコン膜１４上にはさらに透明電
極１６の両側に隣接して、すなわち第２および第３の光
電変換素子列１２．１３の領域に対応する位置に、帯状
のカラーフィルタ１７．１８が形成されている。
極１６の両側に隣接して、すなわち第２および第３の光
電変換素子列１２．１３の領域に対応する位置に、帯状
のカラーフィルタ１７．１８が形成されている。
一方、第２および第３の光電変換素子列１２゜１３は、
それぞれ透明基板１０の第２の面１０ｂ上に第１の光電
変換素子列１１における金属電極１４の両側に位置して
、各素子毎に主走査方向に分割形成された個別電極とし
てのＩＴＯ等による透明電極１９．２０と、その上に形
成されたアモルファスシリコン膜２１と、このアモルフ
ァスシリコン［１２１上の第１および第２の光電変換素
子列１２．１３の領域に対応した位置に帯状に選択形成
された共通電極としてのＣｒ等による金属電極２２．２
３からなっている。
それぞれ透明基板１０の第２の面１０ｂ上に第１の光電
変換素子列１１における金属電極１４の両側に位置して
、各素子毎に主走査方向に分割形成された個別電極とし
てのＩＴＯ等による透明電極１９．２０と、その上に形
成されたアモルファスシリコン膜２１と、このアモルフ
ァスシリコン［１２１上の第１および第２の光電変換素
子列１２．１３の領域に対応した位置に帯状に選択形成
された共通電極としてのＣｒ等による金属電極２２．２
３からなっている。
ここで、透明基板１ｏの第１の面１０ａが原稿面からの
反射光等の光の入射側であり、この光入射面側にあるア
モルファスシリコン膜１５は例えばＣが混入されてａ−
８ｉ：Ｃ：Ｈｌｉとなっており、一方、光入射面と反対
側のアモルファスシリコン１１！２１は例えばＧｅが混
入されることによってａ−８ｉ ：Ｇｅ ：）−１膜と
なっている。この場合、ａ−８ｉ：Ｃ：Ｈ膜１５および
ａ−８ｉ：Ｇｅ：Ｈ膜２１の禁制帯幅はそれぞれ第２図
（ａ）（ｂ）に示すようになり、前者の方が大きくなる
。すなわち、第３図（ａ）に示す入射光αからａ−３ｉ
：Ｃ： Ｈｌｌｌｌ ５で比較的高エネルギーのフォト
ン、すなわち第３図（ｂ）に示すように短波長側の光（
青色光）βを吸収し、その透過光Ｙをａ−８（：Ｇｅ
： ＨＩＩ２１で吸収するようにする。但し光入射側に
おいては、第２１３よび第３の光電変換素子列１２．１
３の領域に対応した位置にカラーフィルタ１７．１８が
設けられているため、ａ−５ｉ：Ｇｅ：Ｈ１１２１は実
際にはａ−３ｉ：Ｑ：）ｌ膜１５の透過光γのうち、第
３図（Ｃ）に示すようにカラーフィルタ１７．１８で分
離された緑色光δ。
反射光等の光の入射側であり、この光入射面側にあるア
モルファスシリコン膜１５は例えばＣが混入されてａ−
８ｉ：Ｃ：Ｈｌｉとなっており、一方、光入射面と反対
側のアモルファスシリコン１１！２１は例えばＧｅが混
入されることによってａ−８ｉ ：Ｇｅ ：）−１膜と
なっている。この場合、ａ−８ｉ：Ｃ：Ｈ膜１５および
ａ−８ｉ：Ｇｅ：Ｈ膜２１の禁制帯幅はそれぞれ第２図
（ａ）（ｂ）に示すようになり、前者の方が大きくなる
。すなわち、第３図（ａ）に示す入射光αからａ−３ｉ
：Ｃ： Ｈｌｌｌｌ ５で比較的高エネルギーのフォト
ン、すなわち第３図（ｂ）に示すように短波長側の光（
青色光）βを吸収し、その透過光Ｙをａ−８（：Ｇｅ
： ＨＩＩ２１で吸収するようにする。但し光入射側に
おいては、第２１３よび第３の光電変換素子列１２．１
３の領域に対応した位置にカラーフィルタ１７．１８が
設けられているため、ａ−５ｉ：Ｇｅ：Ｈ１１２１は実
際にはａ−３ｉ：Ｑ：）ｌ膜１５の透過光γのうち、第
３図（Ｃ）に示すようにカラーフィルタ１７．１８で分
離された緑色光δ。
赤色光εを吸収することになる。
このようにして、第１の光電変換素子列１１によって青
色光に対応した画像出力を、第２の光電変換素子列１２
によって緑色光に対応した画像出力を、また第３の光電
変換素子列１３によって赤色光に対応した画像出力をそ
れぞれ得ることができる。なお、これらの画像出力はそ
れぞれ金属電極１４．透明電極１９．２０から引出し配
置１４ａ （１４ｂ）、１９ａ、２０ａを介して取出さ
れる。
色光に対応した画像出力を、第２の光電変換素子列１２
によって緑色光に対応した画像出力を、また第３の光電
変換素子列１３によって赤色光に対応した画像出力をそ
れぞれ得ることができる。なお、これらの画像出力はそ
れぞれ金属電極１４．透明電極１９．２０から引出し配
置１４ａ （１４ｂ）、１９ａ、２０ａを介して取出さ
れる。
この実施例によれば、図から明らかなように第１の光電
変換素子列１１における個別電極である金ｊＩ電極１４
．第２および第３の光電変換素子列１２．１３における
個別電極である透明電極１９゜２ｏのいずれも、電極の
配列密度は個別電極を一列配列した単色画像の読取りの
場合と同様でよいので、解像度の劣化はない。また、引
出し配線１４ａ、１４ｂ、１９ａ、２０ａの密度も単色
画像の読取りの場合と同程度であり、個別電極が高密度
になっても製造上の問題は特にない。さらに、各電極１
４，１９．２０の面積を等しくすることができるので、
色バランスの良い画１ｍ ！５！取り出力が得られる。
変換素子列１１における個別電極である金ｊＩ電極１４
．第２および第３の光電変換素子列１２．１３における
個別電極である透明電極１９゜２ｏのいずれも、電極の
配列密度は個別電極を一列配列した単色画像の読取りの
場合と同様でよいので、解像度の劣化はない。また、引
出し配線１４ａ、１４ｂ、１９ａ、２０ａの密度も単色
画像の読取りの場合と同程度であり、個別電極が高密度
になっても製造上の問題は特にない。さらに、各電極１
４，１９．２０の面積を等しくすることができるので、
色バランスの良い画１ｍ ！５！取り出力が得られる。
上記実施例では、光入射面側のアモルファスシリコン１
１１５が第１〜第３の光電変換素子列１１〜１３の全領
域をカバーする範囲に設けられているが、第１の光電変
換素子列１１の領域に対応する位置、すなわち図で透明
電極１６の直下のみに形成されていてもよい。しかし、
一般的に光入射面側のアモルファスシリコン膜１５で必
要十分な光の吸収を行なえば、このアモルファスシリコ
ンｆｆ１ｌ１５が光照射面と反対側のアモルファスシリ
コン１ＩＩ２１へ入射する光の遮蔽となることはないの
で、アモルファスシリコン［１１５は第１図に示した通
りに形成されていても問題はない。
１１５が第１〜第３の光電変換素子列１１〜１３の全領
域をカバーする範囲に設けられているが、第１の光電変
換素子列１１の領域に対応する位置、すなわち図で透明
電極１６の直下のみに形成されていてもよい。しかし、
一般的に光入射面側のアモルファスシリコン膜１５で必
要十分な光の吸収を行なえば、このアモルファスシリコ
ンｆｆ１ｌ１５が光照射面と反対側のアモルファスシリ
コン１ＩＩ２１へ入射する光の遮蔽となることはないの
で、アモルファスシリコン［１１５は第１図に示した通
りに形成されていても問題はない。
第４図は本発明の第２の実施例を示すもので、第１図に
おける透明電極１６の上にカラーフィルタ４１（前述の
説明に従えば青色光透過フィルタを用いる）を形成して
色分離をより確実に行なうようにしたものである。また
、この実施例では第１図における金３電極２２．２３を
共通にしてアモルファスシリコン膜２１上のほぼ全面に
Ｃｒ等による金属電極４２を形成している。
おける透明電極１６の上にカラーフィルタ４１（前述の
説明に従えば青色光透過フィルタを用いる）を形成して
色分離をより確実に行なうようにしたものである。また
、この実施例では第１図における金３電極２２．２３を
共通にしてアモルファスシリコン膜２１上のほぼ全面に
Ｃｒ等による金属電極４２を形成している。
第５図に示す第３の実施例は、透明基板１０のうち２つ
の光電変換素子列１２．１３が形成された方の面である
第２の面１０ｂ側を光入射面としたものである。すなわ
ち、透明基板１０の第１の面１０ａ上に形成される第１
の光電変換素子列１１における個別電極をＩＴＯ等によ
る透明電極５１とし、アモルファスシリコン膜５２を第
１の実施例における第２および第３の光電変換素子列１
２．１３で用いられていたのと同様の吸収特性を有する
例えばａ−８ｉ ：Ｑｅ ：）ｌ膜とし、また共通電極
をＣｒ等による金属電極５３としている。
の光電変換素子列１２．１３が形成された方の面である
第２の面１０ｂ側を光入射面としたものである。すなわ
ち、透明基板１０の第１の面１０ａ上に形成される第１
の光電変換素子列１１における個別電極をＩＴＯ等によ
る透明電極５１とし、アモルファスシリコン膜５２を第
１の実施例における第２および第３の光電変換素子列１
２．１３で用いられていたのと同様の吸収特性を有する
例えばａ−８ｉ ：Ｑｅ ：）ｌ膜とし、また共通電極
をＣｒ等による金属電極５３としている。
一方、第２の面１０ｂ上に形成される第２および第３の
光電変換素子列１２．１３においてはアモルファスシリ
コン膜５４を第１図の実施例における第１の光電変換素
子列１１で用いられていたと同様な吸収特性を有する例
えばａ−３ｉ：Ｃ：Ｈ膜とし、このアモルファスシリコ
ン膜５４上のほぼ全面に共通電極としてのＩＴＯ等によ
る透明電極５５を形成している。そして、この透明電極
５５上の第２および第３の光電変換素子列１２゜１３の
領域に対応した位置にカラーフィルタ５６゜５７を形成
し、さらに好ましくは色分離をより確実にするため第１
の光電変換素子列１１．の領域にと同様の効果が得られ
ることは明らかである。
光電変換素子列１２．１３においてはアモルファスシリ
コン膜５４を第１図の実施例における第１の光電変換素
子列１１で用いられていたと同様な吸収特性を有する例
えばａ−３ｉ：Ｃ：Ｈ膜とし、このアモルファスシリコ
ン膜５４上のほぼ全面に共通電極としてのＩＴＯ等によ
る透明電極５５を形成している。そして、この透明電極
５５上の第２および第３の光電変換素子列１２゜１３の
領域に対応した位置にカラーフィルタ５６゜５７を形成
し、さらに好ましくは色分離をより確実にするため第１
の光電変換素子列１１．の領域にと同様の効果が得られ
ることは明らかである。
なお、第５図におけるアモルファスシリコン膜５２のう
ち第２および第３の光電変換素子列１２゜１３の領域に
対応した位置、すなわちカラーフィルタ５６．５７の下
側の部分はなくともよい。
ち第２および第３の光電変換素子列１２゜１３の領域に
対応した位置、すなわちカラーフィルタ５６．５７の下
側の部分はなくともよい。
第６図に示す第４の実施例は、透明基板１０の第２の面
１０ｂ上に形成される透明電極６１を共通電極とし、ま
た金属電極６２．６３を個別電極としたものである。な
お、透明電極６１は図では第２および第３の光電変換素
子列１２．１３で共通であるが、両者間で分離されてい
ても構わない。
１０ｂ上に形成される透明電極６１を共通電極とし、ま
た金属電極６２．６３を個別電極としたものである。な
お、透明電極６１は図では第２および第３の光電変換素
子列１２．１３で共通であるが、両者間で分離されてい
ても構わない。
また、アモルファスシリコン膜２１も第１の光電変換素
子１１の領域に対応する部分が除去されていてもよい。
子１１の領域に対応する部分が除去されていてもよい。
これらの実施例によっても先と同様の効果が得られる。
以上、本発明の実施例をいくつか説明したが、本発明は
これらに限定されるものではなく、透明基板の両面にそ
れぞれ異なる色光に感応する光電変換素子列を少なくと
も合計で３列近接させて形成する、という本発明の要旨
を逸脱しない範囲で種々変形実施することができる。例
えば３つの色光に感応する光電変換素子列に加えて白色
光に感応する光電変換素子列を追加し、透明基板の両面
に２列ずつ、計４列の光電変換素子列を形成してもよい
。
これらに限定されるものではなく、透明基板の両面にそ
れぞれ異なる色光に感応する光電変換素子列を少なくと
も合計で３列近接させて形成する、という本発明の要旨
を逸脱しない範囲で種々変形実施することができる。例
えば３つの色光に感応する光電変換素子列に加えて白色
光に感応する光電変換素子列を追加し、透明基板の両面
に２列ずつ、計４列の光電変換素子列を形成してもよい
。
また、実施例ではアモルファスシリコン膜の感光不可領
域（例えば引出し配線に対向する領域）を遮光する手段
（シャドウマスク）が省略されているが、これらは適宜
設けることができる。なお、光入射面側に形成される光
電変換素子列におけるＣｒ等による金属電極の引出し配
線の形状を工夫して、例えば光入射面と反対側に形成さ
れる光電変換素子列における個別電極の引出し配線と重
なるように形成したり、あるいは他の感光不可領域に対
向した位置に形成することによって、シャドウマスク形
成工程を省略あるいは簡略化することもできる。
域（例えば引出し配線に対向する領域）を遮光する手段
（シャドウマスク）が省略されているが、これらは適宜
設けることができる。なお、光入射面側に形成される光
電変換素子列におけるＣｒ等による金属電極の引出し配
線の形状を工夫して、例えば光入射面と反対側に形成さ
れる光電変換素子列における個別電極の引出し配線と重
なるように形成したり、あるいは他の感光不可領域に対
向した位置に形成することによって、シャドウマスク形
成工程を省略あるいは簡略化することもできる。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の第１の実施例に係るカラ
ーイメージセンサの平面図およびＡ−Ａ断面図、第２図
（ａ）（ｂ）は同実施例における光入射側およびそれと
反対側の面上のアモルファスシリコン膜の禁制帯幅の関
係を示す図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同実施例における
アモルファスシリコン膜およびカラーフィルタの分光特
性を説明するための図、第４図（ａ）（ｂ）は本発明の
第２の実施例に係るカラーイメージセンサの平面図およ
び８−８断面図、第５図および第６図は本発明の第３お
よび第４の実施例に係るカラーイメージセンサの断面図
である。 １０・・・透明基板、１０ａ、１０ｂ・・・第１．第２
の面、１１〜１３・・・第１〜第３の光電変換素子列、
１４．２２．２３．４２．５３．６２．６３・・・金ａ
電極、１５．２１．５２．５４・・・アモルファスシリ
コン膜、１６．１９，２０．５２．５５．６１・・・透
明電極、１７．１８．４１．５６．５７゜５８・・・カ
ラーフィルり。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 （α）（ｂ） 第３！″ 第４図
ーイメージセンサの平面図およびＡ−Ａ断面図、第２図
（ａ）（ｂ）は同実施例における光入射側およびそれと
反対側の面上のアモルファスシリコン膜の禁制帯幅の関
係を示す図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同実施例における
アモルファスシリコン膜およびカラーフィルタの分光特
性を説明するための図、第４図（ａ）（ｂ）は本発明の
第２の実施例に係るカラーイメージセンサの平面図およ
び８−８断面図、第５図および第６図は本発明の第３お
よび第４の実施例に係るカラーイメージセンサの断面図
である。 １０・・・透明基板、１０ａ、１０ｂ・・・第１．第２
の面、１１〜１３・・・第１〜第３の光電変換素子列、
１４．２２．２３．４２．５３．６２．６３・・・金ａ
電極、１５．２１．５２．５４・・・アモルファスシリ
コン膜、１６．１９，２０．５２．５５．６１・・・透
明電極、１７．１８．４１．５６．５７゜５８・・・カ
ラーフィルり。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図 （α）（ｂ） 第３！″ 第４図
Claims (9)
- （１）透明基板の第１の面上に所定の色光に感応する少
なくとも１列の光電変換素子列を形成し、第２の面上に
第１の面上の光電変換素子列が感応する色光と異なる色
光にそれぞれ感応する少なくとも２列の光電変換素子列
を第１の面上の光電変換素子列に隣接させて形成してな
り、第１および第２の面のいずれか一方の側を光入射面
とすることを特徴とするカラーイメージセンサ。 - （２）光電変換素子列はアモルファス半導体膜を金属電
極と透明電極とで挟んで構成されたものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のカラーイメージセ
ンサ。 - （３）第１および第２の面上のアモルファス半導体膜を
少なくとも光入射面側と反対側の面上の光電変換素子列
領域に対応した位置で重なるように形成し、かつ光入射
面側のアモルファス半導体膜の禁制帯幅を光入射面と反
対側のアモルファス半導体膜の禁制帯幅より大きくする
ことにより、光入射面側のアモルファス半導体膜を透過
した波長の光を光入射面と反対側のアモルファス半導体
膜によって吸収するようにしたことを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のカラーイメージセンサ。 - （４）第１の面上に、該第１の面上の光電変換素子列領
域に対応した位置に選択形成された金属電極、第１およ
び第２の面上の光電変換素子列領域に対応した位置に形
成されたアモルファス半導体膜、該アモルファス半導体
膜の第１の面上の光電変換素子列領域に対応した位置に
選択形成された透明電極および第２の面上の光電変換素
子領域に対応する位置にそれぞれ選択形成され互いに異
なる色光を透過させるカラーフィルタを順次積層し、第
２の面上に、該第２の面上の光電変換素子列領域に対応
した位置に選択形成された透明電極、少なくとも第２の
面上の光電変換素子列領域に対応した位置に形成された
アモルファス半導体膜、少なくとも第１および第２の面
上の光電変換素子列領域に対応した位置に形成された金
属電極を順次積層し、第１の面側を光入射面とすること
を特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項または第３
項記載のカラーイメージセンサ。 - （５）第１の面上に形成された透明電極の上に、第１の
面上のアモルファス半導体膜上に形成されたカラーフィ
ルタが透過させる色光と異なる色光を透過させるカラー
フィルタを形成したことを特徴とする特許請求の範囲第
４項記載のカラーイメージセンサ。 - （６）第１の面上に、該第１の面上の光電変換素子列領
域に対応した位置に選択形成された透明電極、少なくと
も第１の面上の光電変換素子列領域に対応した位置に形
成されたアモルファス半導体膜、第１の面上の光電変換
素子列領域に対応した位置に選択形成された金属電極を
順次積層し、第２の面上に、該第２の面上の光電変換素
子列領域に対応する位置に選択形成された金属電極、第
１および第２の面上の光電変換素子列領域に対応する位
置に形成されたアモルファス半導体膜、該アモルファス
半導体膜の少なくとも第２の面上の光電変換素子列領域
に対応した位置にそれぞれ形成されそれぞれ異なる色光
を透過させるカラーフィルタを順次積層し、第２の面側
を光入射面とすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項または第３項記載のカラーイメージセンサ。 - （７）第１の面上に、該第１の面上の光電変換素子列領
域に対応した位置に選択形成された金属電極、第１およ
び第２の面上の光電変換素子列領域に対応した位置に形
成されたアモルファス半導体膜、該アモルファス半導体
膜の第１の面上の光電変換素子列領域に対応した位置に
選択形成された透明電極および第２の面上の光電変換素
子領域に対応する位置にそれぞれ選択形成され互いに異
なる色光を透過させるカラーフィルタを順次積層し、第
２の面上に、少なくとも第２の面上の光電変換素子列領
域に対応した位置に形成された透明電極、少なくとも第
２の面上の光電変換素子列領域に対応した位置に形成さ
れたアモルファス半導体膜、第２の面上の光電変換素子
列領域に対応した位置に選択形成された金属電極を順次
積層し、第１の面側を光入射面とすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載のカラ
ーイメージセンサ。 - （８）第１の面上の透明電極の上に、第１の面上のアモ
ルファス半導体膜上に形成されたカラーフィルタが透過
させる色光と異なる色光を透過させるカラーフィルタを
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の
カラーイメージセンサ。 - （９）第１および第２の面のうちの光入射面側の面上に
形成された金属電極の引出し配線を、光入射側と反対側
の面上に形成されたアモルファス半導体膜の感光不可領
域を遮光するように形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第２項、第３項、第４項、第５項、第６項、第７
項または第８項記載のカラーイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204889A JPS6182468A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | カラ−イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59204889A JPS6182468A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | カラ−イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6182468A true JPS6182468A (ja) | 1986-04-26 |
| JPH0374037B2 JPH0374037B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=16498072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59204889A Granted JPS6182468A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | カラ−イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6182468A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283158A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Nec Corp | カラ−用密着形イメ−ジセンサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225667A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP59204889A patent/JPS6182468A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58225667A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-27 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63283158A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Nec Corp | カラ−用密着形イメ−ジセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374037B2 (ja) | 1991-11-25 |
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