JPS6183062A - Thermal head manufacturing equipment - Google Patents

Thermal head manufacturing equipment

Info

Publication number
JPS6183062A
JPS6183062A JP60017790A JP1779085A JPS6183062A JP S6183062 A JPS6183062 A JP S6183062A JP 60017790 A JP60017790 A JP 60017790A JP 1779085 A JP1779085 A JP 1779085A JP S6183062 A JPS6183062 A JP S6183062A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistance value
value
resistance
pulse
thermal head
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60017790A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0229508B2 (en
Inventor
Tetsunori Sawae
沢江 哲則
Hiromi Yamashita
山下 博實
Takafumi Endo
孝文 遠藤
Kohei Katayama
片山 康平
Yukio Murata
村田 幸男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP60017790A priority Critical patent/JPS6183062A/en
Publication of JPS6183062A publication Critical patent/JPS6183062A/en
Publication of JPH0229508B2 publication Critical patent/JPH0229508B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/315Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
    • B41J2/32Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
    • B41J2/35Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

PURPOSE:To easily grasp the reduction degree of the irregularity in a resistance value, by mounting a pulse generation circuit and a resistance meter while providing a calculation part to calculate the average value or standard deviation of the resistance value of a heat generating resistor. CONSTITUTION:A voltage pulse is applied to the heat generating resistor of a thermal head 7 from a pulse generation circuit 10 on the basis of the set signal of a peak value Vs and the number (n) of pulses by a calculation part 12. At this time, said voltage pulse is applied to the heat generating resistor, of which the resistance value is larger than an objective resistance R0, in one group of heat generating resistors. The preceding resistance value is compared with the lately resistance value and, when the lately resistance value is low and higher than the objective resistance value R0, the peak value Vs is made further high by DELTAV to adjust said lately resistance value to the objective resistance value R0 or less. When the adjustment of one group is finished by this method, CPU14 calculates an average value and standard deviation. When the adjustment with respect to all heat generating resistors of one thermal head 7 is finished, CPU14 calculates the average value and standard deviation sigmaof the whole and displays the result thereof on a printer 17.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は主としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an apparatus for manufacturing a thermal head mainly used in facsimiles and printers.

〔従来の錬術〕[Traditional alchemy]

現像、定着の必要がなく、無騒音、メインテナンプリー
であり、信頼性の高いサーマルヘッドが、感熱記録紙の
向上とともに普及している。感熱記録は、基板上に設け
た抵抗体に、記録電流を印、加し、抵抗体に流れた電流
により生ずるジューμ熱を利用して、抵抗体上に接する
感熱紙を発色させたり、熱転写紙のインク層を溶融させ
、被転写紙に記録信号情報を印字記録する技術である。
Thermal heads, which do not require development or fixing, are noiseless, easy to maintain, and are highly reliable, are becoming more popular as thermal recording paper improves. In thermal recording, a recording current is applied to a resistor provided on a substrate, and the heat generated by the current flowing through the resistor is used to color the thermal paper in contact with the resistor. This is a technology that melts the ink layer on the paper and prints and records recording signal information on the transfer paper.

、サーマルヘッドの一般構造図を第9図に示す。A general structural diagram of the thermal head is shown in FIG.

サーマルヘッドは絶縁基板(1)上にAJ、Au、Cu
等の良電気導体材料にて成膜技術により構成したリード
部(2)とそれに両端を接続した膜状のエレメント抵抗
体(3)で全体で発熱素子を構成される。
The thermal head is made of AJ, Au, and Cu on an insulating substrate (1).
The heating element is composed of a lead part (2) made of a good electrically conductive material such as a film-forming element resistor (3) formed by film-forming technology, and a film-like element resistor (3) connected to the lead part (2) at both ends thereof.

絶縁基板(1)の材料にはアルミナセラミック基板又は
グレーズ層付アμミナセラミック基板を使用する事が多
い、エレメント抵抗体(3)の材料として薄膜方式の場
合はTa2Ne Ta−5i02. Ta−5i、 N
i −CuT + 20B等の材料が用いられる。
For the material of the insulating substrate (1), an alumina ceramic substrate or an alumina ceramic substrate with a glaze layer is often used.For the material of the element resistor (3), in the case of a thin film type, Ta2Ne Ta-5i02. Ta-5i, N
A material such as i-CuT + 20B is used.

又、厚膜方式の場合はRu2O,PtO等の貴金属の酸
化物をガラス材と混合して塗付して焼結する。
In the case of a thick film method, an oxide of a noble metal such as Ru2O or PtO is mixed with a glass material, applied and sintered.

図示しないが、エレメント抵抗体<3)を形成した後こ
れを保護するためのガラス膜を焼成する。
Although not shown, after forming the element resistor <3), a glass film for protecting it is fired.

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加した場合、ジュー〃熱により抵抗体部に熱が発
生する。この熱は第1θ図の様に構成する記録装置のA
部分で感熱紙(5)に伝達され感熱紙(5)が発色して
その表面に印画される。なお、第10図において、第9
図と同一符号は相当部分を示す、Pはロー/l’ (4
)の押圧方向を示す。
When a constant voltage is applied to both ends of the lead section of this thermal head for a fixed period of time, heat is generated in the resistor section due to sew heat. This heat is absorbed by the A of the recording device configured as shown in Figure 1θ.
The light is transmitted to the thermal paper (5) at a certain portion, and the thermal paper (5) develops color and is printed on its surface. In addition, in Fig. 10, the 9th
The same symbols as in the figure indicate corresponding parts, P is rho/l' (4
) indicates the pressing direction.

一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱抵抗体として、1ヘッド当り約2000個の抵抗体が
独立して並列1ζ設けられている。これらの発熱抵抗体
は、そのジューμ熱により表面温度が、250°C〜6
00°C程度まで加熱され、この温度1こ到達させるに
等しい印加エネルギーは、サーマルヘッド各々の解像度
により異なるが、約0.2mL(ジュー/I/)〜2m
J必要とされる。
Generally, in a thermal head for facsimile, for example, each head has about 2000 resistors arranged independently in parallel as heating resistors. These heat generating resistors have a surface temperature of 250°C to 6°C due to their juicy heat.
The applied energy equivalent to reaching this temperature is approximately 0.2 mL (joule/I/) to 2 m, depending on the resolution of each thermal head.
J is required.

従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の製造プロセ
スおよびその材料の違いにより、厚膜形と薄膜形および
半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵抗材料を用
いて、あらかじめ所望とするパターンをスクリーンやフ
ォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン印刷技術に
より抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工程として焼成す
ることで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は主としてタ
ンクμ糸材料を蒸着又はスパッタリングし、あらかじめ
抵抗体となりうる基本パターンを形成しその後、フォト
エツチングにより所望パターンの独立した抵抗体に仕上
げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の一部に抵抗
拡散を行い、抵抗体を形成し、P−N接合面の発熱を利
用するもので半導体製造工程とほぼ同一手段を用いる。
Conventionally, there have been three types of thermal heads: a thick film type, a thin film type, and a semiconductor type, depending on the manufacturing process and material of the resistor. For the thick film type, a desired pattern is formed in advance on a screen or photoresist film using a paste-like resistive material, the resistive material is printed or embedded using screen printing technology, and is fired as a post-process to generate heat. A resistor is formed. For the thin film type, tank μ-thread material is mainly vapor-deposited or sputtered to form a basic pattern that can become a resistor in advance, and then photo-etched to create an independent resistor with a desired pattern. In the semiconductor type, for example, resistance is diffused into a part of a silicon base material to form a resistor, and heat generated at the P-N junction surface is utilized, and almost the same means as in the semiconductor manufacturing process is used.

(1)8種の製造方法のうち実用化が実施されているの
は、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製
造工程は多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ伽
は少なく、微細パターンが形成できるという大きな利点
を持っている。反面厚膜形は、比較的短い製造工程によ
って安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗値のば
らつきが大きいという重大な欠点を持ち合わせていた。
(1) Among the eight manufacturing methods, the ones that have been put into practical use are the thick film type and the thin film type. By the way, although the manufacturing process of the thin film type is extensive, it has the great advantage that there is little variation in the resistance value of the heating resistor and that fine patterns can be formed. On the other hand, the thick film type can be manufactured at low cost through a relatively short manufacturing process, but it has the serious drawback of large variations in the resistance value of the heating resistor.

感熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生する
ジューμ熱を利用するため、抵抗値のばらつきは当然そ
の上に印字される画賀の濃度ムラの原因となる。
Thermosensitive recording is determined by the resistance value of a resistor and utilizes the generated heat, so variations in resistance value naturally cause density unevenness in the image printed thereon.

第11図はサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値R1,R2,・・・・・・Rnの一例を示す
FIG. 11 shows an example of resistance values R1, R2, . . . Rn of each element resistor constituting the thermal head.

通常薄膜形の抵抗値ばらつきは、±5%〜±15%以内
に均一化されているのに対し、厚膜形は±15%〜±8
0%にばらついており、薄膜形より劣っているのに一生
流を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表され
る信頼性の良さと低コストという大きな利点を持ち合わ
せている故である。
Normally, the resistance value variation of thin film type is uniform within ±5% to ±15%, while that of thick film type is uniform between ±15% to ±8.
The reason why it is widely used even though it is inferior to the thin film type is that it has great advantages such as high reliability represented by overload power and wear resistance, and low cost. That's why.

厚膜形でも最近は、微細パターンの形成は薄膜形に劣ら
ず作成することが可能となった。たとえば導体パターン
の形成においては、印刷膜厚は従来8μm以上必要とさ
れていたが、8000Å以下の導体膜厚でも構成できる
。この利点は、フォトエツチング時のエラチングツアク
カーが従来20μmを要したのに比べ、薄膜形と同程度
、即ちほぼ零のエツチングファクタとなることによる。
Recently, it has become possible to form fine patterns with thick film types as well as with thin film types. For example, in forming a conductor pattern, a printed film thickness of 8 μm or more was conventionally required, but a conductor film thickness of 8000 Å or less can also be formed. This advantage is due to the fact that the etching factor during photoetching is about the same as that of the thin film type, ie, almost zero, compared to the conventional method that required an etching factor of 20 μm.

−刃厚膜形の抵抗値のばらつきの改善に関しては、メツ
シュスクリーンやメタルマスクスクリーンの改良など従
来のスクリーン印刷技術の向上のほかに、たとえば特公
昭59−22675号に記載されである厚膜抵抗体のフ
ォトエツチングや、特公昭57−18506号に記載さ
れである厚膜抵抗体をフォトレジストパターンに埋込む
方法、特開昭54−99448号に記載しである厚膜抵
抗体の表面研磨処理をする方法等がある。さら1こは昭
55−47597に記載しであるように薄膜導体に厚膜
抵抗を印刷したものがある。これらは、発熱抵抗体の形
状を均一化し、その効果Iζよる抵抗値のばらつきを改
善しようとしたものである。
- In order to improve the variation in the resistance value of thick film blades, in addition to improving conventional screen printing technology such as improving mesh screens and metal mask screens, for example, thick film Photoetching of resistors, method of embedding thick film resistors in photoresist patterns as described in Japanese Patent Publication No. 57-18506, and surface polishing of thick film resistors as described in Japanese Patent Application Laid-open No. 54-99448. There are ways to process it. In addition, there is one in which a thick film resistor is printed on a thin film conductor, as described in 1984-47597. These attempts are to make the shape of the heating resistor uniform and to improve the variation in resistance value due to the effect Iζ.

また、厚膜抵抗材料の改良も進められてきた。Further, progress has been made in improving thick film resistor materials.

厚膜抵抗材料としては、たとえば、特開昭58−954
4号および特開昭58−9548号に記載の酸化ルテニ
ウと、高融点フリットガラス、酸化ジルコニウム等が適
当である。しかしこれらは主として、厚膜形サーマルヘ
ッドとしての信頼性を保持するために改良されたもので
あり、発熱抵抗値のバラツキの改善とはなっていない。
As a thick film resistive material, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-954
Ruthenium oxide, high melting point frit glass, zirconium oxide, etc. described in No. 4 and JP-A No. 58-9548 are suitable. However, these improvements were mainly made to maintain reliability as a thick-film thermal head, and did not improve the variation in heating resistance values.

ところで厚膜抵抗体の形状が幾度学的に薄膜抵抗体と同
等【こ整ったとした場合、本当に抵抗値のばらつきが薄
膜抵抗体と同等になるのかという疑問がある。理論的に
は抵抗体の抵抗値は次式で示される。
By the way, if the shape of a thick film resistor is geometrically the same as that of a thin film resistor, there is a question as to whether the variation in resistance value will actually be the same as that of a thin film resistor. Theoretically, the resistance value of the resistor is expressed by the following equation.

ここで、e:抵抗体の比抵抗(Ω−:)l:抵抗体の長
さくan) W:抵抗体の幅 (ao) t:抵抗体の厚み(ロ) スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その低抵抗 
長さくl)、抵抗体の幅(W)、抵抗体の厚み(1)共
に、わずかにばらつくが、終局的(こ問題となるのは厚
膜抵抗材料が基本的にある大きさの粒径を保持する酸化
ルテニウム、ガラスフリット。
Here, e: Specific resistance of the resistor (Ω-:) l: Length of the resistor (an) W: Width of the resistor (ao) t: Thickness of the resistor (b) Screen-printed heating resistor is usually its low resistance
The length l), the width of the resistor (W), and the thickness of the resistor (1) all vary slightly, but ultimately (the problem is that the thick film resistor material basically has a grain size of a certain size). Ruthenium oxide, glass frit to hold.

酸化ジルコニウム等の焼成時に生ずる結合度の差異によ
り生ずる抵抗体の比抵抗そのもののばらつきであり、結
果生ずる抵抗値のばらつきである。
This is the variation in the resistivity itself of the resistor caused by the difference in the degree of bonding that occurs during firing of zirconium oxide, etc., and the resulting variation in the resistance value.

これは厚膜製造工程の厳密なスクリーン印刷、および焼
成条件、さらにはそれら発熱抵抗体を製造の前工程後玉
程度の改善によっても解決されない。
This problem cannot be solved by strict screen printing and firing conditions in the thick film manufacturing process, and even by improving the pre-processing and post-processing of these heating resistors.

これは、駿化ルテニウム等の粒径が特開昭58−954
4号に記載にもあるように5μ諏と無視できない大きさ
であるということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定に
は主として酸化μテニウムガラスフリットとの接触界面
のM、−I、−Me(メタμmインシュレーターメタ/
l/)の不均質結合状態による原因が終局的にあるから
である。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成温度、雰囲気
、焼成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大幅
に変化するのは、M e  I s−Meの結合状態が
変化するためと推定できる。
This is because the particle size of ruthenium suroxide, etc. is
As stated in No. 4, it has a non-negligible size of 5 μm, and the determination of the resistance value of a thick film resistor is mainly based on M, -I at the contact interface with the μ-thenium oxide glass frit. , -Me (metaμm insulator meta/
This is because the cause is ultimately due to the heterogeneous bonding state of l/). Basically, the reason why the resistance value of thick film resistance materials changes significantly even though the firing temperature, atmosphere, and firing speed are the same can be presumed to be because the bonding state of M e I s-Me changes.

そこで、酸化ルテニウム、ガラスフリット等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果は得られなかった。
Therefore, thick film resistive materials such as ruthenium oxide and glass frit with finer grain sizes have recently become commercially available. However, the desired effect was not achieved.

以上から、接触界面の不均一)こよる厚膜抵抗のばらつ
きを改善しないことには、結局抵抗値のばらつきが改善
されないことがわかる。ところで、抵抗体のばらつきの
改善(こ関しては従来からレーザー、トリミング法など
を利用して、抵抗値の調整等を主として厚膜回路基板、
薄膜回路基板等で実施されている。また、特開昭58−
7360号又は特開昭58−7860号記載の液体噴射
記録ヘッドでは薄膜抵抗素子をレーザートリミングし、
電気−熱変換特性に合わせるように抵抗値を調整してい
る。
From the above, it can be seen that unless the variation in thick film resistance caused by non-uniformity of the contact interface is not improved, the variation in resistance value will not be improved. By the way, to improve variations in resistors (in this regard, lasers, trimming methods, etc. have traditionally been used to adjust resistance values, etc. mainly on thick film circuit boards, etc.)
This is implemented on thin film circuit boards, etc. Also, JP-A-58-
In the liquid jet recording head described in No. 7360 or Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-7860, the thin film resistive element is laser trimmed,
The resistance value is adjusted to match the electrical-thermal conversion characteristics.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法は
いづれも不十分なものであった。発熱抵抗体上部に位置
し感熱紙を圧接する回転ローラの躍動による機械的振動
があるため、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用で
きない。また、均一な温度分布を必要とするので発熱抵
抗体の形状も重要な要素となるため、レーザ、ダイヤモ
ンドカットゆサンドブラスト等の機械的トリミング法で
は、形状の変化によりサーマルヘッドの性能を悪化させ
るため使用できなかった。
All conventional methods for improving the variation in resistance values of thick film resistors have been insufficient. Chemical trimming methods, which are susceptible to impact, cannot be used because of the mechanical vibration caused by the movement of the rotating roller located above the heating resistor and pressing against the thermal paper. In addition, since uniform temperature distribution is required, the shape of the heating resistor is also an important factor. Mechanical trimming methods such as laser, diamond cut, and sand blasting deteriorate the performance of the thermal head due to changes in shape. Couldn't use it.

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状を
変えることなく、そお抵抗値を変化して製造する装置を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing a thick-film thermal head by changing its resistance value without changing the shape of the heating resistor.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明はパルス発生回路によりサーマルヘッドの発熱
抵抗体沓こ電圧パルスを印加することにより抵抗値を減
少させ、抵抗のばらつきを減少せしめる。発熱抵抗体の
抵抗値を測定するための抵抗計と抵抗値の平均値又は標
準偏差を計算する計算部を設けている。
This invention reduces the resistance value by applying voltage pulses across the heating resistor of the thermal head using a pulse generating circuit, thereby reducing variations in resistance. A resistance meter for measuring the resistance value of the heating resistor and a calculation section for calculating the average value or standard deviation of the resistance value are provided.

〔作用〕[Effect]

この発明では電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵
抗値が減少することを利用して、抵抗値のばらつきを著
しく減少させることができる。これ曇こより、サーマル
ヘッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させることが
できる。
In the present invention, by utilizing the fact that the resistance value of the heating resistor decreases by applying a voltage pulse, it is possible to significantly reduce variations in the resistance value. This clouding can significantly reduce density unevenness in the print image quality of the thermal head.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

この発明は主要な生産プロセスの後に、発熱抵抗体の抵
抗値を減少させるプロセスを実施する。
The present invention implements a process to reduce the resistance of the heating resistor after the main production process.

即ち、基板上に発熱抵抗体、リード線、保護ガラス膜を
形成した後に、本発明の装置を使って抵抗値を減少させ
るプロセスを実施する。
That is, after forming a heating resistor, a lead wire, and a protective glass film on a substrate, a process of reducing the resistance value is performed using the apparatus of the present invention.

第1図は発熱抵抗体の抵抗値を減少させてばらつきをな
くする方法の原理を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the principle of a method for reducing the resistance value of a heating resistor to eliminate variations.

この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するという現象を利用している。この現象はM I M
 (Metal−Insulator−Metal )
構造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物(Insulator)
が電圧によりブレークスルーするためであるとも考えら
れている。
This invention utilizes the phenomenon that when a voltage is applied to a thick film resistor, the resistance value decreases. This phenomenon is M
(Metal-Insulator-Metal)
Insulator of thick film resistor with structure
It is also thought that this is due to the breakthrough caused by voltage.

ともかく、抵抗体の物理的性質が電圧印加により変化し
ていることは確実である。
In any case, it is certain that the physical properties of the resistor change due to the application of voltage.

第1図は当初の抵抗値がR1,R2,R8である発熱抵
抗体の抵抗値をRoに調整する場合を示している。
FIG. 1 shows a case where the resistance values of the heating resistors whose initial resistance values are R1, R2, and R8 are adjusted to Ro.

先づ最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とする
抵抗値R8と比較する。R4のようにR6より低い抵抗
値をもつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しない
。Roより大きい抵抗値R1゜R2,R8を持つ発熱抵
抗体に対し電圧パルスを印加する。
First, the resistance value of each heating resistor is measured and compared with the target resistance value R8. No voltage pulse is applied to a heating resistor having a resistance value lower than R6, such as R4. A voltage pulse is applied to the heating resistor having a resistance value R1°R2, R8 larger than Ro.

最初に波高値の初期設定がVoである電圧パルスを印加
して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、そ
の値がR0以下であればv0+ΔVの波高値の電圧パル
スを印加する。その後抵抗値を測定し、その値がR0以
下であればV。+2ΔVの波高値を持つ電圧パルスを印
加する。このように抵抗値がR0以下になるまで次第に
印加電圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値を
減少させて行く、抵抗値がR6以下になればそこで調整
を終了する。このようにして発熱体の抵抗値をR,以下
の一定範囲内に揃える。抵抗値のばらつきを少なくする
のがこの発明の目的であるから、抵抗値がR,以下にな
りさえすれば良いのでなく、Ro以下の一定範囲内にあ
ることを要する。そのため少しづつ抵抗値を減少させて
行き、R0以下になった時点で止めるのである。
First, a voltage pulse whose peak value is initially set to Vo is applied to reduce the resistance value. The resistance value after the decrease is measured, and if the value is less than R0, a voltage pulse with a peak value of v0+ΔV is applied. After that, measure the resistance value, and if the value is less than R0, it is V. A voltage pulse having a peak value of +2ΔV is applied. In this way, the resistance value is gradually decreased while gradually increasing the peak value of the applied voltage pulse until the resistance value becomes less than R0. When the resistance value becomes less than R6, the adjustment is finished. In this way, the resistance value of the heating element is made to be within a certain range of R or less. Since the purpose of the present invention is to reduce the variation in resistance value, it is not sufficient that the resistance value be less than R, but it is required that it be within a certain range less than Ro. Therefore, the resistance value is gradually decreased and stopped when it becomes below R0.

@2図および第8図は本発明の製造装置を使って抵抗値
を揃える方法を実施しない場合と実施した場合の発熱抵
抗体の抵抗値の分布を示す図である。何個かの発熱抵抗
体を−グμmブとし、その中の最大値を白丸印、平均値
を黒丸印、最小値をX印で示している。
@ Fig. 2 and Fig. 8 are diagrams showing the distribution of the resistance value of the heat generating resistor when the method of adjusting the resistance values using the manufacturing apparatus of the present invention is not carried out and when the method is carried out. Several heat generating resistors are shown as −g μm, and the maximum value is indicated by a white circle, the average value is indicated by a black circle, and the minimum value is indicated by an X.

実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に大きいが、
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。
If it is not carried out, the variation in resistance value will be very large, but
It can be seen that when implemented, there is almost no variation.

第4図はこの発明の装置の一例を示す構成図で。FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of the device of the present invention.

ある。第5図は第4図の主要な信号の波形図である。be. FIG. 5 is a waveform diagram of the main signals in FIG. 4.

(6)は調整対象のサーマルヘッド(7)に探針(プロ
ーブ)を押し当てるブロービング装置、(8)は印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、(9)は
電圧印加と抵抗測定とを切り換えるスイッチ、(2)は
調整電圧パルスを発生するパルス発生回路、αηは抵抗
計、(2)は計算部、(至)はその入出力部、α◆は中
央演算処理装置(以下CPUと称す)、(2)はメモリ
、CIQはキーボード、αηはプリンタである。
(6) is a probing device that presses a probe against the thermal head (7) to be adjusted; (8) is a relay network that guides the applied voltage pulse to the desired heating resistor; (9) is a voltage application and (2) is the pulse generation circuit that generates the adjustment voltage pulse, αη is the resistance meter, (2) is the calculation unit, (to) is its input/output unit, α◆ is the central processing unit ( (2) is a memory, CIQ is a keyboard, and αη is a printer.

本発明の装置により抵抗値を減少させる手順Cζついて
説明する。
The procedure Cζ for reducing the resistance value using the apparatus of the present invention will be explained.

計算部(2)から印加電圧の波高値v8の設定信号、1
回の電圧印加に含まれるパルス数nの設定信号が与えら
れている。ここで抵抗値を測定し、目標とする抵抗値R
8より大きな抵抗値をもつ発熱抵抗体については以下の
プロセスが実施される。計算部(2)からの電圧印加開
始信号5TARTを受けるとパルス発生回路顛はENA
BLE禁止信号を計算部に返送す・る、又、スイッチ(
9)がパルス発生回路QO側に切り換わる。ENABL
E禁止信号が出力されている期間は波高値v6の変更と
5TART信号の発生は禁止される。これは電圧パルス
印加中においてハ、波高値Vsの変更をすべきではない
し、また現在の電圧パルスの印加が終了するまでは次の
電圧パルス印加の開始信号5TARTを発するべきでは
ないからである。5TART信号印加後一定時間T1が
経過すると、パルス発生回路QOは波高値がV。
A setting signal for the peak value v8 of the applied voltage from the calculation unit (2), 1
A setting signal for the number n of pulses included in one voltage application is given. Here, measure the resistance value and set the target resistance value R.
For heating resistors with resistance values greater than 8, the following process is performed. Upon receiving the voltage application start signal 5TART from the calculation section (2), the pulse generation circuit turns into ENA.
Sends the BLE prohibition signal back to the calculation unit.
9) is switched to the pulse generation circuit QO side. ENABL
During the period when the E prohibition signal is output, changing of the peak value v6 and generation of the 5TART signal are prohibited. This is because the peak value Vs should not be changed while the voltage pulse is being applied, and the start signal 5TART for applying the next voltage pulse should not be issued until the application of the current voltage pulse is finished. When a certain period of time T1 has elapsed after the application of the 5TART signal, the peak value of the pulse generating circuit QO becomes V.

のn個のパルスをスイッチ(9)、リレー網(8)を経
てサーマルヘッド(7)の発熱抵抗体に印加する。パル
ス電圧の印加が終了した後12時間経過後スイッチ(9
)は抵抗計(6)側へ切り換えられる。そして更に18
時間後にはENABLE禁止信号が解除されて次の電圧
印加が可能になる6時間T8の間に抵抗値の測定が行わ
れ、その測定結果が計算部@へ送られる。計算部(ロ)
ではCPU(141が測定値を前回の測定値と比較する
。そして、前回の測定値を基準として一定の範囲内にな
い場合は接触不良であると判断する。一定の範囲の設定
方法は揮々あるが、前回測定値に比してより高い値であ
るか否か比較するようにするのが最も簡単な方法である
。以下−例としてこの方法の場合を述べる。
n pulses are applied to the heating resistor of the thermal head (7) via the switch (9) and the relay network (8). After 12 hours have passed after the application of the pulse voltage is finished, switch (9)
) is switched to the resistance meter (6) side. And 18 more
After a period of time, the ENABLE prohibition signal is released and the next voltage application becomes possible, during which the resistance value is measured during 6 hours T8, and the measurement results are sent to the calculation section @. Calculation section (b)
Then, the CPU (141) compares the measured value with the previous measured value.Then, if the measured value is not within a certain range based on the previous measured value, it is determined that there is a contact failure.The method for setting the certain range is variable. However, the simplest method is to compare whether the value is higher than the previous measured value.The case of this method will be described below as an example.

もし、前回の測定値よりも高い直が得られたならば、C
PUa樽はこの測定値を採用せず、ブロービング装置(
6)に対し測定対象のサーマルヘッド(7)への探針の
接触を解き、再接触さるべくリブローブ信号を送出する
。そして抵抗値の再測定が行われる。第1図から理解で
きるように、電圧パルスの印加によって抵抗値が増加す
ることはあり得ないのであって、もし増加することがあ
ればそれは探針(プローブ)の接触不良によるものと考
えられるからである。
If a higher accuracy than the previous measurement is obtained, then C
PUa barrels do not use this measurement, and instead use a blobbing device (
6), the probe is released from contact with the thermal head (7) to be measured, and a rib lobe signal is sent to bring it into contact again. Then, the resistance value is measured again. As can be understood from Figure 1, it is impossible for the resistance value to increase due to the application of a voltage pulse, and if it does increase, it is likely due to poor contact of the probe. It is.

この場合の探針の再接触であるが、前と同じ箇所に再接
触したのでは再び接触不良になる可能性がある。そこで
、再接触は前の箇所でになく、少し離れた箇所に対して
行う、探針の接触はリード線の先に設けられるパッドと
呼ばれる適所(こされるが、再接触は同一パッド内の少
し離れた位置にする。
In this case, if the probe contacts the same point again, there is a possibility that the probe will contact again. Therefore, the re-contact is not made at the previous point, but at a slightly distant point.The probe is brought into contact at a suitable place called a pad provided at the end of the lead wire. Move it a little further away.

抵抗側定直が前回の測定値より低ければCPUQ4はこ
の測定値を採用して調整目標値R0と比較する。Ro以
下に達していなければCPUQ41はENABLE禁止
信号が解除された後に、印加する電圧パルスの波高値の
設定値v8をΔVだけ高めてパルス発生口路頭に与えた
後、次回の電圧パルスの印加のための開始信号5TAR
Tを発生する。
If the resistance side straightness is lower than the previous measured value, CPUQ4 adopts this measured value and compares it with the adjustment target value R0. If it has not reached Ro or below, after the ENABLE prohibition signal is released, the CPUQ41 increases the set value v8 of the peak value of the applied voltage pulse by ΔV and applies it to the beginning of the pulse generation port, and then controls the application of the next voltage pulse. Start signal for 5TAR
Generate T.

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値を減少させて行く、抵抗値が
調整目標値RO以下となれば、その発熱抵抗体の抵抗値
の調整は終了する。
In this way, the resistance value of the heat generating resistor is gradually decreased while increasing the peak value of the applied voltage pulse. When the resistance value becomes less than the adjustment target value RO, the adjustment of the resistance value of the heat generating resistor is completed. do.

時限T、 、 T、を設けているのはスイッチ(9)、
リレー網(8)からなる切換接続回路のチャタリングに
よる影響を避けるためである。スイッチ(9)がパルス
発生回路αQ側に、リレー網(8)が−の発熱抵抗体を
選択するよう、完全に切り換えられる前に、パルス発生
回路QQから電圧パルスを発生させても、そのパルスは
サーマルヘッド(7)には印加されない。
The switch (9) provides the time limit T, , T,
This is to avoid the influence of chattering in the switching connection circuit consisting of the relay network (8). Even if a voltage pulse is generated from the pulse generation circuit QQ before the switch (9) is completely switched to select the pulse generation circuit αQ side and the relay network (8) selects the − heating resistor, the pulse is not applied to the thermal head (7).

また、電圧パルス印加後、スイッチ(9)が抵抗計(6
)側へ完全に切り換えられる前に抵抗値の測定を行って
も正確な測定はできない。
In addition, after applying the voltage pulse, the switch (9) is connected to the resistance meter (6).
Even if you measure the resistance value before the switch is completely switched to the ) side, accurate measurements cannot be made.

時間T2を設けているのは、電圧パルスが完全Cζ消滅
するまで時間がかかるから、その間にスイッチ(9)を
切換えることを禁止するためである。印加する電圧パル
スは、単一パルスで与えても良いが、むしろ数個のパル
スからなるパルス群で与える方が制御が容易である。電
圧パルスのエネルギーは波高値とパルス巾Δtによって
規たされるが、これがあまり(こ大きくなると発熱抵抗
体が破壊される。そこで、電圧パルスのエネルギーがあ
る程度であって発熱抵抗体を破壊する危険があるときは
電圧パルスの波高値に応じてパルス巾を減少させるよう
調整しなければならない、単一パルスのパルス巾を調整
するよりはむじろ、複数のパルスからなるパルス群の各
パルスの巾Δtは一定としておいて、パルス周期Tとパ
ルレス巾△tとの比Δ1/Tを波高値の変化(こ応じて
発熱抵抗体を破壊しない値以下に調整する方が容易であ
る。あるいは、Δt/Tを一定としておき、波高値の変
化に応じてパルス群を構成するパルス数nを変化させて
も良い。電圧パルスのエネルギーが十分小さい場合は単
一パルス又はパルス群のいづれで与えても良い。
The reason why the time T2 is provided is that since it takes time for the voltage pulse to completely disappear Cζ, it is prohibited to switch the switch (9) during that time. The voltage pulse to be applied may be a single pulse, but it is easier to control it if it is applied as a group of several pulses. The energy of the voltage pulse is regulated by the peak value and the pulse width Δt, but if this becomes too large, the heating resistor will be destroyed. Rather than adjusting the pulse width of a single pulse, the width of each pulse in a group of pulses must be adjusted to reduce the pulse width depending on the peak value of the voltage pulse. While Δt is kept constant, it is easier to adjust the ratio Δ1/T between the pulse period T and the pulseless width Δt to a value that does not destroy the heating resistor according to the change in the peak value.Alternatively, Δt /T may be kept constant and the number n of pulses constituting the pulse group may be changed according to changes in the peak value.If the energy of the voltage pulse is sufficiently small, it may be given as either a single pulse or a group of pulses. good.

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる。そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第1回の電圧パルスの印加は開始
される。第1図のVa は第1回の印加電圧パルスの波
高値を示す。
When the peak value of the applied voltage pulse is low, the phenomenon that the resistance value decreases is no longer observed. Therefore, the first voltage pulse application is started from a peak value at which a decrease in resistance value can be expected. Va in FIG. 1 indicates the peak value of the first applied voltage pulse.

調整目標抵抗値R0,パルスの数nの変更はキーボード
αQを使って行われる。調整後の抵抗値及びCPU(1
41の計算結果はプリンタαη(こ打ち出される。
The adjustment target resistance value R0 and the number of pulses n are changed using the keyboard αQ. Resistance value after adjustment and CPU (1
The calculation result of 41 is printed out on the printer αη.

第6図は第4図の装置による発熱抵抗体の抵抗値調整方
法のフローチャート図である。
FIG. 6 is a flowchart of a method for adjusting the resistance value of a heating resistor using the apparatus shown in FIG. 4.

ステップ(1)では波高値v5.パルス数n等のパルス
条件の初期設定を行う。次いで、ステップ(2)でブロ
ービング装置(6)によるサーマルヘッド(7)へのプ
ロービングと、リレー網(8)の切換えとを行う。
In step (1), the peak value v5. Initialize pulse conditions such as the number of pulses n. Next, in step (2), probing of the thermal head (7) by the probing device (6) and switching of the relay network (8) are performed.

次にステップ曽で抵抗値の測定を行う、ステップ優υで
測定値を目標値R0と比較しRoより小のときは電圧パ
ルスの印加は行なわない。抵抗値がRoより大のときス
テップ(2)、(1)では設定された波高値をもつn個
のパルス列を印加し、抵抗値の測定を行う、今回の測定
値と前回の測定値との比較をステップ(ハ)で行い、前
回の測定値より大であればステップ(7)で再びブロー
ビングを行う。前回測定値より小であれば調整目標抵抗
値ROとの比較をステップに)で行う、測定値がR,以
、下であればその発熱抵抗体についての調整は終了する
。R,以下になっていなければ、印加電圧パルスの波高
値をΔ■だけ増してパルスを印加する(ステップ@)。
Next, the resistance value is measured in step Z, and the measured value is compared with the target value R0 in step Y, and if it is smaller than Ro, no voltage pulse is applied. When the resistance value is greater than Ro, in steps (2) and (1), apply n pulse trains with the set peak value and measure the resistance value. A comparison is made in step (c), and if the measured value is greater than the previous measurement value, blobbing is performed again in step (7). If the measured value is smaller than the previous measured value, a comparison with the adjustment target resistance value RO is performed in step 2).If the measured value is less than or equal to R, the adjustment for that heating resistor is completed. If it is not below R, the peak value of the applied voltage pulse is increased by Δ■ and a pulse is applied (step @).

このよう1ζして調整は測定値がR,以下となるまで原
則として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら
印加しても抵抗値が減少しない特異な素子もある。又パ
ルス発生回路Mが発生しうるパルス電圧の波高値には制
限がある。そこで、抵抗値がRO以下とならなくてもパ
ルス電圧の印加回数がある一定数に達するとそこで調整
を終了する。ステップ槃はそのために設けられている。
In principle, adjustment is continued in this manner until the measured value becomes R or less. However, there are some unique elements whose resistance value does not decrease no matter how much pulse voltage is applied. Furthermore, there is a limit to the peak value of the pulse voltage that the pulse generating circuit M can generate. Therefore, even if the resistance value does not become below RO, the adjustment is terminated when the number of pulse voltage applications reaches a certain number. Steps are designed for this purpose.

数個の発熱抵抗体を−グル−ブとして抵抗値の測定が行
われることは既に第2図、第3図で述べた。
It has already been described in FIGS. 2 and 3 that the resistance value is measured using several heating resistors as a group.

一グループの調整が終るとCPUαぐは平均値。When the adjustment for one group is completed, the CPU α is the average value.

標準偏差を求めるための演算ΣR9ΣR2を行う。Calculation ΣR9ΣR2 is performed to obtain the standard deviation.

そしてプリンタαηは−グループの最大値、平均値。And the printer αη is the maximum value and average value of the group.

最小値が第8図のようにプリントされる。−個のサーマ
ルヘッドの全発熱抵抗につぃて調整が終るとCPUα4
)は全体の平均値および標準偏差σを計算する。その結
果はプリンタ(ロ)に打ち出される。
The minimum value is printed as shown in FIG. - After adjusting all the heating resistances of the thermal heads, the CPU α4
) calculates the overall mean and standard deviation σ. The results are output to a printer (b).

もつとも計算部は平均値又は標準偏差の一方だけを計算
するものであっても良い。
However, the calculation unit may calculate only one of the average value and standard deviation.

第7図は第4図のパルス発生回路αQの詳細説明図であ
る。図において、に)、(至)、(財)はフリップフロ
ップ回路、 on 、(7)、(ロ)はタイマ回路、(
至)はパルス発生器、(7)は単安定マルチ回路、(至
)はトランジスタ、(ロ)は電圧電源、(至)は計数器
、(至)は比較器である。
FIG. 7 is a detailed explanatory diagram of the pulse generating circuit αQ of FIG. 4. In the figure, (2), (7), and (2) are flip-flop circuits, on, (7), and (2) are timer circuits, and (2) are flip-flop circuits.
(to) is a pulse generator, (7) is a monostable multicircuit, (to) is a transistor, (b) is a voltage power supply, (to) is a counter, and (to) is a comparator.

計算部(2)から開始信号5TART信号を受けると、
フリップフロップ回路(7)、(43はセットされる。
Upon receiving the start signal 5TART signal from the calculation unit (2),
Flip-flop circuits (7) and (43) are set.

フリップフロップ回路(7)からは計算部へENABL
E禁止信号が送られる。ENABLE禁止信号が継続し
ている間は波高値信号Vsの変更と、5TART信号の
発生は禁止される。フリップフロップ回路(財)の出力
によりスイッチ(9)のコイ/l/allが通電し、接
点−9−が図とは反対側に切替えられる。フリップフロ
ップ回路(至)がセットされてからT、時間後にタイマ
回路0])は出力する。これによりフリップフロップ回
路(2)がセットされるとゲート(至)が開かれ、パル
ス発生器(至)の発生したパルスが単安定マルチ回路(
7)に与えられる。単安定マルチ回路(至)はパルス発
生器(至)のパルレス巾を所望のパルス巾Δtをもつパ
ルスに整形する。Δtは単安定マルチ回路(7)中の抵
抗とコンデンサによって定められる。第8図にパルス発
生器(至)の出力パルス波形と単安定マルス回路に)の
出力波形を示す。
ENABL is sent from the flip-flop circuit (7) to the calculation section.
E prohibition signal is sent. While the ENABLE prohibition signal continues, changes in the peak value signal Vs and generation of the 5TART signal are prohibited. The coil/l/all of the switch (9) is energized by the output of the flip-flop circuit, and the contact -9- is switched to the side opposite to that shown in the figure. The timer circuit 0]) outputs T time after the flip-flop circuit (to) is set. As a result, when the flip-flop circuit (2) is set, the gate (to) is opened, and the pulses generated by the pulse generator (to) are transferred to the monostable multi-circuit (to).
7) is given. The monostable multi-circuit (to) shapes the pulse width of the pulse generator (to) into a pulse having a desired pulse width Δt. Δt is determined by the resistor and capacitor in the monostable multicircuit (7). FIG. 8 shows the output pulse waveform of the pulse generator (to) and the output waveform of the monostable Mars circuit.

単安定マルチ回路(7)のパルスにより、トランジスタ
(至)のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ
(至)はパルスが存在する期間ΔtはON状態となる。
The gate drive current of the transistor (to) is supplied by the pulse of the monostable multi-circuit (7), and the transistor (to) is in an ON state for a period Δt during which the pulse exists.

トランジスタ(至)がON状態の期間に電圧電源(2)
の出力電圧がスイッチ(9)の接点−,峙、リレー網(
8)を経てサンプルに印加される。電圧電源(ロ)の波
高値は計算部@からの波高値信号V3によって決定され
る。
Voltage power supply (2) during the period when the transistor (to) is in the ON state
The output voltage of the switch (9) contacts -, opposite, and relay network (
8) to the sample. The peak value of the voltage power source (b) is determined by the peak value signal V3 from the calculation unit @.

ゲート(ロ)を通過するパルスはカウンターによって計
数される。カウンタ(至)の計数値は比較器(至)によ
って計算部@から与えられる数nと比較される。
The pulses passing through the gate (b) are counted by a counter. The count value of the counter (to) is compared with the number n given from the calculation unit @ by the comparator (to).

計数値がnに達すると比較器(至)の出力(こよりフリ
ップフロップ回路に)をリセットする。これによりゲー
ト(ロ)は閉じられ、サンプ〜への1回のパルス電圧の
印加・が終了する。
When the count value reaches n, the output of the comparator (to) is reset (to the flip-flop circuit). As a result, the gate (b) is closed, and one pulse voltage application to the sump ends.

比較器(至)の出力はタイマ回路菊にも与えられる。The output of the comparator (to) is also given to the timer circuit Kiku.

時限T2後にタイマ回路(ト)は出力し、これによって
フリップフロップ−はリセットされ、スイッチ(9)は
抵抗計測に切換えられる。スイッチ(9)が切換えられ
ると、接点(社)、鍼は図示の位置に切換えられ、抵抗
計αηによってサンプルの発熱抵抗体の抵抗値が測定さ
れる。
After the time limit T2, the timer circuit (g) outputs an output, which resets the flip-flop and switches the switch (9) to resistance measurement. When the switch (9) is switched, the contacts and needles are switched to the illustrated positions, and the resistance value of the heating resistor of the sample is measured by the resistance meter αη.

タイマ回路(7)が出力してから13時間経過するとタ
イマ回路(6)が出力し、それによりフリップフロップ
回路に)がリセットされ両端子出力は1Hルベルとなり
、ENABLE禁止信号は消滅する。これ(こより次の
電圧パルスの印加が可能になる。
When 13 hours have elapsed since the timer circuit (7) outputs the output, the timer circuit (6) outputs the output, thereby resetting the flip-flop circuit (the flip-flop circuit), the outputs from both terminals become 1H level, and the ENABLE inhibit signal disappears. This makes it possible to apply the next voltage pulse.

本発明による抵抗値の変化の実験結果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合は一個につき2000以上の発
熱抵抗体をもつサーマルヘッド内で絶対値で±20%、
標準偏差σが5.6%であるのに対し、本発明を実施す
ると絶対値で±3%、標準偏差が0.4%になる等大幅
に抵抗値のばらつきが改善された。これによってサーマ
ルヘッドの印字の濃度ムラをほとんどなくすることがで
きた。
An example of the experimental results of resistance value changes according to the present invention is as follows:
If the present invention is not implemented, the absolute value within a thermal head having 2000 or more heating resistors per piece is ±20%,
While the standard deviation σ was 5.6%, when the present invention was implemented, the variation in resistance values was significantly improved, with an absolute value of ±3% and a standard deviation of 0.4%. This made it possible to almost eliminate density unevenness in printing by the thermal head.

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値(第1図Vo )を数十v1印加パ
pス電圧の1回毎の増加分△Vを1vないし数V、1回
の電圧印加に含まれるパフレス数nを10〜20.1個
のパルス巾Δtを1μないし数μ秒、パμス間隔を数十
μ秒として発熱体の抵抗値の調整を行った。
The inventors set the initial setting value (Vo in Fig. 1) of the peak value of the voltage pulse applied to adjust the resistance value to several tens of v1, and the increment △V for each pulse voltage applied was set to 1 v to several tens of v1. V, the number of puffs included in one voltage application n is 10 to 20.1, the pulse width Δt is 1 μ to several μ seconds, and the pass μ interval is several tens of μ seconds to adjust the resistance value of the heating element. Ta.

時限T1.T8は10m秒前後に、時限T2は数m秒に
設定して、発明者等は抵抗値の調整を行った。
Time limit T1. The inventors adjusted the resistance value by setting T8 to around 10 msec and time limit T2 to several msec.

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数値は以上
に述べた一例に限られるものではなく、この発明の効果
を奏する範囲内で種々の数値をとりうろことは言うまで
もない。
It goes without saying that the specific numerical values of the parameters used for adjusting the resistance value are not limited to the example described above, and that various numerical values may be used within the range that produces the effects of the present invention.

第6図のステップ(ハ)においては前回の抵抗測定値と
大小比較を行っているが、これ(こ代えて前回の抵抗測
定値に比して一定の範囲内、例えば0.9〜1.0倍の
範囲内にあるか否かを確認し、この範囲内にないときは
抵抗値の再測定をするようにしても良い。
In step (c) of FIG. 6, a comparison is made with the previous resistance measurement value, which is compared to the previous resistance measurement value within a certain range, for example 0.9 to 1. It is also possible to check whether the resistance value is within the range of 0 times or not, and to re-measure the resistance value if it is not within this range.

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例を第4
図、第7図に示したが、この発明はこれらに限らない。
An example of the thermal head manufacturing apparatus according to the present invention is shown in the fourth example.
Although shown in FIG. 7, the present invention is not limited thereto.

パルス電圧の波高値V、とパルス数nを計算部亜からパ
ルス発生回路QOに自動的に与えているが、これらを手
動操作にて設定するよう書こする事もできる。それは、
パルス発生回路に波高値■3とパルス数nを設定するス
イッチを設けることによって容易に実施できる。又計算
部(6)からの自動設定と手動操作の両者を併用しても
良い。
Although the peak value V of the pulse voltage and the number n of pulses are automatically given to the pulse generation circuit QO from the calculation section 2, they can also be written to be set manually. it is,
This can be easily implemented by providing the pulse generation circuit with a switch for setting the peak value (3) and the number of pulses (n). Further, both automatic setting from the calculation section (6) and manual operation may be used together.

スイッチ(9)は第7図の例ではコイ/L/#旧ζ通フ
して接点□□□、(!11を駆動するリレーであるが、
これに代えて半導体スイッチを用いることも可能である
In the example of Fig. 7, the switch (9) is a relay that connects Koi/L/# old ζ and drives contacts □□□, (!11).
It is also possible to use a semiconductor switch instead.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明(こ係るサーマルヘッドの製造装置は、電圧パ
ルスを発熱抵抗体に印加して抵抗値を減少させるパルス
発生回路および発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵抗計と
を備えるようにしたので、サーマルヘッドの発熱抵抗体
の抵抗値のばらつきを少なくして、サーマルヘッドの印
字濃度のむらを著しく減少させることができる。又抵抗
値の平均値又は標準偏差を計算する計算部を設けたので
抵抗値のばらつきがどの程度減少したか把握が容易とな
る。
This invention (this thermal head manufacturing apparatus includes a pulse generation circuit that applies a voltage pulse to a heating resistor to reduce its resistance value, and a resistance meter that measures the resistance value of the heating resistor) By reducing the variation in the resistance value of the heating resistor of the thermal head, it is possible to significantly reduce the unevenness of the print density of the thermal head.Also, a calculation section is provided to calculate the average value or standard deviation of the resistance value. This makes it easier to understand how much the variation in data has been reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

i1図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の原
理説明図、第2図、第3図はこの発明に係るサーマルヘ
ッドの製造装置による抵抗値を揃える製造プロセスを実
施しない場合と、実施した場合の抵抗値の分布を示す図
、第4図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造装置の
一実施例を示す構成図、第5図は第4図の主要部の波形
図、第6図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造装置
による製造プロセスの一実施手順を示すフローチャート
図、第7図は第4図のパルス発生回路の詳細構成図、第
8図は第7図の波形説明図、第9図はサーマルヘッドの
一般構成図、5110図は感熱記録装置におけるサーマ
ルヘッドの使用状態を説明する図、第11図は一般的な
サーマルヘッドにおける抵抗値の分布の一例を示す図で
ある。 図において、(1)は絶縁基板、(2)はリード線、(
3)は発熱抵抗素子、(6)はブロービング装置、(7
)はサーマルヘッド、(8)はリレー網、(9)はスイ
ッチ、αQはパルス発生回路、(ロ)は抵抗計、(ロ)
は計算部、(ロ)j、tcPU、C3])、■、に)は
タイマ回路、轡はパルス発生器、(至)は単安定マルチ
回路、(ロ)は電圧電源、(至)は計数器、(至)は比
較器である。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。
Figure i1 is an explanatory diagram of the principle of the method for manufacturing a thermal head according to the present invention, and Figures 2 and 3 are diagrams showing cases in which the manufacturing process for equalizing resistance values by the thermal head manufacturing apparatus according to the present invention is not carried out and when it is carried out. FIG. 4 is a configuration diagram showing an embodiment of the thermal head manufacturing apparatus according to the present invention, FIG. 5 is a waveform diagram of the main part of FIG. 4, and FIG. A flowchart showing one implementation procedure of the manufacturing process by the thermal head manufacturing apparatus according to the invention, FIG. 7 is a detailed configuration diagram of the pulse generation circuit of FIG. 4, FIG. 8 is a waveform explanatory diagram of FIG. 7, and FIG. Figure 5110 is a diagram illustrating the general configuration of a thermal head, Figure 5110 is a diagram illustrating how the thermal head is used in a thermal recording device, and Figure 11 is a diagram showing an example of the distribution of resistance values in a general thermal head. In the figure, (1) is an insulated substrate, (2) is a lead wire, (
3) is a heating resistance element, (6) is a blobbing device, (7
) is the thermal head, (8) is the relay network, (9) is the switch, αQ is the pulse generation circuit, (b) is the resistance meter, (b)
is the calculation unit, (b) j, tcPU, C3]), ■, ni) is the timer circuit, 轡 is the pulse generator, (to) is the monostable multi-circuit, (b) is the voltage power supply, (to) is the counter Container, (to) is a comparator. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] サーマルヘッドの複数個の発熱抵抗体の中から選択され
た所定の発熱抵抗体に電圧パルスを印加するパルス発生
回路と、前記発熱抵抗体の抵抗値を測定する抵抗計と、
この抵抗計の複数の測定値に基づき、前記発熱抵抗体の
抵抗値の平均値又は標準偏差値を計算する計算部とを備
えたサーマルヘッドの製造装置。
a pulse generating circuit that applies a voltage pulse to a predetermined heating resistor selected from a plurality of heating resistors of the thermal head; a resistance meter that measures the resistance value of the heating resistor;
A thermal head manufacturing apparatus comprising: a calculation section that calculates an average value or a standard deviation value of the resistance value of the heating resistor based on the plurality of measured values of the resistance meter.
JP60017790A 1985-01-30 1985-01-30 Thermal head manufacturing equipment Granted JPS6183062A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60017790A JPS6183062A (en) 1985-01-30 1985-01-30 Thermal head manufacturing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60017790A JPS6183062A (en) 1985-01-30 1985-01-30 Thermal head manufacturing equipment

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59205015A Division JPS6183053A (en) 1984-09-28 1984-09-28 Method of manufacturing thermal head

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6183062A true JPS6183062A (en) 1986-04-26
JPH0229508B2 JPH0229508B2 (en) 1990-06-29

Family

ID=11953507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60017790A Granted JPS6183062A (en) 1985-01-30 1985-01-30 Thermal head manufacturing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6183062A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH048556A (en) * 1990-04-26 1992-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thermal head and its resistance value trimming method
CN110389267A (en) * 2019-07-17 2019-10-29 国网陕西省电力公司电力科学研究院 A kind of low-voltage platform area platform family relation recognition method based on intelligent electric energy meter acquisition data

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS539543A (en) * 1976-07-15 1978-01-28 Toshiba Corp Thick film material for thermal head and thermal head
JPS539544A (en) * 1976-07-15 1978-01-28 Toshiba Corp Thick film materialfor thermal head and thermal head
JPS5434046A (en) * 1977-08-22 1979-03-13 Fujitsu Ltd Resistance value adjustment of resistance element group

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS539543A (en) * 1976-07-15 1978-01-28 Toshiba Corp Thick film material for thermal head and thermal head
JPS539544A (en) * 1976-07-15 1978-01-28 Toshiba Corp Thick film materialfor thermal head and thermal head
JPS5434046A (en) * 1977-08-22 1979-03-13 Fujitsu Ltd Resistance value adjustment of resistance element group

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH048556A (en) * 1990-04-26 1992-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Thermal head and its resistance value trimming method
CN110389267A (en) * 2019-07-17 2019-10-29 国网陕西省电力公司电力科学研究院 A kind of low-voltage platform area platform family relation recognition method based on intelligent electric energy meter acquisition data
CN110389267B (en) * 2019-07-17 2021-05-04 国网陕西省电力公司电力科学研究院 A method for identifying the relationship between Taiwan and households in a low-voltage station area

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0229508B2 (en) 1990-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4782202A (en) Method and apparatus for resistance adjustment of thick film thermal print heads
JPS6183062A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPS62122102A (en) Thermal recording head and its manufacturing method
JPS61124109A (en) Manufacture of thermal head
JPS6183055A (en) Method of manufacturing thermal head
JPS6183059A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPH0547961B2 (en)
JPS6183058A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPS598232B2 (en) Thick film materials for thermal heads and thermal heads
JPS6183054A (en) Method of manufacturing thermal head
JPS6183060A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPS61124102A (en) Thermal head and manufacture thereof
JPS6183065A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPS6183057A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPS6183061A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPS6183066A (en) Thermal head manufacturing equipment
JP2590916B2 (en) Method of manufacturing thick film type thermal head
JPS6183064A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPH0229023B2 (en)
JPS6183063A (en) Thermal head manufacturing equipment
JPS61251106A (en) Apparatus for manufacturing thermal head
JPS6292411A (en) Manufacture of thick film thermal head
JPH0533539B2 (en)
JP2645759B2 (en) Method for manufacturing thermal head for uniformizing surface temperature of heating resistor protective layer with high accuracy
JPH05305722A (en) How to adjust the resistance value of the thermal head

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term