JPS6183985A - シンチレ−シヨン検出器 - Google Patents
シンチレ−シヨン検出器Info
- Publication number
- JPS6183985A JPS6183985A JP20494984A JP20494984A JPS6183985A JP S6183985 A JPS6183985 A JP S6183985A JP 20494984 A JP20494984 A JP 20494984A JP 20494984 A JP20494984 A JP 20494984A JP S6183985 A JPS6183985 A JP S6183985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- photomultiplier tube
- wave height
- height discriminator
- scintillator
- Prior art date
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、ポジトロン用あるいはシングルフォトン用
のリング型ＥＣＴ装置（エミッション・コンピュータ断
層撮影装置）に使用されるシンチレーション検出器に関
する。
のリング型ＥＣＴ装置（エミッション・コンピュータ断
層撮影装置）に使用されるシンチレーション検出器に関
する。
（ロ）従来技術
リング型ＥＣＴ装置は多数の放射線検出器をリング型に
配列してなるものであるが、放射線検出器を小さくして
その配列密度を高くする程空間分解能が向上する。とこ
ろで、従来では、放射線検出器として通常、１個のシン
チレータと１個の光電子増倍管とを組合せてなるシンチ
レーション検出器が用いられている。そのため、光電子
増倍管の大きさにより各シンチレーション検出器の大き
さが制限され、小さくするのにも限界がある。また、た
とえ小さくできたとしてもリング型配列全体では光電子
増倍管の本数も増加するので高価になるという欠点があ
る。
配列してなるものであるが、放射線検出器を小さくして
その配列密度を高くする程空間分解能が向上する。とこ
ろで、従来では、放射線検出器として通常、１個のシン
チレータと１個の光電子増倍管とを組合せてなるシンチ
レーション検出器が用いられている。そのため、光電子
増倍管の大きさにより各シンチレーション検出器の大き
さが制限され、小さくするのにも限界がある。また、た
とえ小さくできたとしてもリング型配列全体では光電子
増倍管の本数も増加するので高価になるという欠点があ
る。
（ハ）目的
この発明は、光電子増倍管を増加させずに、したがって
高価格化を招くことなく、空間分解能を向上させたシン
チレーション検出器を提供することを目的とする。
高価格化を招くことなく、空間分解能を向上させたシン
チレーション検出器を提供することを目的とする。
（ニ）構成
この発明のシンチレーション検出器では、多数個のシン
チレータが互いに隣接して配列されており、そのうちの
一定個数ずつが複数個の光電子増倍管のそれぞれに光結
合されている。そして各光電子増倍管の出力パルスの波
高が第１の波高弁別器により所定の高いレベルのウィン
ド内に入っていることが検出され、また第２の波高弁別
器により所定の低いレベルのウィンド内に入っているこ
とが検出される。同一の光電子増倍管の結合されるシン
チレータ間では光のクロストークがないようにされ、隣
接している光電子増倍管に結合しているシンチレータ間
では光のクロストークが生じるようにされる。各光電子
増倍管に接続された第１の波高弁別器の出力と該光電子
増倍管に隣接する他の光電子増倍管に接続された第２の
波高弁別器の出力との組合せによりどのシンチレータに
放射線が入射したかが判別される。
チレータが互いに隣接して配列されており、そのうちの
一定個数ずつが複数個の光電子増倍管のそれぞれに光結
合されている。そして各光電子増倍管の出力パルスの波
高が第１の波高弁別器により所定の高いレベルのウィン
ド内に入っていることが検出され、また第２の波高弁別
器により所定の低いレベルのウィンド内に入っているこ
とが検出される。同一の光電子増倍管の結合されるシン
チレータ間では光のクロストークがないようにされ、隣
接している光電子増倍管に結合しているシンチレータ間
では光のクロストークが生じるようにされる。各光電子
増倍管に接続された第１の波高弁別器の出力と該光電子
増倍管に隣接する他の光電子増倍管に接続された第２の
波高弁別器の出力との組合せによりどのシンチレータに
放射線が入射したかが判別される。
（ホ）実施例
ｔ５１ 図において、多数のシンチレータ１が互いに隣
接してリング型に配列されており、３個ずつライトガイ
ド４を介して１個の光電子増倍管５に光学的に結合され
ている。同一の光電子増倍管５に結合されるシンチレー
タ１の間には光学的遮蔽板２が挿入されて互いに光のク
ロストークがないようにされているが、隣接する光電′
子増倍管５に結合されるシンチレータｌの間は光学的結
合面３となっていて、互いに光のクロストークが生じる
ようにされている。各光電子増倍管５には、増幅器６を
介して主波高弁別器７と副波高弁別器８とがそれぞれ接
続されている。これらの波高弁別器７．８は光電子増倍
管５から生じる出力パルスの波高を弁別するもので、主
波高弁別器７は第２図（イ）に示すように高いレベルの
ウィンドに波高が入っているときに出力を生じ、副波高
弁別器８は第２図（ロ）に示すように主波高弁別器７よ
りは低いレベルのウィンドに波高が入っているときに出
力を生じる。この高いレベルのウィンドは各光電子増倍
管５にライトガイド４を介して結合されたシンチレータ
１からの光に対応して定められ、低いレベルのウィンド
は隣接する光電子増倍管５に結合されたシンチレータ１
からのクロストーク光に対応して定められている。主波
高弁別器７の出力はゲート回路１０を介して出力される
が、このゲート回路１０はＡＮＤ回路９の出力がないと
きのみ開いて信号を通過させ、ＡＮＤ回路゛ ９か
ら出力が送られているときは閉じて信号を阻止する。Ａ
ＮＤ回路９には、主波高弁別器７の出力と隣りの副波高
弁別器８の出力とが入力されている。
接してリング型に配列されており、３個ずつライトガイ
ド４を介して１個の光電子増倍管５に光学的に結合され
ている。同一の光電子増倍管５に結合されるシンチレー
タ１の間には光学的遮蔽板２が挿入されて互いに光のク
ロストークがないようにされているが、隣接する光電′
子増倍管５に結合されるシンチレータｌの間は光学的結
合面３となっていて、互いに光のクロストークが生じる
ようにされている。各光電子増倍管５には、増幅器６を
介して主波高弁別器７と副波高弁別器８とがそれぞれ接
続されている。これらの波高弁別器７．８は光電子増倍
管５から生じる出力パルスの波高を弁別するもので、主
波高弁別器７は第２図（イ）に示すように高いレベルの
ウィンドに波高が入っているときに出力を生じ、副波高
弁別器８は第２図（ロ）に示すように主波高弁別器７よ
りは低いレベルのウィンドに波高が入っているときに出
力を生じる。この高いレベルのウィンドは各光電子増倍
管５にライトガイド４を介して結合されたシンチレータ
１からの光に対応して定められ、低いレベルのウィンド
は隣接する光電子増倍管５に結合されたシンチレータ１
からのクロストーク光に対応して定められている。主波
高弁別器７の出力はゲート回路１０を介して出力される
が、このゲート回路１０はＡＮＤ回路９の出力がないと
きのみ開いて信号を通過させ、ＡＮＤ回路゛ ９か
ら出力が送られているときは閉じて信号を阻止する。Ａ
ＮＤ回路９には、主波高弁別器７の出力と隣りの副波高
弁別器８の出力とが入力されている。
今、第１図のシンチレータ１のうちａ、ｂ。
ｃ、ｄの記号を付したものにそれぞれγ線が入射するも
のとする。まず、シンチレータａにのみγ線が入射した
場合、ここで生じたシンチレーション光は光学的遮蔽板
２で遮られるので隣接するシンチレータｂ等に漏れるこ
となく、全てＡの光電子増倍管５に入射する。そこで、
この場合は光電子増倍管Ａから生じる出力パルスの波高
は大きなものとなり、そのためＡ側では主波高弁別器７
から出力が生じるが副波高弁別器８からは出力は生じな
い。また、このとき、Ｂの光電子増倍管５には何らの光
も入射されないのでＢ側では主および副波高弁別器７．
８とも出力を生じない、そこで、この場合はＡ側のＡＮ
Ｄ回路９から出力が生じないので、Ａ側の主波高弁別器
７の出力はそのままゲート回路１０を通過する。
のとする。まず、シンチレータａにのみγ線が入射した
場合、ここで生じたシンチレーション光は光学的遮蔽板
２で遮られるので隣接するシンチレータｂ等に漏れるこ
となく、全てＡの光電子増倍管５に入射する。そこで、
この場合は光電子増倍管Ａから生じる出力パルスの波高
は大きなものとなり、そのためＡ側では主波高弁別器７
から出力が生じるが副波高弁別器８からは出力は生じな
い。また、このとき、Ｂの光電子増倍管５には何らの光
も入射されないのでＢ側では主および副波高弁別器７．
８とも出力を生じない、そこで、この場合はＡ側のＡＮ
Ｄ回路９から出力が生じないので、Ａ側の主波高弁別器
７の出力はそのままゲート回路１０を通過する。
つぎに、シンチレータｂにのみγ線が入射した場合は、
ここで生じたシンチレーション光は光学的遮蔽板２で遮
られるので隣接するシンチレータａには漏れないが隣接
するシンチレータＣには漏れる。そのためその光がＡの
光電子増倍管５に入射するとともに、シンチレータＣに
漏れたクロストーク光が光電子増倍管Ｂに入射する。そ
こで、この場合は光電子増倍管Ａから生じる出力パルス
の波高は大きなものとなり、そのためＡ側では主波高弁
別器７から出力が生じるが副波高弁別器８からは出力は
生じず、しかもこのとき、光電子増倍管Ｂにはクロスト
ーク光が入射するのでＢ側では主波高弁別器７からは出
力が生じないが、副波高弁別器８は出力を生じる。その
ため、この場合はＡ側のＡＮＤＮ０回路ら出力が生じる
ことになり、これによりＡ側のゲート回路１０は阻止状
態になるのでＡ側の主波高弁別器７の出力はゲート回路
１０により阻止されてしまう。
ここで生じたシンチレーション光は光学的遮蔽板２で遮
られるので隣接するシンチレータａには漏れないが隣接
するシンチレータＣには漏れる。そのためその光がＡの
光電子増倍管５に入射するとともに、シンチレータＣに
漏れたクロストーク光が光電子増倍管Ｂに入射する。そ
こで、この場合は光電子増倍管Ａから生じる出力パルス
の波高は大きなものとなり、そのためＡ側では主波高弁
別器７から出力が生じるが副波高弁別器８からは出力は
生じず、しかもこのとき、光電子増倍管Ｂにはクロスト
ーク光が入射するのでＢ側では主波高弁別器７からは出
力が生じないが、副波高弁別器８は出力を生じる。その
ため、この場合はＡ側のＡＮＤＮ０回路ら出力が生じる
ことになり、これによりＡ側のゲート回路１０は阻止状
態になるのでＡ側の主波高弁別器７の出力はゲート回路
１０により阻止されてしまう。
シンチレータＣにのみγ線が入射した場合、そのシンチ
レーション光は光学的遮蔽板２で遮られるので隣接する
シンチレータｄには漏れないが隣接するシンチレータｂ
には漏れる。そのためその光が光電子増倍管Ｂに入射す
るとともに、シンチレータｂに漏れたクロストーク光が
光電子増倍管Ａに入射する。そこで、この場合は光電子
増倍管Ｂから生じる出力パルスの波高は大きなものとな
り、そのためＢ側では主波高弁別器７から出力が生じる
が副波高弁別器８からは出力は生じず、し゛かもこのと
き、光電子増倍管Ａにはクロストーク光が入射するので
Ａ側では主波高弁別器７からは出力が生じないが、副波
高弁別器８は出力を生じる。そのため、この場合はＢ側
のＡＮＤＮ０回路ら出力が生じること瞬なり、これによ
りＢ側のゲート回路１０は阻止状態になるのでＢ側の主
波高弁別器７の出力はゲート回路１０により阻止されて
しまう。
レーション光は光学的遮蔽板２で遮られるので隣接する
シンチレータｄには漏れないが隣接するシンチレータｂ
には漏れる。そのためその光が光電子増倍管Ｂに入射す
るとともに、シンチレータｂに漏れたクロストーク光が
光電子増倍管Ａに入射する。そこで、この場合は光電子
増倍管Ｂから生じる出力パルスの波高は大きなものとな
り、そのためＢ側では主波高弁別器７から出力が生じる
が副波高弁別器８からは出力は生じず、し゛かもこのと
き、光電子増倍管Ａにはクロストーク光が入射するので
Ａ側では主波高弁別器７からは出力が生じないが、副波
高弁別器８は出力を生じる。そのため、この場合はＢ側
のＡＮＤＮ０回路ら出力が生じること瞬なり、これによ
りＢ側のゲート回路１０は阻止状態になるのでＢ側の主
波高弁別器７の出力はゲート回路１０により阻止されて
しまう。
シンチレータｄにのみγ線が入射した場合には、そのシ
ンチレーション光は光学的遮蔽板２で遮られるので隣接
するシンチレータＣ等に漏れることなく、全て光電子増
倍管Ｂに入射する。そこで、この場合は光電子増倍管Ｂ
から生じる出力パルスの波高は大きなものとなり、その
ためＢ側では主波高弁別器７から出力が生じるが副波高
弁別器８からは出力は生じない、また、このとき、光
゛電子増倍管Ａには何らの光も入射されないの
でＡ側では主および副波高弁別器７，８とも出力を生し
ない、そこで、この場合はＢ側のＡＮＤＮ０回路ら出力
が生じないので、Ｂ側の主波高弁別器７の出力はそのま
まゲート回路１０を通過する。
ンチレーション光は光学的遮蔽板２で遮られるので隣接
するシンチレータＣ等に漏れることなく、全て光電子増
倍管Ｂに入射する。そこで、この場合は光電子増倍管Ｂ
から生じる出力パルスの波高は大きなものとなり、その
ためＢ側では主波高弁別器７から出力が生じるが副波高
弁別器８からは出力は生じない、また、このとき、光
゛電子増倍管Ａには何らの光も入射されないの
でＡ側では主および副波高弁別器７，８とも出力を生し
ない、そこで、この場合はＢ側のＡＮＤＮ０回路ら出力
が生じないので、Ｂ側の主波高弁別器７の出力はそのま
まゲート回路１０を通過する。
このように、光電子増倍管Ａ、Ｈに接続された主、副波
高弁別器７．８の出力の組合せを判別することにより、
Ａ側のゲート回路１０から出力が生じた°ときはシンチ
レータａにγ線が入射したことが、Ａ側のＡＮＤＮ０回
路ら出力が生じたときはシンチレータｂにγ線が入射し
たことが、Ｂ側のＡＮＤＮ０回路ら出力が生じたときは
シンチレータＣにγ線が入射したことが、Ｂ側のゲート
回路ＩＯから出力が生じたときはシンチレータｄにγ線
が入射したことが、それぞれ識別できる。
高弁別器７．８の出力の組合せを判別することにより、
Ａ側のゲート回路１０から出力が生じた°ときはシンチ
レータａにγ線が入射したことが、Ａ側のＡＮＤＮ０回
路ら出力が生じたときはシンチレータｂにγ線が入射し
たことが、Ｂ側のＡＮＤＮ０回路ら出力が生じたときは
シンチレータＣにγ線が入射したことが、Ｂ側のゲート
回路ＩＯから出力が生じたときはシンチレータｄにγ線
が入射したことが、それぞれ識別できる。
なお、第３図のように１個の光電子増倍管５に対して９
個のシンチレータ１を光結合して光電子増倍管５を少な
くとも２層にリング型に配列し、リング型配列の周方向
のみでなく、周方向と直角な方向でも上記と同様にγ線
が入射したシンチレータ１がどれであるかを識別するよ
う構成すれば、多層スライスのＥＣＴ画像を得ることが
できる。
個のシンチレータ１を光結合して光電子増倍管５を少な
くとも２層にリング型に配列し、リング型配列の周方向
のみでなく、周方向と直角な方向でも上記と同様にγ線
が入射したシンチレータ１がどれであるかを識別するよ
う構成すれば、多層スライスのＥＣＴ画像を得ることが
できる。
また１、上記ではリング型に配列している力く、多角形
や球状にシンチレータｌおよび光電子増倍管５を配列す
ることもできる。
や球状にシンチレータｌおよび光電子増倍管５を配列す
ることもできる。
（へ）効果
この発明によれば、シンチレータの大きさを光電子増倍
管の大きさに関係なく小さくできるので、シンチレータ
の配列密度を高めて空間分解能を向上させることが容易
にでさる。また、光電子−増倍管の本数を少なくできる
ので安価となる。
管の大きさに関係なく小さくできるので、シンチレータ
の配列密度を高めて空間分解能を向上させることが容易
にでさる。また、光電子−増倍管の本数を少なくできる
ので安価となる。
第１図はこの発明の一実施例のブロック図、第２図（イ
）、（ロ）は波高弁別器の動作を説明するためのタイム
チャート、第３図は他の実施例の概略的な斜視図である
。
）、（ロ）は波高弁別器の動作を説明するためのタイム
チャート、第３図は他の実施例の概略的な斜視図である
。
Claims (1)
- （１）互いに隣接して配列されている多数個のシンチレ
ータと、この多数のシンチレータの一定個数ずつがそれ
ぞれ光結合されている複数個の光電子増倍管と、各光電
子増倍管の出力パルスの波高が所定の高いレベルのウイ
ンド内に入っていることを検出して出力を生じる第１の
波高弁別器と、各光電子増倍管の出力パルスの波高が所
定の低いレベルのウインド内に入っていることを検出し
て出力を生じる第２の波高弁別回路とを有し、上記同一
の光電子増倍管の結合されるシンチレータ間では光のク
ロストークがないようにするとともに隣接している光電
子増倍管に結合しているシンチレータ間では光のクロス
トークが生じるようにしておいて、上記各光電子増倍管
に接続された第１の波高弁別器の出力と該光電子増倍管
に隣接する他の光電子増倍管に接続された第２の波高弁
別器の出力との組合せによりどのシンチレータに放射線
が入射したかを判別するようにしたシンチレーション検
出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20494984A JPS6183985A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | シンチレ−シヨン検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20494984A JPS6183985A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | シンチレ−シヨン検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183985A true JPS6183985A (ja) | 1986-04-28 |
| JPH0544991B2 JPH0544991B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=16498988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20494984A Granted JPS6183985A (ja) | 1984-09-29 | 1984-09-29 | シンチレ−シヨン検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6183985A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS646783A (en) * | 1987-04-28 | 1989-01-11 | Hamamatsu Photonics Kk | Radiation image pick-up apparatus |
| WO2004112083A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | マルチアノード型光電子増倍管、及び、放射線検出器 |
| US6835922B1 (en) | 1998-11-10 | 2004-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and production method therefor |
| JP2007078567A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびその製造方法 |
| US7276704B1 (en) | 2000-05-08 | 2007-10-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube, photomultiplier tube unit, and radiation detector |
| JP2007292597A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 放射線検出器 |
| JP2022525255A (ja) * | 2018-05-28 | 2022-05-11 | ウニベルシタ デ バルセローナ | ＳｉＰＭにおける光クロストーク効果の低減 |
-
1984
- 1984-09-29 JP JP20494984A patent/JPS6183985A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS646783A (en) * | 1987-04-28 | 1989-01-11 | Hamamatsu Photonics Kk | Radiation image pick-up apparatus |
| US6835922B1 (en) | 1998-11-10 | 2004-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and production method therefor |
| US7276704B1 (en) | 2000-05-08 | 2007-10-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube, photomultiplier tube unit, and radiation detector |
| US7495223B2 (en) | 2000-05-08 | 2009-02-24 | Hamamatsu Photonics K. K. | Photomultiplier tube, photomultiplier tube unit, and radiation detector |
| WO2004112083A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | マルチアノード型光電子増倍管、及び、放射線検出器 |
| JP2007078567A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびその製造方法 |
| JP2007292597A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 放射線検出器 |
| JP2022525255A (ja) * | 2018-05-28 | 2022-05-11 | ウニベルシタ デ バルセローナ | ＳｉＰＭにおける光クロストーク効果の低減 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544991B2 (ja) | 1993-07-07 |
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