JPS6185876A - 光電池モジユール - Google Patents
光電池モジユールInfo
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- JPS6185876A JPS6185876A JP60214440A JP21444085A JPS6185876A JP S6185876 A JPS6185876 A JP S6185876A JP 60214440 A JP60214440 A JP 60214440A JP 21444085 A JP21444085 A JP 21444085A JP S6185876 A JPS6185876 A JP S6185876A
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- cell
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- filament
- photovoltaic module
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S30/00—Structural details of PV modules other than those related to light conversion
- H02S30/20—Collapsible or foldable PV modules
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
- H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
- H10F19/904—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells characterised by the shapes of the structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/93—Interconnections
- H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
- H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は一般に光電池モジュールに関する。より詳しく
は本発明は複数個の個々の光電池セルストリップを包含
する大面積光電池セルモジュールに関する。殊に本発明
はセルモジュールにより経験する機械的および熱的スト
レスに耐性である個伊のセルス) IJツブ間の電気的
な接続に関する。
は本発明は複数個の個々の光電池セルストリップを包含
する大面積光電池セルモジュールに関する。殊に本発明
はセルモジュールにより経験する機械的および熱的スト
レスに耐性である個伊のセルス) IJツブ間の電気的
な接続に関する。
この一点について述べると本発明は縄−フィラメントの
回路網により相互Kt電気的接続され連続的なセルスト
リップ間に直列接続か達成された個個の光電池セルスト
リッグを有する光(、池セルモジュールに関する。本発
明はさらに前記モジュールを組込む光電池アレーロール
に関する。
回路網により相互Kt電気的接続され連続的なセルスト
リップ間に直列接続か達成された個個の光電池セルスト
リッグを有する光(、池セルモジュールに関する。本発
明はさらに前記モジュールを組込む光電池アレーロール
に関する。
背景技術
普通の燃料、例えば石炭、石油およびガスを探査処理お
よび使用するコストの増大のために、代替エネルギー源
を利用する開発がなされた。重要な関心の主題であった
これらの代替エネルギー源の7つは太陽エネルギーであ
る。殊に多くの開発が太陽エネルギーを使用可能な電気
エネルギーに利用し、転化することになされた。
よび使用するコストの増大のために、代替エネルギー源
を利用する開発がなされた。重要な関心の主題であった
これらの代替エネルギー源の7つは太陽エネルギーであ
る。殊に多くの開発が太陽エネルギーを使用可能な電気
エネルギーに利用し、転化することになされた。
太陽エネルギーの利用になされた開発の結果、3つの基
本型の光電池林R:結晶質太陽電池、半結品質太wIj
電池およびアモルファス太陽電池、が出現した。これら
の太陽電池の型はそれぞれ太陽電池分野において光起電
力効果として普iT!に知られているものの結果として
電気を生ずる。これは光電池装置中の半導体領域の固有
の特徴であシ、アモルファスケイ素電池の場合には一般
に、PN−接合を規定するP型ドーグドアモルファスケ
イ素およびN型ドーグドアモルファスケイ素、マたtl
jPIN−接合を規定するP型ドーグドアモルファスケ
イ素、真性アモルファスケイ素およびN型ドーグドアモ
ルファスケイ素の隣接層状領域を含む。太陽放射MEさ
らされると電子および正孔が接合部を横切って移動する
のでこの接合部を横切って電界が生じ、それによシミ流
が発生する。アモルファス太陽電池の物理的林造および
惰気的特性に関する一層詳細な論議に対しオフシンスキ
ー(Ovschlnsky) 他に対する米国特許第
4pθZ605号を参照することができる。
本型の光電池林R:結晶質太陽電池、半結品質太wIj
電池およびアモルファス太陽電池、が出現した。これら
の太陽電池の型はそれぞれ太陽電池分野において光起電
力効果として普iT!に知られているものの結果として
電気を生ずる。これは光電池装置中の半導体領域の固有
の特徴であシ、アモルファスケイ素電池の場合には一般
に、PN−接合を規定するP型ドーグドアモルファスケ
イ素およびN型ドーグドアモルファスケイ素、マたtl
jPIN−接合を規定するP型ドーグドアモルファスケ
イ素、真性アモルファスケイ素およびN型ドーグドアモ
ルファスケイ素の隣接層状領域を含む。太陽放射MEさ
らされると電子および正孔が接合部を横切って移動する
のでこの接合部を横切って電界が生じ、それによシミ流
が発生する。アモルファス太陽電池の物理的林造および
惰気的特性に関する一層詳細な論議に対しオフシンスキ
ー(Ovschlnsky) 他に対する米国特許第
4pθZ605号を参照することができる。
太陽電池のどの型にも伴なう固有の問題には太陽電池自
体からの電気工ネルイーの収集が含まれる。殊に1太陽
放射熱にさらされる表面VC対する電気的接続が主要な
問題である。これは、どの電気コレクタ装置も理想的に
は高い太陽放射熱透明性で良好な電気伝導率を表わさね
ばならないためである。あいにく、この二つのパラメー
ターは太19%電池製造に経済的である7つの材料のど
れにも認められない。従って、少くとも2つの別個の1
゜銀導体装置を太陽電池からの電気エネルギーの収集に
用いることが必要であった。
体からの電気工ネルイーの収集が含まれる。殊に1太陽
放射熱にさらされる表面VC対する電気的接続が主要な
問題である。これは、どの電気コレクタ装置も理想的に
は高い太陽放射熱透明性で良好な電気伝導率を表わさね
ばならないためである。あいにく、この二つのパラメー
ターは太19%電池製造に経済的である7つの材料のど
れにも認められない。従って、少くとも2つの別個の1
゜銀導体装置を太陽電池からの電気エネルギーの収集に
用いることが必要であった。
アモルファス太陽電池の設計に普通に使用する7つの配
列には太′@霊池の半導体領域の表面i−P型またはN
型−の上に層にした透明導電性酸化物(vcO)j*例
えばインジクムスズ酸化物または酸化インジウム、が含
まれる。T COmは太陽放射熱の半導体領域中への流
入を可能にし、一時にそれからの電気の通路を与える。
列には太′@霊池の半導体領域の表面i−P型またはN
型−の上に層にした透明導電性酸化物(vcO)j*例
えばインジクムスズ酸化物または酸化インジウム、が含
まれる。T COmは太陽放射熱の半導体領域中への流
入を可能にし、一時にそれからの電気の通路を与える。
しかし、TCO層の箱、気抵抗率が相対的にかなり大き
く、従って大きい表面距離にわたる′tX流の流れを制
限する。
く、従って大きい表面距離にわたる′tX流の流れを制
限する。
この開門を改善するためには700層に隘接しこれK1
1l気的に連通してそれから電流を受取る低い電気抵抗
の電気導体を与えることが必要である。
1l気的に連通してそれから電流を受取る低い電気抵抗
の電気導体を与えることが必要である。
この型の適当な電気導体は一般KTCO表面上にスクリ
ーン印刷された銀インキグリッドである。
ーン印刷された銀インキグリッドである。
しかし、これらのグリッドはその電流伝導容憎および、
これらのグリッドが一般に不透明であるのでそれが太l
5It&を池上に有するシャドウィング効果のために大
きさに制限がある。従って、太rjJx池の全体の効率
はグリッドの表面積が増すとともに減逝する。
これらのグリッドが一般に不透明であるのでそれが太l
5It&を池上に有するシャドウィング効果のために大
きさに制限がある。従って、太rjJx池の全体の効率
はグリッドの表面積が増すとともに減逝する。
この寸法制限間色に対する7つの解決法は太陽電池モジ
ュールおよび(または)アレーを形成する相互接続回路
網によ)直列および並列に互いに電気的に接合された若
干の比較的小さい太@電池を用いることである。これは
個々の電気的相互接続の結果、櫨々の電圧および電流出
力を与えることができる。この太1sI[池アセンブリ
ーの他の利点は個々の太陽重油のどれかが電気エネルギ
ーを生成しないとしても、アセンブリーの全電気出方が
多少減少するのみで一般に機能性が残存することである
。
ュールおよび(または)アレーを形成する相互接続回路
網によ)直列および並列に互いに電気的に接合された若
干の比較的小さい太@電池を用いることである。これは
個々の電気的相互接続の結果、櫨々の電圧および電流出
力を与えることができる。この太1sI[池アセンブリ
ーの他の利点は個々の太陽重油のどれかが電気エネルギ
ーを生成しないとしても、アセンブリーの全電気出方が
多少減少するのみで一般に機能性が残存することである
。
しかし、多数セル太陽電池モジュールにW有の問題がな
いでもない。詳しくは、太’J?ItM聞の相互接続部
が一般に比較的小さく、従って太−電池モジュールによ
り経験される侵(ポ的および熱的ストレスに非常に敏感
である。事実、製作、設置および保守の間の太gJJ電
池モジュールの普通の取扱いが電気接続回路網を容易に
損傷することがある。
いでもない。詳しくは、太’J?ItM聞の相互接続部
が一般に比較的小さく、従って太−電池モジュールによ
り経験される侵(ポ的および熱的ストレスに非常に敏感
である。事実、製作、設置および保守の間の太gJJ電
池モジュールの普通の取扱いが電気接続回路網を容易に
損傷することがある。
さらに、直射日光の時間と暗黒の時間とにさらされるた
めに太陽電池モジュールが経験する周期的な温度変化が
電気的相互接続部に熱誘起ストレスを生じ、遂にはその
疲れ破損を生ずる。
めに太陽電池モジュールが経験する周期的な温度変化が
電気的相互接続部に熱誘起ストレスを生じ、遂にはその
疲れ破損を生ずる。
これらのストレス問題を改善する努力がストレス負荷に
対し一層耐性である相当の大きさの電気的相互後続部を
一般に許容させた。しかし、大きい相互接続部はそれら
が上にある領域中に太陽重油のシャドウィングを増加し
、それによって太陽電池からの電気エネルギーの出力を
低下する不利益がある。太陽電池上のシャドウィング効
果により生ずるそのような光学掩蔽損を回避するために
アモルファスケイ素太陽電池中の電気的相互接続部が少
くともTCOMの周fiK接合さhた。しかし、これも
また相互接合部から遠位の終端でTCONKより受取ら
れる電流が伝導性の劣る700層を1Φして太陽電池の
全幅員を移動することが重要であるので、太V8m池の
一気出力の不利な低下を生ずる。
対し一層耐性である相当の大きさの電気的相互後続部を
一般に許容させた。しかし、大きい相互接続部はそれら
が上にある領域中に太陽重油のシャドウィングを増加し
、それによって太陽電池からの電気エネルギーの出力を
低下する不利益がある。太陽電池上のシャドウィング効
果により生ずるそのような光学掩蔽損を回避するために
アモルファスケイ素太陽電池中の電気的相互接続部が少
くともTCOMの周fiK接合さhた。しかし、これも
また相互接合部から遠位の終端でTCONKより受取ら
れる電流が伝導性の劣る700層を1Φして太陽電池の
全幅員を移動することが重要であるので、太V8m池の
一気出力の不利な低下を生ずる。
これらの電気的相互接&において経験する他の間印岐そ
れらのたわみ性の不足である。殊K、結晶質太陽電池よ
シ実鍔的に一層たわみ性である薄い金属支持体上のアモ
ルファス太陽電池の開発に関して電気的相互接続部の剛
さが太陽重油アレーに対する新適用の開発における制限
因子であった。
れらのたわみ性の不足である。殊K、結晶質太陽電池よ
シ実鍔的に一層たわみ性である薄い金属支持体上のアモ
ルファス太陽電池の開発に関して電気的相互接続部の剛
さが太陽重油アレーに対する新適用の開発における制限
因子であった。
アモルファス太1s% 1&、池の極性である現在存在
する支持体表面の形状を呈する太陽重油アレーの望まし
い特性が不撓性の電気的相互接続部のために実懺的に排
除される。
する支持体表面の形状を呈する太陽重油アレーの望まし
い特性が不撓性の電気的相互接続部のために実懺的に排
除される。
この観点の技術に関する既存技術の例はイズ(lzu)
他に対する米国特許証第りグ/ 0. 、!−、!−g
号およびす、X (Nath) に対する第’1.’
l/9!330号である。殊に、イズ他はアモルファス
太1i1r’11j:池を薄い金属支持体上に連続スト
リッグ形態Vc夷造する系を開示する。そのような系F
if済的な太閤7池材料を提供し、次いでそれを太閤電
池モジュールおよびアレーに用いることができる。ナス
は複数伊の太陽電池を相互接続して大面積の太陪V:池
板を形成する方法を開示する。開示された相互接続系は
、例えば個々の太陽電池が不完全であると決定されたと
きK(−々の太l$電池を太g ?il:池板から逼択
的Km気的に隔離することができる。これらの開示は太
陽電池の技術に対する有益な寄与を構成するけれども、
それらは前記の問題を解決しない。
他に対する米国特許証第りグ/ 0. 、!−、!−g
号およびす、X (Nath) に対する第’1.’
l/9!330号である。殊に、イズ他はアモルファス
太1i1r’11j:池を薄い金属支持体上に連続スト
リッグ形態Vc夷造する系を開示する。そのような系F
if済的な太閤7池材料を提供し、次いでそれを太閤電
池モジュールおよびアレーに用いることができる。ナス
は複数伊の太陽電池を相互接続して大面積の太陪V:池
板を形成する方法を開示する。開示された相互接続系は
、例えば個々の太陽電池が不完全であると決定されたと
きK(−々の太l$電池を太g ?il:池板から逼択
的Km気的に隔離することができる。これらの開示は太
陽電池の技術に対する有益な寄与を構成するけれども、
それらは前記の問題を解決しない。
前記問題に加えて、アレー中の各個々の太陽重油に関す
る電気的な相互接続を配置し、b′定する方法は組立中
にかなりのマン/ぐワーを必要とする。
る電気的な相互接続を配置し、b′定する方法は組立中
にかなりのマン/ぐワーを必要とする。
この時間のか\る方法は太1窮市池アレーの緑コストの
主要部分を占める労務費を生ずる。事実、太−τ池アレ
ーの非常に高いコストが光電池装填の@展および商業化
におけるかなりの障害であった。
主要部分を占める労務費を生ずる。事実、太−τ池アレ
ーの非常に高いコストが光電池装填の@展および商業化
におけるかなりの障害であった。
光電池装置の開発を指向するかなりの努力および研究に
もか\わらず、光電池セルモジュールまたはアレー呟現
在求められている望ましい摘性を包含していない。すな
わち、光電池モジュールで辿常経紗する棒械的および熱
的ストレスに耐性である非常に伝−性の電気的相互接砂
により互いに電気的に接合された個々の太尊電池を提供
するものはない。さらに1太陽電池のシャドウィングを
回避し、同時に個々の太障電池間の接合mKたわみ性を
与える電気的接続を提供するものはいない。
もか\わらず、光電池セルモジュールまたはアレー呟現
在求められている望ましい摘性を包含していない。すな
わち、光電池モジュールで辿常経紗する棒械的および熱
的ストレスに耐性である非常に伝−性の電気的相互接砂
により互いに電気的に接合された個々の太尊電池を提供
するものはない。さらに1太陽電池のシャドウィングを
回避し、同時に個々の太障電池間の接合mKたわみ性を
与える電気的接続を提供するものはいない。
発明の開示
一般に、本発明の歓念による光電池アレーモジュールに
は母線および複数個の個々の光電池セルストリップが含
まれる。各セルストリップは導電性支持体層、支持体層
上にデポジットした半導体本体および半導体本体上にデ
ポジットした透明導電性ノーを有する。導電性フィラメ
ントは7つの光電池ナルス) IJッデの導電性支持体
層および他の光電池セルス) IJタッグ透明導電性ノ
ーに交互[$3糾される。7つの光り池セルス) IJ
タッグ透明導電性層を母線に接続する装置もまた具備さ
れる。
は母線および複数個の個々の光電池セルストリップが含
まれる。各セルストリップは導電性支持体層、支持体層
上にデポジットした半導体本体および半導体本体上にデ
ポジットした透明導電性ノーを有する。導電性フィラメ
ントは7つの光電池ナルス) IJッデの導電性支持体
層および他の光電池セルス) IJタッグ透明導電性ノ
ーに交互[$3糾される。7つの光り池セルス) IJ
タッグ透明導電性層を母線に接続する装置もまた具備さ
れる。
本発明の概念を組込んだ光電池アレーモジュールの好ま
しいn機および他の態様は添付図面に実施例として示さ
れるが、本発明を具体化で専る榛秤の形態および変化の
すべてを示すことは意図されず、本発明は特許請求の範
囲により判断され、特定の詳細によって判断されない。
しいn機および他の態様は添付図面に実施例として示さ
れるが、本発明を具体化で専る榛秤の形態および変化の
すべてを示すことは意図されず、本発明は特許請求の範
囲により判断され、特定の詳細によって判断されない。
発明を実施する好ましい態様
本発明の概念による光電池セルモジュールは添付図面の
第1図に″数字10により一般に示される。
第1図に″数字10により一般に示される。
光電池、モジュール10は互いに直列に電気的に接合さ
れた複数個の光電池セルストリップ11を含み所望の電
圧および電流出力を生ずる。第1母線12および第1母
線12は光電池ストリップ11から電気エネルギーを果
め、それをそれぞれ光電池モジュールlOの正および負
端子を規定する出力端子14および15に伝導する。
れた複数個の光電池セルストリップ11を含み所望の電
圧および電流出力を生ずる。第1母線12および第1母
線12は光電池ストリップ11から電気エネルギーを果
め、それをそれぞれ光電池モジュールlOの正および負
端子を規定する出力端子14および15に伝導する。
適当な支持体部材16が個々の光電池ストリッ7’ll
並びKfflIII12オ!び1aItC対fる物m的
支持を与え、可使アセンブリーを規定する。支持部材1
6は結晶質ケイ素太陽電池に理想的に適する剛性フレー
ム構造であることができるけれども、それはまたアモル
ファスケイ素太IJ1電池の屈曲特性を増進する屈曲性
積層フィルムの形態であることができる。同様に、モジ
ュールIOK対する透明なガラスまたはプラスチック保
護カバーを用いてス) IJタッグ10面に対する衝撃
に対する保腸を与えることができる。さらに、モジュー
ルを保6カバー例えばプラスチック中に包むことによシ
、そうでないと露出される最大表面積に防食が与えられ
る。これKIMfして、デュポン社(dupontco
mpany) Icより開発されたテトラ−(TED
LAR。
並びKfflIII12オ!び1aItC対fる物m的
支持を与え、可使アセンブリーを規定する。支持部材1
6は結晶質ケイ素太陽電池に理想的に適する剛性フレー
ム構造であることができるけれども、それはまたアモル
ファスケイ素太IJ1電池の屈曲特性を増進する屈曲性
積層フィルムの形態であることができる。同様に、モジ
ュールIOK対する透明なガラスまたはプラスチック保
護カバーを用いてス) IJタッグ10面に対する衝撃
に対する保腸を与えることができる。さらに、モジュー
ルを保6カバー例えばプラスチック中に包むことによシ
、そうでないと露出される最大表面積に防食が与えられ
る。これKIMfして、デュポン社(dupontco
mpany) Icより開発されたテトラ−(TED
LAR。
登録商標)フィルムがモジュールIOK対する適切な保
褥を与え同時に太陽エネルギーに対する実質的な透明性
を残存することが認めら°れた。
褥を与え同時に太陽エネルギーに対する実質的な透明性
を残存することが認めら°れた。
個々の光電池スト”リップ11およびそれらの間の?に
気的相互接fryr、#i第λ図を参照することKよシ
一層完全に考察することができる。詳しくは光電池スト
リップ11は、以下によシ十分に論藺するように、コつ
のI/i接光貢池ストリップ11の間にそれぞれ連続的
かっ反彷的に延びる導電性フィラメント20により直列
に’M電気的接合されて示される。光電池ストリッ7’
ll自体は?1数個の’iff的に分離された光ff、
池セル2)からなり、それぞれが同一光電池ス) IJ
ッ7’ll中の他の光電池セル2)と並列K[気的に接
合されるように適合される。
気的相互接fryr、#i第λ図を参照することKよシ
一層完全に考察することができる。詳しくは光電池スト
リップ11は、以下によシ十分に論藺するように、コつ
のI/i接光貢池ストリップ11の間にそれぞれ連続的
かっ反彷的に延びる導電性フィラメント20により直列
に’M電気的接合されて示される。光電池ストリッ7’
ll自体は?1数個の’iff的に分離された光ff、
池セル2)からなり、それぞれが同一光電池ス) IJ
ッ7’ll中の他の光電池セル2)と並列K[気的に接
合されるように適合される。
光電池ストリップ11および含まれるそれぞれの個々の
セル2)の構造は第3図に示される。示した典型的なス
トリップ11は一般にアモルファスケイ素太陽を池に対
する一般的配置であり、好ましくはステンレス鋼のよう
な屈曲性全極部材である導電性連続支持体層2zを含む
。半導体本体28は支持体層22上にそれと電気的接触
でデポジットされる。半導体本体28は通常アモルファ
スケイ素型の太陽電池に認められるようKN型、′九・
28a、真性JfI28 bおよびP型)蛤28cを含
む。
セル2)の構造は第3図に示される。示した典型的なス
トリップ11は一般にアモルファスケイ素太陽を池に対
する一般的配置であり、好ましくはステンレス鋼のよう
な屈曲性全極部材である導電性連続支持体層2zを含む
。半導体本体28は支持体層22上にそれと電気的接触
でデポジットされる。半導体本体28は通常アモルファ
スケイ素型の太陽電池に認められるようKN型、′九・
28a、真性JfI28 bおよびP型)蛤28cを含
む。
第3図は一定比例で示されないで、むしろかなりゆがめ
られて半導体本体z8の詳細が示されている仁とに%l
慝すべきであり、半導体本体は、一般に200〜.30
0ミクロンの厚さである支持体層22に比較して典型的
には/ミクロン未満の厚さである。
られて半導体本体z8の詳細が示されている仁とに%l
慝すべきであり、半導体本体は、一般に200〜.30
0ミクロンの厚さである支持体層22に比較して典型的
には/ミクロン未満の厚さである。
透明導電性層24は半導体本体28上にデI・ジットさ
れ、N型層28aと電気的接合を形成する。
れ、N型層28aと電気的接合を形成する。
透明N#24は好ましくは透明導電性酸化物、例えばイ
ンノウムスズ酸化物(I To)の薄層である。
ンノウムスズ酸化物(I To)の薄層である。
僧々の電気的に分前した光電池セル2)は、透明層z4
を貫通して延びる横断切込みz5を用いて個々のノ4ツ
ドに区分することによシ規定される。
を貫通して延びる横断切込みz5を用いて個々のノ4ツ
ドに区分することによシ規定される。
透明層24の分画は主題の開示の実施に必須でないとと
に留意すべきである。事実、光電池ストリップ11は透
明層z4が連続し分−:さ九ていないときに十分に作動
する。しかし、透明層24の分$+は個々のセル2)を
電気回路中へ選択的に入れることによりモジュール10
からの電気出力の大きな制御を与える。
に留意すべきである。事実、光電池ストリップ11は透
明層z4が連続し分−:さ九ていないときに十分に作動
する。しかし、透明層24の分$+は個々のセル2)を
電気回路中へ選択的に入れることによりモジュール10
からの電気出力の大きな制御を与える。
セル2)の表面積および透明/#24の電気抵抗率によ
り、一般に導電性グリッド80を用いて生ずる゛電気エ
ネルギーを収集することが有利である。
り、一般に導電性グリッド80を用いて生ずる゛電気エ
ネルギーを収集することが有利である。
殊に、セルz10表面積が増すとともに電流が抵抗性媒
質の大きな距離を通して伝わせられるので透明;−24
中のより大きい電気抵抗が電気出力を妨害する。一方、
グリッド80#′i一般に高導電、性材料、例えば鋼、
であり、それは電気エネルギーを透明層24から引出し
て低電気抵抗の通路を与え、それKより出力損失を低下
させる。
質の大きな距離を通して伝わせられるので透明;−24
中のより大きい電気抵抗が電気出力を妨害する。一方、
グリッド80#′i一般に高導電、性材料、例えば鋼、
であり、それは電気エネルギーを透明層24から引出し
て低電気抵抗の通路を与え、それKより出力損失を低下
させる。
電気グリッド80は透明層z4上にスクリーン印刷され
比較的細い導体通路を形成する銀インキであることがで
きる。そのようなスクリーン印刷は良好な電気接合がグ
リッド80と透明層24との間に形成されることを保証
する。さらに、鎌インキが透明性でないのでスクリーン
印刷は約70ミルの線幅を有するグリッド80をデポジ
ットし、それによりグリッド80によるシャドウィング
による光学掩蔽損失を限定する。
比較的細い導体通路を形成する銀インキであることがで
きる。そのようなスクリーン印刷は良好な電気接合がグ
リッド80と透明層24との間に形成されることを保証
する。さらに、鎌インキが透明性でないのでスクリーン
印刷は約70ミルの線幅を有するグリッド80をデポジ
ットし、それによりグリッド80によるシャドウィング
による光学掩蔽損失を限定する。
個々のセル2)並びに連続的なストリツ7’llは前記
のようにフィラメント20によシ策気的に相互接続され
る。より特定的に、第2図および第9図を参照して本開
示に包含される電気的相互接続を考察することができる
。
のようにフィラメント20によシ策気的に相互接続され
る。より特定的に、第2図および第9図を参照して本開
示に包含される電気的相互接続を考察することができる
。
好ましくは、各フィラメント20は非常に細い導線、例
えば約3.7ミルまたはそれ未−の直径を有する@線で
ある。そのような材料はセル2)の最小のシャドウィン
グで、また望ましい屈曲性を有する許容される電流伝導
能力を与えることが認められた。事実、フイラメン)2
0の曲げ特性はさらに個々のストリップ11に関するそ
の特有の配Itによって増進される。
えば約3.7ミルまたはそれ未−の直径を有する@線で
ある。そのような材料はセル2)の最小のシャドウィン
グで、また望ましい屈曲性を有する許容される電流伝導
能力を与えることが認められた。事実、フイラメン)2
0の曲げ特性はさらに個々のストリップ11に関するそ
の特有の配Itによって増進される。
第2図を参照すると、連続的なストリッツ11間の直列
接続が示されるので、フィラメント20の特定配置が開
示され、7つのストリツ7’llのグリッド80上の地
点82が次の隣接ストリップ11の支持体ノ愉22上の
地点81に接合される。
接続が示されるので、フィラメント20の特定配置が開
示され、7つのストリツ7’llのグリッド80上の地
点82が次の隣接ストリップ11の支持体ノ愉22上の
地点81に接合される。
フイラメン)20の配置が反ゆ性ノタンを規定するので
、ス) IJッグ11Bの支持体層zz上の接触点81
^から次の隣接ストリツ7#11^のグリッド80上の
接触点82Bへ進み、再び第1ストリツプ11Bの支持
体1m2B上の連続的な接触点81Bへ進むので、この
特有の配置をフイラメン)20^の/1タンの1つの完
全な反復を通して説明することが必要であるKすぎない
。アルファベットと数字を用いた表示は同一ス) IJ
ッグ上並びKmmスス IJッグ上の連続する従触点の
相互関係を示すことによシー示の明瞭な駅間を与えるた
めに用いられている。
、ス) IJッグ11Bの支持体層zz上の接触点81
^から次の隣接ストリツ7#11^のグリッド80上の
接触点82Bへ進み、再び第1ストリツプ11Bの支持
体1m2B上の連続的な接触点81Bへ進むので、この
特有の配置をフイラメン)20^の/1タンの1つの完
全な反復を通して説明することが必要であるKすぎない
。アルファベットと数字を用いた表示は同一ス) IJ
ッグ上並びKmmスス IJッグ上の連続する従触点の
相互関係を示すことによシー示の明瞭な駅間を与えるた
めに用いられている。
フィラメント30^のノ母タンの典型的な反復に関して
、接触点81Aはストリップ11Bの中線付近の支持体
層22に対するフイラメン)20Aの点溶接接合あるい
は類似の電気的接合例えばはんだまたは導電性ニブキシ
、を規定する。フイラメン)20Aは横方向にたっぷり
したルーダ88Aを通ってストリップ11Bの下縁に延
び、そこで斜脚84が次の隣接ストリップIIA上の次
の配列セルz1の上面へ上方向Kmびる。フィラメント
20Aは次に横方向へたつぶりしたルーf85^を通っ
てグリッド80の中点付近の接触点828ヘ延びる。再
び、接触点132Bは、好ましくは伝S性工Iキシでグ
リッド80に接合され、それにより、そこで電気的接続
が形成されるけれども、他の電気的接合、倒えばはんだ
または溶接接続が同4に意図される。フィラメント20
Aは本質的にループ85Aのf#像のループ135Bを
赤ってストリップIIAの端部へ戻る。斜脚848は下
向OK脚84^に並行にストリツ7”llBの支持体表
面22へ延びる。フイラメン) 20 AB次いで実質
的にループ88Aの鏡像のループ813Bを通って典型
的な反復を終え再び接触点2)18を通して支持体層2
2と電気的接続を形成する。
、接触点81Aはストリップ11Bの中線付近の支持体
層22に対するフイラメン)20Aの点溶接接合あるい
は類似の電気的接合例えばはんだまたは導電性ニブキシ
、を規定する。フイラメン)20Aは横方向にたっぷり
したルーダ88Aを通ってストリップ11Bの下縁に延
び、そこで斜脚84が次の隣接ストリップIIA上の次
の配列セルz1の上面へ上方向Kmびる。フィラメント
20Aは次に横方向へたつぶりしたルーf85^を通っ
てグリッド80の中点付近の接触点828ヘ延びる。再
び、接触点132Bは、好ましくは伝S性工Iキシでグ
リッド80に接合され、それにより、そこで電気的接続
が形成されるけれども、他の電気的接合、倒えばはんだ
または溶接接続が同4に意図される。フィラメント20
Aは本質的にループ85Aのf#像のループ135Bを
赤ってストリップIIAの端部へ戻る。斜脚848は下
向OK脚84^に並行にストリツ7”llBの支持体表
面22へ延びる。フイラメン) 20 AB次いで実質
的にループ88Aの鏡像のループ813Bを通って典型
的な反復を終え再び接触点2)18を通して支持体層2
2と電気的接続を形成する。
前記の典型的な反復がストリップ11のそれぞれの全長
を通して1つのス) IJツブ11の連続するセルz1
を引続いて次の隣接ストリツ7’llの支持体7%22
と接合し絖けることに留意すべきである。さらに、支持
体層2z上の接触点81が閤−ストリツ7’llのグリ
ッド80上の接触点8zの垂直下方にあることが示され
ているけれども、それは開示の典型的な態様にすぎない
ことを認めるべきである。事実若干の適用において、そ
れぞれストリップ11上の他の位置に配置された接触点
31および3zを有することが一〜望ましいことができ
る。さらに、前記論議が第11図に示したように、直列
の電気的相互接続に関するけれども、電気接合部の配置
、配列および接触点に−する同様の原理は、とりわけ並
列相互接繰に同様に適用される。
を通して1つのス) IJツブ11の連続するセルz1
を引続いて次の隣接ストリツ7’llの支持体7%22
と接合し絖けることに留意すべきである。さらに、支持
体層2z上の接触点81が閤−ストリツ7’llのグリ
ッド80上の接触点8zの垂直下方にあることが示され
ているけれども、それは開示の典型的な態様にすぎない
ことを認めるべきである。事実若干の適用において、そ
れぞれストリップ11上の他の位置に配置された接触点
31および3zを有することが一〜望ましいことができ
る。さらに、前記論議が第11図に示したように、直列
の電気的相互接続に関するけれども、電気接合部の配置
、配列および接触点に−する同様の原理は、とりわけ並
列相互接繰に同様に適用される。
図面はフィラメント20の前記上部と底部との相互接続
を示すけれども、フイラメン)20の支持体層z2との
電気的接続が同様に透明IfIIz4および半導体本体
28を通してトンネルを掘り、それKより支持体層z2
を露出させることにより行なうことができることを認め
るべきである。そのような配列は実際に接続点81を果
たすため個々のストリップ11を反転する段階にかける
必蟹がないので生産見地から望ましい。むしろ、ストリ
ップ11が生産工程を進むとともにフィラメントzOが
、その表面側から@接ス) IJツ7’llの支持体層
z2および透明層24にそれぞれ選択的に電気的に接合
される。
を示すけれども、フイラメン)20の支持体層z2との
電気的接続が同様に透明IfIIz4および半導体本体
28を通してトンネルを掘り、それKより支持体層z2
を露出させることにより行なうことができることを認め
るべきである。そのような配列は実際に接続点81を果
たすため個々のストリップ11を反転する段階にかける
必蟹がないので生産見地から望ましい。むしろ、ストリ
ップ11が生産工程を進むとともにフィラメントzOが
、その表面側から@接ス) IJツ7’llの支持体層
z2および透明層24にそれぞれ選択的に電気的に接合
される。
第5図は直列アレイの最終ストリップと第1母線12と
の間の電気的接続を示す。この相互接続の全体的特徴は
連続するス) IJツブ11間の相互接続と同じである
。唯一の差異は母線1zが直列に次の隣接ストリップに
代ること、および最終ストリップ11の下に折り返され
て固定されることである。詳しくは母w111は絶縁接
着剤40でストリップ11の支持体#22に固定され、
その間の[’2)的短絡を回避させる。電気フィラメン
ト41は第7図に示されるようにストリップ11の上面
上の接触点82と母線lz上の接触点4zとの開に反復
的Kgびる。フィラメント41はフィラメントzOと同
じであることができるけれども、それはまたよシ重いr
−ジの線であることができる。これは母線ISがストリ
ップ11に関して移動せずストリップll自体上の接触
点に有害なストレスを与えないため、フィラメント41
によるより大きい電流伝導能力を可能にする。
の間の電気的接続を示す。この相互接続の全体的特徴は
連続するス) IJツブ11間の相互接続と同じである
。唯一の差異は母線1zが直列に次の隣接ストリップに
代ること、および最終ストリップ11の下に折り返され
て固定されることである。詳しくは母w111は絶縁接
着剤40でストリップ11の支持体#22に固定され、
その間の[’2)的短絡を回避させる。電気フィラメン
ト41は第7図に示されるようにストリップ11の上面
上の接触点82と母線lz上の接触点4zとの開に反復
的Kgびる。フィラメント41はフィラメントzOと同
じであることができるけれども、それはまたよシ重いr
−ジの線であることができる。これは母線ISがストリ
ップ11に関して移動せずストリップll自体上の接触
点に有害なストレスを与えないため、フィラメント41
によるより大きい電流伝導能力を可能にする。
開示した態様の欅械的利点はその著しいたわみ性に認め
られる。詳しくは、細い伝導性フィラメン110が連続
するストリップ11の相互に関する移!IhK対し非常
にわずかな抵抗を与える。これはモジュール10の全体
のたわみ性を増進するので、アモルファスケイ素太ff
1ii池を用いるときく非常に好ましい。またモジュー
ル10並びに個々のストリッ7’llの熱的隻眼および
収縮がフィラメントzOまたは接触点81および8zに
よりそれぞれ経験される有害なストレスを起さない。さ
らに、それぞれのストリップIIKそれぞれ遠位接触点
81および82において固定されたフィラメント20の
全体の曲りくねった配置が、フィラメント20がさらさ
れることができるストレスを消散するゆとシある材料を
与える。従って、主題の開示が疲れストレス並びに機械
的ひずみから生ずるストレスに対し非常に耐性である電
気的相互接続を与えることが認められねばならない。
られる。詳しくは、細い伝導性フィラメン110が連続
するストリップ11の相互に関する移!IhK対し非常
にわずかな抵抗を与える。これはモジュール10の全体
のたわみ性を増進するので、アモルファスケイ素太ff
1ii池を用いるときく非常に好ましい。またモジュー
ル10並びに個々のストリッ7’llの熱的隻眼および
収縮がフィラメントzOまたは接触点81および8zに
よりそれぞれ経験される有害なストレスを起さない。さ
らに、それぞれのストリップIIKそれぞれ遠位接触点
81および82において固定されたフィラメント20の
全体の曲りくねった配置が、フィラメント20がさらさ
れることができるストレスを消散するゆとシある材料を
与える。従って、主題の開示が疲れストレス並びに機械
的ひずみから生ずるストレスに対し非常に耐性である電
気的相互接続を与えることが認められねばならない。
本開示の電気的利点は全系の効率および信頼性に包含さ
れる。改良された効率は主にフィラメントzOの使用に
より達成される。殊に、卿または類似の電気的性質を有
する材料の使用が電気抵抗による損失を実質的に低下す
る。これらの低下はさらにストリップ11の中点付近に
電気的接合を形成することにより、これが、千小雷、気
抵抗率の通路がそれぞれ個々のセル2)の全表面積に対
して均一に存在することを保証するので一層増一される
。さらに、フィラメント20の高い導電性のために、実
質的に小さいS直径が電気エネルギー出力を伝導できる
。そのような小径線が通常相互接続部のソヤドウイング
効果から絆験される光字掩蔽横を低下する。
れる。改良された効率は主にフィラメントzOの使用に
より達成される。殊に、卿または類似の電気的性質を有
する材料の使用が電気抵抗による損失を実質的に低下す
る。これらの低下はさらにストリップ11の中点付近に
電気的接合を形成することにより、これが、千小雷、気
抵抗率の通路がそれぞれ個々のセル2)の全表面積に対
して均一に存在することを保証するので一層増一される
。さらに、フィラメント20の高い導電性のために、実
質的に小さいS直径が電気エネルギー出力を伝導できる
。そのような小径線が通常相互接続部のソヤドウイング
効果から絆験される光字掩蔽横を低下する。
そのような小径線の使用はまたセルストリップ11の領
域中に短絡を生ずる場合に全モジュールの破損を回賛す
るのに有益である。主に、普通の作動条件のもとて様の
どのセグメントを通る電流も約3θ〜!rθミリアンイ
アである。そのような電流は纒を通る最小の抵抗で達成
される。しかし、セルストリップ11の/領域中に短絡
が生ずると短絡のすぐ近傍における電流は約Sアン47
に十分達することができる。細線はそのような大電流防
ぎ、従ってモジュール中の差金のセルを短絡の有害効果
から実質的に隔離する。
域中に短絡を生ずる場合に全モジュールの破損を回賛す
るのに有益である。主に、普通の作動条件のもとて様の
どのセグメントを通る電流も約3θ〜!rθミリアンイ
アである。そのような電流は纒を通る最小の抵抗で達成
される。しかし、セルストリップ11の/領域中に短絡
が生ずると短絡のすぐ近傍における電流は約Sアン47
に十分達することができる。細線はそのような大電流防
ぎ、従ってモジュール中の差金のセルを短絡の有害効果
から実質的に隔離する。
開示した相互Mi!続の信頼性はフィラメントSOの短
絡11籍注だけでなく、また接続点82に関するフィラ
メント20の冗長な結果である。従って、コつの別の相
互接続部がlストリップ11の各グリッド80と久の1
1i接ストリツプ11の支持体層3zとを接合する。従
って、相互接続の7つが構造破壊を経験しても、1に−
の相互接続がセル2)により生ずる4気エネルギーを十
分に伝導し、それをモジュー#lO中の生成能力に維持
する。
絡11籍注だけでなく、また接続点82に関するフィラ
メント20の冗長な結果である。従って、コつの別の相
互接続部がlストリップ11の各グリッド80と久の1
1i接ストリツプ11の支持体層3zとを接合する。従
って、相互接続の7つが構造破壊を経験しても、1に−
の相互接続がセル2)により生ずる4気エネルギーを十
分に伝導し、それをモジュー#lO中の生成能力に維持
する。
さらに、特定のセル81からの両方の相互接続部が4遣
破1をiノ検しても、モジュールlOは直列相互後1涜
に超薄関連する実質的な出力損失を経験せず、むしろそ
の特定のセル2)からの4気出力のみが失なわれる。そ
れと直列の他のセル2)からのtJL−Aエネルギーは
ストリップ1lf)d続する支持体層z2により達成さ
れた並列相互接続を通して伝導される。従って、′電気
的に直列の損傷セルに先行するセルおよび匝のセルはモ
ジュール中の生成能力中に残存する。
破1をiノ検しても、モジュールlOは直列相互後1涜
に超薄関連する実質的な出力損失を経験せず、むしろそ
の特定のセル2)からの4気出力のみが失なわれる。そ
れと直列の他のセル2)からのtJL−Aエネルギーは
ストリップ1lf)d続する支持体層z2により達成さ
れた並列相互接続を通して伝導される。従って、′電気
的に直列の損傷セルに先行するセルおよび匝のセルはモ
ジュール中の生成能力中に残存する。
開示したモジュールの製造上の利点は二XKある。第1
にフィラメント20の使用に関してフィラメントzOを
セルストリップ1lVc記はし固定するために自動化系
を4Rすることが7漣済的に一層容易である。さらに、
そのようなdIk作の前にセルストリップ11.?gK
ilfi々のセ#2)1を公知の方法調えば赤外導写真
によりf1絡について試験することができ、セルストリ
ップ11のこの部分または旙々のセルSm1ftk!気
糸からL4岨できることである。これは、そうでなけれ
ばフィラメント20が接触する領域上に絶縁材料をデポ
ジットすることにより達成できる。
にフィラメント20の使用に関してフィラメントzOを
セルストリップ1lVc記はし固定するために自動化系
を4Rすることが7漣済的に一層容易である。さらに、
そのようなdIk作の前にセルストリップ11.?gK
ilfi々のセ#2)1を公知の方法調えば赤外導写真
によりf1絡について試験することができ、セルストリ
ップ11のこの部分または旙々のセルSm1ftk!気
糸からL4岨できることである。これは、そうでなけれ
ばフィラメント20が接触する領域上に絶縁材料をデポ
ジットすることにより達成できる。
開示した光′置部モジュール10の利点はこの教示を組
込んだ典型的なモデルを考察すること罠より一層よく認
めることができる。詳しくは、アモルファスケイ素太@
1池を組み込み、57ワツトの全出力および/コデルト
の公称シ圧、直流(0・C,)、を有するモジュールI
OKついて示される。
込んだ典型的なモデルを考察すること罠より一層よく認
めることができる。詳しくは、アモルファスケイ素太@
1池を組み込み、57ワツトの全出力および/コデルト
の公称シ圧、直流(0・C,)、を有するモジュールI
OKついて示される。
個々のストリップ11はおよそ4!;ex (,19フ
インチ)、長さ12θα(ダ7コダインチ)であり、約
!rtxc19フインチ)X、2cIL(a7.rイン
チ)の601固のセル2)に等しく分割される。各セル
B1はAM−/条件で日光にさらしたときに約12メル
ト、 O,C,で0.64アンペアの電流を生ずる。従
って、ストリップll中のセルz1の並列泪互1丙係で
各ストリップ11の出力は約12deルト、O,C,で
KfL3.qAアンペアである。
インチ)、長さ12θα(ダ7コダインチ)であり、約
!rtxc19フインチ)X、2cIL(a7.rイン
チ)の601固のセル2)に等しく分割される。各セル
B1はAM−/条件で日光にさらしたときに約12メル
ト、 O,C,で0.64アンペアの電流を生ずる。従
って、ストリップll中のセルz1の並列泪互1丙係で
各ストリップ11の出力は約12deルト、O,C,で
KfL3.qAアンペアである。
前記開示の4気的相互接読を用い、合計72個のス)
IJツfllを互いに直列に4気的に接合してモジュー
ル10を形成した。1気回路の当業者により認められる
ように、そのよ5な直列相互接続は各ストリツ7’ll
からの1シ圧出力の合計を一定アンペア数を維持して可
能にする。従って、モジュール10の4気出力は約/l
A弘ざルト、 O,C。
IJツfllを互いに直列に4気的に接合してモジュー
ル10を形成した。1気回路の当業者により認められる
ように、そのよ5な直列相互接続は各ストリツ7’ll
からの1シ圧出力の合計を一定アンペア数を維持して可
能にする。従って、モジュール10の4気出力は約/l
A弘ざルト、 O,C。
で3ゾロアンペアであり、従って約57ワツトの4気出
力を達成できる。
力を達成できる。
前記モジュール10の作動は本開示の典蚕例である。活
止化光源にさらした請来各セル2)により発生した。!
差出力はa四層24からグリッド80により集められ、
その中点に向けられる。この電気エネルギーは扱融点8
2でグリッド80と形成された1気的接合を通してフィ
ラメント20により受取られ、それKよりfM族点点3
1より形成された一気的接合を通して次の隣接ストリッ
プ11の支柱体!−) 22 K伝達される。この電気
エネルギーはこの次の隣接ストリップ11のセル2)を
通してその電気出力と合せて伝導される。この過楊が全
モジュール10を通して最終ストリップ11がX種電気
エネルギーをフィラメント41を経てg/母@2)へ伝
達するゆで絖げられる。母、llaは゛11差出力出力
端子14へ伝導し、そこで出力端子15との電圧差が規
定される。これは端子15が第2母4113を経てスト
リツ7’llの最初の支持体11と直列に1気的に接続
されているからである。
止化光源にさらした請来各セル2)により発生した。!
差出力はa四層24からグリッド80により集められ、
その中点に向けられる。この電気エネルギーは扱融点8
2でグリッド80と形成された1気的接合を通してフィ
ラメント20により受取られ、それKよりfM族点点3
1より形成された一気的接合を通して次の隣接ストリッ
プ11の支柱体!−) 22 K伝達される。この電気
エネルギーはこの次の隣接ストリップ11のセル2)を
通してその電気出力と合せて伝導される。この過楊が全
モジュール10を通して最終ストリップ11がX種電気
エネルギーをフィラメント41を経てg/母@2)へ伝
達するゆで絖げられる。母、llaは゛11差出力出力
端子14へ伝導し、そこで出力端子15との電圧差が規
定される。これは端子15が第2母4113を経てスト
リツ7’llの最初の支持体11と直列に1気的に接続
されているからである。
前記モジュール10は漫れたたわみ性およびストレス耐
性を示すことが認められた。さらに、屈曲性J&材料お
よび透明保護上層と、狙合せたときに前記モジュールl
Oは設置中の容易な取扱いを可能くし、有害な影−なく
種々の支持碑遺物の外形を呈すことができた。事実、そ
のように具体化されたモジュール10は檜送を容易にす
るため巻き上げ、次に設置のために広げることができた
。さらに、前記モジュールlOは数回の引続いた取扱い
およびda並びに多欲の1度サイクル後、セルまたは電
気的4a互接a部の破損を通)倹せず、またモジュール
10がt差出力の完全な出力を発生しdける。
性を示すことが認められた。さらに、屈曲性J&材料お
よび透明保護上層と、狙合せたときに前記モジュールl
Oは設置中の容易な取扱いを可能くし、有害な影−なく
種々の支持碑遺物の外形を呈すことができた。事実、そ
のように具体化されたモジュール10は檜送を容易にす
るため巻き上げ、次に設置のために広げることができた
。さらに、前記モジュールlOは数回の引続いた取扱い
およびda並びに多欲の1度サイクル後、セルまたは電
気的4a互接a部の破損を通)倹せず、またモジュール
10がt差出力の完全な出力を発生しdける。
好ましい4様の光I4E池モジュール1Gの前記利点お
よび特注は同様に第6図に示される他の1様に1X!!
する。第6図のモジュール11Gは機能および実用性に
おいてモジュール10と同一である。
よび特注は同様に第6図に示される他の1様に1X!!
する。第6図のモジュール11Gは機能および実用性に
おいてモジュール10と同一である。
モジュール110に関連する唯一の差異はストリップ1
1117)相互に関する配置である。
1117)相互に関する配置である。
モジュー#lOではS続ストリップ11は横方i4 K
約/mcO,0’lイアf)1mしたl’41ftを1
1き、ストリップ11が直列に電気的に接合されるよう
にフィラメント20゛をその間に通させた。開示した池
の4144ではストリップ111が屋根板材の配列に−
d!ねられ、横方向の間1sを必要としない。
約/mcO,0’lイアf)1mしたl’41ftを1
1き、ストリップ11が直列に電気的に接合されるよう
にフィラメント20゛をその間に通させた。開示した池
の4144ではストリップ111が屋根板材の配列に−
d!ねられ、横方向の間1sを必要としない。
フィラメント120はやはり1つのストリップIllの
グリッド上の接触点13Bから次の一接ストリツf11
1の支持体層上の潰4点1111まで反傭的配置直をと
る。
グリッド上の接触点13Bから次の一接ストリツf11
1の支持体層上の潰4点1111まで反傭的配置直をと
る。
従って、モジュール11Gの一ノーコンバクトナ配置を
他の態様で達成できる。さらに、あまり複雑でないフィ
ラメントl!0は、モゾユールlO中のライ2メン)2
0の場合のようにそれに三次元中の曲げおよび1m曲を
規定する必要がない。さらに、たわみ性、ストレス耐性
および系の信頼性の有利な特注はそれがモジュール10
中にあったようにモジュール110中に同等に包含され
る。
他の態様で達成できる。さらに、あまり複雑でないフィ
ラメントl!0は、モゾユールlO中のライ2メン)2
0の場合のようにそれに三次元中の曲げおよび1m曲を
規定する必要がない。さらに、たわみ性、ストレス耐性
および系の信頼性の有利な特注はそれがモジュール10
中にあったようにモジュール110中に同等に包含され
る。
前記論議は、それぞれ主に儂インキグリッドを有するI
II数個の光電池を有し、すべてllA線フィラメント
で゛1気的に相互接続された* 孜itiのセルストリ
ップを用いる光4池モジュールに向ゆられたけれども、
これらは単に典型的一様である。同様にこれらの態様の
区別できる変形がこの開示の、竜囲内で慧図される。詳
しくはIgVA図から471)1図までに示されるよう
に他の纏相互接続が意図される。
II数個の光電池を有し、すべてllA線フィラメント
で゛1気的に相互接続された* 孜itiのセルストリ
ップを用いる光4池モジュールに向ゆられたけれども、
これらは単に典型的一様である。同様にこれらの態様の
区別できる変形がこの開示の、竜囲内で慧図される。詳
しくはIgVA図から471)1図までに示されるよう
に他の纏相互接続が意図される。
、47A図は悶々の光1池セル281を有するセルスト
リップ2)10使用を示す。フィラメント220は透明
ノ4224に複数個の接触点282で14気的に接続さ
れる。従って、41注グリツドが不要である。
リップ2)10使用を示す。フィラメント220は透明
ノ4224に複数個の接触点282で14気的に接続さ
れる。従って、41注グリツドが不要である。
M7B7には、1々の光4池セルを組込まないセルスト
リップ811が列示される。しかし、導2訣グリッド8
80が用いられ、それにフィラメ7 ) 820力廣a
点88gで′1気的に接置される。
リップ811が列示される。しかし、導2訣グリッド8
80が用いられ、それにフィラメ7 ) 820力廣a
点88gで′1気的に接置される。
ぷ7C図には同様に1固々の光電池セルも4”1性グリ
ツドも組込まれないセルストリップ411が示される。
ツドも組込まれないセルストリップ411が示される。
むしろ、フィラメント42oは透明J1424K、その
上にそれぞれの通路を有する置数、i−の接融点483
で、−気相に接5涜される。
上にそれぞれの通路を有する置数、i−の接融点483
で、−気相に接5涜される。
m70@は実質的に全長にわたって鷺びる/っの云4ま
グリッド580を用いるセルストリップ511’a’t
si向する。Id々の光JL池セルは用いられない。フ
ィラメント520は、複数11Iiの接触点582で、
グリッド580上のフィラメント52゜の各通路に7つ
、グリシ)581m’4気的に接続される。
グリッド580を用いるセルストリップ511’a’t
si向する。Id々の光JL池セルは用いられない。フ
ィラメント520は、複数11Iiの接触点582で、
グリッド580上のフィラメント52゜の各通路に7つ
、グリシ)581m’4気的に接続される。
前記互いに並y<配置されたセルストリップの駈に気相
相互接続に」えて、セルストリップの他の配置が意図さ
れることを認めるべきである。詳しくは、1EYA図か
ら第70図までに示したii気気相相互接読第6図に示
した屋根板配置に同一利点を有して等しく適用できる。
相互接続に」えて、セルストリップの他の配置が意図さ
れることを認めるべきである。詳しくは、1EYA図か
ら第70図までに示したii気気相相互接読第6図に示
した屋根板配置に同一利点を有して等しく適用できる。
最後に、本開示はシ気出力発生のためKそれ自体で使用
できる新しい、新規なモジュール1oを教示するけれど
も、そのようなモジュール1Gを−id大きい1気出力
を達成する太、iii池アレーアセンブリーに組込むこ
とができることを認めるべきである。さらに、開示した
モジュール10に組込んだときにアモルファスケイtt
池の固有のたわみ性、従ってモジュール10自体のたわ
み性のために、そのようなたわみ注が同様にアレーアセ
ンブリーに組込まれる。
できる新しい、新規なモジュール1oを教示するけれど
も、そのようなモジュール1Gを−id大きい1気出力
を達成する太、iii池アレーアセンブリーに組込むこ
とができることを認めるべきである。さらに、開示した
モジュール10に組込んだときにアモルファスケイtt
池の固有のたわみ性、従ってモジュール10自体のたわ
み性のために、そのようなたわみ注が同様にアレーアセ
ンブリーに組込まれる。
Kg@IICは開示した型のモ//S−ルな組込んだ屈
曲性アレーロール60が示される。アレーロール60に
は屈曲性積ノ[161,61が含まれ、それに複数個の
モジュール10およびシ気導体6zおよび68が封入さ
れる。モジュール10は4M861中に封入される前に
所望の4FEおよびアン4ア数の出力を達成するために
選択的に直列および(または)並列に、予め相互に配置
することができる。その後4気4体6zおよび68のセ
グメントを露出させアレーロール6oにより発生される
4力を受取るためにそれに4″A的に接続することが必
要であるのみである。
曲性アレーロール60が示される。アレーロール60に
は屈曲性積ノ[161,61が含まれ、それに複数個の
モジュール10およびシ気導体6zおよび68が封入さ
れる。モジュール10は4M861中に封入される前に
所望の4FEおよびアン4ア数の出力を達成するために
選択的に直列および(または)並列に、予め相互に配置
することができる。その後4気4体6zおよび68のセ
グメントを露出させアレーロール6oにより発生される
4力を受取るためにそれに4″A的に接続することが必
要であるのみである。
七のよ5なアセンブリーの利点はアレーロール60を設
置場所へ運搬するために、巻(かまたは扇折りすること
ができ、次に設置場所で作業者がそれを設置するために
広げることができることで実際に認められる。さらに、
アレーロールao’を積1工程礫に区分して4気出カを
使用者の要求に対してさらKAAすることができる。す
なわち、アV −o−ル6oを任意の2つのモジュール
100間で切断し当業者に、、gめられるように゛心気
的に相互接5涜できる小アレーアセンブリーを達成する
ことができる。
置場所へ運搬するために、巻(かまたは扇折りすること
ができ、次に設置場所で作業者がそれを設置するために
広げることができることで実際に認められる。さらに、
アレーロールao’を積1工程礫に区分して4気出カを
使用者の要求に対してさらKAAすることができる。す
なわち、アV −o−ル6oを任意の2つのモジュール
100間で切断し当業者に、、gめられるように゛心気
的に相互接5涜できる小アレーアセンブリーを達成する
ことができる。
従って、前記開示に1み、開示した本発明の概念を包含
する光1池モゾエールが全アセンプ+7−に所望のたわ
み性を与えることが明らかであろう。
する光1池モゾエールが全アセンプ+7−に所望のたわ
み性を与えることが明らかであろう。
さらに、開示した発明は1械的荷重およびl温度変化に
より生ずるストレスに対して実質的な耐性を示し、従っ
て、一層信頼性のアセンブリーを与える。また開示した
発明の製造は、個々の4気的相互接続に関し【前に可i
rBであったよりも一層容易KIA続謙フィラメントが
アセンブリーに組込まれるので単純化される。従って、
前記発明は該技術に対して新しい、新規かつ有益な寄与
を与えると認められるべきである。
より生ずるストレスに対して実質的な耐性を示し、従っ
て、一層信頼性のアセンブリーを与える。また開示した
発明の製造は、個々の4気的相互接続に関し【前に可i
rBであったよりも一層容易KIA続謙フィラメントが
アセンブリーに組込まれるので単純化される。従って、
前記発明は該技術に対して新しい、新規かつ有益な寄与
を与えると認められるべきである。
第1図は本発明の概念を包含する光1池セルモゾユール
の平面図。 第二図は第7図に示される光シ池セルモジュールにより
使用された光電池セルおよび′心気的相互接読の拡大部
分平面囚、 !、?図は実質的に第二図の砿3−3に従ってとった光
′1池セルストリッグの1広大部分所面図、第を図は第
2図の、J 4−ダに従ってとった光電池セルモノニー
ルの部分へ黄祈面図、 tg3図は実質的に47図の−5−3に従ってとり、末
遍元′4池セルストリップをより詳細に示す部分横断面
図、 第6図は本−A例の概念を包含する光&池セルモノエー
ルの他のJ様の部分横断面図、 第7A図から第70図までは本発明の概念を包含する光
電池セルモジュールの他の1様の部分平面図、 第g図は本発明の、−念を包含する光IC池セルモジュ
ールを組込んだ光電池アレーロールの1lIl視図であ
る。 l01110・・・光゛成ン占モノニール、11、Il
l。 2)11.811.411.511−・・光1池セルx
トリップ、12.18・・・母線、14.15・・・端
子、16・・・支持体、20.41.120,220.
820.420.520−フィラメント、2)゜22)
・・・光は池セル、z2・・・支持体層、2B・・・半
導体本体、24.284.424・・・透明j1.80
.380,580・・・グリッド9.60・・・アレー
C1−A/、+31・・・λt4fM、62. 63・
・・4体。
の平面図。 第二図は第7図に示される光シ池セルモジュールにより
使用された光電池セルおよび′心気的相互接読の拡大部
分平面囚、 !、?図は実質的に第二図の砿3−3に従ってとった光
′1池セルストリッグの1広大部分所面図、第を図は第
2図の、J 4−ダに従ってとった光電池セルモノニー
ルの部分へ黄祈面図、 tg3図は実質的に47図の−5−3に従ってとり、末
遍元′4池セルストリップをより詳細に示す部分横断面
図、 第6図は本−A例の概念を包含する光&池セルモノエー
ルの他のJ様の部分横断面図、 第7A図から第70図までは本発明の概念を包含する光
電池セルモジュールの他の1様の部分平面図、 第g図は本発明の、−念を包含する光IC池セルモジュ
ールを組込んだ光電池アレーロールの1lIl視図であ
る。 l01110・・・光゛成ン占モノニール、11、Il
l。 2)11.811.411.511−・・光1池セルx
トリップ、12.18・・・母線、14.15・・・端
子、16・・・支持体、20.41.120,220.
820.420.520−フィラメント、2)゜22)
・・・光は池セル、z2・・・支持体層、2B・・・半
導体本体、24.284.424・・・透明j1.80
.380,580・・・グリッド9.60・・・アレー
C1−A/、+31・・・λt4fM、62. 63・
・・4体。
Claims (12)
- (1)母線手段、 複数個の、各セルストリップが導電性支持体層、前記支
持体層上にテポジツトした半導体本体および前記半導体
本体上にデポジットした透明導電性層を有する個々の光
電池セルストリツプ、 1つの前記光電池セルストリップの前記導電性支持体層
および他の1つの前記光電池セルストリツプの前記透明
導電性層に交互かつ反復的に接続した連続的な導電性フ
ィラメント手段、および 1つの前記光電池セルストリツプの前記透明導電性層を
前記母線手段に接続する手段、 からなる光電池モジュール。 - (2)フィラメント手段が複数地点で前記層と接続して
いる、特許請求の範囲第(1)項記載の光電池モジュー
ル。 - (3)各光電池セルストリップに対するフィラメント手
段の少くとも1つの接続部がセルストリツプの中線付近
にある、特許請求の範囲第(2)項記載の光電池モジュ
ール。 - (4)さらに、前記透明伝導性層上にデポジシトしたグ
リッド手段を含む、特許請求の範囲第(1)項記載の光
電池モジュール。 - (5)フィラメント手段が前記グリッド手段の中点付近
に接続されている、特許請求の範囲第(4)項記載の光
電池モジュール。 - (6)フィラメント手段が細い連続銅線である、特許請
求の範囲第(1)項記載の光電池モジュール。 - (7)光電池セルストリップが相互に関し横方向に間隔
を置かれている、特許請求の範囲第(1)項記載の光電
池モジュール。 - (8)光電池セルストリツプが相互に屋根板状配列に部
分的に重なつている、特許請求の範囲第(1)項記載の
光電池モジュール。 - (9)透明導電性層が選択的に区分されて前記セルスト
リップによつて保持された複数個の電気的に別個の光電
池セルが規定されている、特許請求の範囲第(1)項記
載の光電池モジュール。 - (10)フィラメント手段が前記各光電池セルの前記透
明導電性層に接続されている、特許請求の範囲第(9)
項記載の光電池モジュール。 - (11)さらに各光電池セルの前記透明導電性層上にデ
ポジットしたグリッド手段を含む、特許請求の範囲第(
9)項記載の光電池モジュール。 - (12)フィラメント手段が前記各グリッド手段の中点
付近に接続されている、特許請求の範囲第(11)項記
載の光電池モジュール。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US656175 | 1984-09-28 | ||
| US06/656,175 US4574160A (en) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | Flexible, rollable photovoltaic cell module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6185876A true JPS6185876A (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=24631957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214440A Pending JPS6185876A (ja) | 1984-09-28 | 1985-09-27 | 光電池モジユール |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4574160A (ja) |
| EP (1) | EP0177301A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6185876A (ja) |
| AU (1) | AU584121B2 (ja) |
| BR (1) | BR8504705A (ja) |
| CA (1) | CA1227861A (ja) |
| ES (1) | ES8705706A1 (ja) |
| IN (1) | IN163907B (ja) |
| MX (1) | MX157997A (ja) |
| ZA (1) | ZA857296B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009518828A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-05-07 | ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド | ソラー・モジュールにおいて光電セルを電気的に接続するための手段および方法 |
| JP2011205146A (ja) * | 2006-03-31 | 2011-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2015503242A (ja) * | 2011-12-07 | 2015-01-29 | ヌボサン,インコーポレイテッド | 自動化された柔軟な太陽電池製造および拡張金属メッシュのロールを利用する相互接続 |
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| JP2017533596A (ja) * | 2014-10-31 | 2017-11-09 | ビーワイディー カンパニー リミテッドByd Company Limited | 太陽電池ユニット、太陽電池アレイ、太陽電池モジュール、及びこれらの製造方法 |
| US10381493B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-08-13 | Byd Company Limited | Solar cell unit, solar cell array, solar cell module and manufacturing method thereof |
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|---|---|---|---|---|
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| DE3619311A1 (de) * | 1986-06-07 | 1987-12-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Solargenerator mit hoher flaechenausnutzung |
| DE3619521A1 (de) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | Telefunken Electronic Gmbh | Solarmodul |
| US4860509A (en) * | 1987-05-18 | 1989-08-29 | Laaly Heshmat O | Photovoltaic cells in combination with single ply roofing membranes |
| US5021099A (en) * | 1988-08-09 | 1991-06-04 | The Boeing Company | Solar cell interconnection and packaging using tape carrier |
| US4888061A (en) * | 1988-09-01 | 1989-12-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thin-film solar cells resistant to damage during flexion |
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| DE4435219C1 (de) * | 1994-09-30 | 1996-01-04 | Siemens Solar Gmbh | Solarzelle und deren Verwendung in einem Solarmodul |
| US5605769A (en) * | 1995-07-03 | 1997-02-25 | Toms; Dennis J. | Method and apparatus for supplying electrical energy to battery powered equipment |
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