JPS618918A - 半導体電極の形成方法 - Google Patents
半導体電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS618918A JPS618918A JP59130529A JP13052984A JPS618918A JP S618918 A JPS618918 A JP S618918A JP 59130529 A JP59130529 A JP 59130529A JP 13052984 A JP13052984 A JP 13052984A JP S618918 A JPS618918 A JP S618918A
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- JP
- Japan
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- electrode
- heat
- semiconductor
- substrate
- semiconductor substrate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体電極の形成方法に関し、特に電極接触面
が電圧と電流で比例関係となろオーム性の電極を形成す
る方法に関する。
が電圧と電流で比例関係となろオーム性の電極を形成す
る方法に関する。
半導体装置ではＰＮ接合等各回路を半導体基板に形成し
、各回路の領域は半導体装置内での細線による接続また
は外部回路との接続のため半導体装置のリード線に細線
で接続するため。
、各回路の領域は半導体装置内での細線による接続また
は外部回路との接続のため半導体装置のリード線に細線
で接続するため。
各領域の半導体結晶上に金属膜で電極が形成される。図
にこの一例を示す半導体装置、半導体基板の縦断面図を
示す。即ち図は発光ダイオードを製造丁べ（ＧａＡｓ半
導体基板にＰＮ接合を形成し、電極を形成した時点の断
面図を示すもので、１はＮ型ＧａＡｓ半導体基板、２は
Ｎ型ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長したＮ型Ｇａ
Ａｓ結晶層、３は更に温度を低下してエピタキシャル成
長したＰ型のＧａＡｓ結晶層で、この半導体基板を切断
により小片に分離することにより多数の同一の半導体チ
ップを得るものである。
にこの一例を示す半導体装置、半導体基板の縦断面図を
示す。即ち図は発光ダイオードを製造丁べ（ＧａＡｓ半
導体基板にＰＮ接合を形成し、電極を形成した時点の断
面図を示すもので、１はＮ型ＧａＡｓ半導体基板、２は
Ｎ型ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長したＮ型Ｇａ
Ａｓ結晶層、３は更に温度を低下してエピタキシャル成
長したＰ型のＧａＡｓ結晶層で、この半導体基板を切断
により小片に分離することにより多数の同一の半導体チ
ップを得るものである。
この半導体結晶基板上に電極とすべき例えばＡｕＧｅ合
金をスパッタあるいは蒸着により全面に被着し、必要な
ところだけを残しく本実施例では各チノグの上電極５部
分）他は腐蝕除去あるいはリフトオンし９本実施例のよ
うに必要であれば半導体基板裏面にも下電極６用金属Ａ
ｕＺｎ等をスパッタあるいは蒸着により被着する。
金をスパッタあるいは蒸着により全面に被着し、必要な
ところだけを残しく本実施例では各チノグの上電極５部
分）他は腐蝕除去あるいはリフトオンし９本実施例のよ
うに必要であれば半導体基板裏面にも下電極６用金属Ａ
ｕＺｎ等をスパッタあるいは蒸着により被着する。
上述の如く半導体結晶上に金属を被着すると金属と半導
体結晶の間にショットキ接合が形成されある電圧が印加
される迄は電流は流れず。
体結晶の間にショットキ接合が形成されある電圧が印加
される迄は電流は流れず。
ある電圧以上になると急激に電流が流れ出し電極として
使用するには非常に不都合となる。そのためこのような
電極として用いるためには印加電圧の小さいうちから電
圧に比例した電流が得られるオーム性接触が硬求される
。このオーミックコンタクトを得るため通常半導体製造
においては電極用金属な被着した後昇温して熱処理する
ことにより金属と半導体結晶の接触面に一共晶を形成し
ている。この実施例のようにＡｕＧｅを電極として使う
場合はこの共晶を得るためには通常４００℃以上の熱処
理をしなければならない。しかしＡｕＧｅの共晶点は３
５６°Ｃでこの熱処４ 環中に電極形状が変形し
たり電極表面があれて平担性を失い、後ワイヤボンディ
ングなどに不都合を生ずる。これを解消するため従来は
電極用金属を被着した後、その周囲にＳ １０２ 、
Ａｌｌ ２０３ｒＳｉ３Ｎ４などの誘電体膜を保護膜と
して被覆し熱処理を行なっていた。
使用するには非常に不都合となる。そのためこのような
電極として用いるためには印加電圧の小さいうちから電
圧に比例した電流が得られるオーム性接触が硬求される
。このオーミックコンタクトを得るため通常半導体製造
においては電極用金属な被着した後昇温して熱処理する
ことにより金属と半導体結晶の接触面に一共晶を形成し
ている。この実施例のようにＡｕＧｅを電極として使う
場合はこの共晶を得るためには通常４００℃以上の熱処
理をしなければならない。しかしＡｕＧｅの共晶点は３
５６°Ｃでこの熱処４ 環中に電極形状が変形し
たり電極表面があれて平担性を失い、後ワイヤボンディ
ングなどに不都合を生ずる。これを解消するため従来は
電極用金属を被着した後、その周囲にＳ １０２ 、
Ａｌｌ ２０３ｒＳｉ３Ｎ４などの誘電体膜を保護膜と
して被覆し熱処理を行なっていた。
しかしながら、この５ｉ０２やＡｌ２Ｏ３などの誘電体
膜を被覆する方法は２通常スパッタリングやＣＵＤ法が
とられており、高価な装置が必要と共に被着時に高温と
なり半導体素子そのものの特性を損なう危険性をはらん
でおり、またこれらの被着方法は長時間を要し全体的に
コストが大幅に上昇し、高温にさらされることにより半
導体装置の信頼性にも問題が出てくる。
膜を被覆する方法は２通常スパッタリングやＣＵＤ法が
とられており、高価な装置が必要と共に被着時に高温と
なり半導体素子そのものの特性を損なう危険性をはらん
でおり、またこれらの被着方法は長時間を要し全体的に
コストが大幅に上昇し、高温にさらされることにより半
導体装置の信頼性にも問題が出てくる。
本発明はこのような欠点に鑑みなされたもので、電極用
金属を被着した後の保護膜を簡易に被着でき、しかも電
極用金属を有効に保護できるポリイミドなど耐熱性樹脂
で被覆するものである。以下実施例により詳細に説明す
る。 セ〔実施例〕 まず前述の如（図に示すように、半導体基板にＰＮ接合
４を形成し、電極用金属５，６をスパッタあるいは蒸着
により被着する。上電極５用金属は前述の如（半導体基
板表面全域に被着した後余計な所を腐蝕除去したもので
ある。次にこの半導・体基板全体を例えばスピナーの上
に載置し、３５００回／分のスピードで回転しながらポ
リイミドのような耐熱性樹脂を数滴１滴下する。ポリイ
ミドは粘性のある液状のため回転による遠心力により半
導体基板表面上に適当な厚みをもって拡がる。次にこれ
を２５０°Ｃ位で約６０分熱処理すると液状のポリイミ
ドは硬化し。
金属を被着した後の保護膜を簡易に被着でき、しかも電
極用金属を有効に保護できるポリイミドなど耐熱性樹脂
で被覆するものである。以下実施例により詳細に説明す
る。 セ〔実施例〕 まず前述の如（図に示すように、半導体基板にＰＮ接合
４を形成し、電極用金属５，６をスパッタあるいは蒸着
により被着する。上電極５用金属は前述の如（半導体基
板表面全域に被着した後余計な所を腐蝕除去したもので
ある。次にこの半導・体基板全体を例えばスピナーの上
に載置し、３５００回／分のスピードで回転しながらポ
リイミドのような耐熱性樹脂を数滴１滴下する。ポリイ
ミドは粘性のある液状のため回転による遠心力により半
導体基板表面上に適当な厚みをもって拡がる。次にこれ
を２５０°Ｃ位で約６０分熱処理すると液状のポリイミ
ドは硬化し。
半導体基板上に保護膜が形成される。半導体基板裏面の
下電極６用金属についても同様に耐熱性樹脂で被覆する
。このポリイミドは５００℃位迄昇温しても変色等多少
変質はきたしてもクラックが入って剥れるとか燃えて灰
になるなど無形化することはないため電極用金属保護す
る目的は十分に達し得る。次に従来と同じく、電極用金
属と半導体結晶の共晶化のため４８０°Ｃ位で３分位熱
処理する。その後例えば抱水とドラジン、エチレンジア
ミンのような液に半導体基板全体を浸すことにより溶解
除去する。この保護膜の除去は熱処理後直ちに除去しな
くても１次の半導体基板から冬半導体チップに分離する
ための切断工程時の半導体基板表面保護をも兼ねて切断
後に除去しても良いことは言う迄もない。
下電極６用金属についても同様に耐熱性樹脂で被覆する
。このポリイミドは５００℃位迄昇温しても変色等多少
変質はきたしてもクラックが入って剥れるとか燃えて灰
になるなど無形化することはないため電極用金属保護す
る目的は十分に達し得る。次に従来と同じく、電極用金
属と半導体結晶の共晶化のため４８０°Ｃ位で３分位熱
処理する。その後例えば抱水とドラジン、エチレンジア
ミンのような液に半導体基板全体を浸すことにより溶解
除去する。この保護膜の除去は熱処理後直ちに除去しな
くても１次の半導体基板から冬半導体チップに分離する
ための切断工程時の半導体基板表面保護をも兼ねて切断
後に除去しても良いことは言う迄もない。
上記実施例ではポリイミドの例で説明したが。
その他の耐熱性樹脂で被着並びに剥離が容易で熱処理時
の５００℃位に耐え得るものであれば良い。
の５００℃位に耐え得るものであれば良い。
以上説明したように本発明によれば、電極用金属保護を
従来の誘電体膜でなく耐熱性樹脂で行なっているため、
その被着並びに除去が非常に容易で短時間でできると共
に設備も高価な設備は必要な（、また被着温度も低温で
できるため、この方法により製造した半導体装置はコス
トが安価であると共に品質の信頼性も向上するという利
点がある。
従来の誘電体膜でなく耐熱性樹脂で行なっているため、
その被着並びに除去が非常に容易で短時間でできると共
に設備も高価な設備は必要な（、また被着温度も低温で
できるため、この方法により製造した半導体装置はコス
トが安価であると共に品質の信頼性も向上するという利
点がある。
図は半導体装置の電極用金属を被着した状態の断面図で
ある。 １−、・Ｎ型ＧａＡｓ半導体基板、２・Ｎ型ＧａＡｓエ
ピタキシャル成長層、３・・・Ｐ型ＧａＡｓエピタキシ
ャル成長層、４・・・ＰＮ接合、５・・・上電極。 ６・・・下電極。 特許出願人 新日本無線株式会社 一〇に
ある。 １−、・Ｎ型ＧａＡｓ半導体基板、２・Ｎ型ＧａＡｓエ
ピタキシャル成長層、３・・・Ｐ型ＧａＡｓエピタキシ
ャル成長層、４・・・ＰＮ接合、５・・・上電極。 ６・・・下電極。 特許出願人 新日本無線株式会社 一〇に
Claims (1)
- 半導体結晶上にオーム性電極を形成する半導体電極の形
成方法において、前記半導体結晶上に電極用金属を被着
する工程と、該電極用金属周囲に耐熱性樹脂を被覆する
工程と、前記半導体結晶全体を昇温して前記半導体結晶
と前記電極用金属との接触面を共晶化する熱処理工程と
、前記被覆した耐熱性樹脂を除去する工程とからなる半
導体電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130529A JPS618918A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 半導体電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130529A JPS618918A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 半導体電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618918A true JPS618918A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15036475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130529A Pending JPS618918A (ja) | 1984-06-25 | 1984-06-25 | 半導体電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618918A (ja) |
-
1984
- 1984-06-25 JP JP59130529A patent/JPS618918A/ja active Pending
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