JPS6189636A - 光加工方法 - Google Patents
光加工方法Info
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- JPS6189636A JPS6189636A JP59211769A JP21176984A JPS6189636A JP S6189636 A JPS6189636 A JP S6189636A JP 59211769 A JP59211769 A JP 59211769A JP 21176984 A JP21176984 A JP 21176984A JP S6189636 A JPS6189636 A JP S6189636A
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- light
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- pulse
- grooves
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
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- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Lasers (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野ｊ
本発明は太陽電池等に用いられ”る透光性導電膜の光に
よる選択加工法に関する。。
よる選択加工法に関する。。
ｒ従来技術ｊ
透光性導電膜の光加工に関しては、レーザ加工技術とし
てＹＡＧレーザ光（波長１．０５μ）が主として用いら
れている。
てＹＡＧレーザ光（波長１．０５μ）が主として用いら
れている。
この波長によるレーザ加工方法においては、スポット状
のビームを被加工物に照射するとともに、このビームを
加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開溝を形成せんと
するものである。そのため、このビームの走査スピード
と、加工に必要なエネルギ密度とは、被加工物の熱伝導
度、昇華性に加えて、きわめて微妙に相互作用する。そ
のため、工業化に隙しての生産性を向上させつつ、最適
品質を保証するマージンが少ないという欠点を有する。
のビームを被加工物に照射するとともに、このビームを
加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開溝を形成せんと
するものである。そのため、このビームの走査スピード
と、加工に必要なエネルギ密度とは、被加工物の熱伝導
度、昇華性に加えて、きわめて微妙に相互作用する。そ
のため、工業化に隙しての生産性を向上させつつ、最適
品質を保証するマージンが少ないという欠点を有する。
さらに、その光学的エネルギが１．２３ｅＶ（１，０６
μ）であるため、ガラス基板、半導体上に形成する透光
性導電膜（以下ＣＴＦという）である一般な３〜４ｅＶ
の光学的エネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸化イン
ジューム（ＩＴＯを含む）に対して十分な光吸収性を有
していない。また、ＹＡＧのＱスイッチを用いるレーザ
加工方式においては、パルス光は平均０．５〜ＩＷ（光
径５０μ、焦点距離４０ｍｍ、パルス周波数３Ｋｔｌｚ
、パルス中６０ｎ秒の場合）の強い光エネルギを走査ス
ピードが３０〜６０ｃｍ／分で加えて加工しなければな
らない。その結果、このレーザ光によりＣＴＦの加工は
行い得るが、同時にその下側に設けられた基板例えばガ
ラス基板に対してマイクロクランクを発生させてしまっ
た。
μ）であるため、ガラス基板、半導体上に形成する透光
性導電膜（以下ＣＴＦという）である一般な３〜４ｅＶ
の光学的エネルギバンド巾を有する酸化スズ、酸化イン
ジューム（ＩＴＯを含む）に対して十分な光吸収性を有
していない。また、ＹＡＧのＱスイッチを用いるレーザ
加工方式においては、パルス光は平均０．５〜ＩＷ（光
径５０μ、焦点距離４０ｍｍ、パルス周波数３Ｋｔｌｚ
、パルス中６０ｎ秒の場合）の強い光エネルギを走査ス
ピードが３０〜６０ｃｍ／分で加えて加工しなければな
らない。その結果、このレーザ光によりＣＴＦの加工は
行い得るが、同時にその下側に設けられた基板例えばガ
ラス基板に対してマイクロクランクを発生させてしまっ
た。
ｒ発明の解決しようとする問題」
このＹＡＧ レーザを用いた加工方式では、スポット状
のビームを繰り返し走査しつつかえるため、下地基板に
発生する微小クラックは、レーザ光の円周と類似の形状
を有し、「婿」状に作られてしまった。
のビームを繰り返し走査しつつかえるため、下地基板に
発生する微小クラックは、レーザ光の円周と類似の形状
を有し、「婿」状に作られてしまった。
また、旨レーザのＱスイッチを用いる方式は、その尖頭
値の出力が長期間使用においてバラツキやすく、使用の
度にモニターでのチェ・ツクを必要とした。
値の出力が長期間使用においてバラツキやすく、使用の
度にモニターでのチェ・ツクを必要とした。
更に、１〜５μ巾の微細パターンを多数同一平面に選択
的に形成させることがまったく不可能であった。さらに
照射後、加工部のＣＴＦ材料が十分に微粉末化していな
いため、ＣＴＦのエツチング溶液（弗化水素系溶液）に
よりエツチングを行わなければならなかった。
的に形成させることがまったく不可能であった。さらに
照射後、加工部のＣＴＦ材料が十分に微粉末化していな
いため、ＣＴＦのエツチング溶液（弗化水素系溶液）に
よりエツチングを行わなければならなかった。
ｒ問題を解決するための手段」
本発明は、上記の問題を解決するものであり、その照射
光として、４００ｎｍ以下（エネルギ的には３．１ｅＶ
以上）の波長のパルスレーザを照射し、２０〜５０μφ
のビームスポットではなく、１０〜２０μの巾（例えば
１５μ）、長さ１０〜５０ｃｍ例えば３０ｃｍのスリッ
ト状に１つのパルスにて同時に瞬間的に加工する。それ
によってＣＴＦでの光エネルギの吸収効率をＹＡＧ レ
ーザ（１，０６μ）の１００倍以上に高めたものである
。
光として、４００ｎｍ以下（エネルギ的には３．１ｅＶ
以上）の波長のパルスレーザを照射し、２０〜５０μφ
のビームスポットではなく、１０〜２０μの巾（例えば
１５μ）、長さ１０〜５０ｃｍ例えば３０ｃｍのスリッ
ト状に１つのパルスにて同時に瞬間的に加工する。それ
によってＣＴＦでの光エネルギの吸収効率をＹＡＧ レ
ーザ（１，０６μ）の１００倍以上に高めたものである
。
さらに初期の光が円状のかつ光強度がガウス分布をする
ＹＡＧ レーザではなく、本発明はエキシマレーザ光を
用いる。このため、初期の光の照射面は矩形を有し、ま
たその強さも照射面内で概略均一である。このためエク
スパンダで矩形の大面積化または長面積化し、またその
一方のＸまたばＹ方向にそってシリンドリカルレンズに
て１つまたは複数のスリット状にレーザを集光する。そ
の結果、１つまたは複数のスリット例えば２〜２０本例
えば４本を同時に１回のパルス光にて照射し、強光を被
加工物に対し照射して開溝を作りえる。
ＹＡＧ レーザではなく、本発明はエキシマレーザ光を
用いる。このため、初期の光の照射面は矩形を有し、ま
たその強さも照射面内で概略均一である。このためエク
スパンダで矩形の大面積化または長面積化し、またその
一方のＸまたばＹ方向にそってシリンドリカルレンズに
て１つまたは複数のスリット状にレーザを集光する。そ
の結果、１つまたは複数のスリット例えば２〜２０本例
えば４本を同時に１回のパルス光にて照射し、強光を被
加工物に対し照射して開溝を作りえる。
「作用」
１つのパルスで線状の開溝を１０〜５０ｃｍ例えば３０
μｍの長さにわたって加工し、開溝を作り得る。またＱ
スイッチ方式ではなく、パルス光のレーザ光を用いるた
め尖端値の強さを精密に制御し得る。
μｍの長さにわたって加工し、開溝を作り得る。またＱ
スイッチ方式ではなく、パルス光のレーザ光を用いるた
め尖端値の強さを精密に制御し得る。
結果として下地基板であるガラス基板に対し何等の損傷
を与えることなくしてＣＴＦのみのスリット状開溝の選
択除去が可能となり、さらに減圧下にてパルスレーザ光
を照射するならば、レーザ光源より被加工物の間での水
分等による紫外光の吸収損失を少なくし得る。
を与えることなくしてＣＴＦのみのスリット状開溝の選
択除去が可能となり、さらに減圧下にてパルスレーザ光
を照射するならば、レーザ光源より被加工物の間での水
分等による紫外光の吸収損失を少なくし得る。
また開溝を形成した後の被加工部に残る粉状の残差物は
、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分除去が可能であり、いわゆるフチ１−マスクプロセ
スに必要なマスク作り、レジストコート、被加工物の蒸
着によるエツチング、レジスト除去等の多くの工程かま
った（不要となり、かつ公害材料の使用も不要となった
。
、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分除去が可能であり、いわゆるフチ１−マスクプロセ
スに必要なマスク作り、レジストコート、被加工物の蒸
着によるエツチング、レジスト除去等の多くの工程かま
った（不要となり、かつ公害材料の使用も不要となった
。
「実施例１」
第１図にエキシマレーザを用いた本発明のレーザ加工方
法を記す。エキシマレーザ（１）（波長２４８ｎｍ、Ｅ
ｇ ＝５．０ｅＶ）を用いた。すると、初期のビーム（
２０）は１６ｍｍ Ｘ ２０ｍｍを有し、効率３χであ
るため、３５０ｍＪを有する。さらにこのビームをビー
ムエキスパンダ（２）にて長面積化または大面積化した
、即ち１５０ｍｍ Ｘ ３００ｍｍに拡大したく第２図
（２１））。この装置に５．６ Ｘ １０−’ｍＪ／ｍ
ｍ”をエネルギ密度で得た。
法を記す。エキシマレーザ（１）（波長２４８ｎｍ、Ｅ
ｇ ＝５．０ｅＶ）を用いた。すると、初期のビーム（
２０）は１６ｍｍ Ｘ ２０ｍｍを有し、効率３χであ
るため、３５０ｍＪを有する。さらにこのビームをビー
ムエキスパンダ（２）にて長面積化または大面積化した
、即ち１５０ｍｍ Ｘ ３００ｍｍに拡大したく第２図
（２１））。この装置に５．６ Ｘ １０−’ｍＪ／ｍ
ｍ”をエネルギ密度で得た。
さらに石英製のシリンドリカルレンズにて開溝中１５μ
で４本に分割し集光した。かくして長さ３０ｃｍ、巾１
５μのスリット状のビームを複数本（ここでは４本）に
分割し、基板（１ｏ）上の被加工物（１１）に同時に照
射し、加工を行い、開溝（５）を形成した。
で４本に分割し集光した。かくして長さ３０ｃｍ、巾１
５μのスリット状のビームを複数本（ここでは４本）に
分割し、基板（１ｏ）上の被加工物（１１）に同時に照
射し、加工を行い、開溝（５）を形成した。
被加工面として、ガラス状の透明導電ｌ模（Ｅｇ＝３．
５ｅν）を有する基板（１０）に対し、エキシマレーザ
（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ、製）を用いた。
５ｅν）を有する基板（１０）に対し、エキシマレーザ
（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ、製）を用いた。
パルス光はＫｒＦを用いた２４８ｎｍとした。なぜなら
、その光学的エネルギバンド巾が５．ＯｅＶであるため
、十分光を吸収し、透明導電膜のみを選択的に加工し得
るからである。
、その光学的エネルギバンド巾が５．ＯｅＶであるため
、十分光を吸収し、透明導電膜のみを選択的に加工し得
るからである。
パルス中２０ｎ秒、繰り返し周波数１〜１００Ｈｚ、例
えば１０Ｈｚ、また、被加工物はガラス基板上のＣＴＦ
（透光性導電膜）である酸化スズ（ＳｎＯｚ＋を用いた
Ｑこの被膜に加工を行うと、１回のみの線状のパルス光
の照射でスリット（５）が完全に白濁化されＣＴＦが微
粉末になった。これをアセトン水溶液にての超音波洗浄
（周波数２９ＫＨｚ）を約１〜１０分行いこのＣＴＦを
除去した。下地のソーダガラスはまったく損傷を受けて
いなかった。
えば１０Ｈｚ、また、被加工物はガラス基板上のＣＴＦ
（透光性導電膜）である酸化スズ（ＳｎＯｚ＋を用いた
Ｑこの被膜に加工を行うと、１回のみの線状のパルス光
の照射でスリット（５）が完全に白濁化されＣＴＦが微
粉末になった。これをアセトン水溶液にての超音波洗浄
（周波数２９ＫＨｚ）を約１〜１０分行いこのＣＴＦを
除去した。下地のソーダガラスはまったく損傷を受けて
いなかった。
第３図は、基板上にスリット状のパルス光（５−Ｌ ５
−２．５−３．５−４）を同時に照射したものである。
−２．５−３．５−４）を同時に照射したものである。
このパルスを１回照射した後、Ｘテーブル（第１図（２
３））を例えば１３０μ移動し、次のパルス（６−１，
６−２，６−３，６−４）を加える。さらに１３０μ移
動し、次のパルス（７−１、７−２，７−３、７−４）
を加える。かくしてｎ回のパルス（ｎ−１，ｎ−２，ｎ
−３，ｎ−４）を加えることにより、大面積に複数の開
溝をｎ分割することにより成就した。
３））を例えば１３０μ移動し、次のパルス（６−１，
６−２，６−３，６−４）を加える。さらに１３０μ移
動し、次のパルス（７−１、７−２，７−３、７−４）
を加える。かくしてｎ回のパルス（ｎ−１，ｎ−２，ｎ
−３，ｎ−４）を加えることにより、大面積に複数の開
溝をｎ分割することにより成就した。
かくの如くにすると、第３図に示される如く、１本の場
合の４倍の加ニスピードにて４ｎ本の開溝を作ることが
できる。しかしかかる場合、例えばｎ−１，５−２との
開溝は５−１ と６−１との開溝と等間隔にせんとして
もテーブル（２３）の移動精度により必ずしも十分でな
い。この場合の精度を制御するならば、加工用のビーム
は第１図において１本のみとすることが有効である。か
（すると、かかる隣あった群間の精度を論する必要がな
（なる。
合の４倍の加ニスピードにて４ｎ本の開溝を作ることが
できる。しかしかかる場合、例えばｎ−１，５−２との
開溝は５−１ と６−１との開溝と等間隔にせんとして
もテーブル（２３）の移動精度により必ずしも十分でな
い。この場合の精度を制御するならば、加工用のビーム
は第１図において１本のみとすることが有効である。か
（すると、かかる隣あった群間の精度を論する必要がな
（なる。
「実施例２ｊ
水素または弗素が添加された非単結晶半導体（主成分珪
素）上にＩＴＯ（酸化スズが５重量％添加された酸化イ
ンジューム）を１０００人の厚さに電子ビーム蒸着法に
よって形成し被加工面とした。
素）上にＩＴＯ（酸化スズが５重量％添加された酸化イ
ンジューム）を１０００人の厚さに電子ビーム蒸着法に
よって形成し被加工面とした。
さらにこの面を下面とし、真空下（真空度１Ｏ−５ｔｏ
ｒｒ以下）として４００ｎＩＩ＋以下の波長のパルス光
を加えた。波長は２４８ｎｍ （ＫｒＦ）とした。パル
ス巾１０ｎ秒、平均出力２．３ｍ、Ｉ／ｍｍ”とした。
ｒｒ以下）として４００ｎＩＩ＋以下の波長のパルス光
を加えた。波長は２４８ｎｍ （ＫｒＦ）とした。パル
ス巾１０ｎ秒、平均出力２．３ｍ、Ｉ／ｍｍ”とした。
すると被加工面のＩＴＯは昇華し下地の半導体は損傷す
ることなくこの開溝により残った１７０間を絶縁化する
ことができた。
ることなくこの開溝により残った１７０間を絶縁化する
ことができた。
「効果」
本発明により多数のスリット状開溝を作製する場合、例
えば１３０μ間隔にて１５’μの巾を１９２０本製造す
る場合、この時間は４本分割とし、１０Ｈｚ／パルスと
すると０．８分で可能となった。また１本のみであって
も、３．２分で加工が可能壱なった。その結果、従来の
マスクライン方式でフォトマスクを用いてパターニーグ
を行う温容に比べて工程数 □が７エ程より２工程（光
照射、洗浄）となり、かつ作業時間が５分〜１０分とす
ることができ、多数の直線状開溝を作る場合にきわめて
低コスト、高生産性を図ることができるようになった。
えば１３０μ間隔にて１５’μの巾を１９２０本製造す
る場合、この時間は４本分割とし、１０Ｈｚ／パルスと
すると０．８分で可能となった。また１本のみであって
も、３．２分で加工が可能壱なった。その結果、従来の
マスクライン方式でフォトマスクを用いてパターニーグ
を行う温容に比べて工程数 □が７エ程より２工程（光
照射、洗浄）となり、かつ作業時間が５分〜１０分とす
ることができ、多数の直線状開溝を作る場合にきわめて
低コスト、高生産性を図ることができるようになった。
本発明で開溝と開溝間の巾（加工せずに残す面積）にお
いて、損失が多い場合を記した。しかし光照射を隣合わ
せて連結化することにより、この逆に残っている面積を
例えば２０μ、除去する部分を４００μとすることも可
能である。この場合、集光スリットの巾を１５μより５
０〜１００μとすると生産性向上に有効である。
いて、損失が多い場合を記した。しかし光照射を隣合わ
せて連結化することにより、この逆に残っている面積を
例えば２０μ、除去する部分を４００μとすることも可
能である。この場合、集光スリットの巾を１５μより５
０〜１００μとすると生産性向上に有効である。
第１図は本発明の光加工方法の概要を示す。
第２図は光のパターンの変化を示す。
第３図は開溝の基板上での作製工程を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、４００ｎｍ以下の波長のパルスレーザ光をビームエ
キスパンダにて大面積化または長面積化し、１つまたは
複数のシリンドリカルレンズを平行に配設し、１つまた
は複数の線状のパルス光を発光せしめ、被加工面を照射
せしめることにより、１つまたは複数の線状の開溝を同
時に形成せしめることを特徴とする光加工方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、被加工面は基板上
の透光性導電膜であることを特徴とする光加工方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211769A JPS6189636A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 光加工方法 |
| US06/740,764 US4713518A (en) | 1984-06-08 | 1985-06-03 | Electronic device manufacturing methods |
| CN85104934.6A CN1003899B (zh) | 1984-10-08 | 1985-06-28 | 一种制造电子器件的方法 |
| US07/298,263 US4874920A (en) | 1984-06-08 | 1989-01-13 | Electronic device manufacturing methods |
| US07/333,912 US4970368A (en) | 1984-06-08 | 1989-04-06 | Laser scribing method |
| US07/333,911 US4970369A (en) | 1984-06-08 | 1989-04-06 | Electronic device manufacturing methods |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211769A JPS6189636A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | 光加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6189636A true JPS6189636A (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=16611277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211769A Expired - Lifetime JPS6189636A (ja) | 1984-06-08 | 1984-10-08 | 光加工方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6189636A (ja) |
| CN (1) | CN1003899B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61105885A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
| JPS61105884A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
| JPS6342127A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
| JPS63313685A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-21 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | ペロブスカイト型構造の酸化物材料の表面加工方法 |
| JPH06181945A (ja) * | 1985-09-12 | 1994-07-05 | Summit Technol Inc | レーザを使用する表面のエロージョン |
| US6031201A (en) * | 1993-06-04 | 2000-02-29 | Seiko Epson Corporation | Laser machining apparatus with rotatable phase grating |
| US6149988A (en) * | 1986-09-26 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| US6261856B1 (en) | 1987-09-16 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| JP2002261314A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換モジュールの製造方法 |
| KR100348342B1 (ko) * | 1995-07-25 | 2002-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 레이저 어닐링 방법 및 장치 |
| WO2010130439A3 (de) * | 2009-05-14 | 2011-08-11 | Schott Solar Ag | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines photovoltaischen dünnschichtmoduls |
| WO2016157930A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 日本電気硝子株式会社 | 透明導電膜付基板 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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