JPS6190227A - アナログタツチスイツチを備えた入力装置 - Google Patents
アナログタツチスイツチを備えた入力装置Info
- Publication number
- JPS6190227A JPS6190227A JP59211978A JP21197884A JPS6190227A JP S6190227 A JPS6190227 A JP S6190227A JP 59211978 A JP59211978 A JP 59211978A JP 21197884 A JP21197884 A JP 21197884A JP S6190227 A JPS6190227 A JP S6190227A
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- Japan
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- electrode
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ技術分野
この発明はＣＲＴなどの表示器の画面に重ねて配置した
二枚の導電性透明薄膜からなるアナログタッチスイッチ
により画面の任意の位置を入力する入力装置に関する。
二枚の導電性透明薄膜からなるアナログタッチスイッチ
により画面の任意の位置を入力する入力装置に関する。
（ｂ）発明の背景
アナログタッチスイッチは第６図に示すように、樹脂フ
ィルム基材にＩＴＯ（Ｉｎｄ ｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）等の導電膜を蒸着した導電性透明薄膜１，２
を重ねたものであって、各薄膜の両端には直交するＸ、
Ｙ方向に一対の電極Ａ、 ＢおよびＣ，Ｄが形成され
ている。このアナログタッチスイッチを配置したＣＲＴ
の画面には人ツノキー位置等が表示される。膜面が押下
された時にはまず、Ａ−Ｂ間に電圧を印加し、薄膜の接
触点と電極Ａ、Ｂの一方との間の電位、即ち接触点と電
極間の抵抗に対応する電位を電極ＣまたはＤを検出電極
として測定しその測定電位からＸ方向の接触位置をアナ
ログ的に読み取る。尚、このとき検出電極側の膜面抵抗
は、通常、電圧検出部の入力インピーダンスが高いため
に無視できる。したがって検出電位は電圧が印加される
膜面の接触点と電極間の間の電圧に等しくなる。同様に
Ｃ−Ｄ間に電圧を印加し薄膜の接触点と電極Ｃ，Ｄの一
方と間の電位を電極ＡまたはＢを検出電極として測定す
る。この測定電位からＹ方向の人力位置を読み取る。第
７図は上記アナログタッチスイッチからの入力電圧を得
る部分の回路構成を示している。導電性透明薄膜１．２
からなるアナログタッチスイッチ３で読み取ったＸ、Ｙ
方向の位置データはＣＰＵ４に送られる。この入力装置
はＩ１０ボート５を介して他の電子機器と接続していて
、Ｉ１０ボート５を通じてタッチスイッチの入力データ
が伝送される。また、ＣＰＵ４は電極Ａ−Ｂ間に電圧を
印加するか電極Ｃ−Ｄ間に電圧を印加するかを決める制
′４１■信号＃ａ〜ｄを形成し、さらに検出電極をＢま
たはＤの何れかに設定する制御、信号ｅ、ｆを形成する
。
ィルム基材にＩＴＯ（Ｉｎｄ ｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ）等の導電膜を蒸着した導電性透明薄膜１，２
を重ねたものであって、各薄膜の両端には直交するＸ、
Ｙ方向に一対の電極Ａ、 ＢおよびＣ，Ｄが形成され
ている。このアナログタッチスイッチを配置したＣＲＴ
の画面には人ツノキー位置等が表示される。膜面が押下
された時にはまず、Ａ−Ｂ間に電圧を印加し、薄膜の接
触点と電極Ａ、Ｂの一方との間の電位、即ち接触点と電
極間の抵抗に対応する電位を電極ＣまたはＤを検出電極
として測定しその測定電位からＸ方向の接触位置をアナ
ログ的に読み取る。尚、このとき検出電極側の膜面抵抗
は、通常、電圧検出部の入力インピーダンスが高いため
に無視できる。したがって検出電位は電圧が印加される
膜面の接触点と電極間の間の電圧に等しくなる。同様に
Ｃ−Ｄ間に電圧を印加し薄膜の接触点と電極Ｃ，Ｄの一
方と間の電位を電極ＡまたはＢを検出電極として測定す
る。この測定電位からＹ方向の人力位置を読み取る。第
７図は上記アナログタッチスイッチからの入力電圧を得
る部分の回路構成を示している。導電性透明薄膜１．２
からなるアナログタッチスイッチ３で読み取ったＸ、Ｙ
方向の位置データはＣＰＵ４に送られる。この入力装置
はＩ１０ボート５を介して他の電子機器と接続していて
、Ｉ１０ボート５を通じてタッチスイッチの入力データ
が伝送される。また、ＣＰＵ４は電極Ａ−Ｂ間に電圧を
印加するか電極Ｃ−Ｄ間に電圧を印加するかを決める制
′４１■信号＃ａ〜ｄを形成し、さらに検出電極をＢま
たはＤの何れかに設定する制御、信号ｅ、ｆを形成する
。
ところで、導電性透明薄膜はフィルム基材に藤着加工を
して順次巻き取っていく加工方法により製造されるため
、薄膜に一次元の方向性もつ抵抗値のバラツキを生じて
しまう。このため、第８図（Ａ）に示すように、電極Ｅ
を等電位線Ｆに平行に設けたり、同図（Ｂ）に示すよう
に等電位線Ｇに対し斜めに電極Ｅを設けたりすると、薄
膜の抵抗値がＨまたはＩで示す向きに不均一になり、こ
れにより測定電位と入力位置とが比例しなくなって入力
位置を正確に読み取ることができないといった問題を生
じている。
して順次巻き取っていく加工方法により製造されるため
、薄膜に一次元の方向性もつ抵抗値のバラツキを生じて
しまう。このため、第８図（Ａ）に示すように、電極Ｅ
を等電位線Ｆに平行に設けたり、同図（Ｂ）に示すよう
に等電位線Ｇに対し斜めに電極Ｅを設けたりすると、薄
膜の抵抗値がＨまたはＩで示す向きに不均一になり、こ
れにより測定電位と入力位置とが比例しなくなって入力
位置を正確に読み取ることができないといった問題を生
じている。
（Ｃ１発明の目的
この発明の目的は上記問題点に鑑み、導電性透明薄膜の
電位分布を把握しておいて実際の入力位置を正確に読み
取ることのできる、アナログタノチスイ・ソチの入力装
置を提供することにある。
電位分布を把握しておいて実際の入力位置を正確に読み
取ることのできる、アナログタノチスイ・ソチの入力装
置を提供することにある。
（ｄ＋発明の構成および効果
この発明は等電位分布を形成する導電性透明薄膜を用い
て等電位箇所個々の電位を予め記憶しておくことにより
入力位置を正確に読み取るようにしたものであり、要約
すれば、各導電性透明薄膜として電極に平行な等電位分
布を形成するものを用い、かつ電極間方向の膜端部にセ
ンス電極を設けるとともに、 電極間に電圧を印加したときの各センス電極の電位およ
びそのセンス電極の位置を記憶するメモリと、 膜面を押下したときの接触点の測定電位と前記メモリの
電位および各センス電極の位置とから各導電性透明薄膜
の電極間方向の入力位置を求める手段とを具備したこと
を特徴とする。
て等電位箇所個々の電位を予め記憶しておくことにより
入力位置を正確に読み取るようにしたものであり、要約
すれば、各導電性透明薄膜として電極に平行な等電位分
布を形成するものを用い、かつ電極間方向の膜端部にセ
ンス電極を設けるとともに、 電極間に電圧を印加したときの各センス電極の電位およ
びそのセンス電極の位置を記憶するメモリと、 膜面を押下したときの接触点の測定電位と前記メモリの
電位および各センス電極の位置とから各導電性透明薄膜
の電極間方向の入力位置を求める手段とを具備したこと
を特徴とする。
メモリには、センス電極の位置に対応する電圧がセンス
電極の数だけ記憶され、測定電位はまずこの複数の電位
の中のどの電位の間に入るかを検索によって調べられる
。この場合、隣り合う二つの電位の対応位置の間隔は抵
抗値が略均−な状態にあると考えられる。したがって入
力位置の検出は、測定電位とその測定電位を挟む二つの
電位の対応位置とから補間法によって算出する。
電極の数だけ記憶され、測定電位はまずこの複数の電位
の中のどの電位の間に入るかを検索によって調べられる
。この場合、隣り合う二つの電位の対応位置の間隔は抵
抗値が略均−な状態にあると考えられる。したがって入
力位置の検出は、測定電位とその測定電位を挟む二つの
電位の対応位置とから補間法によって算出する。
上記構成によりこの発明によれば、導電性透明薄膜の等
電位分布と接触点の測定電位とから入力位置を正確に読
み取ることができる。従って、製造工程で抵抗値の電極
方向への一次元不均−性を生じた導電性透明薄膜であっ
てもその等電位方向と直交する膜端部にセンス電極を設
けるだけで人力位置の読み取り精度の高いアナログタッ
チスイッチにすることができる。
電位分布と接触点の測定電位とから入力位置を正確に読
み取ることができる。従って、製造工程で抵抗値の電極
方向への一次元不均−性を生じた導電性透明薄膜であっ
てもその等電位方向と直交する膜端部にセンス電極を設
けるだけで人力位置の読み取り精度の高いアナログタッ
チスイッチにすることができる。
ｔｅｌ実施例
第１図はこの発明の実施例である人力装置に用いるアナ
ログタッチスイッチの構成図である。
ログタッチスイッチの構成図である。
１０はＸ方向の導電性透明薄膜、１１はＹ方向の導電性
透明薄膜である。導電性透明薄膜１０の両端には電圧印
加、検出用の電極Ｘ。、Ｘわが設けられ、同様に導電性
透明薄膜１１には電極Ｙ。
透明薄膜である。導電性透明薄膜１０の両端には電圧印
加、検出用の電極Ｘ。、Ｘわが設けられ、同様に導電性
透明薄膜１１には電極Ｙ。
、Ｙヨが設けられている。これらの導電性透明薄膜には
第８図（Ａ）で示したように、等電位線力、（電極と平
行なものを用いる。即ち、導電性透明薄膜ＩＯの等電位
線はＸｏ−Ｘ、と平行であり、導電性透明薄膜１１の等
電位線はＹ、−Ｙｍと平行である。各導電性透明薄）１
りの電極間方向の膜端部にはセンス電極Ｘ、〜Ｘ７〜１
．Ｙ１〜Ｙ、、を設けている。
第８図（Ａ）で示したように、等電位線力、（電極と平
行なものを用いる。即ち、導電性透明薄膜ＩＯの等電位
線はＸｏ−Ｘ、と平行であり、導電性透明薄膜１１の等
電位線はＹ、−Ｙｍと平行である。各導電性透明薄）１
りの電極間方向の膜端部にはセンス電極Ｘ、〜Ｘ７〜１
．Ｙ１〜Ｙ、、を設けている。
導電性透明薄膜１０．１１は前述のように、等電位分布
を形成し抵抗値の一次元の不均一性を有している。抵抗
値のバラツキのないものでは第４図のＪで示すように、
Ｘ方向の距離に対し各センス電極の検出電位が比例する
。同図のＬｔ＝（ｋ−１〜ｎ）は一方の電極から各セン
ス電極の位置までの距離に対応し、Ｌ、は電極間距離に
相当する。各センス電極間（Ｌｂ Ｌｋ−＋ ）は等
間隔である。本実施例のように等電位分布を形成する導
電性透明薄膜１０の場合、Ｘ方向距離と測定電位は比例
関係にないため同図−のＫのようにセンス電圧が曲線的
に変化する。Ｙ方向についても同様の非比例特性を示す
。
を形成し抵抗値の一次元の不均一性を有している。抵抗
値のバラツキのないものでは第４図のＪで示すように、
Ｘ方向の距離に対し各センス電極の検出電位が比例する
。同図のＬｔ＝（ｋ−１〜ｎ）は一方の電極から各セン
ス電極の位置までの距離に対応し、Ｌ、は電極間距離に
相当する。各センス電極間（Ｌｂ Ｌｋ−＋ ）は等
間隔である。本実施例のように等電位分布を形成する導
電性透明薄膜１０の場合、Ｘ方向距離と測定電位は比例
関係にないため同図−のＫのようにセンス電圧が曲線的
に変化する。Ｙ方向についても同様の非比例特性を示す
。
第５図は導電性透明薄膜１０の膜面を押下したときの測
定電位■２がセンス電位ｖｋ Ｖｋ、１間の値のときの
拡大図である。前述のように、センス電極Ｘｋの電位■
３とセンス電極Ｘ２．、の電位Ｖ、、、の間ではＫのよ
うに厳密には一次的に変化しないが、センス電極間の間
隔（Ｌｔ＝−Ｌ、、、）は電圧変化に対し十分に小さい
ため直線Ｍで変化するとみなしても問題はない。これに
より、ａｔｌ＋定電位■２に対するＸ方向の距離Ｌｐを
直Ｎｚｌ Ｍの近似による補間法で求めることができる
。即ち、Ｘ方向距離り、センス電位■とすると、直線Ｍ
はＬ Ｌ＋＝＝（Ｌｋ４＋ Ｌｍ） ・ （Ｖ
Ｖ、）／（Ｖｈ−＋ Ｖｈ ） で表され、これよりＬＩ、は下式１１）で一義的に求ま
る。
定電位■２がセンス電位ｖｋ Ｖｋ、１間の値のときの
拡大図である。前述のように、センス電極Ｘｋの電位■
３とセンス電極Ｘ２．、の電位Ｖ、、、の間ではＫのよ
うに厳密には一次的に変化しないが、センス電極間の間
隔（Ｌｔ＝−Ｌ、、、）は電圧変化に対し十分に小さい
ため直線Ｍで変化するとみなしても問題はない。これに
より、ａｔｌ＋定電位■２に対するＸ方向の距離Ｌｐを
直Ｎｚｌ Ｍの近似による補間法で求めることができる
。即ち、Ｘ方向距離り、センス電位■とすると、直線Ｍ
はＬ Ｌ＋＝＝（Ｌｋ４＋ Ｌｍ） ・ （Ｖ
Ｖ、）／（Ｖｈ−＋ Ｖｈ ） で表され、これよりＬＩ、は下式１１）で一義的に求ま
る。
Ｌｐ ” （Ｌｋ＋＋ Ｌｂ ） ・ （Ｖｐ−
Ｖｋ）／（Ｖｇ−＋ Ｖう）＋Ｌ、・・・・・・・
・・・・・（１）Ｙ方向についても同様に直線の近似に
よる補間法で求めることができる。尚、Ｘ、Ｙ方向の位
置算出に高次の近似式を用いてもよい。
Ｖｋ）／（Ｖｇ−＋ Ｖう）＋Ｌ、・・・・・・・
・・・・・（１）Ｙ方向についても同様に直線の近似に
よる補間法で求めることができる。尚、Ｘ、Ｙ方向の位
置算出に高次の近似式を用いてもよい。
第２図は上記アナログタッチスイッチを備える人力装置
のフロック図である。
のフロック図である。
ＣＰＵ１２は前記＋１１式に基づ＜ｘ、Ｘ方向の入力位
置の算出を行う。１３は電極Ｘ。、Ｘ、、、Ｙａ、、Ｙ
、に対する電圧印加、センス電極の電位検出等の動作を
コントロールするコントロール信号を発生させる制御信
号発生部である。電ｔｌＸｏ。
置の算出を行う。１３は電極Ｘ。、Ｘ、、、Ｙａ、、Ｙ
、に対する電圧印加、センス電極の電位検出等の動作を
コントロールするコントロール信号を発生させる制御信
号発生部である。電ｔｌＸｏ。
Ｘ、、Ｙ、、Ｙ、には制御信号発生部１３からドライバ
Ｄ ｇｏ、 Ｄ ）ｉ＋ｌ＋ Ｄ ’１０＋ Ｄ
Ｖｍを介して所定の電圧が印加される。センス電ｔｆｆ
ｉ Ｘ ＋〜Ｘｆｉ−、、Ｙ。
Ｄ ｇｏ、 Ｄ ）ｉ＋ｌ＋ Ｄ ’１０＋ Ｄ
Ｖｍを介して所定の電圧が印加される。センス電ｔｆｆ
ｉ Ｘ ＋〜Ｘｆｉ−、、Ｙ。
〜Ｙ、、のセンス電圧は制御信号発生部１３からの読み
取り指示信号により、アンプＳＸｔ〜５Ｘｎ−１，５Ｙ
Ｉ−５Ｙ□５．ゲートＧＸ１〜ＧＸ□Ｉ＋ Ｇ、、〜
Ｇ７１−１を通じ順次Ａ、／Ｄ変摸器１４に送られる。
取り指示信号により、アンプＳＸｔ〜５Ｘｎ−１，５Ｙ
Ｉ−５Ｙ□５．ゲートＧＸ１〜ＧＸ□Ｉ＋ Ｇ、、〜
Ｇ７１−１を通じ順次Ａ、／Ｄ変摸器１４に送られる。
Ａ／Ｄ変換器１４の出力は各センス電極位置における等
電位データとしてメモリ１５に記憶される。
電位データとしてメモリ１５に記憶される。
メモリ１５は等電位データを記憶するとき同時にセンス
電極位置を記憶する。膜面を押下したときの測定電位Ｖ
ｐは第７図の回路によって得られる。この電圧■、はＡ
／Ｄ変換器１６を通じてｃｐＵ１２に送られる。ＣＰＵ
１２はメモリ１５に記１、＠シている各センス電極のセ
ンス電位と測定電位■２およびセンス電極位置とがら弐
（１）により接触位置を算出し、求めたＸ、Ｙ方向の入
力位置データをＩ１０ポート１７を通じて出力する。
電極位置を記憶する。膜面を押下したときの測定電位Ｖ
ｐは第７図の回路によって得られる。この電圧■、はＡ
／Ｄ変換器１６を通じてｃｐＵ１２に送られる。ＣＰＵ
１２はメモリ１５に記１、＠シている各センス電極のセ
ンス電位と測定電位■２およびセンス電極位置とがら弐
（１）により接触位置を算出し、求めたＸ、Ｙ方向の入
力位置データをＩ１０ポート１７を通じて出力する。
第３図は上記入力装置の動作を示すフローチャートであ
る。
る。
まず、ステップｎｌ（以下、ステップｎｉを単にｎｉと
いう。）にて、電極Ｘ。、Ｘ、、に電圧を印加する。次
にセンス電ｔｉ ｘ ＋〜Ｘ７−１の電位をリードしＸ
方向のセンス電圧をメモリ１５にストアする（ｎ２）。
いう。）にて、電極Ｘ。、Ｘ、、に電圧を印加する。次
にセンス電ｔｉ ｘ ＋〜Ｘ７−１の電位をリードしＸ
方向のセンス電圧をメモリ１５にストアする（ｎ２）。
Ｘ方向の電位分布をセンスし記４、ａシ終えると電極Ｘ
Ｏ，Ｘ、への電圧印加を停止する（ｎ３）。続いて電極
Ｙ、、Ｙ、に電圧を印加しセンス電極Ｙ、〜Ｙ、、の電
位をリードする（ｎ４．ｎ５）。Ｙ方向のセンス電圧を
メモリ１５にストアし終えると、電極Ｙｏ 、Ｙ、への
電圧印加を停止する（ｎ５．ｎ６）。以上のｎ１〜ｎ６
で導電性透明薄膜１０．１１の電極間方向の電位分布を
各センス電極でセンスして求め予め記憶しておく。
Ｏ，Ｘ、への電圧印加を停止する（ｎ３）。続いて電極
Ｙ、、Ｙ、に電圧を印加しセンス電極Ｙ、〜Ｙ、、の電
位をリードする（ｎ４．ｎ５）。Ｙ方向のセンス電圧を
メモリ１５にストアし終えると、電極Ｙｏ 、Ｙ、への
電圧印加を停止する（ｎ５．ｎ６）。以上のｎ１〜ｎ６
で導電性透明薄膜１０．１１の電極間方向の電位分布を
各センス電極でセンスして求め予め記憶しておく。
次に電極Ｘｏ、Ｘ−に電圧を印加した状態でｎ７）面が
押下されるのを待つ（ｎ７．ｎ８）。このとき第７図で
は制御信号ａ、ｂがそれぞれ“Ｌ”。
押下されるのを待つ（ｎ７．ｎ８）。このとき第７図で
は制御信号ａ、ｂがそれぞれ“Ｌ”。
“Ｈ”に設定され、制御信号ｃ、ｄがそれぞれ“Ｈ”、
“Ｌ”に設定され、また電極りが検出電極となるよう制
御信号ｅか出力されている。この状態で膜面が押下され
ると導電性透明ηＶ成膜間接触点と導電性透明薄膜１０
の電極間の電位、即ちＸ方向の電位を電１％Ｄを介して
リードする（ｎ９）。この測定電位と、予め記憶してい
るＸ方向の等電位データおよびセンス電極位置とから前
記（１１式に基づきＸ方向の距離（位置）を求める（ｎ
１０）。Ｘ方向距離を求める手順としては、まず測定
電位ｖｐが何れのセンス電圧間にあるのかを判断し、セ
ンス電極区間を決める。センス電極区間（Ｌｋ Ｌ＊−
＋ ）が決まると隣接電極の各センス電圧Ｖ、、Ｖい、
と測定電圧■、より、（１１弐を用いてＸ方向の距離Ｌ
ｐを求める。Ｘ方向距離を求めた後、電極ＸＯ，Ｘ、ｌ
への電圧印加を停止するとともに電極Ｙ。、Ｙ、、に電
圧を印加しＸ方向と同様にしてＹ方向距離を求める（ｎ
１１〜ｎ１５）上記ｎｌｏ、ｎ１４は本発明における電
極間方向の入力位置を求める手段に対応する。
“Ｌ”に設定され、また電極りが検出電極となるよう制
御信号ｅか出力されている。この状態で膜面が押下され
ると導電性透明ηＶ成膜間接触点と導電性透明薄膜１０
の電極間の電位、即ちＸ方向の電位を電１％Ｄを介して
リードする（ｎ９）。この測定電位と、予め記憶してい
るＸ方向の等電位データおよびセンス電極位置とから前
記（１１式に基づきＸ方向の距離（位置）を求める（ｎ
１０）。Ｘ方向距離を求める手順としては、まず測定
電位ｖｐが何れのセンス電圧間にあるのかを判断し、セ
ンス電極区間を決める。センス電極区間（Ｌｋ Ｌ＊−
＋ ）が決まると隣接電極の各センス電圧Ｖ、、Ｖい、
と測定電圧■、より、（１１弐を用いてＸ方向の距離Ｌ
ｐを求める。Ｘ方向距離を求めた後、電極ＸＯ，Ｘ、ｌ
への電圧印加を停止するとともに電極Ｙ。、Ｙ、、に電
圧を印加しＸ方向と同様にしてＹ方向距離を求める（ｎ
１１〜ｎ１５）上記ｎｌｏ、ｎ１４は本発明における電
極間方向の入力位置を求める手段に対応する。
第１図はこの発明の実施例である人力装置に用いるアナ
ログタッチスイッチの構成図、第２図は同実施例の入力
装置のブロック図、第３図は同人力装置の動作手順を示
すフローチャート、第４図はＸ方向距離−センス電圧特
性図、第５図は測定電位付近のＸ方向距離−センス電圧
特性拡大図である。第６図は従来のアナログタッチスイ
ッチの構成図、第７図はアナログタッチスイッチからの
入力電圧を得る部分の構成図、第８図（Ａ）、（Ｂ）は
導電性透明薄膜の抵抗値の一次元不均−性を説明するた
めの薄膜の平面図である。 １０．１１−導電性透明薄膜、 Ｘｏ、Ｘ−（Ｘ方向の）電極、 Ｙ、、Ｙｆｆｌ−（Ｙ方向の）電極、
ログタッチスイッチの構成図、第２図は同実施例の入力
装置のブロック図、第３図は同人力装置の動作手順を示
すフローチャート、第４図はＸ方向距離−センス電圧特
性図、第５図は測定電位付近のＸ方向距離−センス電圧
特性拡大図である。第６図は従来のアナログタッチスイ
ッチの構成図、第７図はアナログタッチスイッチからの
入力電圧を得る部分の構成図、第８図（Ａ）、（Ｂ）は
導電性透明薄膜の抵抗値の一次元不均−性を説明するた
めの薄膜の平面図である。 １０．１１−導電性透明薄膜、 Ｘｏ、Ｘ−（Ｘ方向の）電極、 Ｙ、、Ｙｆｆｌ−（Ｙ方向の）電極、
Claims (1)
- （１）二枚の重ねた導電性透明薄膜からなるアナログタ
ッチスイッチを備え、一方の両端にＸ方向の電極を、他
方にＹ方向の電極を設け、重ねた導電性透明薄膜の各薄
膜の電極間に交互に電圧を印加し、膜面を押下したとき
の電極と接触点間の抵抗値に基づきＸ方向、Ｙ方向の位
置を入力する入力装置において、 各導電性透明薄膜として電極と平行な等電位分布を形成
するものを用い、かつ電極間方向の膜端部にセンス電極
を設けるとともに、 電極間に電圧を印加したときの各センス電極の電位およ
びそのセンス電極の位置を記憶するメモリと、 膜面を押下したときの接触点の測定電位と前記メモリの
電位および各センス電極の位置とから各導電性透明薄膜
の電極間方向の入力位置を求める手段とを具備してなる
、アナログタッチスイッチを備えた入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211978A JPS6190227A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | アナログタツチスイツチを備えた入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59211978A JPS6190227A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | アナログタツチスイツチを備えた入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190227A true JPS6190227A (ja) | 1986-05-08 |
Family
ID=16614856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59211978A Pending JPS6190227A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | アナログタツチスイツチを備えた入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190227A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6356439U (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-15 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59211978A patent/JPS6190227A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6356439U (ja) * | 1986-09-27 | 1988-04-15 |
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