JPS6194055A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
- Publication number
- JPS6194055A JPS6194055A JP59215728A JP21572884A JPS6194055A JP S6194055 A JPS6194055 A JP S6194055A JP 59215728 A JP59215728 A JP 59215728A JP 21572884 A JP21572884 A JP 21572884A JP S6194055 A JPS6194055 A JP S6194055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoconductive
- photoconductive member
- amorphous germanium
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば固体撮像素子あるいは電子写真感光体
等に用いられる光（紫外線から可視光線、赤外線、Ｘ線
及びｒ線等の電磁波をいう）に感受性を有する光導電部
材に関する。
等に用いられる光（紫外線から可視光線、赤外線、Ｘ線
及びｒ線等の電磁波をいう）に感受性を有する光導電部
材に関する。
一般に、光導電性層を構成する光導電性材料は、その使
用上の目的から暗所での比抵抗が通常１０１ｓΩｃＩｎ
、ＩＪ上と高く、光照射によって比抵抗が小さくなるよ
うな性質を有するものでなくてはならない。
用上の目的から暗所での比抵抗が通常１０１ｓΩｃＩｎ
、ＩＪ上と高く、光照射によって比抵抗が小さくなるよ
うな性質を有するものでなくてはならない。
例えば電子写真についてその原理及び感光体として必要
な栄件を説明すると、コロナ放電により電荷を降らせて
帯電させた感光体の表面に光を照射したとき、電子と正
孔の対ができ、そのいずれか一方によって感光体表面の
電荷は中和され、例えば正に帯電させた場合には、電子
の対によって中和されて感光体表面に正電荷の潜像が形
成されることになり、可視化するにあたっては、感光体
表面の電荷と異符号に帯電させたトナーと呼ばれる黒粉
体（現像剤）をクーロン力によって感光体の表面に吸引
させることにより行なわれるとともに、このとき、電荷
が無くとも現像剤の電荷によって現像剤が感光体表面に
引き付けられることを避けるだめに、感光体と現像器と
の間に電荷による電場と逆方向の電場が生じるように現
像器の電位を高くするという処理（以下、これを現像バ
イアという）がなされている。
な栄件を説明すると、コロナ放電により電荷を降らせて
帯電させた感光体の表面に光を照射したとき、電子と正
孔の対ができ、そのいずれか一方によって感光体表面の
電荷は中和され、例えば正に帯電させた場合には、電子
の対によって中和されて感光体表面に正電荷の潜像が形
成されることになり、可視化するにあたっては、感光体
表面の電荷と異符号に帯電させたトナーと呼ばれる黒粉
体（現像剤）をクーロン力によって感光体の表面に吸引
させることにより行なわれるとともに、このとき、電荷
が無くとも現像剤の電荷によって現像剤が感光体表面に
引き付けられることを避けるだめに、感光体と現像器と
の間に電荷による電場と逆方向の電場が生じるように現
像器の電位を高くするという処理（以下、これを現像バ
イアという）がなされている。
このような電子写真の原理において、感光体として必要
な条件は、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光照
射の時点まで保持されること、第２に光照射によって生
成される電子と正孔の対が再結合することなく、一方が
感光体表面の電荷を中和し、もう一方は感光体の支持体
まで瞬時に到達することなどが挙げられる。
な条件は、第１にコロナ放電により帯電した電荷が光照
射の時点まで保持されること、第２に光照射によって生
成される電子と正孔の対が再結合することなく、一方が
感光体表面の電荷を中和し、もう一方は感光体の支持体
まで瞬時に到達することなどが挙げられる。
従来、この種の感光体材料としては、非晶質カルコダナ
イド系のものが使用されている。
イド系のものが使用されている。
しかしながら、非晶質カルコグナイドは、大面積化が容
易で、すぐれた光導電性を有する反面、光の吸収端が可
視から紫外に近いところにあることから、実用上、可視
域の光に対する感度が低く、シかも硬度が低いばかりで
なく、電子写真の感光体に応用した場合には寿命が短か
いなどの問題があった。
易で、すぐれた光導電性を有する反面、光の吸収端が可
視から紫外に近いところにあることから、実用上、可視
域の光に対する感度が低く、シかも硬度が低いばかりで
なく、電子写真の感光体に応用した場合には寿命が短か
いなどの問題があった。
そこで、最近注目されている光導電性材料としてｔ；１
、アモルファスシリコン（以下、こレヲａ−８ｉ と
略記する）がある。
、アモルファスシリコン（以下、こレヲａ−８ｉ と
略記する）がある。
上記したａ−８１は、光の吸収波長域が広く、整色性（
・ぐンクロ）を有シフ、感度が高く、硬度も高いばかり
でなく、人体にも無害で、しかも単結晶シリコンと比較
した場合、安価で大面積のものが得られ、従来のような
非晶質カルコグナイド系のものより１０倍以上の寿命を
持たせることが期待され、例えばレーデビームプリンタ
に応用した場合には、近赤外（７９０ｎｍ）付近にも感
度を持つため、高コントラストで、解像度の高い画像を
得ることが期待される。
・ぐンクロ）を有シフ、感度が高く、硬度も高いばかり
でなく、人体にも無害で、しかも単結晶シリコンと比較
した場合、安価で大面積のものが得られ、従来のような
非晶質カルコグナイド系のものより１０倍以上の寿命を
持たせることが期待され、例えばレーデビームプリンタ
に応用した場合には、近赤外（７９０ｎｍ）付近にも感
度を持つため、高コントラストで、解像度の高い画像を
得ることが期待される。
ところが、ａ −Ｓ ｉの欠点は、例えばグロー放電で
ドラム状のａ−８ｌ感光体を試作してレーデノリンタに
て画像サンノルを採ると、ハーフトーンで干渉縞が発生
し易い。
ドラム状のａ−８ｌ感光体を試作してレーデノリンタに
て画像サンノルを採ると、ハーフトーンで干渉縞が発生
し易い。
このような干渉縞の発生原因は、光が感光体に入射する
際にドラムの素管表面の反射光とａ−８ｉ層の自由表面
での反射光が、ドラムの長手方向でのａ−８１層厚の不
均一によって干渉を引き起すものと考えられ、その防止
対策としては、計算上、ａ−８ｉ層のドラム長手方向の
厚さムラを約０．０５μｍ程度以内に抑えることによシ
解消可能ではあるが、従来の成膜装置ではドラム長手方
向の層厚を制御することは困難である。
際にドラムの素管表面の反射光とａ−８ｉ層の自由表面
での反射光が、ドラムの長手方向でのａ−８１層厚の不
均一によって干渉を引き起すものと考えられ、その防止
対策としては、計算上、ａ−８ｉ層のドラム長手方向の
厚さムラを約０．０５μｍ程度以内に抑えることによシ
解消可能ではあるが、従来の成膜装置ではドラム長手方
向の層厚を制御することは困難である。
また、他の解消手段として、ドラム素管の表面をサンド
ブラスト、あるいはスコッチフライト等で適度に粗くす
ることにより、ドラム表面の反射光を乱反射させて、光
導電性層（４−１層）の自由表面での反射光との干渉を
防ぐことが考えられるが、この場合には、帯電能が低下
し、画像上の活字等が擦れるなどの欠点が生じる１つ〔
発りｊの目的〕 本発明は、上記の事情のもとになされたもので、干渉縞
が生じず、帯電能にすぐれ、かつ残留電位が少なくて長
波長域まで感度を持つ高コ、 ントラストで高解像の画
像を得ることができ、しかも長寿命の光導電部材を提供
することを目的とするものである。
ブラスト、あるいはスコッチフライト等で適度に粗くす
ることにより、ドラム表面の反射光を乱反射させて、光
導電性層（４−１層）の自由表面での反射光との干渉を
防ぐことが考えられるが、この場合には、帯電能が低下
し、画像上の活字等が擦れるなどの欠点が生じる１つ〔
発りｊの目的〕 本発明は、上記の事情のもとになされたもので、干渉縞
が生じず、帯電能にすぐれ、かつ残留電位が少なくて長
波長域まで感度を持つ高コ、 ントラストで高解像の画
像を得ることができ、しかも長寿命の光導電部材を提供
することを目的とするものである。
上目ピした目的を達成させるために、本発明は、導電性
基体と、非晶質シリコンからなる光導電性層との間に電
荷注入防止層を介在させた光導電部材において、前記電
荷注入防止層を非晶質ゲルマニウム（以下、これをａ−
Ｇ・と略する）で形成したことを特徴とするものである
。
基体と、非晶質シリコンからなる光導電性層との間に電
荷注入防止層を介在させた光導電部材において、前記電
荷注入防止層を非晶質ゲルマニウム（以下、これをａ−
Ｇ・と略する）で形成したことを特徴とするものである
。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を図示の一実施例を参照しながら説明する
。
。
第１図に示すように、図中１θθは後述する成膜装置に
より成形された光導電部材である。
より成形された光導電部材である。
この光導電部材１０θは、導電性基体１０ノの、 上に
元素周期律表の第ｍａｌの不純物を含んだＰ型の半導体
、つまり非晶質ゲルマニウム（ａ−Ｇｅ ）からなる電
荷注入防止層１０２を積層し、さらにその上にａ−８１
からなる光導電性層１０３を積層してなる構成を有する
ものである。
元素周期律表の第ｍａｌの不純物を含んだＰ型の半導体
、つまり非晶質ゲルマニウム（ａ−Ｇｅ ）からなる電
荷注入防止層１０２を積層し、さらにその上にａ−８１
からなる光導電性層１０３を積層してなる構成を有する
ものである。
す々わち、上記した光導電部材Ｉ００を成形するには、
第２図に示すように、真空反応室３０１内にガス供給装
置３０２から配管、？ ０．９を通して原料ガスが導入
される一方、排気装置３０４によって予め排気され減圧
される反応室３０１の内部に放電用電極３０５とドラム
状の導電性基体３０６が設置されるドラム支持台３０２
及び導電性基体３０６の温度を一定に保つヒータ３０Ｂ
を配置し、前記電極３０５に高周波電源３０９から高周
波電力を印加することにより、電極３θ５とＰラム支持
台３０７との間にノラズマを生起させ、Ｐラム回転部３
１０によって回転する基体３０６の表面に成膜するよう
に構成した装置を用いてなるものであり、その成膜方法
は、基体３θ６を反応室３０ノ内のドラム支持台３０７
に取付けた後、反応室３０１内を排気装置、９０４によ
り１０−３〜ｌ０−４Ｔｏｒｒ の圧力に減圧し、同
時に基体３θ６をヒータ３０８により１（）０〜４００
℃の温度に昇温する。次に、反応室３０ノ内にＧｅ原子
を含むガス（例えばＧｅＨ，、ＧｅＦ４等）、並びに元
素周期律表の第１１［ａ族の元素を含むガス（例えばＢ
２Ｈ，。
第２図に示すように、真空反応室３０１内にガス供給装
置３０２から配管、？ ０．９を通して原料ガスが導入
される一方、排気装置３０４によって予め排気され減圧
される反応室３０１の内部に放電用電極３０５とドラム
状の導電性基体３０６が設置されるドラム支持台３０２
及び導電性基体３０６の温度を一定に保つヒータ３０Ｂ
を配置し、前記電極３０５に高周波電源３０９から高周
波電力を印加することにより、電極３θ５とＰラム支持
台３０７との間にノラズマを生起させ、Ｐラム回転部３
１０によって回転する基体３０６の表面に成膜するよう
に構成した装置を用いてなるものであり、その成膜方法
は、基体３θ６を反応室３０ノ内のドラム支持台３０７
に取付けた後、反応室３０１内を排気装置、９０４によ
り１０−３〜ｌ０−４Ｔｏｒｒ の圧力に減圧し、同
時に基体３θ６をヒータ３０８により１（）０〜４００
℃の温度に昇温する。次に、反応室３０ノ内にＧｅ原子
を含むガス（例えばＧｅＨ，、ＧｅＦ４等）、並びに元
素周期律表の第１１［ａ族の元素を含むガス（例えばＢ
２Ｈ，。
ＢＦ、、ＢＣｌ３等）をがス供給装置、９０２から導入
し、反応室３０１内を０．１〜１．０ Ｔｏｒｒ；１度
の圧力になるように排気系の排気速度を調節して定常状
態になったとき、電極３０’５間に１３．５６ＭＩＩＺ
の高周波電力を印加し、これによってＩＬ ’−Ｇ ｅ
の電荷注入防止層１０２を成膜する。成膜後、一旦電力
印加を＋）、めて前記ガスの供給を止めた後、反応室３
０１内にｓｉ原子を含むがス（例えばｓＩＨ，、Ｓｌ、
■、、 ｓｌ、Ｈ８，５ｔＦ４等）、並びに添加物とし
てＣ原子を含むガス（ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ。
し、反応室３０１内を０．１〜１．０ Ｔｏｒｒ；１度
の圧力になるように排気系の排気速度を調節して定常状
態になったとき、電極３０’５間に１３．５６ＭＩＩＺ
の高周波電力を印加し、これによってＩＬ ’−Ｇ ｅ
の電荷注入防止層１０２を成膜する。成膜後、一旦電力
印加を＋）、めて前記ガスの供給を止めた後、反応室３
０１内にｓｉ原子を含むがス（例えばｓＩＨ，、Ｓｌ、
■、、 ｓｌ、Ｈ８，５ｔＦ４等）、並びに添加物とし
てＣ原子を含むガス（ＣＨ４，Ｃ２Ｈ４，Ｃ２Ｈ。
等）、またＮ原子を含むガス（Ｎ、 、 ＮＨ，等）、
さらにＯ原子を宮むガス（０，、Ｎ２０等）を導入する
。次に、反応室３０１内が０．１〜１．０ Ｔｏｒｒ程
度の圧力になるように排気系の排気速度を調節し、定常
状態になったときに、再び電極３０５間に高周波電力を
印加することによってａ−８ｌの光導電性層１０３を成
膜してなるものである。
さらにＯ原子を宮むガス（０，、Ｎ２０等）を導入する
。次に、反応室３０１内が０．１〜１．０ Ｔｏｒｒ程
度の圧力になるように排気系の排気速度を調節し、定常
状態になったときに、再び電極３０５間に高周波電力を
印加することによってａ−８ｌの光導電性層１０３を成
膜してなるものである。
しかして、上記した構成によれば、導電性基体１０１と
光導電性層１０３との間の電荷注入防止層１０２がａ−
Ｇ・からなるだめ、部材１００に光、特に７９０ ｎｍ
付近の近赤外線を照射すると、基体１０ノの表面まで到
達した光は、電荷注入防止層１０２によってほとＸ７ど
吸収され、基体１０１の表面による反射光が弱められる
ため、部材１００の層厚がたとえば長手方向に不均一で
あっても、光導電性層１０３の自由表面での反射光と干
渉を引き起すことがなく、これによってハーフトーンで
の干渉縞の発生を解消することが可能になる。また、基
体１０１上にａ−Ｇ・の電荷注入防止層１０２とａ−８
ｉの光導電性層１０３とを連続的に成膜すると、真空反
応室３０１内の雰囲気中にはＧ・原子を含むガスが残存
しているため、両層間の境界領域（第１図に点線で示す
）にａ−ＧｅＳ１層１０４が成膜され、さらに電荷注入
防止層１０２に含まれる第１７ｊａ族の不純物けａ−Ｇ
ａ８１層１０４に拡散する傾向を持っているため、ａ−
Ｇｅ８１層１０４は菓ｎＩａ族の不純物をも含む結果、
基体１０１側からのキャリアの注入を防ぐ機能を合せ持
ち、したがって二重のブロッキング効果を有し、帯電能
及び電荷保持能をより向上させることが可能に々す、良
好な画像を得るととができる。
光導電性層１０３との間の電荷注入防止層１０２がａ−
Ｇ・からなるだめ、部材１００に光、特に７９０ ｎｍ
付近の近赤外線を照射すると、基体１０ノの表面まで到
達した光は、電荷注入防止層１０２によってほとＸ７ど
吸収され、基体１０１の表面による反射光が弱められる
ため、部材１００の層厚がたとえば長手方向に不均一で
あっても、光導電性層１０３の自由表面での反射光と干
渉を引き起すことがなく、これによってハーフトーンで
の干渉縞の発生を解消することが可能になる。また、基
体１０１上にａ−Ｇ・の電荷注入防止層１０２とａ−８
ｉの光導電性層１０３とを連続的に成膜すると、真空反
応室３０１内の雰囲気中にはＧ・原子を含むガスが残存
しているため、両層間の境界領域（第１図に点線で示す
）にａ−ＧｅＳ１層１０４が成膜され、さらに電荷注入
防止層１０２に含まれる第１７ｊａ族の不純物けａ−Ｇ
ａ８１層１０４に拡散する傾向を持っているため、ａ−
Ｇｅ８１層１０４は菓ｎＩａ族の不純物をも含む結果、
基体１０１側からのキャリアの注入を防ぐ機能を合せ持
ち、したがって二重のブロッキング効果を有し、帯電能
及び電荷保持能をより向上させることが可能に々す、良
好な画像を得るととができる。
なお、本発明は」二重した実施例に限定されるものでは
なく、光導電性層１０３にも第ｎＴａ族の元素を含むガ
ス（例えばＢ２Ｈ，、ＢＦ３． ＢＣｌ、等）を微量ド
ープしても良く、また第３図に示すように、光導電性層
１０３の成膜後の表面に表面被覆層１０５を第２図に示
す成膜装置によって連続的に積層しても良い。
なく、光導電性層１０３にも第ｎＴａ族の元素を含むガ
ス（例えばＢ２Ｈ，、ＢＦ３． ＢＣｌ、等）を微量ド
ープしても良く、また第３図に示すように、光導電性層
１０３の成膜後の表面に表面被覆層１０５を第２図に示
す成膜装置によって連続的に積層しても良い。
具体例
基体を３００℃に昇温１〜、反応室内にＧ ｅ Ｈ。
（流ｉｉ５０ ＳＣＣＭ ） 、Ｈ，（流ｌｌ：３０
ＳＣＣＭ）、Ｂ２ Ｈ６／Ｇ ＠ Ｈ４（Ｄ 流量比７
３ｆｌＸ１０−３になるようにがスを導入し、反応圧０
．５ Ｔｏｒｒ 、高周波電力５゜Ｗという条件で２０
分間放電し、電荷注入防止層を成膜した。次いで、反応
室内に５ＩＨ４（流量１００ ＳＣＣＭ）、Ａｒ（流ｉ
ｉ１００ ＳＣＣＭ ）ノガスを導入し、反応圧０．６
Ｔｏｒｒ になったところで、再び高周波電力を１
００ｗ印加し、６時間放電を行ない、光導電性層を成膜
した。そして更に、５ｉＨ４（流ｉ５０ ＳＣＣＭ ）
、ＣＨ４（流量３００ ＳＣＣＭ）、反応圧０．９ Ｔ
ｏｒｒ 、高周波電力２５Ｗという条件で１０分間成膜
し、表面被積層を形成した。この試料を反応室から取出
して全膜厚を測定したところ、２５μｍであった。この
ような試料を感光体としてレーデノリンタに取付け、画
像サンプルを採ったところ、高解像度の画像が得られ、
ハーフトーンによる干渉縞も見られなかった。さらに、
５万回の繰り返し使用を試みたが、初期画像と回答遜色
が県られず、良好な画像が得られた。
ＳＣＣＭ）、Ｂ２ Ｈ６／Ｇ ＠ Ｈ４（Ｄ 流量比７
３ｆｌＸ１０−３になるようにがスを導入し、反応圧０
．５ Ｔｏｒｒ 、高周波電力５゜Ｗという条件で２０
分間放電し、電荷注入防止層を成膜した。次いで、反応
室内に５ＩＨ４（流量１００ ＳＣＣＭ）、Ａｒ（流ｉ
ｉ１００ ＳＣＣＭ ）ノガスを導入し、反応圧０．６
Ｔｏｒｒ になったところで、再び高周波電力を１
００ｗ印加し、６時間放電を行ない、光導電性層を成膜
した。そして更に、５ｉＨ４（流ｉ５０ ＳＣＣＭ ）
、ＣＨ４（流量３００ ＳＣＣＭ）、反応圧０．９ Ｔ
ｏｒｒ 、高周波電力２５Ｗという条件で１０分間成膜
し、表面被積層を形成した。この試料を反応室から取出
して全膜厚を測定したところ、２５μｍであった。この
ような試料を感光体としてレーデノリンタに取付け、画
像サンプルを採ったところ、高解像度の画像が得られ、
ハーフトーンによる干渉縞も見られなかった。さらに、
５万回の繰り返し使用を試みたが、初期画像と回答遜色
が県られず、良好な画像が得られた。
以上説明したように、本発明によれば、電荷注入防止層
を非晶質ゲルマニウムで形成しだこ ・とから、従来の
ような画像に干渉縞が発生するのを防止でき、高コント
ラストで高解像の画像を得ることができ、しかも長寿命
であるなどのすぐれた効果を奏する。
を非晶質ゲルマニウムで形成しだこ ・とから、従来の
ような画像に干渉縞が発生するのを防止でき、高コント
ラストで高解像の画像を得ることができ、しかも長寿命
であるなどのすぐれた効果を奏する。
第１図は本発明に係る光導電部材の一実施例を示す概略
的説明図、第２図は成膜装置を示す概略的説明図、第３
図は本発明に係る他の実施例を示す概略的説明図である
。 １０ノ・・・導電性基体、１０２・・・ａ−Ｇｏ層（電
荷注入防止層）、１０４− ａ−８ＩＧｓ層、１０３・
・・ａ−８ｉ層（光導電性層）、１０５・・・表面被覆
層。
的説明図、第２図は成膜装置を示す概略的説明図、第３
図は本発明に係る他の実施例を示す概略的説明図である
。 １０ノ・・・導電性基体、１０２・・・ａ−Ｇｏ層（電
荷注入防止層）、１０４− ａ−８ＩＧｓ層、１０３・
・・ａ−８ｉ層（光導電性層）、１０５・・・表面被覆
層。
Claims (5)
- （１）導電性基体と、非晶質シリコンからなる光導電性
層との間に電荷注入防止層を介在させた光導電部材にお
いて、前記電荷注入防止層を非晶質ゲルマニウムで形成
したことを特徴とする光導電部材。 - （２）電荷注入防止層は、Ｐ型の半導体であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 - （３）光導電性層に、元素周期律表の第IIIａ族の元素
が含まれていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の光導電部材。 - （４）光導電性層の上に、表面被覆層を積層したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第３項のいず
れかに記載の光導電部材。 - （５）表面被覆層に、窒素または炭素あるいは酸素の中
の少なくとも一つ以上の元素が含まれていることを特徴
とする特許請求の範囲第４項に記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215728A JPS6194055A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215728A JPS6194055A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194055A true JPS6194055A (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16677199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215728A Pending JPS6194055A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194055A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119103A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Nec Corp | 電波透過性帯電防止膜 |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59215728A patent/JPS6194055A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119103A (ja) * | 1987-10-31 | 1989-05-11 | Nec Corp | 電波透過性帯電防止膜 |
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