JPS6197816A - パルス・レ−ザ光の照射方法 - Google Patents

パルス・レ−ザ光の照射方法

Info

Publication number
JPS6197816A
JPS6197816A JP21736484A JP21736484A JPS6197816A JP S6197816 A JPS6197816 A JP S6197816A JP 21736484 A JP21736484 A JP 21736484A JP 21736484 A JP21736484 A JP 21736484A JP S6197816 A JPS6197816 A JP S6197816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulsed laser
laser light
pulse
generator
irradiation method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21736484A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Sawazaki
毅 澤崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IHI Corp
Original Assignee
Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd filed Critical Ishikawajima Harima Heavy Industries Co Ltd
Priority to JP21736484A priority Critical patent/JPS6197816A/ja
Publication of JPS6197816A publication Critical patent/JPS6197816A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は化学反応を起させるため、被反応物質にパルス
・レーザ光を照射するパルス・レーザ光の照射方法に関
する。
〈従来技術およびその問題点〉 従来化学反応は高温・高圧条件にすることにより分子を
活性化し、かつ分子同志の衝突頻度を高めることにより
行われている。しかし近来レーザ光を照射することによ
り物質を励起し、常温・常圧又はそれに近い低温・低圧
でも化学反応を誘起させるいわゆるレーザ誘起化学反応
の研究が各分野でなされており、それぞれの化学反応に
最適なレーザ光波長の解明がなされつつある。
今ある化学反応に短波長特に紫外域のレーザ光が有効で
あると判明した場合、その様d波長域における高出力の
し゛−ザ光はほとんど総てパルス・レーザのみであり、
連続発撮のものは知られていない。たとえば、波長が2
00〜300×10’9In(以下10’l mをnm
という)のエキシマレーザではパルス周波数は0.1〜
200 Hzであるが使用されるガスの寿命等によりエ
キシマレーザのパルス周波数は実用的には最大20Hz
程度であるとされている。かかる短波長のパルス・レー
ザ光を被反応物質に照射しても化学反応を起すが反応率
が非常に低く実用化にはほど遠い場合がある。その理由
を鋭意研究した結果次のようなことが判明した。
即ちある物質がレーザ光を受けて化学反応を起すために
は、レーザ光の強さの他にある程度レーザ光の持続時間
を必要とする場合があり、又分子や原子がレーザ光によ
り励起されても、励起状態は当該分子又は原子の種類に
より特有の寿命があり、その寿命は1×10°33(以
下Imsという) 〜1x10’2 s  (10m5
)のオーダの短寿命の場合がある。又先に述べた如く現
実の高出力の短波長域のレーザ発生装置はパルス周波数
が0.1〜200Hz (実用的には最大20セ)とい
ったパルス間隔が比較的長いものしかなく、これらのこ
とに起因して、被反応物質に短波長域のパルス光を照射
してもレーザ光の1パルスによっては励起しないか、た
とえ励起しても次のパルス光の到達前に失活してしまい
反応が進行しないことが分かった。
〈発明の目的〉 本発明は上述の研究に鑑み案出されたもので実用的に化
学反応を有効に誘起させることができる短波長域のパル
ス・レーザ光の照射方法を提供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するため本発明のパルス・レーザ光の照
射方法は、被反応物質にパルス・レーザ光を照射して、
被反応物質を励起させて化学反応を誘起させるパルス・
レーザ光の照射方法において、2以上のパルス・レーザ
光発生装置から順次時間遅れをもってパルス・レーザ光
を発生させ、これらのパルス・レーザ光を被反応物質に
照射することを特徴とするものである。
く実 施 例〉 本発明のパルス・レーザ光の照射方法の実施例を図面を
参照して説明する。第1図は装置全・体の系統図であり
、第2図は起動信号とパルスレーザ光との関係を時系列
的に示す説明図である。1は起動信号発生器であり、2
.3はそれぞれパルス・レーザ発生装置A1パルス・レ
ーザ発生装置Bである。起動信号発生器1には信号送出
端子1aおよび1bが設けられており端子1aから送出
される起動信号a1はインパルスであり、パルス・レー
ザ発生装置A2に送られ、端子1bから送出される起動
信@a2もインパルスであり、パルス・レーザ発生装置
B3に送られる。
パルス・レーザ発生装置2.3には起動信号受信端子2
a、3aが設けられており、起動信号発生器1からの起
動信号a1、a2を受ける毎に1パルス光b1、blを
発生するようになっている。4は反応器であり、内部に
被反応物質5が充填されている。パルス・レーザ発生装
置2.3からのレーザ光b1、blは反応器4に設けら
れたガラス窓4a、 4bを通して被反応物質5に照射
される。
次に作用を説明する。
起動信号発生器1からの起動信号a1、a2によってパ
ルス・レーザ発生装置2.3からパルス光b1、blが
発生し被反応物質にパルス光の時系ケ1的な和す、 +
 blが照射される。
すなわち起動信号発生器1からの起動信号al 、と起
動信号a2との間には図に示すように tlなる時間お
くれがある。
それに従ってパルス・レーザ発生装置2.3からはパル
ス光b1、blが発生するがblとblの間には上記と
同じtlなる時間おくれがある。
尚、起動信号発生器1は起動信号a1、a2の周波数が
パルス・レーザ発生装置2.3の発生可能なパルス周波
数の範囲内で任意に調節可能となってあり、又、遅れ時
間【1も任意に調節可能となっている。
尚、パルス・レーザ発生装置に通常内臓されている自己
のための起動信号発生器より起動信号を取り出し、時間
遅延装置を経て他のパルスレーザ発生装置に送ることに
より、独立の起動信号発生器は省略しうる。
以上はパルス・レーザ光発生装置が2台の場合について
の説明であるが、パルス・レーザ光発生装置が3台以上
であっても同様である。この場合には起動信号発生器1
の信号送出端子の数はパルス・レーザ光発生装置の台数
弁nだけあり各端子間の遅れ時間t1、t2・・・to
−1はそれぞれ任意に調節可能となっている。従って全
体として被反応物質へ照射されるパルス・レーザ光は次
第に連続発掘のレーザ光に近づくことになる。尚、パル
ス・レーザ光発生装置は互いに同一種類同一波長のもの
でもよいし、異なった種類及び波長のもであってもよい
〈発明の効果〉 本発明は以上詳細にのべた構成となっているので次のよ
うな効果がある。
(1)1パルスのレーザ光では化学反応を誘起するよう
な励起状態とならない被反応物質の場合にも、複数のパ
ルス・レーザ光発生装置から順次続けて被反応物質にパ
ルス・レーザ光を照射できるので、容易に励起状態とな
り、化学反応が誘起される。
■ 1パルスのレーザ光で励起状態となるが、次反応に
もレーザ光を必要とする場合、励起状態の寿命がレーザ
光パルス間隔に比べて短く、はとんど化学反応を起さな
いうちに失活してしまうような被反応vIJ質の場合に
も、励起状態が失活しないうちに順次適当な時間おくれ
を持たせてパルス・レーザ光を被反応物質に照射するの
で化学反応が連続して進行する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を実施するための装置の系統図、第2図
は起動信号パルス・レーザ光の関係を時系列的に示す説
明図である。 1・・・・・・起動信号発生器 ・2・・・・・・パルス・レーザ発生装置A3・・・・
・・パルス・レーザ発生器@B4・・・・・・反応器 5・・・・・・被反応物質

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  被反応物質にパルス・レーザ光を照射して、被反応物
    質を励起させて化学反応を誘起させるパルス・レーザ光
    の照射方法において、2以上のパルス・レーザ光発生装
    置から順次時間遅れをもってパルス・レーザ光を発生さ
    せ、これらパルス・レーザ光を被反応物質に照射するこ
    とを特徴とするパルス・レーザ光照射方法。
JP21736484A 1984-10-18 1984-10-18 パルス・レ−ザ光の照射方法 Pending JPS6197816A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21736484A JPS6197816A (ja) 1984-10-18 1984-10-18 パルス・レ−ザ光の照射方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21736484A JPS6197816A (ja) 1984-10-18 1984-10-18 パルス・レ−ザ光の照射方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6197816A true JPS6197816A (ja) 1986-05-16

Family

ID=16703016

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21736484A Pending JPS6197816A (ja) 1984-10-18 1984-10-18 パルス・レ−ザ光の照射方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6197816A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0360015A (ja) * 1989-07-27 1991-03-15 Sanyo Electric Co Ltd レーザアニール装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0360015A (ja) * 1989-07-27 1991-03-15 Sanyo Electric Co Ltd レーザアニール装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8208505B2 (en) Laser system employing harmonic generation
US9414887B2 (en) Method and apparatus for producing supercontinuum light for medical and biological applications
US5071416A (en) Method of and apparatus for laser-assisted therapy
JPS6462621A (en) Laser beam generation method and apparatus
Radloff et al. Lifetime of the benzene dimer in the S2 electronic state
RU95108878A (ru) Способ облучения электронными пучками
Meyer et al. Measurement of two plasmon decay instability development in k space of a laser produced plasma and its relation to 3/2-harmonic generation
Materny et al. Femtosecond Real-Time Probing of Reactions. 16. Dissociation with Intense Pulses
JPS6197816A (ja) パルス・レ−ザ光の照射方法
US5297076A (en) Spectral hole burning data storage system and method
US5832007A (en) Apparatus for and method of generating X-ray laser
US4486884A (en) Tunable anti-Stokes Raman laser
Henseler et al. Determination of the free ion yield in photoinduced electron transfer processes using transient thermal phase grating spectroscopy
Laforge et al. The early era of laser-selective Chemistry 1960∼ 1985: Roots of modern Quantum Control
RU94033115A (ru) Способ гидрирования
CA2028299A1 (en) Catalyst regeneration process
JP2815412B2 (ja) 同位体の分離方法及び分離装置
Bakos et al. Observation of two-photon noise-initiated fluctuations in far-infrared Dicke’s superradiance
KRAWETZ Use of relativistic electron beams for the study of chemical and rare gas laser systems[Ph. D. Thesis]
Weng et al. Oscillations in a laser-induced chemical reaction: coupling of chemical reactions with an acoustic effect
Schulenberg et al. A possible protein motion during the bacteriorhodopsin photocycle detected by combined photothermal beam deflection and optical detection
Robinson Laser stimulated chemistry in chemical lasers
Schweitzer et al. Vibrational population distributions in infrared multiple-photon excitation probed by coherent anti-stokes Raman spectroscopy
JPH04320991A (ja) レーザ核融合装置
Anikeev et al. Photovoltaic nature photorefraction in KD* P at room temperature and 2-omega-generation phase synchronism shift