JPS621017A - 加熱電源装置 - Google Patents
加熱電源装置Info
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- JPS621017A JPS621017A JP13889385A JP13889385A JPS621017A JP S621017 A JPS621017 A JP S621017A JP 13889385 A JP13889385 A JP 13889385A JP 13889385 A JP13889385 A JP 13889385A JP S621017 A JPS621017 A JP S621017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は多結晶半導体素子などの負性抵抗負荷を加熱
するための加熱電源装置に関する。
するための加熱電源装置に関する。
第５図は例えば特開昭５８−１４６４３５号公報に示さ
れた従来の加熱電源装置を示す回路図であり、図におい
て、１はタップ付変圧器、２，３゜４．５は変圧器１の
２次コイルの各タップに接続し念逆並列サイリスタユニ
ット、１４，１５，１６゜１７は負性抵抗負荷である多
結晶半導体負荷（以下負荷という〕、１８は電磁接触器
、１９ 、２ Ｑ。
れた従来の加熱電源装置を示す回路図であり、図におい
て、１はタップ付変圧器、２，３゜４．５は変圧器１の
２次コイルの各タップに接続し念逆並列サイリスタユニ
ット、１４，１５，１６゜１７は負性抵抗負荷である多
結晶半導体負荷（以下負荷という〕、１８は電磁接触器
、１９ 、２ Ｑ。
２１．２２は２次コイルに上記負荷１４〜１７をそれぞ
れ接続した高電圧平衡変圧器である。また、２３．２４
．２５．２６は逆並列サイリスタユニット３〜５と負荷
１４〜１７との間に入れた平衡変圧器である。
れ接続した高電圧平衡変圧器である。また、２３．２４
．２５．２６は逆並列サイリスタユニット３〜５と負荷
１４〜１７との間に入れた平衡変圧器である。
次に動作について説明する。
多結晶半導体負荷としての負荷１４〜１７は加熱による
成長過程で抵抗値が徐に低下する負性抵抗特性を持つ。
成長過程で抵抗値が徐に低下する負性抵抗特性を持つ。
このため、加熱初期には抵抗値が高く、高電圧かつ小電
流の電力を必要とする。従って、電磁接触器１８および
逆並列サイリスタユニット２を先ずオンにし、高電圧平
衡変圧器１９〜２２に電圧を印加し、これにより負荷１
４〜１Ｔに高電圧、小電流の電源を供給する。
流の電力を必要とする。従って、電磁接触器１８および
逆並列サイリスタユニット２を先ずオンにし、高電圧平
衡変圧器１９〜２２に電圧を印加し、これにより負荷１
４〜１Ｔに高電圧、小電流の電源を供給する。
こうすると、負荷１４〜１７は徐々に加熱されて結晶が
成長し、これらの抵抗値が徐々に低下していく。そして
、この抵抗値の低下に従って、サイリスタユニット２を
スイッチ制御することにより、成長度合に応じた大きさ
の電流を負荷１４〜１７に供給していく。このため、負
荷電圧が徐々に低下し、力率が悪化してしまうことにな
る。
成長し、これらの抵抗値が徐々に低下していく。そして
、この抵抗値の低下に従って、サイリスタユニット２を
スイッチ制御することにより、成長度合に応じた大きさ
の電流を負荷１４〜１７に供給していく。このため、負
荷電圧が徐々に低下し、力率が悪化してしまうことにな
る。
そこで、この力率の低下を改善するため、電磁接触器１
８および逆並列サイリスタユニット２をオフにし、逆並
列サイリスタユニット３〜５ｔ−順次オフからオンに切
換えていく。これにより、平衡変圧器２３〜２６を介し
て負荷１４〜１７に電流バランスをとりながら低電圧が
供給され、力率が改善される。このようにして、負荷が
加熱成長されるにしたがい力率が悪化していくのを、逆
並列サイリスタユニット２〜５を低電圧側に順次切換え
ていくことによって改善し、最終的に負荷１４〜１７に
大電流が流れるまで結晶を成長させる。
８および逆並列サイリスタユニット２をオフにし、逆並
列サイリスタユニット３〜５ｔ−順次オフからオンに切
換えていく。これにより、平衡変圧器２３〜２６を介し
て負荷１４〜１７に電流バランスをとりながら低電圧が
供給され、力率が改善される。このようにして、負荷が
加熱成長されるにしたがい力率が悪化していくのを、逆
並列サイリスタユニット２〜５を低電圧側に順次切換え
ていくことによって改善し、最終的に負荷１４〜１７に
大電流が流れるまで結晶を成長させる。
従来の加熱電源装置は以上の様に構成されているので、
高圧タップでは小電流でよいが、低圧タップになると大
電流が必要となるため、タップ付変圧器は特殊なものと
なること、高電圧平衡変圧器１９〜２２や平衡変圧器２
３〜２６などの変圧器が負荷１４〜１７の数に応じて必
要となり、大形で重量が重くなるほか、運搬、設置など
が行いにくいこと、交流により通電するため線路と負荷
のインダクタンスおよびキャパシタンスの影響により通
電条件が変わり、負荷の加熱制御が高精度に行えないこ
となどの問題点があった。
高圧タップでは小電流でよいが、低圧タップになると大
電流が必要となるため、タップ付変圧器は特殊なものと
なること、高電圧平衡変圧器１９〜２２や平衡変圧器２
３〜２６などの変圧器が負荷１４〜１７の数に応じて必
要となり、大形で重量が重くなるほか、運搬、設置など
が行いにくいこと、交流により通電するため線路と負荷
のインダクタンスおよびキャパシタンスの影響により通
電条件が変わり、負荷の加熱制御が高精度に行えないこ
となどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、タップ付変圧器１．高電圧平衡変圧器１９〜２
２．平衡変圧器２３〜２６などを使用せず、小形、軽量
な負荷切替スイッチを使用することによって、力率を改
善でき、しかも直流通電ができる加熱電源装置を得るこ
とを目的とする。
もので、タップ付変圧器１．高電圧平衡変圧器１９〜２
２．平衡変圧器２３〜２６などを使用せず、小形、軽量
な負荷切替スイッチを使用することによって、力率を改
善でき、しかも直流通電ができる加熱電源装置を得るこ
とを目的とする。
ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる加熱電源装置は、電源変圧器に複数の
サイリスタ整流器を接続し、これらの各サイリスタ整流
器のそれぞれに負性抵抗負荷を接続し、上記各サイリス
タ整流器と各負性抵抗９荷とを結ぶ回路中に負荷切換用
半導体スイッチを設けて、上記サイリスタ整流器のｉｔ
ｅは複数に対して上記各負性抵抗負荷を直列または並列
あるいは直並列に切換接続できるような構成としたもの
である。
サイリスタ整流器を接続し、これらの各サイリスタ整流
器のそれぞれに負性抵抗負荷を接続し、上記各サイリス
タ整流器と各負性抵抗９荷とを結ぶ回路中に負荷切換用
半導体スイッチを設けて、上記サイリスタ整流器のｉｔ
ｅは複数に対して上記各負性抵抗負荷を直列または並列
あるいは直並列に切換接続できるような構成としたもの
である。
負荷切換用半導体スイッチは、各サイリスタ整流器に接
続した負荷を、直列ま几は並列あるいは直並列接続する
ように切換接続することができるので、通電加熱による
負荷抵抗値の低下に応じて、負荷の直列接続数を増加さ
せ、直流出力電圧の上昇を図・ることにより、力率改善
しながら高圧小電流から低圧大電流までの電力を負性抵
抗負荷に効率良く供給するように作用する。
続した負荷を、直列ま几は並列あるいは直並列接続する
ように切換接続することができるので、通電加熱による
負荷抵抗値の低下に応じて、負荷の直列接続数を増加さ
せ、直流出力電圧の上昇を図・ることにより、力率改善
しながら高圧小電流から低圧大電流までの電力を負性抵
抗負荷に効率良く供給するように作用する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図に２いて、１は４巻線変圧器、２，３゜４．５は４巻
線変圧器１の２次コイルに接続したサイリスタ整流器、
１４，１５，１６．１７はサイリスタ整流器２〜５のそ
れぞれに接続した負性抵抗負荷、６，７，８，９，１０
，１１．１２゜１３は上記サイリスタ整流器２〜５と負
性抵抗負荷１４〜１７とを結ぶ回路（線路）中に接続し
た半導体スイッチとしてのサイリスタスイッチである。
図に２いて、１は４巻線変圧器、２，３゜４．５は４巻
線変圧器１の２次コイルに接続したサイリスタ整流器、
１４，１５，１６．１７はサイリスタ整流器２〜５のそ
れぞれに接続した負性抵抗負荷、６，７，８，９，１０
，１１．１２゜１３は上記サイリスタ整流器２〜５と負
性抵抗負荷１４〜１７とを結ぶ回路（線路）中に接続し
た半導体スイッチとしてのサイリスタスイッチである。
次に動作を第２図、第３図および第４図について説明す
る。なお、同図に２いて、破線は電流方向を示し、サイ
リスタのうち黒塗りしたものは通電状態を、白く抜いた
ものは非通電状態を示す。
る。なお、同図に２いて、破線は電流方向を示し、サイ
リスタのうち黒塗りしたものは通電状態を、白く抜いた
ものは非通電状態を示す。
１７！（、負荷１４〜１１は負性抵抗特性をもつため１
通電初期には高圧小電流が必要となり、Ｊｔ終通電時に
は低圧大電流が必要となる。
通電初期には高圧小電流が必要となり、Ｊｔ終通電時に
は低圧大電流が必要となる。
よって、通電初期時は負荷を並列に、最終時には直列に
接続すれば、変圧器１より見た負荷はほぼ一定となる。
接続すれば、変圧器１より見た負荷はほぼ一定となる。
まず１通電初期時においてはサイリスタスイッチ７．１
１．１２ をオンにすると、サイリスタ整流器２，３
，４．５が直流電流を出力し、第２図の破線が示す通電
ループで、負荷１４〜１Ｔに高電圧小電流を通電する。
１．１２ をオンにすると、サイリスタ整流器２，３
，４．５が直流電流を出力し、第２図の破線が示す通電
ループで、負荷１４〜１Ｔに高電圧小電流を通電する。
このとき負荷１４〜１７はサイリスタスイッチ７．１１
．１２を介して各サイリスタ整流器２〜５にそれぞれ独
自に接続されている。負荷１４〜１１の結晶が成長し。
．１２を介して各サイリスタ整流器２〜５にそれぞれ独
自に接続されている。負荷１４〜１１の結晶が成長し。
抵抗が下がるに従い、サイリスタ整流器２〜５が図示し
ない電流制御回路により電流を調整し、負荷に見合った
電流を通電してゆくが、直流電圧が下がるため力率が悪
化していく。そこで力率がある値になったところで中期
通電に移る。中期通電では、サイリスタスイッチ８，１
１．１３をオンにする。するとサイリスタ整流器２，４
が直流電流を出力し、第３図の破線が示す通電ループで
、負荷１４〜１７に電流を通電する。このとき、負荷１
４．１５と負荷１６．１７が各１のサイリスタ整流器２
と４にそれぞれ直列に接続され、これらの２つの直列接
続負荷が並列に接続されるのでサイリスタ整流器２，４
の直流出力電圧が初期通電終了時の２倍となり、力率が
改善される。こうして５さらに負荷１４〜１７の結晶が
成長するに従い、初期通電の場合と同様にサイリスタ整
流器２．４が図示しない電流制御回路により電流を調整
し、直流電圧が下がるため力率が悪化していく。
ない電流制御回路により電流を調整し、負荷に見合った
電流を通電してゆくが、直流電圧が下がるため力率が悪
化していく。そこで力率がある値になったところで中期
通電に移る。中期通電では、サイリスタスイッチ８，１
１．１３をオンにする。するとサイリスタ整流器２，４
が直流電流を出力し、第３図の破線が示す通電ループで
、負荷１４〜１７に電流を通電する。このとき、負荷１
４．１５と負荷１６．１７が各１のサイリスタ整流器２
と４にそれぞれ直列に接続され、これらの２つの直列接
続負荷が並列に接続されるのでサイリスタ整流器２，４
の直流出力電圧が初期通電終了時の２倍となり、力率が
改善される。こうして５さらに負荷１４〜１７の結晶が
成長するに従い、初期通電の場合と同様にサイリスタ整
流器２．４が図示しない電流制御回路により電流を調整
し、直流電圧が下がるため力率が悪化していく。
そこで力率がある値になったところで最終通電に移る。
最終通電では、サイリスタスイッチ６．９゜１０．１３
をオンにする。するとサイリスタ整流器２，４が直流電
流を出力し、第４図の破線が示す通電ループで、負荷１
４〜１７に電流を通電する。このとき、負荷１４〜１７
はすべて直列に接続されるのでサイリスタ整流器２，４
の直流出力電圧が中期通電終了時の２倍となり、力率が
改善される。ｆ念、サイリスタ整流器２と４が並列運転
されるので、中期通電時の２倍の電流が出力できる。
をオンにする。するとサイリスタ整流器２，４が直流電
流を出力し、第４図の破線が示す通電ループで、負荷１
４〜１７に電流を通電する。このとき、負荷１４〜１７
はすべて直列に接続されるのでサイリスタ整流器２，４
の直流出力電圧が中期通電終了時の２倍となり、力率が
改善される。ｆ念、サイリスタ整流器２と４が並列運転
されるので、中期通電時の２倍の電流が出力できる。
この様に、３段階の通電パターンを作り、力率を改善し
ながら高電圧小電流より低電圧大電流を発生し、多結晶
半導体を加熱成長させることができる。また、通電パタ
ーンの切換えは、サイリスタスイッチ６〜１３とサイリ
スタ整流器２〜５の選択的切換動作によって行なわれる
ので、切換えスピードが早く、この切換えに時間が長く
かかり負荷が冷えてしまうなどということがないほか。
ながら高電圧小電流より低電圧大電流を発生し、多結晶
半導体を加熱成長させることができる。また、通電パタ
ーンの切換えは、サイリスタスイッチ６〜１３とサイリ
スタ整流器２〜５の選択的切換動作によって行なわれる
ので、切換えスピードが早く、この切換えに時間が長く
かかり負荷が冷えてしまうなどということがないほか。
電圧および電流調整にサイリスタを使用しているため、
小形、軽量、メンテナンスフリーである。
小形、軽量、メンテナンスフリーである。
４巻線変圧器１を使用しているので省スペースの効果が
大である。
大である。
なお、上記実施例では、４巻線変圧器を使用する場合に
ついて説明したが、二巻緑変圧器を３台使用し几り、三
巻線変圧器１台と二巻緑変圧器を１台使用したりしても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
ついて説明したが、二巻緑変圧器を３台使用し几り、三
巻線変圧器１台と二巻緑変圧器を１台使用したりしても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、複数のサイリスタ整
流器訃よび半導体スイッチの選択的動作によって、上記
各サイリスタ整流器に接続し念それぞれ食性抵抗負荷を
直列または並列あるいは直並列のいずれかに切換え接続
するように構成したので、上記負荷の加熱に伴って簡単
な構成にて直流電圧を高く設定でき、力率改善ができる
ほか、特殊なタップ付変圧器重量の平衡変圧器を用いる
ことなく、小形、軽量、および占有空間が小さい加熱電
源装置を安価に得ることができる。また。
流器訃よび半導体スイッチの選択的動作によって、上記
各サイリスタ整流器に接続し念それぞれ食性抵抗負荷を
直列または並列あるいは直並列のいずれかに切換え接続
するように構成したので、上記負荷の加熱に伴って簡単
な構成にて直流電圧を高く設定でき、力率改善ができる
ほか、特殊なタップ付変圧器重量の平衡変圧器を用いる
ことなく、小形、軽量、および占有空間が小さい加熱電
源装置を安価に得ることができる。また。
負荷にＩＩ流電力を供給でき、線路や負荷のインダクタ
ンスやキャパシタンスによる影響を受けずに、高精度制
御可能な加熱電源装置を得ることができる効果がある。
ンスやキャパシタンスによる影響を受けずに、高精度制
御可能な加熱電源装置を得ることができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による加熱電源装置の回路
図、第２図は第１図に２いて初期通電時の通電ループを
示す回路図、第３図は同じく中期通電時の通電ループを
示す回路図、第４図は同じく最終通電時の通電ループを
示す回路図、第５図は従来の加熱電源装置の回路図であ
る。 １は電源変圧器、２，３，４．５はサイリスタ整流器、
６，７，８，９，１０，１１．１２．１３は半導体スイ
ッチ％ １４，１５，１６，１γは負性抵抗負荷。 なｐ、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 （外２名）− 第１図 １：４巻線変圧器
図、第２図は第１図に２いて初期通電時の通電ループを
示す回路図、第３図は同じく中期通電時の通電ループを
示す回路図、第４図は同じく最終通電時の通電ループを
示す回路図、第５図は従来の加熱電源装置の回路図であ
る。 １は電源変圧器、２，３，４．５はサイリスタ整流器、
６，７，８，９，１０，１１．１２．１３は半導体スイ
ッチ％ １４，１５，１６，１γは負性抵抗負荷。 なｐ、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 特許出願人 三菱電機株式会社 （外２名）− 第１図 １：４巻線変圧器
Claims (4)
- （１）電源変圧器に接続した複数のサイリスタ整流器と
、これらの各サイリスタ整流器のそれぞれに接続した負
性抵抗負荷と、上記各サイリスタ整流器と各負性抵抗負
荷とをそれぞれ結ぶ回路中に接続されて、上記サイリス
タ整流器の１または複数に対して上記各負性抵抗負荷を
直列または並列あるいは直並列接続する負荷切換用半導
体スイッチとを備えた加熱電源装置。 - （２）負荷切換用半導体スイッチをサイリスタスイッチ
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の加
熱電源装置。 - （３）電源変圧器を４巻線変圧器としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の加熱電源装置。 - （４）負性抵抗負荷を多結晶半導体としたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の加熱電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60138893A JP2544907B2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 加熱電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60138893A JP2544907B2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 加熱電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621017A true JPS621017A (ja) | 1987-01-07 |
| JP2544907B2 JP2544907B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=15232581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60138893A Expired - Lifetime JP2544907B2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 加熱電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2544907B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6461510A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-08 | Teijin Ltd | Polyester fiber having improved heat resistance |
| WO2007108096A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 加熱電源装置 |
| US7789962B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
| WO2012127686A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 地絡検出回路 |
| US8410393B2 (en) | 2010-05-24 | 2013-04-02 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4934407A (ja) * | 1972-08-01 | 1974-03-29 | ||
| JPS58146435A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-09-01 | Osaka Titanium Seizo Kk | 加熱用電源装置 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60138893A patent/JP2544907B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4934407A (ja) * | 1972-08-01 | 1974-03-29 | ||
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7789962B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
| US8182869B2 (en) | 2005-03-31 | 2012-05-22 | Tokyo Electron Limited | Method for controlling temperature of a mounting table |
| WO2007108096A1 (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | 加熱電源装置 |
| US7723871B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-05-25 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Heating power supply apparatus |
| US8410393B2 (en) | 2010-05-24 | 2013-04-02 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for temperature control of a semiconductor substrate support |
| WO2012127686A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 地絡検出回路 |
| US9255958B2 (en) | 2011-03-24 | 2016-02-09 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Ground fault detection circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2544907B2 (ja) | 1996-10-16 |
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