JPS62102611A - マイクロ波モノリシツク集積回路 - Google Patents

マイクロ波モノリシツク集積回路

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JPS62102611A
JPS62102611A JP24365385A JP24365385A JPS62102611A JP S62102611 A JPS62102611 A JP S62102611A JP 24365385 A JP24365385 A JP 24365385A JP 24365385 A JP24365385 A JP 24365385A JP S62102611 A JPS62102611 A JP S62102611A
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JP
Japan
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impedance
circuit
input
monolithic integrated
integrated circuit
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JP24365385A
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Fumiaki Emori
江森 文章
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、時にGaAs (ガリウム砒素)あるいはI
nP (インジュウムリン)等の半絶縁性化合物基板上
に形成されたマイクロ波モノリシック集積回路に関する
〔概要〕
本発明は、半絶縁性化合物基板の主表面上に、複数の分
布型増幅器を段間回路を介して多段構成にした回路を含
むマイクロ波モノリシック集積回路において、 段間回路の特性インピーダンスをマイクロ波モノリシッ
ク集積回路の入、出力の特性インピーダンスよりも高(
することにより、 分布型増幅器を構成する電界効果トランジスタの総ゲー
ト幅を狭くし、高周波化、高信頼性化を図ったものであ
る。
〔従来の技術〕
半絶縁性化合物基板上に電界効果トランジスタを有する
能動素子と、この能動素子の機能を発揮させるような受
動素子とからなるマイクロ波モノリシック集積回路は、
ハイブリッド集積回路に比べて高周波特性に優れ、小型
低価格化が可能であり、かつ信頼性も高いことから、特
に準ミリ、ミリ波領域では必要不可欠なデバイスとなっ
ている。
なかでも、分布型増幅器は、回路構造上マイクロ波モノ
リシック集積回路に適しており、また、化合物半導体の
準ミリ波動作の特徴を生かして、超広帯域増幅が可能で
あるところから、多くの分野で実用化を迫られている。
マイクロ波モノリシック集積回路で構成される分布型増
幅器では、複数の電界効果トランジスタが半絶縁性化合
物基板主表面に並列に配置され、各々の電界効果トラン
ジスタには高周波信号の位相速度を等しくする回路が接
続されている。
回路が縦続接続された多段構成の従来技術について図を
用いて説明する。
第2図は、従来のマイクロ波モノリシック集積回路の一
例を示すブロック構成図である。従来、分布型増幅器の
多段構成のものは、1段の分布型増幅器1.2を少なく
とも2個同−チツブ上に形成し、その間を股間回路3 
(線路でもよい。)を介して縦続接続する。段間回路3
の入力インピーダンス7は、1段の分布型増幅器1.2
の出力インピーダンス5.6と同じに、また、出力イン
ピーダンス8は1段の分布型増幅器1.2の入力インピ
ーダンス4.9と同じに設定される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のマイクロ波モノリシック集積回路による
分布型増幅器は、入、出力整合型増幅器に比べて、同一
利得を得るために、チップ上の電界効果トランジスタの
総ゲート幅を広くしその相互コンダクタンス(gm)を
上げる必要がある。
ところで、総ゲート幅が広くなることは、ドレインコン
グクタンスが大きくなりインピーダンス整合を劣化させ
るところから利得低下を招き、また、ゲートソース間容
量が増大するところから狭帯域化を招き、さらに、消費
電力が増大し発熱量が増大して信軌度をも劣化させる欠
点があった。
本発明の目的は、上記の欠点を除去することにより、電
界効果トランジスタの総ゲート幅を狭くし、高周波化、
高信頼性化が図れるマイクロ波モノリシック集積回路を
提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、半絶縁性化合物基板の主表面上に、複数の分
布型増幅器を段間回路を介して縦続接続により多段構成
した回路を含むマイクロ波モノリシック集積回路におい
て、上記段間回路の特性インピーダンスを上記マイクロ
波モノリシック集積回路の入、出力特性インピーダンス
より高く設定したことを特徴とする。
〔作用〕
本発明は、段間回路の特性インピーダンスをマイクロ波
モノリシック集積回路の入出力の特性インピーダンス、
例えば50Ωよりも大きく、例えば60Ωに設定するの
で、電界効果トランジスタの相互コンダクタンス(gm
)をインピーダンスが高い分だけ小さくとも良く、若し
同一利得を得るためであれば、総ゲート幅を狭くでき、
高周波化、高信頼性化を図ることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は、本発明の一実施例を示すブロック構成図であ
る。1段の分布型増幅器1.2が段間回路3を介して縦
続接続される。そして各々の特性インピーダンスは、次
のように設定される。前段の分布型増幅器1の入力イン
ピーダンス4aと後段の分布型増幅器2の出力インピー
ダンス5aはマイクロ波モノリシック集積回路チップの
入、出力の特性インピーダンスであり例えば50Ω、前
段の分布型増幅器1の出力インピーダンス6aと段間回
路3の入力インピーダンス7aは等しくして、マイクロ
波モノリシック集積回路チップの入、出力の特性インピ
ーダンスより大きい値例えば60Ωに設定する。また、
股間回路3の出力インピーダンス8aと後段の分布型増
幅器2の入力インピーダンス9aは等しくしてマイクロ
波モノリシック集積回路チップの入、出力の特性インピ
ーダンスより大きい値例えば60Ωに設定する。
なお、本実施例において、股間回路3の代わりに線路を
用いた場合も同様である。
本発明の特徴は、第1図において、段間回路3の入、出
力インピーダンス7a、8aを、分布型増幅器1の入力
インピーダンス4a、分布型増幅器2の出力インピーダ
ンス5aよりも大きくしたことにある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、多段分布型増幅器を構成
したマイクロ波モノリシック集積回路において、段間回
路の特性インピーダンスをマイクロ波モノリシック集積
回路の入、出力の特性インピーダンスより大きい値とな
るよう回路構成することにより、電界効果トランジスタ
の総ゲート幅を狭くして同一利得を得ることが可能とな
り、電界効果トランジスタのドレインコンダクタンスに
よる損失の改善と、ゲートソース間容量の低減による高
周波特性の改善をもたらすとともに、消費電力が小さく
なり、発熱量減少により信頼性向上が図れる効果がある
。また、段間回路の特性インピーダンスが高いことは、
ストリップライン線路幅を細くでき、チップサイズの小
型化と低価格化も実現できる効果が付加される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すプロ・、・り構成図。 第2図は従来例を示すブロック構成図。 1.2・・・分布型増幅器、3・・・段間回路、4.4
a、7.7a、9.9a・・・入力インピーダンス、5
.5a、6.6a18.8a・・・出力インピーダンス

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半絶縁性化合物基板の主表面上に、複数の分布型
    増幅器を段間回路を介して縦続接続により多段構成した
    回路を含むマイクロ波モノリシック集積回路において、 上記段間回路の特性インピーダンスを上記マイクロ波モ
    ノリシック集積回路の入、出力特性インピーダンスより
    高く設定した ことを特徴とするマイクロ波モノリシック集積回路。
JP24365385A 1985-10-29 1985-10-29 マイクロ波モノリシツク集積回路 Granted JPS62102611A (ja)

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JP24365385A JPS62102611A (ja) 1985-10-29 1985-10-29 マイクロ波モノリシツク集積回路

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JP24365385A JPS62102611A (ja) 1985-10-29 1985-10-29 マイクロ波モノリシツク集積回路

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JPS62102611A true JPS62102611A (ja) 1987-05-13
JPH0562844B2 JPH0562844B2 (ja) 1993-09-09

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007038541A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Kinyosha Co Ltd クッション材

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JP2004153237A (ja) * 2002-10-10 2004-05-27 Nec Corp 半導体装置
JP5141534B2 (ja) * 2008-12-18 2013-02-13 富士通株式会社 増幅回路、差動増幅回路、及び光送信機

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