JPS62104082A - 裏面電極形成方法 - Google Patents
裏面電極形成方法Info
- Publication number
- JPS62104082A JPS62104082A JP61160073A JP16007386A JPS62104082A JP S62104082 A JPS62104082 A JP S62104082A JP 61160073 A JP61160073 A JP 61160073A JP 16007386 A JP16007386 A JP 16007386A JP S62104082 A JPS62104082 A JP S62104082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- back surface
- surface electrode
- light emitting
- solution
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
発光ダイオードは長寿命、低消費電力、高速であるとい
う長所を有する為、近年各方面において使用されるよう
になり各種ディスプレイ及び家電製品等のリモートコン
トロール装置の発光源として幅広く使用されている。本
発明は上記発光ダイオードの裏面電極の形成方法に関す
る。
う長所を有する為、近年各方面において使用されるよう
になり各種ディスプレイ及び家電製品等のリモートコン
トロール装置の発光源として幅広く使用されている。本
発明は上記発光ダイオードの裏面電極の形成方法に関す
る。
発光ダイオード装置は一般に第３図に示される構造を有
する発光ダイオードペレヴトを、リードフレーム又はス
Ｔム上に導電性接着剤等を用いてダイボンディングを行
ない、さらに金線によりワイヤボンディングを施した上
で、レンズ付きキャップあるいは樹脂封止により製造さ
れる。発光ダイオードベレッ）ｒｔＧａＰ、ＧａＡｓ等
の基板上に匝１種の層又はＧａＡｓ＋−ｘＰｘ Ｇａ＋
−ｘ／ｄｘＡｓ（０（ｘく１）等の３元系化合物半導体
層とエピタキシャル成長させＰＮ接合を形成したウエノ
・−スに所定の電極を表面及び裏面に形成した後、所定
寸法のペレットに分離して構成される。
する発光ダイオードペレヴトを、リードフレーム又はス
Ｔム上に導電性接着剤等を用いてダイボンディングを行
ない、さらに金線によりワイヤボンディングを施した上
で、レンズ付きキャップあるいは樹脂封止により製造さ
れる。発光ダイオードベレッ）ｒｔＧａＰ、ＧａＡｓ等
の基板上に匝１種の層又はＧａＡｓ＋−ｘＰｘ Ｇａ＋
−ｘ／ｄｘＡｓ（０（ｘく１）等の３元系化合物半導体
層とエピタキシャル成長させＰＮ接合を形成したウエノ
・−スに所定の電極を表面及び裏面に形成した後、所定
寸法のペレットに分離して構成される。
発光ダイオードウェノ・−スは、現在のプロセスではダ
イボンディング側の裏面電極として、ＧａＰ基板を使用
する場合ｔｉ Ａｕ−８ｊ 、 Ａｕ −Ｎ ｉ 、
Ａｕ 。
イボンディング側の裏面電極として、ＧａＰ基板を使用
する場合ｔｉ Ａｕ−８ｊ 、 Ａｕ −Ｎ ｉ 、
Ａｕ 。
ＧａＡｓ基板の場合ｒｔＡｕ−Ｇｅ 、 Ａｕ −Ｎ
ｉ 、 Ａｕの順に蒸着さらにアロイを行ないオーミヴ
ク電極を形成するのが一般的になっている。ところが、
アロイを４７０℃付近で行なう為、ＧａＰ系でｆ：ｔｓ
ｉ。
ｉ 、 Ａｕの順に蒸着さらにアロイを行ないオーミヴ
ク電極を形成するのが一般的になっている。ところが、
アロイを４７０℃付近で行なう為、ＧａＰ系でｆ：ｔｓ
ｉ。
Ｑ ａ Ａ ｓ系でｒｄ Ｇａが電極表面へ浮き出て、
アロイする炉内の残留酸素及び炉からの取シ出しの際に
酸化され、それぞれ５ｉ０１ Ｇａ１０３を形成する。
アロイする炉内の残留酸素及び炉からの取シ出しの際に
酸化され、それぞれ５ｉ０１ Ｇａ１０３を形成する。
（参考文献：ＭｇＴＡＬＬＵＲＧＩＣＡＬ ＡＮＤｇ
ＬＥｃＴＲＩｃＡＬ ＰＲＯＰｇＲＴＩＥＳ ０Ｆ
ＡＬＬＯＹ′ＥＤ Ｎｉ／Ａｕ−Ｇｅ ＦＩＬＭ
ＯＮ ｎ−ＴＹＰＥ ＧａＡｓ、５ｏｌｉｄ−８ｔ
ａｔｅ Ｅｌｅｃｔ−ｒｏｎｉｃｓ １９７５．ｙ
ｏｌ、１８ ｐｌ）３３１〜３４２）上記のプロセスに
よシ裏面電極を形成した発光ダイオードウェハースを所
定の方法によシ個切シベレットとし、リードフレーム等
へグイボンディングを行なう場合Ａ、ｌｉｔペースト等
の導電性接着剤と！極の間に上記酸化膜層を介する為、
接触抵抗の増大をまねき１発光ダイオードにおける重要
特性のひとつである順方向電圧（ＶＦ）の増加につなが
っていた。極端な揚台には裏面電極とンルダーとの間で
ルーズコンタクト状態とな）、大電流領域（順方向電流
ＩＰ≧５０ｍＡ）においてダイオード波形の揺れが観測
されることもある。
ＬＥｃＴＲＩｃＡＬ ＰＲＯＰｇＲＴＩＥＳ ０Ｆ
ＡＬＬＯＹ′ＥＤ Ｎｉ／Ａｕ−Ｇｅ ＦＩＬＭ
ＯＮ ｎ−ＴＹＰＥ ＧａＡｓ、５ｏｌｉｄ−８ｔ
ａｔｅ Ｅｌｅｃｔ−ｒｏｎｉｃｓ １９７５．ｙ
ｏｌ、１８ ｐｌ）３３１〜３４２）上記のプロセスに
よシ裏面電極を形成した発光ダイオードウェハースを所
定の方法によシ個切シベレットとし、リードフレーム等
へグイボンディングを行なう場合Ａ、ｌｉｔペースト等
の導電性接着剤と！極の間に上記酸化膜層を介する為、
接触抵抗の増大をまねき１発光ダイオードにおける重要
特性のひとつである順方向電圧（ＶＦ）の増加につなが
っていた。極端な揚台には裏面電極とンルダーとの間で
ルーズコンタクト状態とな）、大電流領域（順方向電流
ＩＰ≧５０ｍＡ）においてダイオード波形の揺れが観測
されることもある。
本発明は上記のような問題を解決し１発光ダイオードに
対し裏面電極部へ余分な直列抵抗が付加されないように
、裏面電極形成後、［性あるいはアルカリ性溶液で処理
する工程を有している。
対し裏面電極部へ余分な直列抵抗が付加されないように
、裏面電極形成後、［性あるいはアルカリ性溶液で処理
する工程を有している。
次に本発明について実施例に即して説明する。
（実施例１）
本発明の効果を明確にする為以下の実験を行った。通常
ＳｉドープＧ ａ Ａ ｓ赤外発光ダイオードの液相エ
ピタキシャル成長用基板として使用されるＳｉドーグＧ
ａＡｓ基板（Ｈ，Ｂ法によシ製造、厚さ２００μｍ、キ
ャリア濃度５Ｘ１０１７ｃｍ−”ｅＮ型）を用いて、第
４図に示すようにワイヤボンディング側上面にＡｕＧａ
、Ａｕ−Ｎｉ 、ＡｕＬ：ｆ）順に全面蒸着を行ない
、さらにダイボンディング側の裏面ｒｉ６０μｍφの円
形電極が１００μｍピッチで配列するドツト電極蒸着を
施し、４２０℃７分間窒素ガス雰囲気中でアロイを行っ
た。
ＳｉドープＧ ａ Ａ ｓ赤外発光ダイオードの液相エ
ピタキシャル成長用基板として使用されるＳｉドーグＧ
ａＡｓ基板（Ｈ，Ｂ法によシ製造、厚さ２００μｍ、キ
ャリア濃度５Ｘ１０１７ｃｍ−”ｅＮ型）を用いて、第
４図に示すようにワイヤボンディング側上面にＡｕＧａ
、Ａｕ−Ｎｉ 、ＡｕＬ：ｆ）順に全面蒸着を行ない
、さらにダイボンディング側の裏面ｒｉ６０μｍφの円
形電極が１００μｍピッチで配列するドツト電極蒸着を
施し、４２０℃７分間窒素ガス雰囲気中でアロイを行っ
た。
次に酸溶液としてＨＣ１溶液（２０チ液）、ＨＦ溶液（
２０チ液）にそれぞれ２５０℃、３０秒浸漬し、その後
純水によシ充分洗浄後、細切シペレヴト状として４００
μｍＸ４００μｍｔイズのチップへ加工し、金属ステム
上へｈ１ペーストを使用してグイボンディング、さらに
２５μｍφ（Ｄ Ａ ｕ １１！によりワイヤボンディ
ングを行った後、順方向電流ＩＰ＝４００ｍＡにおける
両電極間の電圧を測定した。その結果を第２図に示す。
２０チ液）にそれぞれ２５０℃、３０秒浸漬し、その後
純水によシ充分洗浄後、細切シペレヴト状として４００
μｍＸ４００μｍｔイズのチップへ加工し、金属ステム
上へｈ１ペーストを使用してグイボンディング、さらに
２５μｍφ（Ｄ Ａ ｕ １１！によりワイヤボンディ
ングを行った後、順方向電流ＩＰ＝４００ｍＡにおける
両電極間の電圧を測定した。その結果を第２図に示す。
これにより酸処理によシ明確に接触抵抗が低下すること
がわかる。
がわかる。
（実施例２）
実施例１と同様な製法にてウェハースを製造し。
酸性液の替わシに１株式会社日化精工製半導体化学洗浄
剤１クレール１を純水にて５倍に希釈した溶液で５０℃
、５分間浸漬にた結果をも第２図に示す。ここで１クレ
ール１とは、非イオン系界面活性剤であるポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテル、及び触媒としてトリ
ポリリン酸ソーダ、ケイ酸ンーダを成分としｐＨ１２，
２程度の強アルカリ洗浄剤である。これを使用した結果
も実施例１と同様に接触抵抗が低下している。
剤１クレール１を純水にて５倍に希釈した溶液で５０℃
、５分間浸漬にた結果をも第２図に示す。ここで１クレ
ール１とは、非イオン系界面活性剤であるポリオキシエ
チレンアルキルフェニルエーテル、及び触媒としてトリ
ポリリン酸ソーダ、ケイ酸ンーダを成分としｐＨ１２，
２程度の強アルカリ洗浄剤である。これを使用した結果
も実施例１と同様に接触抵抗が低下している。
（実施例３）
以上実施例１．２においてはＳｉドープＧ ａ Ａ ｓ
基板を使用して酸性溶液及びアルカリ性溶液への浸漬し
た実験とその結果について述べ効果があることを確認し
たが、本実施例では以下に説明するように最終的に発光
ダイオード装置として組み上げた段階での結果を順方向
電流ＩＰ’＝４００ｍＡにおける順方向電圧ＶＰの分布
として第１図に示す。
基板を使用して酸性溶液及びアルカリ性溶液への浸漬し
た実験とその結果について述べ効果があることを確認し
たが、本実施例では以下に説明するように最終的に発光
ダイオード装置として組み上げた段階での結果を順方向
電流ＩＰ’＝４００ｍＡにおける順方向電圧ＶＰの分布
として第１図に示す。
ここで使用したのは、第３図に示す構造図のように、３
ｉドープＧ ａ Ａ ｓ基板（Ｎ型：５Ｘ１０”ｃＩＬ
−”）上へ所定のエピタキシャル成長法にてＳｉドープ
Ｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層を５０μｍ。
ｉドープＧ ａ Ａ ｓ基板（Ｎ型：５Ｘ１０”ｃＩＬ
−”）上へ所定のエピタキシャル成長法にてＳｉドープ
Ｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層を５０μｍ。
ＳｉドープＰ型Ｇ ａ Ａ ｓエピタキシャル層を５０
μｍ順次成長させた後、Ｐ型層表面へ亜鉛（Ｚｎ）補償
拡散を施した上へアルばニウム（Ａ ｔ ） ′ｙＬ極
を形成１次にウェハース厚さが２００μｍとなるべくＮ
型基板側を研磨した後、当該Ｎ型り！１へ裏面電極とし
てＡｕ−Ｇｅ 、 Ａｕ −Ｎ ｉ 、 Ａｕの順に６
０７’ｍφの円形電極を１００μｍピッチで格子状に蒸
着アロイを行った後、クレール液、ＨＣ４，ＨＦ液へ実
施例１．２と同条件で浸漬し４００μｍＸ４ＱＱμｍの
チップ状に細切シにしたＧａＡｓ赤外発光ダイオードで
ある。これをＡｇペーストを用いリードフレームヘダイ
ボンディングし、さらに２５μｍφＡｕ線にてワイヤボ
ンディングを行った後、エポキシ系樹脂にて封止し、赤
外発光ダイオード装置を完成させたものを測定に用いた
。
μｍ順次成長させた後、Ｐ型層表面へ亜鉛（Ｚｎ）補償
拡散を施した上へアルばニウム（Ａ ｔ ） ′ｙＬ極
を形成１次にウェハース厚さが２００μｍとなるべくＮ
型基板側を研磨した後、当該Ｎ型り！１へ裏面電極とし
てＡｕ−Ｇｅ 、 Ａｕ −Ｎ ｉ 、 Ａｕの順に６
０７’ｍφの円形電極を１００μｍピッチで格子状に蒸
着アロイを行った後、クレール液、ＨＣ４，ＨＦ液へ実
施例１．２と同条件で浸漬し４００μｍＸ４ＱＱμｍの
チップ状に細切シにしたＧａＡｓ赤外発光ダイオードで
ある。これをＡｇペーストを用いリードフレームヘダイ
ボンディングし、さらに２５μｍφＡｕ線にてワイヤボ
ンディングを行った後、エポキシ系樹脂にて封止し、赤
外発光ダイオード装置を完成させたものを測定に用いた
。
以上説、明したように本発明は１発光ダイオードウェハ
ース製造プロセスにおいてダイボンディングする側の裏
面電極を形成した後、酸又はアルカリ溶液中へ浸漬する
ことによ〕裏面電極上へ浮き出た酸化膜の層を除去し、
ンルダーとの接触抵抗を低下できる効果がある。これに
よシ１発光ダイオードの順方向電圧ＶＦの分布が全体的
に低下し。
ース製造プロセスにおいてダイボンディングする側の裏
面電極を形成した後、酸又はアルカリ溶液中へ浸漬する
ことによ〕裏面電極上へ浮き出た酸化膜の層を除去し、
ンルダーとの接触抵抗を低下できる効果がある。これに
よシ１発光ダイオードの順方向電圧ＶＦの分布が全体的
に低下し。
さらに大電流領域にて希に見られたルーズコンタクト状
態もなくなシ１歩留シ９品質共に改善された。特にＩＰ
：３０９ｍＡ以上での使用が多いＧａＡ３赤外発光ダイ
オードにおいての効果が顕著であシ、定電圧駆動のリモ
ートコントロール用発光源として使用される場合発光出
力の改善にも効果がある。
態もなくなシ１歩留シ９品質共に改善された。特にＩＰ
：３０９ｍＡ以上での使用が多いＧａＡ３赤外発光ダイ
オードにおいての効果が顕著であシ、定電圧駆動のリモ
ートコントロール用発光源として使用される場合発光出
力の改善にも効果がある。
なお、本実施例ではＧａＡｓ赤外発光ダイオードについ
て述べたが、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ等の可視発光ダイオー
ドに対しても有効であることは言うまでもない。
て述べたが、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ等の可視発光ダイオー
ドに対しても有効であることは言うまでもない。
第１図は１本実施例３にて説明したＧ ａ Ａ ｓ赤外
発光ダイオードの順方向電流ＩＦ＝４０９ｍＡ時の順方
向電圧ＶＦ分布を表わし最左の分布は従来技術によジ蒸
着した場合の結果である。第２図は実施例１及び２ＩＣ
で説明した実験テンプルの結果であシ、縦軸はＩＰ：４
ＱＱｍＡ時の電圧を示し。 最左の分布は従来技術によシ蒸着した場合の結果であシ
、第３図は現在一般的に用いられている発光ダイオード
の基本的な構造を示す断面図、第４図は実施例１．２に
おける実験サンプルの断面図第 １ 図 茅 ２ 菌
発光ダイオードの順方向電流ＩＦ＝４０９ｍＡ時の順方
向電圧ＶＦ分布を表わし最左の分布は従来技術によジ蒸
着した場合の結果である。第２図は実施例１及び２ＩＣ
で説明した実験テンプルの結果であシ、縦軸はＩＰ：４
ＱＱｍＡ時の電圧を示し。 最左の分布は従来技術によシ蒸着した場合の結果であシ
、第３図は現在一般的に用いられている発光ダイオード
の基本的な構造を示す断面図、第４図は実施例１．２に
おける実験サンプルの断面図第 １ 図 茅 ２ 菌
Claims (1)
- ダイボンディングを施す側の裏面電極形成において、金
を主体とする電極材料を蒸着する工程及び当該電極をア
ロイする工程及びその後酸性液又はアルカリ性液に浸漬
する工程を含むことを特徴とする裏面電極形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-165161 | 1985-07-25 | ||
| JP16516185 | 1985-07-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104082A true JPS62104082A (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=15807026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61160073A Pending JPS62104082A (ja) | 1985-07-25 | 1986-07-07 | 裏面電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62104082A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270382A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体棒浮遊熔融帯域制御方法 |
| CN101877377B (zh) | 2009-04-30 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591187A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-10 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming electrode for semiconductor device |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61160073A patent/JPS62104082A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5591187A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-10 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming electrode for semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270382A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体棒浮遊熔融帯域制御方法 |
| CN101877377B (zh) | 2009-04-30 | 2011-12-14 | 比亚迪股份有限公司 | 一种分立发光二极管的外延片及其制造方法 |
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