JPS62105099A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネルに関するものである
。

（発明の背景） Ｘ線画像のような放射、Ｖｉ！画像は病気診断用などに
多く用いられている。このＸ　＋ｔＪ　Ｗ＋　（！Ｉ！
を得るために、被写体を透過したＸａを蛍光体層（蛍光
スクリーン）に照射し、これにより可視光を生じさせて
この可視光を通常の写真をとるとぎと同じように銀塩を
使用したフィルムに照射して現鐵した、いわゆる放射線
写真が利用されている。しかし、近年銀塩を塗布したフ
ィルムを使用しないで蛍光体層から直接画像を取り出す
方法が工夫されるようになった。

この方法としては被写体を透過した放射線を蛍光体に吸
収せしめ、しかる後この蛍光体を例えば光又は熱エネル
ギーで励起することによりこのｉｌ？光体が−に記吸収
により蓄積して（・る放射線エネルギーを蛍光として放
射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法がある。

具体的には、例えば米国特許３．８５’）、５２７号及
び特開昭５５−１２１４４号には輝尽性１１７光体を用
い可視光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変
換方法が示されている。この方法は支持体−にに輝尽性
蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するも
ので、この放射線画像情報パネルの輝尽性り？光体層に
被写体を透過；−だ放射線を当てて被写体各部の放射線
透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を
形成し、しかる後にこの輝尽性蛍光体層を輝尽励起光で
走査することによって各部の蓄積された放射線エネルギ
ーを放射させてこれを光に変換し、この光の強弱による
光信号により画像を得るものである。この最終的な画像
は・・−トコピーとしＣ再生しても良いし、ＣＲＴ上に
再生しても良い。

この放射線画像変換方法に用いられる輝尽性蛍光体層を
有する放射線画像変換・くネルは、前述の蛍光スクリー
ンを用いる放射線写真法の場合と同様に放射線吸収率お
よび光変換率（両者を含めてり、下［放射線感度ｊとい
５）が高いことは言うに及ばず画像の粒状性が良く、し
かも高鮮鋭性であることが要求される。

ところが、一般に輝尽性蛍光体層を有する放射ｍ画像変
換パネルは粒径１〜３０μｍ程度の粒状の輝尽性蛍光体
と有機結着剤とを含む分１’＋’１７１Ｋを支持体ある
いは保護層上に塗布、乾燥して作成されるので、輝尽性
蛍光体の充填密度が′低（（充」１°１１率５０％）、
放射線感度を充分高くするには輝尽性蛍光体層の層厚を
厚くする必要があった（第６図（ａ））。

一方、これに対し前記放射線画像変換方法に４３ける画
像の鮮鋭性は、放射線画像変換・ぐネルの輝尽性蛍光体
層の層厚が薄いほど高い傾向にあり、鮮鋭性の向上のた
めには、輝尽性蛍光体層の薄層化が必要であった（第６
図（ｂ））。

また、前記放射線画像変換方法における画像の粒状性は
、放射線量子数の場所的ゆらぎ（面子モトル）あるいは
放射線画像変換・くネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ
（構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光
体層の層厚が簿くなると、輝尽性蛍光体層に吸収される
放射線量子数が減少して組子モｊ・ルが増加したり、Ｓ
造的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質
の低下を生ずる。よって画像の粒状性な向」ニさせるた
めには輝尽性蛍光体層の層厚は厚い必要があった。

即ち、前述のように、従来の放射線画像変換パネルは放
射線に対する感度および画像の粒状性と、画像の鮮鋭性
とが輝尽性蛍光体層の層厚に対してまったく逆の傾向を
示すので、前記放射線画像変換パネルは放射線に対する
感度と粒状性と鮮鋭性間のある程度の相互犠牲によって
作成されてきた。

ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が蛍
光スクリーン中の蛍光体の瞬間発光（放射線照射時の発
光）の広がりによって決定されるのは周知の通りである
が、これに対し前述の輝尽性蛍光体を利用した放射線画
像変換方法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネ
ル中の輝尽性蛍光体の輝尽発光の広がりによって決定さ
り、るのではなく、すなわち放射線写真法におけるよう
に蛍光体の発光の広がりによって決定されるのではなく
、輝尽励起５ｔの該パネル内での広がりに依存して決ま
る。なぜならばこの放Ω１腺画像変換方法においては、
放射線画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時
系列化されて取り出されるので、ある時間（ｔｌ）に照
射された輝尽励起光による輝尽発光は望ましくは全て採
光されその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル
」−のある画素（ｘｉ、ｙｉ）からの出力として記録さ
ノ１．るが、もし輝尽励起光が該パネル内で散乱等によ
り広がり、照射画素（ｘｉ、ｙｉ）の外側に存在する輝
尽性蛍光体をも励起してしまうと、上記（ｘｔ、ｙｔ）
ｔｃる画素からの出力としてその画素よりも広い領域か
らの出力が記録されてしまうからである。従って、ある
時ｆｕ’ｌ（’ｔ＋）に照射されたがａ尽励起光による
輝尽発光が、その時間（ｔｌ）に輝尽励起光が頁に照射
されていた該パネル−にの画素（ｘｉ、ｙｉ）からの発
光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持つもの
であろうと得られる画像の鮮鋭性には影響がないのであ
る。

このような状況の中で、放射線画像の鮮鋭性を改善する
方法がいくつか考案さ′Ｊ１．て来た。例えば特開昭５
５　１４ｆｉ／１４７号記載の放射純画像変換パネルの
輝尽性蛍光体層中に白色粉体を混入する方法、特開昭５
５−１６３５００号記載の放射線画像変換パネルを輝尽
性蛍光体の輝尽励起波長領域における平均反射率が前記
輝尽性蛍光体の輝尽発光波長領域における平均反射率よ
りも小さくなるように着色する方法等である。しかし、
これらの方法は鮮鋭性を改良すると必然的に・感度が著
しく低下してしまい、好ましい方法とは言えない。

一方これに対し特開昭５９−６０３００号には輝尽性蛍
光体材料のみからなる透明膜でできた放射線画像変換パ
ネルを使用する放射線画像読取装置が開示されている。

該装置に用いられる放射線画像変換パネルは輝尽性蛍光
体を結着剤中に分散した前記輝尽性蛍光体層と異なり輝
尽性蛍光体層が輝尽性蛍光体材料のみから成るため該蛍
光体層が透明膜となり、輝尽励起光の散乱が減少して画
像の鮮鋭性が向上すると言うものである。しかし、前記
パネルは輝尽性蛍光体層が透明であるため該蛍光体層に
入射した輝尽励起光は第７図に示されるように輝尽性蛍
光体層７１と支持体との界面あるいは輝尽性蛍光体層７
１と保護層との界面等、前記パネル構成層の界面で反射
を繰り返しながら拡散し、ハレーシ・ンを起すので、画
像の鮮鋭性の改善はあまり期待できなかった。

（発明の目的） 本発明はｊｑｌ尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネ
ルにおける前述のような欠点及び特性間の相反性に鑑み
てなされたものであり、本発明の目的は放射線に対する
感度が向上すると共に鮮鋭性の高い両ｒＬＪ！を与える
放射線画像変換パネルを提供することにある。

本発明の他の目的は、粒状性が向上すると共に、鮮鋭性
の高い画像を与える放射線画は変換パネルを１是Ｅ１（
することにある。

また、前記目的に並んでの本発明の目的ｋｌ、前記目的
を満足する放射線画像変換パネルの製造方法を提供する
ことにある。

（発明の構成） 本発明者らは、輝尽性蛍光体層の気相堆積法による形成
について鋭意研究を重ねた結果、輝尽性蛍光体を微細結
晶化して前記輝尽性蛍光体層を不透明とすることにｊ：
って、従来の透明な輝尽性蛍光体層を有する放射線画像
変換パネルと比較して高鮮鋭性を示すことを見い出し本
発明を完成するに至った。

以、・宇金ｂ （， １゜ すなわち、前記本発明の目的は支持体上に少くとも一層
の輝尽性螢光体層を有する放射線画像変換パネルに於て
、前記輝尽性螢光体層が輝尽性螢光体を気相堆積した層
であり、且っ該層は輝尽励起光に対し不透明であること
を特徴とする放射線画像変換パネル及び前記特徴を与え
る放射線画像変換パネルの製造方法によって達成される
。

本発明に於て、輝尽励起光に対して不透明とは輝尽励起
光波長領域の光に対する輝尽性螢光体層の平行光透過率
が６０％以下の場合を言い、好ましくは前記平行光透過
率が４５％以下の場合を言い、更に好ましくは前記平行
光透過率が３０％以下の場合を言う。

なお、本発明で言う平行光透過率とは、拡散性の強い物
質の透過率を表わす場合に用いるものであり、次式で表
現される。

Ｔ（（６）＝　　　　　　　Ｘ　１００Ｏ （ここで、Ｔはパーセントで表わした平行光透過率、　
Ｉｏは試料に入射した平行照射光強度、工は試料を透過
した光のうち前記照射光に対して平行な成分の透過光強
度である。） また、前記平行光透過率は第５図に概要示される装置に
よって測定される。

同図に於て、５１はハロゲンランプ、５２はコンデンサ
レンズ、５３はアパーチャー、５４はプリズム、５８は
照射レンズであり、５１から５８によって照射光学系を
形成する。また、印は集光レンズ、６３はプリズム、６
５はアパーチャー、６６はミラー、６７はバ”７　トハ
スフィルタ、６８は光電子増倍管であり、これらによっ
て測光光学系を形成する。また、５５はビームスプリッ
タ、５６はレンズ、５７はシャッタ、６９はミラーであ
り、これらによって試料５９の照明光学系を形成する。

更に６１はビームスプリッタ、６２はファインダースク
リーンであり、これらによってファインダーを形成する
。

ハロゲンランプ５１からの白色光はコンデンサレンズ５
２によって平行光とされた後、アパーチャー５３によっ
て照射野を制限され、照射レンズにより試料５９上に照
射される。試料５９を透過した光は集光レンズ６０で集
められ、アパーチャー６５を通過させることにより、前
記照射光に対し平行な成分のみの平行透過光となる。該
平行透過光は次に目的とする波長域の光だけを透過する
バンドパスフィルタ６７を通った後、光電子増倍管に入
射して平行照射光強度工が求まる。平行照射光強度Ｉｏ
は試料５９を取りのぞくことによって測定できる。前記
Ｉｏ、Ｉにより平行光透過率Ｔが求まる。なおアバー千
ヤー５３　及Ｕ　６５はアパーチャー−セ７ティンクタ
イヤル６４により連動して動くが、アバー千ヤーのサイ
ズは５００μｍ　ｘ　ｓｏｏμｍ程度が好ましい。

本発明に於て気相堆積法とは、一般にｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　（Ｐ　Ｖ　Ｄ　）
及びＣｈｅｍｉｃａｌ　ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ　（ＣＶ　Ｄ　）と言われる成膜技術テアり例えば蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等が
ある。

本発明の放射線画像変換パネルの製造方法の実施態様と
しては、前記輝尽性螢光体層の形成に際して蒸着法もし
くはスパッタリング法を用いることが好ましい。

更に蒸着法、或はスパッタリング法をＡ用する場合にパ
ネルの支持体、その下引層、或は保護層の結着剤を含有
した層への輝尽性螢光体の貫入、或は前記いづれかの方
法で形成される輝尽性螢光体層への下引層、或は保護層
の結着剤の侵入が起るが、輝尽性螢光体と結着剤の前記
理由による混在層は実用上無視しうる、即ち前記いづれ
がの方法によっては前記混在層は生成しないものとして
以後簡略して記述する。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の放射線画像変換パネルに於て輝尽性螢光体とは
、最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射された後
に、先約、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺激
（輝尽励起）により、最初の光もしくは高エネルギー放
射線の照射量に対応した輝尽発光を示す螢光体を言うが
、実用的な面から好ましくは　５００　ｎｍ以上の輝尽
励起光によって輝尽発光を示す螢光体である。本発明の
放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光体として
は、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されている
ＢａＳＯ４：　Ａｘ　　（但しＡばＤＹ　、　Ｔｂ及び
Ｔｍ　のうち少なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦
ｘ　＜　１モル％である。）で表わされる螢光体、特開
昭４８−８０４、８８号記載のＭｇ５Ｏ，：　Ａｘ　　
（但しＡはＨｏ　　或いはＤｙのうちいづれかであり、
０．００１≦Ｘ≦１モル％である。）で表わされる螢光
体、特開昭４８−８０４８９号に記載されている５ｒＳ
Ｏ，：　Ａｘ　（但しＡはＤＹ　、　Ｔｂ及びＴｍ　の
うち少なくとも１種であり、Ｘは０．００１≦ｘ　＜　
１モル％である。）で表わされている螢光体、特開昭５
１−２９８８９号に記・成されているＮａ２５Ｏ，、Ｃ
ａＳＯ４及びＢ　ａ　Ｓ　Ｏ，等にＭｎ。

Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添加した螢光体、
特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｅｄ。

ＬｉＦ　、　Ｍｇ５Ｏ，及びＣａＦ２等の螢光体、特開
昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ□Ｂ、０７
：　Ｃｕ　ｌ　Ａｇ等の螢光体、特開昭５４−４７８８
３号に記載されているＬｉ２Ｏ・（’Ｂ２０□）　ｘ　
：　Ｃｕ　（但しＸは２　＜　ｘ≦３）、及びＬｉ２Ｏ
・（Ｂ２０．、　）　ｘ　：　Ｃｕ　、　Ａｇ　　（但
しＸは２くＸ≦３）等の螢光体、米国特許３，８５９，
５２７号に記載されているＳｒＳ　：　Ｃｅ　、　Ｓｍ
、　ＳｒＳ　：　Ｅｕ　　。

Ｓｍ、　Ｌａ２０□Ｓ　：　Ｅｕ　、　Ｓｍ及び（Ｚｎ
、Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎ、Ｘ（但しＸはハロゲン）で表わされ
る螢光体が拳げられる。また、特開昭５５−１２１４２
号に記載されているＺｎＳ　：　Ｃｕ　、　Ｐｂ螢光体
、一般式がｌ３ａＯ・ｘＡ／２０３．　Ｅｕ　　（但し
０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン酸バリウム螢
光体、及び一般式％式％ Ｐｂ、　Ｔｌ、　Ｂｉ及びＭｎのうち少なくとも１種で
あり、Ｘは０．５≦ｘ　＜　２．５である。）で表わさ
れるアルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられる。

また、一般式が （Ｂａ、　−Ｘ−ｙＭｇｘＣａｙ　）　ＦＸ　：　　ｅ
Ｅｕ”（但しＸはＢｒ及びＣｌの中の少なくとも１つで
あり、ｘ、ｙ及びｅはそれぞれＯ＜　ｘ　＋　ｙ≦０．
６、ｘｙ−＃Ｏ及びＩＯ≦ｅ≦５×１０　なる条件を満
たす数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロゲ
ン化物螢光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されて
いる一般式が ＬｎＯＸ　：　　ｘＡ （但しＬｎはＬａ　、　Ｙ　、　Ｇｄ及びＬｕの少なく
とも１つを、ＸはＣＩ！及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及
び／又はＴｂを、ＸはＯ＜　ｘ　＜　０．１を満足する
数を表わす。）で表わされる螢光体、特開昭５５−１２
１４５号に記載されている一般式が （Ｂａ、　−ｘＭｌｌｘ　）　ＦＸ　：　ｙＡ（但しＭ
ｎは、Ｍｇ　、Ｃａ　、Ｓｒ　、Ｚｎ及びＣｄのうちの
少なくとも１つを、ＸはＣｌ、Ｂｒ及び■のうちの少な
くとも１つを、Ａはｇｕ　、　Ｔｂ　、　Ｃｅ　、　Ｔ
ｒｒｔ。

Ｄｙ　、　Ｐｒ　、　Ｈｏ　、　Ｎｄ　、　Ｙｂ及び’
Ｆａｒのうちの少なくとも１つを、Ｘ及びｙはＯ≦Ｘ≦
０．６及びＯ≦ｙ≦０，２なる条件を満たす数を表わす
。）で表わされる螢光体、特開昭５５−８４３８９号に
記載されている一般式がＢａＦＸ　：　ｘＣｅ　、　ｙ
Ａ　　（但し、ＸはＣ１、Ｂｒ及びＩのうちの少なくと
も１つ、ＡはＩｎ、　ＴＩ！、　Ｇｄ、　Ｓｍ及びＺｒ
のうち少なくとも１つであり、Ｘ及びｙはそれぞれＯ＜
　ｘ≦２ＸｌＯ−１及び０くｙ≦５ＸＩＯ−２である。

）で表わされる螢光体、特開昭５５−１６００７８号に
記載されている一般式が ■ Ｍ　ＦＸ・　ＸＡ　：　ｙＬｎ （但しＭｎはＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｂａ　、　Ｓｒ　、
　Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも１種、Ａは１１ｅＯ
、ＭｇＯ、Ｃａｂ。

Ｓ　ｒ　Ｏ＋　Ｂ　ａ　Ｏ＋　Ｚ　ｎ　Ｏ、Ａ　／２０
３　＋　Ｙｚ”ｓ　　＋　Ｌａ２Ｏ３。

Ｉｎ２Ｏ３，Ｓｉｎ□、　Ｔｉｅ、　、　ＺｒＯ２、Ｇ
ｅｍ□、　ＳｎＯ□。

Ｎｂ２Ｏ，、Ｔａ２０５　　及びＴｈｅ２　　のうちの
少なくとも１種、ＬｎはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ
、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈｏ　。

Ｎｄ　、　Ｙｔ）、　Ｅｒ　、　Ｓｍ及びＧｄのうちの
少なくとも１種であり、ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩのうちの
少なくとも１種であり、Ｘ及びｙはそれぞれ５　Ｘ　１
０　　≦Ｘ≦０．５及び０　＜　ｙ≦０．２なる条件を
満たす数である。）で表わされる希土類元素付活２価金
属フルオロハライド螢光体、一般式がＺｎＳ　：　Ａ、
　ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ、Ｃｄ）　Ｓ　：　Ａ、　ＺｎＳ
　：　Ａ、　Ｘ及びＣｄＳ：Ａ　、Ｘ（但しＡはＣｕ、
　　Ａｇ、　　Ａｕ又はＭｎであり、Ｘはハロゲンであ
る。）で表わされる螢光体、特開昭５７−１４８２８５
号に記載されている下記いづれかの一般式 ％式％ （式中、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ
　。

Ｂａ、Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦ。

Ｃｌ、Ｂｒ及びＩのうち少なくとも１種、ＡはＥｕ。

Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎ
ｄ　、　Ｙｂ、　Ｅｒ。

Ｓｂ、ＴＶ、Ｍｎ及びＳｎ　　のうち少なくとも１種を
表わす。また、Ｘ及びｙは０　＜　ｘ≦６．０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。）で表わされる螢光体、下
記いづれかの一般式 ％式％ ｃ式中、ＲｅはＬａ、　　Ｇｄ、　Ｙ　、　Ｌｕのうち
少なくとも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ｂａ　、　Ｓ
ｒ　、　Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ及びＸ′はＦ、
　Ｃ１，Ｂｒのうち少なくとも１種を表わす。また、Ｘ
及びｙは、Ｉ　Ｘ　ｔｏ−４＜　ｘ　＜　３　Ｘ　ｔｏ
−’、ｌＸｌ０−’＜ｙ＜１×１０−１なる条件を満た
す数であり、ｎ　／　ｍは１×１０−”　＜　ｎ　／　
ｍ　＜　７　Ｘ　ｔｏ−’なる条件を満たす。）で表わ
される螢光体、及び下記一般式 ％式％： （但し、ＭｌはＬｉ　、　Ｎａ　、　Ｋ　、Ｒｂ及びＣ
５から選ばれる少くとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ
■はＢｅ　、　Ｍｇ　、　Ｃａ　、　Ｓｒ　、　Ｂａ　
、　Ｚｎ　、　Ｃｄ　、　Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少
なくとも１種の二価金属である。ＭｉはＳｃ、　Ｙ、　
Ｌｒ＋、　Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ｐｍ　。

Ｓｍ　＋　Ｅｕ　、Ｇｄ　、　Ｔｂ　、Ｄ　ｙ　＋　Ｈ
ｏ　＋　Ｅ　ｒ　、Ｔｍ　＋　Ｙｂ　。

ＬＩＪ　、　ｋｅ　’、　Ｇａ及びＩｎから選ばれる少
なくとも１種の二価金属である。ｘ　、　ｘ’及びＸ“
はＦ　、　Ｃ／。

Ｂｒ及び■から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであ
る。ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐ
ｒ　。

Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　　Ｅｒ、　Ｇｄ、　　Ｌｕ、
　　Ｓｍ、　Ｙ、　Ｔｅ　　。

Ｎａ、　Ａｇ、　Ｃｕ及びＭｇ　　から選ばれる少なく
とも１種の金属である。

またａは、０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは０
≦ｂ＜０５の範囲の数値であり、ＣはＯくＣ≦０２の範
囲の数値である。）で表わされるアルカリハライド螢光
体等が挙げられる。特にアルカリハライド螢光体は、蒸
着、スパッタリング等の方法で輝尽性螢光体層を形成さ
せやすく好ましい。

しかし２、本発明の放射線画像変換パネルに用いられる
輝尽性螢光体は、前述の螢光体に限られるものではなく
、放射線を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽
発光を示す螢光体であればいかなる螢光体であってもよ
い。

前記輝尽性螢光体は支持体上に微細結晶化して気相堆積
されることによって、或は付加手段によって輝尽励起光
に対して不透明な輝尽性螢光体層とされ、本発明の放射
線画像変換パネルが作成される。

本発明の放射線像変換パネルの輝尽性螢光体層が前記微
細結晶を有する場合、第１図（ａ）の電子顕微鏡写真に
示すように微細な柱状結晶が前記輝尽性螢光体の層厚方
向に発達する構造を有していることが好ましい。

この場合、同図（ｂ）に概要を示すように１つ１つの微
細柱状結晶ａ、　、　ａ２．　ａ３．・・・・・・の光
誘導効果により、前記結晶界面で輝尽励起光１１あるい
は輝尽発光１２は全反射を繰返しなから層厚方向に進行
する。その結果、前記放射線画像変換パネルに入射した
輝尽励起光１１は輝尽性螢光体層１３中でハレーション
を起して拡散することなく該螢光体層１３の深部まで到
達し、輝尽性螢光体を励起するので前記放射線画像変換
パネルの放射線に対する感度及び粒状性が向上すると同
時に画像の鮮鋭性も向上する。また前記放射線画像変換
パネルの輝尽性螢光体層１３の深部で発生した輝尽発光
１２も散乱して拡散することなく、該螢光体層１３０表
面に到達するので、放射線に対する感度及び粒状性が向
上する。

本発明の輝尽性螢光体層が前記構造を有する場合、輝尽
性螢光体の柱状結晶の光誘導効果により、前記輝尽性螢
光体層は微視的には輝尽励起光に対する透明性が高くな
るが、巨視的には微細な柱状結晶の集合体であるので前
記微細柱状結晶粒子表面での輝尽励起光の乱反射により
不透明となる。

ただし、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体
層は不透明であれば良く、微細柱状結晶構造を有する必
要はかならずしもない。

本発明の放射線画像変換パネルは前記の輝尽性螢光体の
少なくとも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性
螢光体層から成る輝尽性螢光体層群であってもよい。ま
た、それぞれの輝尽性螢光体層に含まれる輝尽性螢光体
は同一であってもよいが異っていてもよい。

次に、前記輝尽性螢光体層が輝尽励起光に対して不透明
である本発明の放射線画像変換パネルの製造方法につい
て説明する。

第１の方法として蒸着法がある。該方法に於ては、まず
支持体を蒸着装置内に設置した後装置内を排気して１０
−　　Ｔｏｒｒ　　程度の真空度とする。次いで、前記
輝尽性螢光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクト
ロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表面
に輝尽性螢光体を所望の厚さに堆積させる。

この結果、輝尽励起光に対して不透明な輝尽性螢光体層
が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽
性螢光体層を形成することも可能である。また、前記蒸
着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビー
ムを用いて共蒸着を行うことも可能である。

蒸着終了後、必要に応じて前記輝尽性螢光体層の支持体
側とは反対の側に保護層を設けることにより本発明の放
射線画像変換パネルが製造される。

なお、保護層上に輝尽性螢光体層を形成した後、支持体
を設ける手順をとってもよい。

また、前記蒸着法に於ては、輝尽性螢光体原料を複数の
抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着
し、支持体上で目的とする輝尽性螢光体を合成すると同
時に輝尽性螢光体層を形成することも可能である。

さらに前記蒸着法に於ては、蒸着時、必要に応じて被蒸
着物（支持体あるいは保護層）を冷却あるいは加熱して
もよい。また、蒸着終了後輝尽性螢光体層を加熱処理し
てもよい。また、前記蒸着法に於ては、必要に応じて０
□＋　Ｈ２等のガスを導入して反応性蒸着を行なっても
よい。

第２の方法としてスバ・ツタリング法がある。該方法に
おいては、蒸着法と同様に支持体をスバ・ンタリング装
置内に設置した後装置内を一旦排気して１Ｏ−６Ｔｏｒ
ｒ　Ｆｐ度の真空度とし、次いでスバ・ツタリング用の
ガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング
装置内に導入してＩＱ−３Ｔｏｒｒ　　程度のガス圧と
する。

次に、前記輝尽性螢光体をターゲ・ｙ）として、スパッ
タリングすることにより、前記支持体表面に輝尽性螢光
体層を所望の厚さに堆積させる。

前記スパッタリング工程では蒸着法と同様に複数回に分
けて輝尽性螢光体層を形成することも可能であるし、ま
た、それぞれ異った輝尽性螢光体からなる複数のターゲ
７）を用いて、同時あるいは順次、前記ターゲットをス
バ・ノタリンゲして輝尽性螢光体層を形成することも可
能である。

スパッタリング終了後、蒸着法と同様に必要に応じて前
記輝尽性螢光体層の支持体側とは反対の側に保護層を設
けることにより本発明の放射線画像変換パネルが製造さ
れる。なお、保護層上に輝尽性螢光体層を形成した後、
支持体を設ける手順をとってもよい。

前記スパッタリング法に於ては、複数の輝尽性螢光体原
料をターゲットとして用い、それを同時あるいは順次ス
パッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性螢光体
を合成すると同時に輝尽性螢光体層を形成することも可
能である。また、前記スパッタリング法に於ては、必要
に応じて０２゜Ｈ２等のガスを導入して反応性スパッタ
リングを行ってもよい。

さらに前記スパッタリング法に於ては、スパッタリング
時必要に応じて被蒸着物（支持体あるいは保護層）を冷
却あるいは加熱してもよい。またスパッタリング終了後
輝尽性螢光体層を加熱処理してもよい。

第３の方法としてＣＶＤ法がある。また、第４の方法と
してイオンブレーティング法がある。

前記本発明の製造方法に於て、輝尽性螢光体層の堆積速
度は０．２μｍ／分〜３００μｍ／分であることが好ま
しい。堆積速度が０．２μｍ／分未満の場合には輝尽性
螢光体層が透明となり易いばかりか本発明の放射線画像
変換パネルの生産性が低く好ましくない。

また、堆積速度が３００μｍ　７分を越える場合には堆
積速度のコントロールが難しく好ましくない。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層の層厚
は目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感
度、輝尽性螢光体の種類等によって異なるが、３０μｍ
〜１０００　ａｍの範囲から選ばれるのが好ましく、５
０μｍ〜８００μｍの範囲から選ばれるのがより好まし
い。輝尽性螢光体層の層厚を３０μｍ未満にした場合に
は放射線吸収率が極端に低下して放射線感度が悪くなり
、画像の粒状性が劣化するばかりか、輝尽性螢光体が透
明となり易く、輝尽励起光の輝尽性螢光体層中での横方
向への広がりが著しく増大し、画像の鮮鋭性が劣化する
傾向にあるので好ましくない。

本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層が微細
柱状結晶を有する場合には、該微細柱状結晶の大きさは
、柱の直径が１μｍ〜３００μｍ、好ましくは１μｍ〜
１５０１１ｍの範囲から選ばれる。微細柱状結晶か細す
ぎる場合には、輝尽性螢光体層の散乱性が強まり、輝届
励起光が拡散して放射線画像変換パネルの画像の鮮鋭性
が劣化するので好ましくない。また、微細柱状結晶が太
すぎる場合には、輝尽性螢光体層が透明となり易く、輝
尽励起光の輝尽性螢光体層中での横方向への広がりが増
大し、画像鮮鋭性が劣化するので同様に好ましくない。

本発明に於て輝尽性螢光体層を輝尽励起光に対して不透
明にするには前述のように輝尽性螢光体の気相堆積時に
該螢光体層が微細結晶の集合体となるようにコントロー
ルしてもよいし、輝尽性螢光体層を輝尽励起光波長領域
の光を吸収するような色素、顔料等で着色してもよい。

また、前記輝尽性螢光体層の輝尽励起光入射側とは反対
の面に前記輝尽励起光波長領域の光を吸収する吸収層を
設けてもよい。

更に前記方法は組合わせて用いてもよい。

第２図（ａ）は、本発明の放射線画像変換パネルの１例
についての輝尽性螢光体層厚及び該層厚に対応する輝尽
性螢光体の耐着量と放射線に対する感度との関係、第２
図（ｂ）は前記本発明の放射線画像変換パネル例の輝尽
性螢光体層厚と該放射線画像変換パネルによって得られ
る画像の鮮鋭性との関係を示している。

本発明の放射線画像変換パネルのように螢光体を堆積さ
せた気相堆積型の輝尽性螢光体層は、従来の螢光体を結
合剤中に懸濁分散させた分散型の放射線画像変換パネル
と比較すると明かなように結着剤を含んでいないので輝
尽性螢光体の耐着量（充填率）が従来の放射線画像変換
パネルの約２倍あり、輝尽性螢光体層単位厚さ当りの放
射線吸収率が向上し、従来の放射線画像変換パネルより
放射線に対して高感度となるばかりか、画像の粒状性が
向上する。

また、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層
のように輝尽性螢光体の微細結晶が輝尽性螢光体層の層
厚方向に発達しており、該層の光誘導効果によって輝尽
励起光及び輝尽宛先の指向性に優れている場合には従来
の分散型の放射線画像変換パネル上り層厚を厚くするこ
とが可能である。

更に、本発明の放射線画像変換パネルの気相堆積型輝尽
性螢光体層は前述のように不透明であるので前記輝尽励
起光の輝尽性螢光体層中での横方向への広がりが減少し
、画像の鮮鋭性が著しく向上する。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス、金ｆｉ　ｅ　カ用
いられ、セルロースアセテートフィルム、ホ゛リエステ
ルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポ
リアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテー
トフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプラス千ツ
クフィルム、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シ
ート、或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが
好ましい。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性螢
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よいし反射層あるいは吸収層を設けてもよい。また、支
持体の表面は第３図（ａ）に示すような凹凸面３１とし
てもよいし、（ｂ）に示すように隔絶されたタイル状板
３３を敷きつめた構造でもよい。第３図（ａ）の場合に
は輝尽性螢光体層が第３図（Ｃ）の断面図に示すような
凹凸面３１によって細分化されるので画像の鮮鋭性が一
段と向上する。第３図（ｂ）の場合には輝尽性螢光体層
が支持体のタイル状板３３の輪郭を維持しながら堆積す
るので、結果的には輝尽性螢光体層は第３図（ｄ）の断
面図に示すように亀裂３６によって隔絶された輝尽性螢
光体の柱状ブロック３５から成るため、画像の鮮鋭性が
一段と向上する。

さらに、これら支持体は輝尽性螢光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性螢光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい。また、これら支持体の層厚は用いる支
持体の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜
２０００　ｔｉｍであり、取扱い上の点からさらに好ま
しくは８０　ｔｒｍ〜１０００μｍである。

本発明の放射線画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性螢光体層が露呈する面に、輝尽性螢光体層を物
理的にあるいは化学的に保護するための保護層が設けら
れてもよい。この保ａＦＴＩは保護層用塗でｉ液を輝尽
性螢光体居士に直接塗布して形成してもよいし、あるい
はあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性螢光体層上に
接着してもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース
、ニトロセルロース、ホ゛リメ千ルメタクリレート、ボ
リビニルフ゛チラール、ポリビニルホルマールカーボネ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等の通常の保護
層用材料が用いられる。また、この保護層は蒸着法、ス
パッタ法により、ＳｉＣ　、　ＳｉＯ□．　ＳｉＮ，　
Ａ／２０３などの無機物質を積層して形成してもよい。

これらの保護層の層厚は一般には０．１／１ｍ〜１００
　ａｍ程度が好ましい。

本発明の放射線画像変換パネルは第４図に概略的に示さ
れる放射線画像変換方法に用いられた場合、優れた鮮鋭
性、粒状性および感度を与える。

すなわち、第４図において、４１は放射線発生装置、・
１２は被写体、４３は本発明の放射線画像変換パネル、
４４は輝尽励起光源、４５は該放射線画像変換パネルよ
り放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、４６は
４５で検出された信号を画像として再生する装置、４７
は再生された画像を表示する装置、４８は輝尽励起光と
輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィル
ターである。なお、４５以降は４３からの光情報を何ら
かの形で画像として再生できるものであればよく、上記
に限定されるものではない。

第４図に示されるように、放射線発生装置４１からの放
射線は被写体４２を通して本発明の放射線画像変換パネ
ル４３に入射する。この入射した放射線は放射線画像変
換パネル４３の輝尽性螢光体層に吸収され、そのエネル
ギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。

次にこの蓄積像を輝尽励起□光源４４からの輝尽勤先で
励起して輝尽発光として放出せしめる。放射線画像変換
パネル４３は、輝尽性螢光体層が輝尽励起光に対し不透
明であるので輝尽励起光の該輝尽性螢光体層中での指向
性が高く、前記輝尽励起光による走査の際に輝尽励起光
が輝尽性螢光体層中で拡散するのが抑制される。

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー砒に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置ｉ￥
４６によって画像として再生し、画像表示装置４７によ
って表示することにより、被写体の放射線透過像を観察
することができる。

（実施例） 次に本発明を実施例によって説明する。

実施例　１ 支持体として５００μｍ　厚の化学強化ガラスを蒸着器
中に設置し、該支持体を１５０°Ｃに加熱した。

次にエレクトロンビーム蒸着用の水？９ｒ　ＩＪＡ　坩
ｔ／＆　中ニアルカリハライド輝尽性螢光体（　ＲｂＢ
ｒ　：　０．０００６Ｔｅ）を入れ、所定の位置にセ・
ノドし、続いて蒸着器を排気して２　Ｘ　１０−６Ｔｏ
ｒｒ　　の真空度とルた。

次にエレクトロンビームガンに電流を流し、エレクトロ
ンビーム法によってアルカツノ１ライド輝尽性螢光体を
加熱蒸発させ化学強化ガラス上に輝尽性螢光体層の層厚
が３００　ｔｉｍ　　の厚さになるまで堆積させ、本発
明の放射線画像変換パネルＡを得た。なお、蒸着速度は
５μｍ／分であった。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ａに管電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０　ｍＲ照射した後、
Ｈｅ−Ｎｅ　　レーザ光（　６３３　ｎｍ　）で輝尽励
起し、輝尽性螢光体層から放射される輝尽発光を光検出
器（光電子増倍管）で光電変換し、この信号を画像再生
装置によって画像として再生し、銀塩フィルム上に記録
した。信号の大きさより放射線画像変換パネルＡのＸ線
に対する感度を調べ、また得られた画像より、画像の変
調伝達関数（ＭＴＦ）および粒状性を調べ第１表に示ス
。

第１表において、Ｘ線に対する感度は本発明の放射線画
像変換パネルＡを１００として相対値で示しである。ま
た、変調伝達関数（ＭＴＦ）は、空間周波数が２サイク
ル／Ｋ１１の時の値であり、粒状性は（良い、普通、悪
い）をそれぞれ（○，△．×）で示しである。

また、本発明の放射線画像変換パネルＡの輝尽性螢光体
層の平行光透過率を第５図に示す装置（阿部設計製ドラ
ムスキャンデンシトメータ　モデル２６０５　’）で測
定し、第１表に併記する。なお用いた光の波長は６３０
　ｎｍ　であった。

実施例　２ 支持体として５００μｍ　厚の化学強化ガラスを高周波
スパッタリング装置中に設置し、該支持体を２００℃に
加熱した。次にスパッタリング・ターゲットとしてアル
カリハライド輝尽性螢光体（０，９５ＲｂＢｒ　ｌＩＯ
，０５ＣｓＦ　：　０．００１　Ｔｌ　）　　をスパッ
タリング装置内に設置し、続いてＩ　Ｘ　ｔＯ−Ｔｏｒ
ｒ　　の真空度まで排気した。スパッタリングガスとし
てＡｒガスを導入しながらスパッタリングを行い、化学
強化ガラス上に輝尽性螢光体層の層厚が３００μｍにな
るまで堆積させ、本発明の放射線画像変換パネルＢを得
た。なお、スパッタリング速度は４μｍ／分であった。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｂは、実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併
記する。

実施例　３ 実施例１に於て、支持体として化学強化ガラスを用いる
代わりに、陽極酸化法により表面を酸化させた５００μ
ｍ　厚のアルミニウムシートを封孔処理し、これに２０
０℃以上の熱処理を加えて酸化アルミニウム層に多数の
亀裂を発生させ、この亀裂によって隔絶されたタイル状
板を敷きつめた構造を有する支持体を用いる以外は実施
例１と同様にして本発明の放射線画像変換パネルＣを得
た。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｃは、実施例１と同様にして評ｒ１１５シ、結果を第１
表に併記する。

比較例　１ アルカリハライド輝尽性螢光体（ＲｂＢｒ：０．０００
６ｒｌりｓ重量部とポリビニルブチラール樹脂１重量部
とを溶剤（シクロヘキサノン）５重量部を用いて混合・
分散し、輝尽性螢光体層用塗布液を調整した。次にこの
塗布液を水平に置いた３００μｍ厚の支持体としての化
学強化ガラス上に均一に塗布し、自然乾燥させて３００
μｍ　厚の輝尽性螢光体層を形成した。

このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＰ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第１表に併記す
る。

第１表 第１表より明らかなように本発明の放射線画像変換パネ
ルＡ−Ｃは、対応する輝尽性螢光体層厚を有する比較の
放射線画像変換パネルＰに比べてＸ線感度が約２倍高く
、しかも画像の粒状性が優れていた。これは本発明の放
射線画像変換パネルは気相堆積法により製造されている
ため輝尽性螢光体層中の輝尽性螢光体の充填率が塗布に
より製造した比較のパネルに比べて高くＸｍの吸収率が
良いためである。

また、本発明の放射線画像変換パネルＡ−Ｃは対応する
輝尽性螢光体層厚を有する比較の放射線画像変換パネル
Ｐに比べてＸ線感度が高いにもがかわらず鮮鋭性の点で
も優れていた。

これも本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性螢光体層
が微細柱状結晶の構造を有し、輝尽励起光の指向性が高
いために、輝尽励起光であるＨｅ−Ｎｅ　レーザの輝尽
性螢光体層中での散乱が減少するためである。

特に本発明の放射線画像変換パネルＣは、支持体に工夫
を加えて、支持体の亀裂によって輝尽性螢光体層中にも
亀裂を入れ、これによって輝尽性螢光体層を細分化する
ことにより、輝尽性螢光体層中での輝尽励起光の散乱を
一層抑制・減少することが可能となり、その結果画像の
鮮鋭性が一段と向上した。

実施例　４ 実施例２に於て、輝尽性螢光体層の層厚を６０μｍ　に
したこと以外は実施例２と同様にして本発明の放射線画
像変換パネルＤを得た。

このようにして得られた本発明の放射４線画像変換パネ
ルＤは実施例１と同様にして１秤価し、結果を第２表に
示す。

実施例　５ 実施例４に於て、支持体の加熱温度を３５０°Ｃとし、
スパッタリンゲ速度を０．８１＋ｍ／　分としたこと以
外は実施例４と同様にして本発明の放射線画像変換パネ
ルＥを得た。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｅは実施例１と同様にして評価し、結果を第２表に併記
する。

実施例　６ 実施例４に於て、支持体の加熱温度を３５０’Ｃとし、
スパッタリング速度を２０μｍ／分としたこと以外は実
施例４と同様にして本発明の放射線画像変換パネルＦを
得た。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｆは実施例１と同様にして評価し、結果を第２表に併記
する。

比較例　２ 実施例、１に於て、輝尽性螢光体層の層厚を２０μｍ　
にしたことと、スパッタリンゲ速度を０．０５／Ｊｍ／
分としたこと以外は実施例５と同様にして比較の透明輝
尽性螢光体層を有する放射線画像変換パネルＱを得た。

このようにして得られた比較の放射線画像変換パネルＱ
は実施例１と同様にして評価し、結果を第２表に併記す
る。

第２表 第２表から明らかなように本発明の放射線画像変換パネ
ルＤに比較して比較のパネルＱは輝尽性螢光体層厚が薄
いにもかかわらず画像の鮮鋭性は劣っていた。これは比
較のパネルＱは輝尽性螢光体層が透明であるので輝尽励
起光の横方向への広がりが大きくなるためである。

川に比較のパネルＱは、スパッタリング速度を速めると
輝尽性螢光体層の透明性が失われるため高速スパッタリ
ングが行なえず生産性が著しく悪い。

なお、本発明の放射線画像変換パネルＤ、ＴＩＥ。

Ｆは平行光透過率の向上にともない鮮鋭性が低下する傾
向にあった。

実施例　６ 実施例１に於て、輝尽性螢光体としてアルカリ土類弗化
ハロケン化物螢光体（ＢａＦ’Ｂｒ　：　０．００２　
ＥＬＩ）を用いる以外は実施例１と同様にして本発明の
放射線画像変換パネルＧを得た。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｇは、実施例１と同様にして評価し、結果を第３表に示
す。

（発明の効果） 以上述べてきたように、本発明によれば、本発明の放射
線画像変換パネルは輝尽性螢光体を気相堆積した輝尽性
螢光体層であり、且つ該層は輝尽励起光に対し不透明で
あるので輝尽性螢光体層中での輝尽励起光の横方向への
広がりが抑制され、輝尽励起光の広がりに起因する画像
の鮮鋭性の劣化が防止できる。

また、本発明の輝尽性螢光体層が気相堆■Ｊの結果とし
て微細柱状結晶構造を有する場合には、カ［Ｉ尿性螢光
体層中での輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が向上し、
輝尽性螢光体層内部からの輝尽発光が検出できるので感
度が向上すると同時に輝尽励起光の散乱が低減されるの
で画像の詳説性が向上する。

また、本発明によれば輝尽性螢光体層中に結着剤が含ま
れないため、輝尽性螢光体の充填率が向上し、放射線に
対する感度が向上すると同時に放射線による量子モトル
と輝尽性螢光体層の構造モトルが減少するので画像の粒
状性が向」ニする。

本発明は、その効果が極めて大きく、工業的に有用であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の輝尽性螢光体層のクロスセクシ
ョンの電子顕微鏡写真、同図（ｂ）は該螢光体層に於る
光誘導効果の説明図である。 第２図は本発明の放射線画像変換パネルの１例に於る輝
尽性螢光体の層厚（付着旦）と相対感度（同図（ａ））
及びＭＴＦ（同図（ｂ））の関係を示す。 なお、第６図（ａ）及び（ｂ）に従来の分散型輝尽性螢
光体層の第２図（ａ）及び（ｂ）に対応する特性を示す
。 第３図は本発明に係る支持体の輝尽性螢光体を堆積させ
る面（同図（ａ）及び（ｂ））、及び堆積された後の状
態をスキマチックに表した断面図である。 第４図は本発明の放射線画像変換パネルを用いる放射線
画像変換方法の概要図である。 第５図は本発明に係る平行光透過率の測定に用いる装置
の概要図である。 第７図は透明輝尽性螢光体層を有する放射線画像変換パ
ネルに於るハレーションを示す断面図で図面の浄書ζ内
１ ある。 １１・・・・・輝尽励起光、 １２・・・・・・・輝尽発光、 １３・・・・・・・・・輝尽性螢光体層、３１及び３２
・・・・・・・・支持体、３３・・・・・・・・タイル
状板 ３４及び３５・・・・・・・・・輝尽性螢光体層、３６
・・・・・・・・・亀裂、 ４１・・・・・・・・・放射線発生装置、４２・・・・
・・・・被写体、 ４３・・・・・・・・・パネル ４４・・・・・・・・・輝尽励起光源、４８・・・・・
・・・・フィルタ。 出願人　　小西六写真工業株式会社 冶こ変更なし） 第２図 （ｂ） 第４図 第５図 ５１　　ハｏ’ｒ−ンランプ ５３　、６５　　　了１＼−キイー ５９　　１人圭斗 第６図 （ａ） （ｂ） °　　　　′”°０赫甲、） 第７図 ７１　速Ｂ已９Ｙ鵞尽性宝礼体眉 手奪、″、もｕ１Ｅ摺：（方式） ％式％ ２、発明の名称 放射線画像変換パネル及びその製造方法３、補正をする
者 ｉ１丁訃との関係　特許出；９ｎ人 ＩＦ所　東京都新宿区西折宿１丁目２６番２号小西六写
真工業株式会１１　　（電話０．１２５−８３−１５２
１）特　　許　　部 ・ｔ、補正命令の日付 昭和６１年ｌ７１３［−］（］発送ロ昭和６１年１月２
８日５、補正の料象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄及び「図面」６、補
正の内容 （１）１図面の簡単な説明」の欄に於て、［第１図（、
）は・−・の電子顕微鏡写真、」とあるを、「第１図（
ａ）は本発明の輝尽性蛍光体層の結晶構造のクロスセク
ションの電子顕微鏡写真、」と訂正する。 （２）「図面」の第１図（ａ）及び（ｂ）を別紙の辿り
訂正する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に少くとも一層の輝尽性蛍光体層を有す
   る放射線画像変換パネルに於て、前記輝尽性蛍光体層は
   輝尽性蛍光体を気相堆積した層であり、且つ該層は輝尽
   励起光に対し不透明であることを特徴とする放射線画像
   変換パネル。
2. （２）支持体上に少くとも一層の輝尽性蛍光体層を有す
   る放射線画像変換パネルの製造に於て、前記輝尽性蛍光
   体層は輝尽性蛍光体層を気相堆積して形成し、輝尽励起
   光に対し輝尽性蛍光体層を不透明に構成することを特徴
   とする放射線画像変換パネルの製造方法。