JPS62107066A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 真空蒸着装置、スパッター装置、イオンブレーティング
装置などの厚膜形成装置は、金属ヤ金属酸化物、有機物
等の膜形成物質を蒸発させて基板上にそれらの薄膜を形
成するもσつである。。

本発明は紙や高分子フィルムなどり長尺基板を真空条件
下で連続的に膜形成域を通して巻出軸より巻取軸まで走
行させ、この間に膜形成物質を蒸発せしめ基板表面に堆
積して薄膜を得るものであり、金属化紙、金属化フィル
ムの形成に用いられる連続巻取式の薄膜形成装置に関す
る。

〈従来例の構成とその問題点〉 真空中で有機物や、金属、金属酸化物、希土類を基板表
面に付着させる、いわゆる物理的堆積法で薄膜を得る方
法は以前から知られているところである。これらの薄膜
形成技術は半導体工業干、包装、装飾用フィルム、コン
デンサーの電極用としての金属化フィルム、反射防止膜
の形成などに応用されて来た。また特に近年に至って強
磁性材料による磁性薄膜の形成が真空蒸着法あるいはス
パタリング法で開発されて以降、磁気記録媒体の製造法
として物理的堆積法が脚光をあびている。

半導体製造や反射防止膜製造用の薄膜形成装置は比較的
小型の装置が用いられるが、包装。

装飾、コンデンサー、磁性薄膜などの長尺基板に薄膜を
形成するものについては比較的大型の真空槽内で長尺基
板を移送できる薄膜形成装置が用いられる。これら長尺
基板を使用する大型の薄膜形成装置は真空槽内に基板の
巻出軸９巻取軸、７リーローラ等の基板移送手段と、膜
形成物質の蒸発手段を設は基板を連続走行させながら基
板表面に薄膜を形成する。薄膜が形成された基板の取出
し、あるいは基板の取付け、また真空槽内の部品ＪＦ壁
などに付着した蒸着物質の除去のため真空槽を開閉する
ための機構としては、大型の従来の薄膜形成装置の場合
、巻堰軸２巻出軸などの基板移送手段を保持する２枚の
プレートと共に移動台車に固定して真空槽より基板移送
手段全体を移動するか、逆に基板移送手段を固定し、真
空槽側を移動するかいずれかの方式のものであった。こ
のため従来の大型の薄膜形成装置においては上記の作業
が装置を設置（−た室を汚染し、かかる作業により発生
するダストが基板に付着しグツといわれる微小な凹凸や
ピンホールなどの原因となり、製品の特性を著しく損ね
℃いた。

〈発明の目的〉 本発明は大型の連続巻取式の薄膜形成装置であ・〕て、
膜形成物質の交換、マスクその曲真空槽内の清掃、基板
の交換などの際に発生するゴミ、ダスト、真空槽内への
堆積付着物の剥離片などによる雰囲気の汚染が防止でき
、且つ作業性の良い連続巻取式の薄膜形成装置を提供す
るものである。

〈発明の構成及び作用〉 上述の目的は以下の本発明により達成される。

すなわち、本発明は、真空槽内に膜形成物質の蒸発手段
と、その膜形成域を通るように長尺の基板を移送するロ
ーラ系からなる基板移送手段とを設け、基板上に薄膜を
連続的に形成するようにな１−た薄膜形成装置において
、基板移送手段を真空槽の一側壁となるベースプレート
に支持すると共に該ベースプレートは側壁となる位置と
少なくとも基板移送手段が真空槽外となる位置との間で
移動可能となっており、かつベースプレートの側壁に対
峙する能力゛の側壁が開閉可能となっていることを特徴
とする薄膜形成装置である。又、上述の本発明において
、真空槽を固定とし、真空槽の両側で装置外をベースプ
レート側とそれに対峙した対向壁側、とり２つの室とな
るように隔壁で仕切ると、磁気記録媒体等の如（クリー
ン度の高い雰囲気下での製造が要求される場合に更に適
したものとなる。

以下、本発明の詳細を実施例に基いて説明する。

第１図、第２図は本発明の一実施例を示す連続巻堆式ス
バタリング装置の構成を示す正面図と平面図である。な
お、本実施例はスパタリング装訛で行ったが、本発明は
、蒸着装置、イオンプレーティソゲ装置その池の蒸発手
段からの蒸気状の膜形成物質を基板上に堆積させて薄膜
を形成する薄膜形成装置に適用できることはその趣旨か
ら当然である。

円筒型の真空槽１は遮蔽板２により上室３と下室４に分
離され、上室３は真空パルグアを経て排気管６により真
空排気され、下室４は真空バルブ８を経て排気管５によ
り真空排気される。

真空槽１にはさらに膜形成物質を蒸発させる蒸発手段２
０本例ではターゲットを含むカソードが設けられてシ・
る。真空槽本体１ａは円筒ドラムからなり固定されてい
る。そして側壁１ｂが開閉可能に設けられている。すな
わち、本実施例では側壁１ｂは皿状体からなりヒンジ（
図示省略）により矢印Ｂ方向に回転し、開閉が可能なよ
うになっている。しかし、全体が前後又は左右等に移動
させて開閉させるものでもよい。

一方の側壁は基板Ｆを移送する巻取軸９１巻巻出軸０．
フリーローラ１１．被膜堆積ローラである冷却ドラム１
２などのローラ系からなる基板移送手段を設置したペー
スプＬ／−）５０により構成される。ベースプレート５
０は移動台車２２の上に設置し、真空槽本体１ａの軸方
向に少なくとも基板移送手段が本体１ａの外に出る位置
まで矢印Ａ方向に移動可能となっている。

図のＭ、、　Ｍ、、　Ｍ、及び９ａ＋　　ｌＯａ、１２
ｍは、夫々巻取軸９２巻出軸ｉｏ、冷却ドラム１２の駆
動モータと駆動軸である。そして、本例の連続巻取式ス
パタリング装置は、移動台車２２が矢印Ａと逆方向に移
動することによりベースプレート５０の７ランク部と本
体１ａの７ランク部３１とか封止用のゴムリング（図示
省略）を介して密着し、一方側壁１ｂが矢印Ｂと逆方向
に回転することにより側壁の７ランク部３３と本体１＆
の７ランク部３２とがゴムリング（図示省略）を介し℃
密着することにより図示されたように全体が１つの真空
槽を形成する。

又、真空槽本体１ａの部分で隔！１４ｏにより本装置は
ベースプレート５０側とそれに対峙した側壁ｌｂ側との
２つの室に区切られている。

即ち真空槽１ａによって隣接した２つの室の振器が貫通
された構成となっている。そして移動台車２２が移動す
るベースプレー）５０側の室は特にクリーン度を考慮し
ない室であるが、これに対峙する側壁１ｂ側の室はクラ
ス１０００以下のクリーン度を保った室とした。

上述の構成の連続巻−取式薄膜形成装置を用いて基板Ｆ
として巾６０σ、長さ６００ｍのポリエステルフィルム
を巻出軸１０にセフ）Ｌ、フリーローラー１！、冷却ド
ラム１２を経て巻取軸９に巻取って走行させ、この間蒸
発手段２゜のスバタリングカソードで銅をスパタリング
し、銅被膜を形成した。このときの条件は真空槽１内真
空度Ｉ　Ｐａ　＋ポリエステ／Ｌ−フィルムの厚さ５０
μｍ、走行速度２　ｍ　／顛、Ｍ被膜の膜厚５ｏｏＸで
あった。

スパタリング終了後、まず側壁１ｂを開けてフィルムを
取出した。次いで側壁ｉｂを閉じ、移動台車２２を矢印
Ａ方向に移動し、ターゲットの交換、マスクその他の清
掃を行った。これらの作業終了後、移動台車２２を矢印
Ａと逆方向に移動し真空槽本体１ａＫｉａ着させ、ボル
トにより密閉した１次いで再び＊ｊ３１１ｂ１に開けて
新しいフィルムをセットし、側壁１ｂを密閉し、真空排
気な開始したつ かかる一連の作業において側壁ｌｂ側の室；のクリーン
度はクラス１０００を保ったままであった。また得られ
た銅被膜されたフィルムは異物の付着、ピンホール等の
ない良好なものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の構成を示す正面からの構成図
、第２図はその上面からの構成図である。 １：真空槽　１ｂ：側壁　２？／：移動台車４０：隔壁
　５０：ベースプレート 特許出願人　帝人株式会社　、−１゜ ７゛　　　＼。 代理人　弁理士　　前　　１）　純　　博；１、゛）゛
−／″

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空槽内に膜形成物質の蒸発手段と、その膜形成域
   を通るように長尺の基板を移送するローラ系からなる基
   板移送手段とを設け、基板上に薄膜を連続的に形成する
   ようになした薄膜形成装置において、基板移送手段を真
   空槽の一側壁となるベースプレートに支持すると共に該
   ベースプレートは側壁となる位置と少なくとも基板移送
   手段が真空槽外となる位置との間で移動可能となってお
   り、かつベースプレートの側壁に対峙する他方の側壁が
   開閉可能となっていることを特徴とする薄膜形成装置。 ２、基板移送手段が少なくとも基板の巻出しローラ、巻
   取りローラ及び被膜堆積ローラからなるローラ系である
   特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 ３、真空槽外のベースプレートの側壁側とそれに対峙す
   る側壁側の空間が隔壁により仕切られている特許請求の
   範囲第１項若しくは第２項記載の膜膜形成装置。