JPS62108552A - 電力用半導体モジユ−ル - Google Patents

電力用半導体モジユ−ル

Info

Publication number
JPS62108552A
JPS62108552A JP61255965A JP25596586A JPS62108552A JP S62108552 A JPS62108552 A JP S62108552A JP 61255965 A JP61255965 A JP 61255965A JP 25596586 A JP25596586 A JP 25596586A JP S62108552 A JPS62108552 A JP S62108552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power semiconductor
ceramic
semiconductor module
base plate
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61255965A
Other languages
English (en)
Inventor
イエンス・ゴブレヒト
ラインホルト・バイエラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC Brown Boveri AG Germany
Original Assignee
Brown Boveri und Cie AG Germany
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Brown Boveri und Cie AG Germany filed Critical Brown Boveri und Cie AG Germany
Publication of JPS62108552A publication Critical patent/JPS62108552A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/611—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for connecting multiple chips together
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/685—Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/60—Strap connectors, e.g. thick copper clips for grounding of power devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07336—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/076—Connecting or disconnecting of strap connectors
    • H10W72/07651—Connecting or disconnecting of strap connectors characterised by changes in properties of the strap connectors during connecting
    • H10W72/07653—Connecting or disconnecting of strap connectors characterised by changes in properties of the strap connectors during connecting changes in shapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/886—Die-attach connectors and strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
    • H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/761—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors
    • H10W90/764—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of strap connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、少くとも片側が金属化されたセラミック台板
と該セラミック台板に平行にその上に配設された第２の
セラミック板とを有する電力用半導体モジュールに関す
る。電気的に絶縁された構造の上記のモジュールは、合
板として片側又は両側が金属化されたセラミック板を有
する。
［従来の技術］ 電力用半導体モジュールによって整流回路又はこの回路
の一部を実現することができる。そのために合板の上に
必要な素子、例えば半導体チップ、受動性部品及び結合
素子がはんだ付けされる。はんだ付け操作の際に、はん
だ付けすべき素子を適尚な場所に固定しなければならな
い。そのために通常はんだ付け型板が利用される。はん
だ付け型板は当該のモジュールのために特別に製造され
。
又はモノー−ルに適応させである。はんだ付け型板自体
の製造費とはんだ付け型板によるモジュールの製造のた
めの材料費と労働時間はモジュールの構造によって左右
される。
西独特許出願公開公報第３４０６５２８号ははんだ付け
型板の簡素化のための提案を含み、サンドイッチ状のモ
ジュール構造が提案される。その場合、半導体部品はセ
ラミック台板とセラミック・カバープレートの間に配設
される。部品の固定のために、カバープレートに挿入す
る心ぎめピンと心ぎめスリーブが必要である。合板とカ
バープレートの間の電気的結合はコンタクトポンチによ
って作られる。モジュールの製造のために、全体として
かなシ多数の個別部品が必要である。
電力用半導体モジュールのもう一つの問題は、半導体部
品によって可能になる高いスイッチング速度がモジュー
ル化した線路の高い漏れインダクタンスによって減少す
ることである。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的とするところは、公知の電力用半導体モノ
ー−ルの上記の欠点を回避することである。
［問題点を解決するための手段および作用］冒頭に挙げ
た種類の電力用半導体モジュールにおいて、合板、第２
のセラミック板及び場合だよっては別のセラミック板と
それぞれ間挿された金属化のための構造化金属箔からダ
イレクトホンディングによシ多層基板を形成し、その場
合第２のセラミック板と場合によっては別のセラミック
板が開口部を具備し、この開口部に装着部品が挿置され
、はんだ付け工程の間そこに固定されることによって、
上記の目的が達成される。好適な実施態様が特許請求の
範囲第２項ないし第７項に示されている。
［実施例］ 本発明のその他の紙部と利点は１図面に基づいて説明す
る下記の実施例で明らかである。
第３図は半導体回路を示し、破線で囲んだ回路部分１が
明示されている。回路部分１は電力用トランジスタ２及
び並列に接続されたダイオード３、電力用トランジスタ
２のデートＧの前の抵抗４から成る。電力用トランジス
タ２は電力用（縦形）ＭＯ８Ｏ８電界効果トランジスタ
シ、ダイオード３はショットキー・ダイオードである。
１個の電力用半導体モジュールに複数個の上記の回路部
分１を実現し、例えば並列に接続することができる。
第１図は第２図に記載した切断平面Ａ−Ｈの断面図を示
し、その際、第３図に明示した回路部分１の断面図が示
されている。
２枚のセラミック板６，７を含む基板５が第１図に示さ
れる。参照番号６はセラミック台板を表す。セラミック
台板６は図示しない冷却体に臨む下面に全面金属化層８
ｔ−１また上面に構造化金属化層９を着持する。構造化
金属化層９の上に第２のセラミック板７が配設される。
第２のセラミック板７は半導体部品２，３を収容するた
めの開口部１０を具備し、上面に第２の構造化金属化層
１１を着持する。すべての金属化層８，９．１１は、代
表的には厚さ０．１〜０．５稠の銅箔から成る。
基板５の各層すなわち全面金属層８、台板６、構造化金
属化層９．第２のセラミック板７、第２の構造化金属化
層１１及び場合によっては別のセラミック層と金属層は
直接結合（ダイレクトボンディング）によって１工程で
互いに結合される。この結合法は例えば西独特許出願公
開公報第３０３６１２８号に記載されている。
第２のセラミック板２の開口部１０に予めはんだを施し
た半導体部品２，３及び接続素子１２が挿置され、構造
化金属化層９と接触させられる。
第２の構造化金属化層１１と接触させられる接続素子１
３と抵抗４及びクリップ１４は、適当な開ロＳｔ−具備
し、第２のセラミック板７の金属化層１１の上に取付け
られた図示しない第３のセラミック板又は他の手段によ
シ固定することができる。
すべてのはんだ継手は同時に１行程で作られる。
続いてその他の内部結合がアルミニウム線１５のダンデ
ィングによりて作られる。
台板６は冷却体に対する絶縁のために使用され。
半導体部品２，３から冷却体へ排熱の際に熱抵抗を小さ
くする。第２のセラミック板７と場合によってはその上
に配設される別のセラミンク板はモジュールの構成部分
であるから、いわゆる使い捨てのはんだ付け型板とみな
される。但し使い捨てのはんだ付け型板とだけ考えられ
る訳でない。なぜなら基板５の多層構造は更にモジュー
ルの高い機械的強度をもたらし、モジュールの製造の際
に平坦な台板６を得ることを容易にするからである。
荷線又は駆動線のためのいわゆるメタルストリップ又は
ストリップ線路を作成することができる。
それＫよりて極めて小さなインダクタンスが得られ、ま
たストリップの幅と第２のセラミック板７の厚さを適当
忙定めれば、リード線に所定の特性インピーダンスが得
られる。こうして確定された巌路の形状寸法を外部接続
端子の製造の際に保持することが好ましい。すなわち接
続素子１２゜１３は構造化金属化層９，１１及び介在す
る第２のセラミック板７と同じ幅及び同じ有効間隔を有
する。
モジュールの配線の上記の構成は、使用者に対して例え
ばＭＯ８ｔ界効果トランジスタのスイッチング速度の利
用を著しく容易にする。チップ抵抗として構成された駆
動線の抵抗４によって、＋７−ド線のインピーダンス整
合成端が可能である。それと共にモジュール１θ内の場
合によりては多数の並列ＭＯ８ｒｔ界効果トランゾスタ
・ダートの間の寄生振動が抑制される。
また台板６の上に複数個の構造化セラミック層及び金属
層を上述したように積層することによって、電力用半導
体モジュールに駆動回路を混成的に統合することができ
る。その場合チップ形で実現された駆動回路がセラミッ
ク層の適当な開口部に挿置され、電力用半導体チップ２
，３と同様にはんだ付けないしはダンディングされる。
第２図はモジュールで実現された回路部分１の平面図を
示す。なお前述の部品のほかに別の細部が認められる。
第２のセラミック板２の開口部１０に空欠部１６があり
、第２のセラミック板７と場合によってはその上にある
別の層を買込て穴１７が設けられる。穴１７及び空欠部
１６によって生じるスロットは、後で注入される。電気
絶縁のたゆの軟質流し込コン・ンウント”が構造化金属
化層９，１１の間に人シ込むことを可能にする。
開口部１０と空欠部１６及び穴１７の作製はいわゆる生
で、すなわち未焼結のセラミック板で行われる。銅層の
構造はセラミックと結合する前に銅箔を適当に押抜くか
、又は銅層がその時なお近寄り易ければ、セラミックと
結合した後に＠をエツチングすることによって生じる。
装備を完了した基板５は公知のようにしてはんだ継手及
びがンディングを作製した上でフード状又はフレーム状
プラスチック外被の中に押入し、その際基板５がモジュ
ールの底をなす。モジュールの下面の全面金属化層８は
好適な構造と考えられるが、必ず必要という訳でない。
全面金属化層８は良好な熱接触をもたらし、例えば冷却
体表面の僅かな粗さを補償することができるから、熱伝
導ペーストなしでモジュールを組立てることができる。
グラスチック外被の上側開口からモノーールに軟質流し
込コン・やランドを、所望の液位まで充填することがで
きる。接続素子１２．１３はプラスチック外被の適当な
開口にス挿され、それによって所定の相互間隔が保証さ
れる。接続素子１２．１３に設けた伸縮わん曲部１８が
基板５に対して、外部接続端子から来る機械的負荷を緩
和する。
［発明の効果コ この発明圧よる電力用半導体モジュールは次のような効
果を有する。
モジュールの底を形成する基板の多層配列は、厚い銅箔
とセラミック板のダイレクトビンディングによって作ら
れる。銅箔の厚さは０．１ないし０．５唄である。この
ような基板は高い機械的強度を有する。従って底面の必
要な平坦度が高い精度で得られ、高い曲げ強さと破壊強
さが与えられる。
上記の基板は約１００１１：４での高温に耐える。
従って半導体素子と接続素子を例えば４００℃で水素雰
囲気ではんだ付けすることができる。その場合、セラミ
ック上の金属化層の付着強度が維持される。
厚い銅トラックが電力用半導体の熱損失電力の良好な付
加的横方向排出をもたらす。従って上記の部品を比較的
高い絶縁平面、例えば第２又は第３平面に取付けても小
さな熱抵抗が保たれる。
本発明に基づく基板構造は基板に帯状の通電を可能にす
るから、洩れインダクタンが小さい。
基板は第１のセラミック層によって底部金属化層又は銅
体に対して電気的に絶縁されている。その場合、絶縁電
圧は代表的には２．５　ｋＶ、ｆｆである。
この絶縁電圧は１つの層の別個のトラックの間又は異な
る層にあるトラックの間でも得られる。外部接続端子と
基板がス）　ＩＪツブ線路構造を有する場合も、冷却面
と上へ導かれる接続端子との間に必要な沿面距離とエア
ギャップが保たれる。
基板のセラミックの膨張はシリコンに整合し、はんだ継
手の相反応力に対する高い強さをもたらすＯ
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による電力用半導体モジュールの一実
施例の断面図、第２図はこの一実施例の平面図、第３図
はこの一実施例の電気回路図を示す０ ２・・・電力用トランジスタ、３・・・ダイオード、４
・・・抵抗、５・・・基板、６・・・セラミック板、７
・・・セラミック板、９・・・金属化層、１０・・・開
口部、１１・・・金属化層、１２・・・接続素子、１３
・・・接続素子、１４・・・クリップ。 出部人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦−二一

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少くとも片側が金属化されたセラミック台板と該
    セラミック台板に平行にその上に配設された第２のセラ
    ミック板とを有する電力用半導体モジュールにおいて、
    前記セラミック台板、第２のセラミック板及び場合によ
    っては別のセラミック板とそれぞれ間挿された金属化の
    ための構造化金属層からダイレクトボンディングにより
    多層基板を形成し、その際第２のセラミック板と場合に
    よりては別のセラミック板が開口部を具備し、この開口
    部に装着部品が挿置され、はんだ付け工程の間そこに固
    定されることを特徴とする電力用半導体モジュール。
  2. （２）冷却体に臨む前記台板の下面が金属層を具備する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の電力用
    半導体モジュール。
  3. （３）前記構造化金属層と第２のセラミック板から所定
    の特性インピーダンスを有するストリップ線路を形成し
    たことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に
    記載の電力用半導体モジュール。
  4. （４）前記ストリップ線路の所定の特性インピーダンス
    を外部接続端子まで継続するために、外部のモジュール
    接続端子のための接続素子をストリップ線路の幅と間隔
    で配設したことを特徴とする特許請求の範囲第３項に記
    載の電力用半導体モジュール。
  5. （５）挿設される制御可能な電力用半導体のための少く
    とも１個の駆動回路がモジュールに含まれることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１
    項に記載の電力用半導体モジュール。
  6. （６）モジュールがフード又はフレーム形プラスチック
    外被の中に挿入されていることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の電力用
    半導体モジュール。
  7. （７）前記セラミック台板の上のセラミック板と構造化
    金属層が空欠部及び穴を具備し、充填された軟質流し込
    コンパウンドがモジュールの所定の場所に到達すること
    を可能にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
    いし第６項のいずれか１項に記載の電力用半導体モジュ
    ール。
JP61255965A 1985-11-02 1986-10-29 電力用半導体モジユ−ル Pending JPS62108552A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3538933.8 1985-11-02
DE19853538933 DE3538933A1 (de) 1985-11-02 1985-11-02 Leistungshalbleitermodul

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62108552A true JPS62108552A (ja) 1987-05-19

Family

ID=6285033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61255965A Pending JPS62108552A (ja) 1985-11-02 1986-10-29 電力用半導体モジユ−ル

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4766481A (ja)
EP (1) EP0221399B1 (ja)
JP (1) JPS62108552A (ja)
DE (2) DE3538933A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63306651A (ja) * 1987-05-23 1988-12-14 ベーベーツエー・ブラウン・ボベリ・アクチエンゲゲゼルシャフト 電力用半導体装置とその製造方法

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4907068A (en) * 1987-01-21 1990-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor arrangement having at least one semiconductor body
DE3930858C2 (de) * 1988-09-20 2002-01-03 Peter H Maier Modulaufbau
DE4031733A1 (de) * 1990-10-06 1992-04-09 Bosch Gmbh Robert Mehrlagenhybride mit leistungsbauelementen
DE4105155C2 (de) * 1991-02-20 1994-07-07 Export Contor Ausenhandelsgese Stromrichterschaltungsanordnung
EP0506122A3 (en) * 1991-03-29 1994-09-14 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Power module
JP2656416B2 (ja) * 1991-12-16 1997-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法
DE4234022C2 (de) * 1992-10-09 1995-05-24 Telefunken Microelectron Schichtschaltung mit mindestens einem Leistungswiderstand
US6291878B1 (en) 1993-04-22 2001-09-18 Sundstrand Corporation Package for multiple high power electrical components
US5563447A (en) * 1993-09-07 1996-10-08 Delco Electronics Corp. High power semiconductor switch module
US5373627A (en) * 1993-11-23 1994-12-20 Grebe; Kurt R. Method of forming multi-chip module with high density interconnections
US5539254A (en) * 1994-03-09 1996-07-23 Delco Electronics Corp. Substrate subassembly for a transistor switch module
JP3429921B2 (ja) * 1995-10-26 2003-07-28 三菱電機株式会社 半導体装置
US5773320A (en) * 1995-11-13 1998-06-30 Asea Brown Boveri Ag Method for producing a power semiconductor module
DE19601650A1 (de) * 1996-01-18 1997-07-24 Telefunken Microelectron Anordnung zum Schutz elektrischer und elektronischer Bauelemente vor elektrostatischen Entladungen
US5777849A (en) * 1996-02-06 1998-07-07 Asea Brown Boveri Ag Power semiconductor module having elongate plug contacts
US5773887A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Motorola, Inc. High frequency semiconductor component
DE19700963C2 (de) * 1997-01-14 2000-12-21 Telefunken Microelectron Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls mit einer aktive Halbleiterbauelemente und passive Halbleiterbauelemente aufweisenden Schaltungsanordnung
EP0924845A3 (en) * 1997-12-22 2001-05-23 Omnirel LLC Power semiconductor module
US6127727A (en) * 1998-04-06 2000-10-03 Delco Electronics Corp. Semiconductor substrate subassembly with alignment and stress relief features
US5895974A (en) * 1998-04-06 1999-04-20 Delco Electronics Corp. Durable substrate subassembly for transistor switch module
US6310439B1 (en) * 1999-03-15 2001-10-30 Lutron Electronics Company, Inc. Distributed parallel semiconductor device spaced for improved thermal distribution and having reduced power dissipation
US6232151B1 (en) * 1999-11-01 2001-05-15 General Electric Company Power electronic module packaging
US6362964B1 (en) * 1999-11-17 2002-03-26 International Rectifier Corp. Flexible power assembly
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
US7211884B1 (en) 2002-01-28 2007-05-01 Pacesetter, Inc. Implantable medical device construction using a flexible substrate
DE10255629A1 (de) * 2002-11-28 2004-06-24 Siemens Ag Schaltungsanordnung und Spannungswandler
US6927546B2 (en) 2003-04-28 2005-08-09 Colorado Vnet, Llc Load control system and method
US7327024B2 (en) * 2004-11-24 2008-02-05 General Electric Company Power module, and phase leg assembly
DE102005047106B4 (de) * 2005-09-30 2009-07-23 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung
DE102006006175A1 (de) * 2006-02-10 2007-08-23 Ecpe Engineering Center For Power Electronics Gmbh Leistungselektronikanordnung
DE102006027481C5 (de) * 2006-06-14 2012-11-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen
US8154114B2 (en) * 2007-08-06 2012-04-10 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
US8018047B2 (en) * 2007-08-06 2011-09-13 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module including a multilayer substrate
US8427833B2 (en) * 2010-10-28 2013-04-23 International Business Machines Corporation Thermal power plane for integrated circuits
US8405998B2 (en) 2010-10-28 2013-03-26 International Business Machines Corporation Heat sink integrated power delivery and distribution for integrated circuits
US8253234B2 (en) 2010-10-28 2012-08-28 International Business Machines Corporation Optimized semiconductor packaging in a three-dimensional stack
TWI441406B (zh) * 2011-06-21 2014-06-11 Delta Electronics Inc 模組式直流電源轉換系統及其直流電源轉換模組
US8487407B2 (en) 2011-10-13 2013-07-16 Infineon Technologies Ag Low impedance gate control method and apparatus
KR102094566B1 (ko) 2012-08-31 2020-03-27 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈
DE102015115271B4 (de) 2015-09-10 2021-07-15 Infineon Technologies Ag Elektronikbaugruppe mit entstörkondensatoren und verfahren zum betrieb der elektronikbaugruppe
US10008411B2 (en) 2016-12-15 2018-06-26 Infineon Technologies Ag Parallel plate waveguide for power circuits
US10410952B2 (en) 2016-12-15 2019-09-10 Infineon Technologies Ag Power semiconductor packages having a substrate with two or more metal layers and one or more polymer-based insulating layers for separating the metal layers
JP7815634B2 (ja) * 2021-07-15 2026-02-18 富士電機株式会社 半導体装置
DE102024207008A1 (de) * 2024-07-25 2026-01-29 Volkswagen Aktiengesellschaft Leistungsmodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL275288A (ja) * 1961-02-28
DE1877556U (de) * 1963-05-28 1963-08-14 Roederstein Kondensatoren Zweiteiliges kunststoffgehaeuse fuer den einbau jeweils einer kompletten elektronischen baugruppe.
US3501582A (en) * 1968-04-18 1970-03-17 Burroughs Corp Electrical assembly
US3577181A (en) * 1969-02-13 1971-05-04 Rca Corp Transistor package for microwave stripline circuits
US3710193A (en) * 1971-03-04 1973-01-09 Lambda Electronics Corp Hybrid regulated power supply having individual heat sinks for heat generative and heat sensitive components
US3792383A (en) * 1971-06-21 1974-02-12 Motorola Inc Hybrid strip transmission line circuitry and method of making same
US4038488A (en) * 1975-05-12 1977-07-26 Cambridge Memories, Inc. Multilayer ceramic multi-chip, dual in-line packaging assembly
US3994430A (en) * 1975-07-30 1976-11-30 General Electric Company Direct bonding of metals to ceramics and metals
US4107728A (en) * 1977-01-07 1978-08-15 Varian Associates, Inc. Package for push-pull semiconductor devices
US4338621A (en) * 1980-02-04 1982-07-06 Burroughs Corporation Hermetic integrated circuit package for high density high power applications
US4320438A (en) * 1980-05-15 1982-03-16 Cts Corporation Multi-layer ceramic package
US4387388A (en) * 1980-07-14 1983-06-07 Ncr Corporation Package and connector receptacle
JPS5746662A (en) * 1980-09-04 1982-03-17 Toshiba Corp Semiconductor rectifier
DE3127456A1 (de) * 1981-07-11 1983-02-03 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichteranordnung
DE3201296C2 (de) * 1982-01-18 1986-06-12 Institut elektrodinamiki Akademii Nauk Ukrainskoj SSR, Kiev Transistoranordnung
JPS5968958A (ja) * 1982-10-12 1984-04-19 Mitsubishi Electric Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体
DE3241509A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul
US4513355A (en) * 1983-06-15 1985-04-23 Motorola, Inc. Metallization and bonding means and method for VLSI packages
DE3406528A1 (de) * 1984-02-23 1985-08-29 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63306651A (ja) * 1987-05-23 1988-12-14 ベーベーツエー・ブラウン・ボベリ・アクチエンゲゲゼルシャフト 電力用半導体装置とその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3538933A1 (de) 1987-05-14
EP0221399A3 (en) 1988-08-10
US4766481A (en) 1988-08-23
EP0221399B1 (de) 1991-03-06
DE3677892D1 (de) 1991-04-11
EP0221399A2 (de) 1987-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62108552A (ja) 電力用半導体モジユ−ル
US10943845B2 (en) Three-dimensional packaging structure and packaging method of power devices
US6881071B2 (en) Power semiconductor module with pressure contact means
US11239132B2 (en) Semiconductor power device with corresponding package and related manufacturing process
US5856913A (en) Multilayer semiconductor device having high packing density
US10096562B2 (en) Power module package
US7592688B2 (en) Semiconductor package
CN109428498B (zh) 组件结构、功率模块及功率模块组装结构
US11533824B2 (en) Power semiconductor module and a method for producing a power semiconductor module
KR950000203B1 (ko) 전력용 반도체 장치
CN109390297B (zh) 功率模块和包含该功率模块的功率转换系统
EP3584833B1 (en) Power module with improved alignment
US7466020B2 (en) Power module
US8261439B2 (en) Method for contacting electronic components by means of a substrate plate
CN101785104A (zh) 借助从平面中弯曲出的金属冲压格栅或者冲压弯曲件的模块构建和连接技术
US20180040562A1 (en) Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung
JP3731420B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN215644461U (zh) 一种功率模块及电子设备
CN117293118A (zh) 功率模块及其制作方法
CN104867903A (zh) 电子模块
CN115483116B (zh) 封装结构及其制造方法、电路板及其制造方法
US20250253197A1 (en) Chip package structure and manufacturing method thereof
TWI831247B (zh) 功率模組及其製作方法
JP2000243883A (ja) 半導体ダイを実装するためのＡＬＮ絶縁層を有するアルミニウム外装ＡＬＳｉＣ基板
JP2020503688A (ja) 半導体チップを接続する第１および第２接続要素を備えた半導体モジュールおよび製造方法