JPS62116743A - 半導体素子ボンデイング用Ｃｕ線 - Google Patents
半導体素子ボンデイング用Ｃｕ線Info
- Publication number
- JPS62116743A JPS62116743A JP60255277A JP25527785A JPS62116743A JP S62116743 A JPS62116743 A JP S62116743A JP 60255277 A JP60255277 A JP 60255277A JP 25527785 A JP25527785 A JP 25527785A JP S62116743 A JPS62116743 A JP S62116743A
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- Japan
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- wire
- bonding
- ball
- semiconductor device
- balance
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＩＣ，）ランシスター、ダイオード等の半導体
のワイヤーボンディングに用いるＣｕ線に関するもので
ある。
のワイヤーボンディングに用いるＣｕ線に関するもので
ある。
従来の技術
従来ＩＣ，ＬＳＩ又はハイブリットＩＣ等の半導体にお
いて、Ｓｉチップなどの半導体素子上に形成した電極パ
ッドとリードフレーム等のインナーリードとを電気的に
接続するために、ＡｕやＡｔ−Ｓｉ合金からなる線径１
５〜６０１１ｍ程度の細線が用いられている。Ａｕ細線
は生産性の高い熱融着法や超音波熱圧着法によるワイヤ
ーボンディングが可能で、耐食性も優れているところか
ら広く利用されているが、著しく高価である。ｈｔ−ｓ
ｔ合金細線はＡｕ細線に比して安価であるが、大気中に
おいて熱融着法を適用することができないため生産性が
劣り、また腐食し易いために半導体の使用時に断線等の
故障を起し易い。特にエポキシ樹脂等の汎用樹脂モール
ド半導体では、該樹脂の透湿性と塩素汚染によるＡｔ−
３ｉ合金細線の腐食が大きな問題となっている。
いて、Ｓｉチップなどの半導体素子上に形成した電極パ
ッドとリードフレーム等のインナーリードとを電気的に
接続するために、ＡｕやＡｔ−Ｓｉ合金からなる線径１
５〜６０１１ｍ程度の細線が用いられている。Ａｕ細線
は生産性の高い熱融着法や超音波熱圧着法によるワイヤ
ーボンディングが可能で、耐食性も優れているところか
ら広く利用されているが、著しく高価である。ｈｔ−ｓ
ｔ合金細線はＡｕ細線に比して安価であるが、大気中に
おいて熱融着法を適用することができないため生産性が
劣り、また腐食し易いために半導体の使用時に断線等の
故障を起し易い。特にエポキシ樹脂等の汎用樹脂モール
ド半導体では、該樹脂の透湿性と塩素汚染によるＡｔ−
３ｉ合金細線の腐食が大きな問題となっている。
これに鑑み安価で比較的に耐食性も優れているＣｕやＣ
ｕ合金細線が提案され検討が進められている。ＣｕやＣ
ｕ合金細線によればＳｉチップとＡｕ細線のワイヤーボ
ンディング部におけるパープルブラック問題が回避でき
るばかりか、ＡｕやＡｇメッキ部との接合性も良好であ
り、特に最近のメッキレスのＣｕ又ｈＣｕ合金製リード
フレームを用いる直接ワイヤーボンディングでは、同種
の金属接合となって接合性を安定化すると共に樹脂封止
後の耐湿性にも優れている特徴を有している。
ｕ合金細線が提案され検討が進められている。ＣｕやＣ
ｕ合金細線によればＳｉチップとＡｕ細線のワイヤーボ
ンディング部におけるパープルブラック問題が回避でき
るばかりか、ＡｕやＡｇメッキ部との接合性も良好であ
り、特に最近のメッキレスのＣｕ又ｈＣｕ合金製リード
フレームを用いる直接ワイヤーボンディングでは、同種
の金属接合となって接合性を安定化すると共に樹脂封止
後の耐湿性にも優れている特徴を有している。
発明が解決しようとする問題点
ボンディング用Ｃｕ線に要求される特性として、ボール
形状が良好でボール硬度が可及的にＡｕに近く、半導体
素子の損傷を招くことがないこと。またリードフレーム
のインナーリード部への接合性が良好なこと等が必要と
されている。
形状が良好でボール硬度が可及的にＡｕに近く、半導体
素子の損傷を招くことがないこと。またリードフレーム
のインナーリード部への接合性が良好なこと等が必要と
されている。
ボンディング用Ｃｕ線として純銅を用いることが特開昭
６０−１２４９５９号公報により提案されているが、純
銅のボール硬度はＡｕのボール硬度の約２倍近くもあり
、ボールボンド時に半導体素子の損傷を招く恐れがある
。またＣｕにＶ％Ｃｒ％Ｈｆ等を添加することにより、
ボール硬度を可及的に小さくする方法が特開昭６０−１
７０４０号公報により提案されているが、これ等はボー
ル形成時にワイヤーそのものが軟かくなり、張つ几ワイ
ヤーに弛みを生じて他のワイヤーや半導体素子に接触し
、ショート’を起す恐れがあるばカリか、インナーリー
ドとの接合時に過剰の変形を生じ、接合力を低下する欠
点がある。
６０−１２４９５９号公報により提案されているが、純
銅のボール硬度はＡｕのボール硬度の約２倍近くもあり
、ボールボンド時に半導体素子の損傷を招く恐れがある
。またＣｕにＶ％Ｃｒ％Ｈｆ等を添加することにより、
ボール硬度を可及的に小さくする方法が特開昭６０−１
７０４０号公報により提案されているが、これ等はボー
ル形成時にワイヤーそのものが軟かくなり、張つ几ワイ
ヤーに弛みを生じて他のワイヤーや半導体素子に接触し
、ショート’を起す恐れがあるばカリか、インナーリー
ドとの接合時に過剰の変形を生じ、接合力を低下する欠
点がある。
問題点を解決する几めの手段
本発明にこれに鑑み種々検討の結果、優れた特性を有す
る半導体素子ボンディング用Ｃｕ線を開発したものであ
る。
る半導体素子ボンディング用Ｃｕ線を開発したものであ
る。
即ち本発明Ｃｕ線の一つに、Ｔｉ０．０００５〜０．２
ｗｔ％と、Ｍｇ、 Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｒ％Ｓ ｉ、
Ｃｏ、 Ｍｎ。
ｗｔ％と、Ｍｇ、 Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｒ％Ｓ ｉ、
Ｃｏ、 Ｍｎ。
Ａｔ％Ｂ％Ｚｒの何れか１種又は２種以上を合計で０．
０００５〜０．２ｗｔ％と金含み、残部Ｃｕからなるこ
とを特徴とするものである。
０００５〜０．２ｗｔ％と金含み、残部Ｃｕからなるこ
とを特徴とするものである。
また本発明Ｃｕ線の他の一つに、ＴｉＯ，０００５〜０
．２ｗｔ％と、Ｍｇ、Ｆｅ％Ｎｉ％Ｃｒ、 Ｓ ｉ％Ｃ
ｏ。
．２ｗｔ％と、Ｍｇ、Ｆｅ％Ｎｉ％Ｃｒ、 Ｓ ｉ％Ｃ
ｏ。
Ｍｎ、Ａｔ、Ｂ、Ｚｒの何れか１種又は２種以上を合計
Ｔ０．０００５〜０．２ｗｔ％と、Ｚｎ、 Ｓｎ％Ｃａ
。
Ｔ０．０００５〜０．２ｗｔ％と、Ｚｎ、 Ｓｎ％Ｃａ
。
Ｂｅ、Ｙ、希土類元素の何れか１種又は２種以上を合計
で０．２ ｗ ｔ％以下とを含み、残部Ｃｕからなるこ
と全特徴とするものである。
で０．２ ｗ ｔ％以下とを含み、残部Ｃｕからなるこ
と全特徴とするものである。
作用
本発明はＣｕに上記元素を微量添加１．７ｔもので、Ｃ
ｕＶＣＩｒｉ所謂不可避的不純物によ！ｌｌ′Ｉ＆量の
元素の添加効果が損なわれないように、望ましくは純度
９９．９９ｗｔ％以上（以下ｗｔ％ｆ係と略記）の純銅
を用いる。
ｕＶＣＩｒｉ所謂不可避的不純物によ！ｌｌ′Ｉ＆量の
元素の添加効果が損なわれないように、望ましくは純度
９９．９９ｗｔ％以上（以下ｗｔ％ｆ係と略記）の純銅
を用いる。
本発明においてＴｉ含有量を０．０００５〜０．２％と
限定したのは、Ｔｉはボール成形時のボール硬度を低下
させる効果を有するも、その含有量がｏ、ｏｏｏｓ％未
満でに効果が不十分となり、０．２Ｓｔ−越えると逆に
ボール硬度が高くなるためである。またＭｇ、 Ｆｅ％
Ｎｉ％Ｃｒ、 ３ｉ、 Ｃｏ、Ｍｎ、ｈｔｓ Ｂ％ Ｚ
ｒの何れか１種又は２種以上の合計含有量を０．０００
５〜０．２％と限定したのに、これ等元素はＴｉとの共
存下でボール硬度を高めることなく、Ｃｕ線としての高
温強度を向上する効果を有するも、合計含有量が０．０
００５％未満では効果が認められず、０．２％を越える
とボール硬度を必要以上に高め、かつ伸線加工性を低下
させるためである。
限定したのは、Ｔｉはボール成形時のボール硬度を低下
させる効果を有するも、その含有量がｏ、ｏｏｏｓ％未
満でに効果が不十分となり、０．２Ｓｔ−越えると逆に
ボール硬度が高くなるためである。またＭｇ、 Ｆｅ％
Ｎｉ％Ｃｒ、 ３ｉ、 Ｃｏ、Ｍｎ、ｈｔｓ Ｂ％ Ｚ
ｒの何れか１種又は２種以上の合計含有量を０．０００
５〜０．２％と限定したのに、これ等元素はＴｉとの共
存下でボール硬度を高めることなく、Ｃｕ線としての高
温強度を向上する効果を有するも、合計含有量が０．０
００５％未満では効果が認められず、０．２％を越える
とボール硬度を必要以上に高め、かつ伸線加工性を低下
させるためである。
また上記Ｃｕ線に更にＺｎ、 Ｓｎ、 Ｃａ、 ｆ３ｅ
、Ｙ、希土類元素の何れか１種又は２種以上を合計で０
．２％以下含有せしめるのに、ボール硬度を高めること
なく、伸線加工性及び高温特性をより高めるためで、合
計含有量が０．２％を越えると効果が飽和するばかりか
、ボール硬度を不必要に高めるようになるためである。
、Ｙ、希土類元素の何れか１種又は２種以上を合計で０
．２％以下含有せしめるのに、ボール硬度を高めること
なく、伸線加工性及び高温特性をより高めるためで、合
計含有量が０．２％を越えると効果が飽和するばかりか
、ボール硬度を不必要に高めるようになるためである。
実施例
真空溶解鋳造炉を用いて、純度９９．９９７％の電気銅
を溶解し、これに各合金元素を添加して鋳造し、第１表
（１）〜（２）に示す組成の直径２５朋、長さ１４０咽
のビレットを得た。これを面前して直径２０■、長さ１
３０■とじ、これを溝ロールによる冷間圧延と３００℃
の真空焼鈍を繰返し、直径８ｍで皮ムキ加工により直径
７．５＋ｍとした。これについて５０％の伸線加工と３
００℃の真空焼鈍を繰返し、直径２５μ常のボンディン
グ用Ｃｕ線を製造し、その伸線加工性を比較した。
を溶解し、これに各合金元素を添加して鋳造し、第１表
（１）〜（２）に示す組成の直径２５朋、長さ１４０咽
のビレットを得た。これを面前して直径２０■、長さ１
３０■とじ、これを溝ロールによる冷間圧延と３００℃
の真空焼鈍を繰返し、直径８ｍで皮ムキ加工により直径
７．５＋ｍとした。これについて５０％の伸線加工と３
００℃の真空焼鈍を繰返し、直径２５μ常のボンディン
グ用Ｃｕ線を製造し、その伸線加工性を比較した。
また得られたＣｕ線について、２５０℃における高温引
張強度及び１０％Ｈ，＋ Ｎ、ガス中でのボール底形に
おけるポール形状及び５０２荷重でのボール歪量を調べ
た。ま几荷重５０ｇｒ、超音波出力０．ＩＷ、ボンディ
ング時間０．１μＳｅｅの条件における結線の形状を調
べた。後、プル試験によりＣｕ線のボンディング強度と
破断モードを調べた。これ等の結果を第１表（１）〜（
２）に併記した。尚ボール歪に横方向の直径り、と縦方
向の直径Ｄ２の比Ｄ１／Ｄ２で示し、た。
張強度及び１０％Ｈ，＋ Ｎ、ガス中でのボール底形に
おけるポール形状及び５０２荷重でのボール歪量を調べ
た。ま几荷重５０ｇｒ、超音波出力０．ＩＷ、ボンディ
ング時間０．１μＳｅｅの条件における結線の形状を調
べた。後、プル試験によりＣｕ線のボンディング強度と
破断モードを調べた。これ等の結果を第１表（１）〜（
２）に併記した。尚ボール歪に横方向の直径り、と縦方
向の直径Ｄ２の比Ｄ１／Ｄ２で示し、た。
算１表−（１
本発明Ｃｕ線 Ｉ Ｃｕ−０，０５］Ｔ、ｉ−０，
０ＵＯ６Ｆｅ２ Ｃｕ−Ｑ、０４９Ｔｉ−０，０３
１Ｆｅ３ Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ −０，１８Ｆｅ
４ Ｃｕ−０，０５１Ｔｉ−０，０００６Ｎｉ５
Ｃｕ−０，０４ＦＩＴｉ−０，０３５Ｎｉ／／
６ Ｃｕ−０，０４９Ｔｉ −０，１７Ｎ
ｉ／’ ７ Ｃｕ−０，０５０Ｔｉ−０
，００ｊ１５Ｃｒｔｔ ＲＣｕ−０，０００
６Ｔｉ−０，０２９Ｃｒｔｔ ９ Ｃｕ
−０，０５２Ｔｉ−０，０３２Ｃｒｔｔ １
０ Ｃｕ−０，］８Ｔｉ−０，０３２Ｃｒｔｔ
１１ Ｃｕ−０，０６］ Ｔ ｌ −０，１６
Ｃｒ１２ Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ−０，０００６Ｓｉ
／／ １３ Ｃｕ−０，０５１Ｔｉ−０，
１８Ｓｉｔｔ １４ Ｃｕ−０，０５１Ｔ
ｉ−０，０００６Ｃ。
０ＵＯ６Ｆｅ２ Ｃｕ−Ｑ、０４９Ｔｉ−０，０３
１Ｆｅ３ Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ −０，１８Ｆｅ
４ Ｃｕ−０，０５１Ｔｉ−０，０００６Ｎｉ５
Ｃｕ−０，０４ＦＩＴｉ−０，０３５Ｎｉ／／
６ Ｃｕ−０，０４９Ｔｉ −０，１７Ｎ
ｉ／’ ７ Ｃｕ−０，０５０Ｔｉ−０
，００ｊ１５Ｃｒｔｔ ＲＣｕ−０，０００
６Ｔｉ−０，０２９Ｃｒｔｔ ９ Ｃｕ
−０，０５２Ｔｉ−０，０３２Ｃｒｔｔ １
０ Ｃｕ−０，］８Ｔｉ−０，０３２Ｃｒｔｔ
１１ Ｃｕ−０，０６］ Ｔ ｌ −０，１６
Ｃｒ１２ Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ−０，０００６Ｓｉ
／／ １３ Ｃｕ−０，０５１Ｔｉ−０，
１８Ｓｉｔｔ １４ Ｃｕ−０，０５１Ｔ
ｉ−０，０００６Ｃ。
／／ １５ Ｃｕ−０，０４８Ｔｉ−０，
１９（：。
１９（：。
／／ ］ ６ Ｃｕ−０，０６２Ｔｉ−０
，０００７Ｍｎｔ／ １７ Ｃｕ−０，０
５７Ｔｉ−０，１７Ｍｎｔｔ ］ Ｆｔ
Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ Ｏ，０００５Ａｔｔｔ
］ ９ Ｃｕ−０，０５］ Ｔ ｉ Ｏ，１
９ｋｔ２０ Ｃｕ−０，０５］Ｔｉ−０，０００６Ｂ
ｔｌ ２３ Ｃｕ−０，０５０Ｔｉ −０
，１６Ｂａ ２２ Ｃｕ−０，０４９Ｔｉ
−０，０００６Ｚｒ／／ ２３ Ｃｕ−０
，０５３Ｔ ｉ −０，１９Ｚ ｒ２４ Ｃｕ−０，
０４２Ｔｉ−０，０００９Ｆｅ−０，０００ＲＣｒ−０
，０／／ ２５ Ｃｕ−ｏ、ｏｓｏ’ｒｉ
−０，０］３Ｎｉ−０，００２］Ｃｒ２６ Ｃｕ−０
，０４８Ｔｉ−０，０５２Ｍｇｔｔ ２７
Ｃｕ−０，０５４Ｔｉ−０，０５２Ｎｉ−０，０００
６Ｚｎ２８ Ｃｕ−０，０５４Ｔｉ−０，００５３Ｎ
ｉ−０，］９Ｚｎｔｔ ２９ Ｃｕ−０，
０５１Ｔｉ−０，０５］Ｎｉ−０，０００７Ｓｎｏ
３（ｌ Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ−０，０５］
Ｎｉ−０，］Ｒ８ｎ３］ Ｃｕ−０，０５［’ｉ−０
．０５］Ｎｉ−０．０Ｏ（１６ｃａ３２ Ｃｕ−０，
０５２Ｔｉ−０，０５ＯＮｉ−Ｏｊ７Ｃａ３３ Ｃｕ
−０，０５０Ｔｉ−０，０５１Ｎｉ−０，０ＯＵ７Ｂｅ
３１ Ｃｕ−ＩＩす５１ Ｔ ｉ −＋１．ｉｌ 、１
８Ｎ ｉ −０，１Ｒ１３ｃ／／ １０
ｔｔ ｔｔ ｕ
ｎ○ １２ ｎ Ｑ、７
ｔｔ ｔｔ◎ ９ ｔｔ
Ｑ、ｉｌｌ ７／ ａ〃 ＪＯ
〃 〃 〃 〃〃１２
ｔｔ ｔｔ ｔｔ
ｔｔｔｔ ３３ｔｔ Ｏ，ｇ
ｔｔ ｔｔ○ １２ ｔｔ
ＱＪ（ｔｔ ｔｔ◎ ］０ 〃
〃 〃 〃０ １３ ｔｔ
ｕ ｏ ｔｔ◎ Ｂ
ｔｔ ｔｔ ｎ ｔｔ／／
１２ ＬＬ ｌ／
／ｌ ／／／／ ８
ｔｔ Ｏ，９ｔｔ ｔｔ〃 】
ス 〃 ９ 〃 〃 〃
〃０ ３３ ａ Ｑｊ（ｔｔ
ｔｔ◎ ］】〃〃 Ｑ １４ ０ 〃〃〃 ◎ ９ ◎ 〃〃〃 〃１２ ｔｔ Ｏ０９ｎ
ｔｔ１２Ｍｎ／／ １１ ／／
Ｏ，Ｒｎ ｔｔ／／ ３２
ｔｔ
ｔｔ／／ １３ ｎ Ｏ
，９ｎ ｔｔｔｔ ＩＱ
ｔｔ Ｑ、Ｒａ ｔｔ〃】２ １０ 〃 〃 〃 〃
１３ ／／ ０．７／／
１０ ｔｔ Ｏ，８ｔｔ
ｎｎ １２
ｎ ｕ〃 】０ １、Ｉ Ｌ／ ０．７第１表（１）
〜（２）から明らかなように、Ｃｕ１ｃＴｉを加えた
もの、更にはこれにＺｎ％Ｓｎ、（：ａ％Ｂｅ。
，０００７Ｍｎｔ／ １７ Ｃｕ−０，０
５７Ｔｉ−０，１７Ｍｎｔｔ ］ Ｆｔ
Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ Ｏ，０００５Ａｔｔｔ
］ ９ Ｃｕ−０，０５］ Ｔ ｉ Ｏ，１
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ｔｌ ２３ Ｃｕ−０，０５０Ｔｉ −０
，１６Ｂａ ２２ Ｃｕ−０，０４９Ｔｉ
−０，０００６Ｚｒ／／ ２３ Ｃｕ−０
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，０／／ ２５ Ｃｕ−ｏ、ｏｓｏ’ｒｉ
−０，０］３Ｎｉ−０，００２］Ｃｒ２６ Ｃｕ−０
，０４８Ｔｉ−０，０５２Ｍｇｔｔ ２７
Ｃｕ−０，０５４Ｔｉ−０，０５２Ｎｉ−０，０００
６Ｚｎ２８ Ｃｕ−０，０５４Ｔｉ−０，００５３Ｎ
ｉ−０，］９Ｚｎｔｔ ２９ Ｃｕ−０，
０５１Ｔｉ−０，０５］Ｎｉ−０，０００７Ｓｎｏ
３（ｌ Ｃｕ−０，０５２Ｔｉ−０，０５］
Ｎｉ−０，］Ｒ８ｎ３］ Ｃｕ−０，０５［’ｉ−０
．０５］Ｎｉ−０．０Ｏ（１６ｃａ３２ Ｃｕ−０，
０５２Ｔｉ−０，０５ＯＮｉ−Ｏｊ７Ｃａ３３ Ｃｕ
−０，０５０Ｔｉ−０，０５１Ｎｉ−０，０ＯＵ７Ｂｅ
３１ Ｃｕ−ＩＩす５１ Ｔ ｉ −＋１．ｉｌ 、１
８Ｎ ｉ −０，１Ｒ１３ｃ／／ １０
ｔｔ ｔｔ ｕ
ｎ○ １２ ｎ Ｑ、７
ｔｔ ｔｔ◎ ９ ｔｔ
Ｑ、ｉｌｌ ７／ ａ〃 ＪＯ
〃 〃 〃 〃〃１２
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ｔｔｔｔ ３３ｔｔ Ｏ，ｇ
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ｔｔ Ｑ、Ｒａ ｔｔ〃】２ １０ 〃 〃 〃 〃
１３ ／／ ０．７／／
１０ ｔｔ Ｏ，８ｔｔ
ｎｎ １２
ｎ ｕ〃 】０ １、Ｉ Ｌ／ ０．７第１表（１）
〜（２）から明らかなように、Ｃｕ１ｃＴｉを加えた
もの、更にはこれにＺｎ％Ｓｎ、（：ａ％Ｂｅ。
Ｙ、希土類元素の何れか１種又は２種以上（以下Ｚｎ等
と略記）を加えた本発明Ｃｕｉ随１〜４３は何れも高温
強度が８〜１４Ｆと優れ、ボール形状も真球に近く、ボ
ール歪みも従来のＡｕ線と同程度であるなど、ボンディ
ングワイヤーに必要とされる特性を十分に満足し、プル
試験からボンディング性も良いことが判る。
と略記）を加えた本発明Ｃｕｉ随１〜４３は何れも高温
強度が８〜１４Ｆと優れ、ボール形状も真球に近く、ボ
ール歪みも従来のＡｕ線と同程度であるなど、ボンディ
ングワイヤーに必要とされる特性を十分に満足し、プル
試験からボンディング性も良いことが判る。
これに対し比較Ｃｕ線、例えば純銅線Ｎ１４４、Ｃｕ−
Ｔｉ合金線Ｎａ４５．４６ではボンディングワイヤーに
必要とされる特性が劣り、またＣｕにＴｉとＮｉ等、更
にはこれにｚｎ等を加えたものでも、その含有量が本発
明で規定する量以上に含むもの（ＮｌＬ４７〜６１）で
は、比較Ｃｕ線Ｎ（Ｌ５７を除き何れも伸線加工性が悪
く、細線に加工するのを断念し、た。また比較Ｃｕ線随
５７に伸線加工性が良好なるも、ボール歪が大きく、ボ
ンディング性が劣ることが判る。
Ｔｉ合金線Ｎａ４５．４６ではボンディングワイヤーに
必要とされる特性が劣り、またＣｕにＴｉとＮｉ等、更
にはこれにｚｎ等を加えたものでも、その含有量が本発
明で規定する量以上に含むもの（ＮｌＬ４７〜６１）で
は、比較Ｃｕ線Ｎ（Ｌ５７を除き何れも伸線加工性が悪
く、細線に加工するのを断念し、た。また比較Ｃｕ線随
５７に伸線加工性が良好なるも、ボール歪が大きく、ボ
ンディング性が劣ることが判る。
発明の効果
このように本発明＋Ｃｔｔ線は安価で、ボンディングワ
イヤーに必要とするすべての特性を満足すｂもので、半
導体装置のボンディングワイヤーとして、その接合信頼
性を著しく向上することができる顕著な効果を奏するも
σ）である。
イヤーに必要とするすべての特性を満足すｂもので、半
導体装置のボンディングワイヤーとして、その接合信頼
性を著しく向上することができる顕著な効果を奏するも
σ）である。
Claims (3)
- （１）Ｔｉ０．０００５〜０．２ｗｔ％と、Ｍｇ、Ｆｅ
、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｚｒの何
れか１種又は２種以上を合計で０．０００５〜０．２ｗ
ｔ％とを含み、残部Ｃｕからなる半導体素子ボンディン
グ用Ｃｕ線。 - （２）残部Ｃｕに純度９９．９９ｗｔ％以上の純銅を用
いる特許請求の範囲第１項記載の半導体素子ボンディン
グ用Ｃｕ線。 - （３）Ｔｉ０．０００５〜０．２ｗｔ％と、Ｍｇ、Ｆｅ
、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｚｒの何
れか１種又は２種以上を合計で０．０００５〜０．２ｗ
ｔ％と、Ｚｎ、ＳｎＣａ、Ｂｅ、Ｙ、希土類元素の何れ
か１種又は２種以上を合計で０．２ｗｔ％以下とを含み
、残部Ｃｕからなる半導体素子ボンディング用Ｃｕ線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255277A JPS62116743A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体素子ボンデイング用Ｃｕ線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60255277A JPS62116743A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体素子ボンデイング用Ｃｕ線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62116743A true JPS62116743A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17276513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60255277A Pending JPS62116743A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体素子ボンデイング用Ｃｕ線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62116743A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171841A (ja) * | 1988-01-11 | 1988-07-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
| US6758920B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets |
| US6849139B2 (en) | 1999-06-02 | 2005-02-01 | Honeywell International Inc. | Methods of forming copper-containing sputtering targets |
-
1985
- 1985-11-14 JP JP60255277A patent/JPS62116743A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171841A (ja) * | 1988-01-11 | 1988-07-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子機器用銅合金 |
| US6849139B2 (en) | 1999-06-02 | 2005-02-01 | Honeywell International Inc. | Methods of forming copper-containing sputtering targets |
| US6758920B2 (en) | 1999-11-24 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Conductive integrated circuit metal alloy interconnections, electroplating anodes; metal alloys for use as a conductive interconnection in an integrated circuit; and physical vapor deposition targets |
| US6858102B1 (en) * | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
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