JPS6211802B2 - - Google Patents
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- JPS6211802B2 JPS6211802B2 JP6148379A JP6148379A JPS6211802B2 JP S6211802 B2 JPS6211802 B2 JP S6211802B2 JP 6148379 A JP6148379 A JP 6148379A JP 6148379 A JP6148379 A JP 6148379A JP S6211802 B2 JPS6211802 B2 JP S6211802B2
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- film
- conductor
- stripline
- insulating substrate
- lumped constant
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集中定数形サーキユレータに関す
る。
る。
マイクロ波帯で非可逆回路素子として動作する
サーキユレータには導波管形及び同軸形のものが
あり、同軸形サーキユレータとしては分布定数形
及び集中定数形の２種がある。普通分布定数形サ
ーキユレータはマイクロ波帯でも高い周波数領域
で、集中定数形サーキユレータは低い周波数領域
で夫々区別して用いられている。
サーキユレータには導波管形及び同軸形のものが
あり、同軸形サーキユレータとしては分布定数形
及び集中定数形の２種がある。普通分布定数形サ
ーキユレータはマイクロ波帯でも高い周波数領域
で、集中定数形サーキユレータは低い周波数領域
で夫々区別して用いられている。
第１図は一般的な集中定数形サーキユレータの
概略構成を示す。この図において、集中定数形サ
ーキユレータは、ストリツプラインを組合わせた
中心導体１を２枚のフエライト２で挾み、さらに
フエライト２の外側をシールドケース３で包み込
み、該シールドケース３の上下に永久磁石４を設
けて前記フエライト２に直流磁界を印加する構成
である。ここで、中心導体１は第２図に示すよう
に接合インダクタとしての３組のストリツプライ
ン５を組合わせたものである。通常、各ストリツ
プライン５は金属板でフオーク形に形成し、絶縁
体で絶縁を施した後、相互に網状に交叉するよう
に組合わされる。そして前記ストリツプライン５
の一端は入出力端子６に結ばれ、他端はシールド
ケース３に接地され、さらに入出力端子６側とシ
ールドケース３との間に周波数調整用のコンデン
サ７が設けられる。
概略構成を示す。この図において、集中定数形サ
ーキユレータは、ストリツプラインを組合わせた
中心導体１を２枚のフエライト２で挾み、さらに
フエライト２の外側をシールドケース３で包み込
み、該シールドケース３の上下に永久磁石４を設
けて前記フエライト２に直流磁界を印加する構成
である。ここで、中心導体１は第２図に示すよう
に接合インダクタとしての３組のストリツプライ
ン５を組合わせたものである。通常、各ストリツ
プライン５は金属板でフオーク形に形成し、絶縁
体で絶縁を施した後、相互に網状に交叉するよう
に組合わされる。そして前記ストリツプライン５
の一端は入出力端子６に結ばれ、他端はシールド
ケース３に接地され、さらに入出力端子６側とシ
ールドケース３との間に周波数調整用のコンデン
サ７が設けられる。
ところで、近年マイクロ波機器の小型化に伴
い、集中定数形サーキユレータの小型化が要求さ
れるようになつてきている。しかしながら、第２
図の如く金属板でストリツプライン５を作る構造
であると、中心導体１の製造を手作業で行わなけ
ればならず、小型化にも限度があり、量産性も良
くない欠点がある。
い、集中定数形サーキユレータの小型化が要求さ
れるようになつてきている。しかしながら、第２
図の如く金属板でストリツプライン５を作る構造
であると、中心導体１の製造を手作業で行わなけ
ればならず、小型化にも限度があり、量産性も良
くない欠点がある。
そのため、絶縁板に厚膜又は薄膜技術でストリ
ツプラインのパターンを形成することが考慮され
ているが、各ストリツプラインの交叉部分の絶縁
が問題になる。
ツプラインのパターンを形成することが考慮され
ているが、各ストリツプラインの交叉部分の絶縁
が問題になる。
従来、その問題を解決するものとして第３図の
如き構成あるいは本出願人による特公昭48―
33344号の構成が提案されている。この図におい
て、絶縁基板１０の上下面には夫々ストリツプラ
イン５Ａを２分割した導体膜１１Ａ，１１Ｂがエ
ツチング等で形成され、各導体膜１１Ａ，１１Ｂ
の組はスルーホール１２により電気的に接続され
て１つのストリツプライン５Ａが構成されるよう
になつている。この場合、各ストリツプライン５
Ａ間の絶縁は絶縁基板１０で行われることにな
る。
如き構成あるいは本出願人による特公昭48―
33344号の構成が提案されている。この図におい
て、絶縁基板１０の上下面には夫々ストリツプラ
イン５Ａを２分割した導体膜１１Ａ，１１Ｂがエ
ツチング等で形成され、各導体膜１１Ａ，１１Ｂ
の組はスルーホール１２により電気的に接続され
て１つのストリツプライン５Ａが構成されるよう
になつている。この場合、各ストリツプライン５
Ａ間の絶縁は絶縁基板１０で行われることにな
る。
しかし、上記第３図の構成では、スルーホール
１２が必要不可欠であり、ある程度以上の厚さの
絶縁基板１０の場合、そのスルーホール１２の形
成を蒸着、めつき等を利用して行わねばならず量
産性が悪く、絶縁基板１０の両面を使用しなけれ
ばならない不都合がある。
１２が必要不可欠であり、ある程度以上の厚さの
絶縁基板１０の場合、そのスルーホール１２の形
成を蒸着、めつき等を利用して行わねばならず量
産性が悪く、絶縁基板１０の両面を使用しなけれ
ばならない不都合がある。
本発明は、上記の不都合を解消し、膜作成技術
を用いて絶縁基板の片面上に多層のストリツプラ
インを形成することにより、量産性に優れ、コス
ト低減が可能な集中定数形サーキユレータを提供
しようとするものである。
を用いて絶縁基板の片面上に多層のストリツプラ
インを形成することにより、量産性に優れ、コス
ト低減が可能な集中定数形サーキユレータを提供
しようとするものである。
以下、本発明に係る集中定数形サーキユレータ
の実施例を図面に従つて説明する。
の実施例を図面に従つて説明する。
第４図及び第５図において、アルミナ等の絶縁
基板２０には予めシールドケース取付穴３０が設
けられており、その絶縁基板２０の片面にはまず
一対の導電線路を両端で短絡した構成となるべき
ストリツプラインを２分割した形状の第１の導体
膜２１Ａが金、銀等の金属ペーストをスクリーン
印刷し焼付けることにより形成される。次に、前
記第１の導体膜２１Ａの先端部３１Ａに対応する
位置に接続穴２２を有する絶縁体膜２３がガラス
等の誘電体ペーストをスクリーン印刷し焼付ける
ことにより前記第１の導体膜２１Ａ上に形成され
る。それから、ストリツプラインの残りの半分を
構成する第２の導体膜２１Ｂが金属ペーストのス
クリーン印刷及び焼付で前記絶縁体膜２３上及び
一部は絶縁基板２０上に形成される。ここで、絶
縁体膜２３は第１の導体膜２１Ａの周辺端部を除
く部分を覆うような円形を成しており、絶縁体膜
２３の接続穴２２の部分には第１の導体膜２１Ａ
の先端部３１Ａが露出しているから、第２の導体
膜２１Ｂの形成時に第１の導体膜２１Ａの先端部
３１Ａと導体膜２１Ｂの先端部３１Ｂとは接合さ
れ、夫々ストリツプライン５Ｂを構成する。この
ようにして、中心導体としての３組のストリツプ
ライン５Ｂを有する中心導体部１Ａが完成し、各
ストリツプライン５Ｂの一端は夫々入出力端子２
４に引出され、他端はシールドケースに接地され
る。なお、その他の部分の構造は、第１図と同様
の構成を採用可能である。
基板２０には予めシールドケース取付穴３０が設
けられており、その絶縁基板２０の片面にはまず
一対の導電線路を両端で短絡した構成となるべき
ストリツプラインを２分割した形状の第１の導体
膜２１Ａが金、銀等の金属ペーストをスクリーン
印刷し焼付けることにより形成される。次に、前
記第１の導体膜２１Ａの先端部３１Ａに対応する
位置に接続穴２２を有する絶縁体膜２３がガラス
等の誘電体ペーストをスクリーン印刷し焼付ける
ことにより前記第１の導体膜２１Ａ上に形成され
る。それから、ストリツプラインの残りの半分を
構成する第２の導体膜２１Ｂが金属ペーストのス
クリーン印刷及び焼付で前記絶縁体膜２３上及び
一部は絶縁基板２０上に形成される。ここで、絶
縁体膜２３は第１の導体膜２１Ａの周辺端部を除
く部分を覆うような円形を成しており、絶縁体膜
２３の接続穴２２の部分には第１の導体膜２１Ａ
の先端部３１Ａが露出しているから、第２の導体
膜２１Ｂの形成時に第１の導体膜２１Ａの先端部
３１Ａと導体膜２１Ｂの先端部３１Ｂとは接合さ
れ、夫々ストリツプライン５Ｂを構成する。この
ようにして、中心導体としての３組のストリツプ
ライン５Ｂを有する中心導体部１Ａが完成し、各
ストリツプライン５Ｂの一端は夫々入出力端子２
４に引出され、他端はシールドケースに接地され
る。なお、その他の部分の構造は、第１図と同様
の構成を採用可能である。
上記実施例によれば、次のような効果を上げる
ことができる。
ことができる。
(1) 厚膜技術で第１及び第２の導体膜２１Ａ，２
１Ｂ及び絶縁体膜２３を絶縁基板片面に形成し
ており、絶縁体膜２３が薄いから絶縁体膜２３
の接続穴２２を介しての導体膜２１Ａ，２１Ｂ
の接続が容易である。
１Ｂ及び絶縁体膜２３を絶縁基板片面に形成し
ており、絶縁体膜２３が薄いから絶縁体膜２３
の接続穴２２を介しての導体膜２１Ａ，２１Ｂ
の接続が容易である。
(2) 厚膜技術を用いるので、規模、時間等を考慮
すると蒸着等の薄膜技術を用いる場合よりもコ
ストが安く、量産性がよい。
すると蒸着等の薄膜技術を用いる場合よりもコ
ストが安く、量産性がよい。
(3) 絶縁基板２０にスルーホール用の穴を加工し
なくともよいので加工に伴う破損がなく、歩止
りが良い。
なくともよいので加工に伴う破損がなく、歩止
りが良い。
(4) スルーホール部分で導体膜相互の接続不良が
起こることがなく、信頼性が高い。
起こることがなく、信頼性が高い。
(5) 絶縁基板２０としてアルミナ等の誘電率が高
く、熱伝導性、絶縁性、温度特性に秀れた材料
を使用できるので、安定な性能が得られる。
く、熱伝導性、絶縁性、温度特性に秀れた材料
を使用できるので、安定な性能が得られる。
ところで、上記実施例において周波数調整を行
う場合、第４図の入出力端子２４と接地間とに周
波数調整用のコンデンサを外付けしてもよいが、
各ストリツプライン５Ｂの交叉部４０を周波数調
整用容量として利用できる。すなわち、第６図に
示すように、交叉部４０においては、絶縁基板２
０上の導体膜２１Ａに誘電体として働く絶縁体膜
２３を介して導体膜２１Ｂが重なつており、この
部分の容量Ｃが等価的に周波数調整用容量として
働く。従つて、絶縁体膜２３の厚さ及び誘電率を
所要の値に選択することにより、周波数調整がで
きる。
う場合、第４図の入出力端子２４と接地間とに周
波数調整用のコンデンサを外付けしてもよいが、
各ストリツプライン５Ｂの交叉部４０を周波数調
整用容量として利用できる。すなわち、第６図に
示すように、交叉部４０においては、絶縁基板２
０上の導体膜２１Ａに誘電体として働く絶縁体膜
２３を介して導体膜２１Ｂが重なつており、この
部分の容量Ｃが等価的に周波数調整用容量として
働く。従つて、絶縁体膜２３の厚さ及び誘電率を
所要の値に選択することにより、周波数調整がで
きる。
なお、上記実施例では、導体膜を厚膜技術で構
成した場合を１例として示したが、薄膜技術で構
成してもよい。また、入出力端子の一つを抵抗で
終端することによりアイソレータを構成できるこ
とは明らかである。
成した場合を１例として示したが、薄膜技術で構
成してもよい。また、入出力端子の一つを抵抗で
終端することによりアイソレータを構成できるこ
とは明らかである。
叙上のように、本発明によれば、膜作成技術を
用いて絶縁基板の片面上に多層のストリツプライ
ンを形成することにより、従来の金属板を組み合
わせるものや、従来の第３図のスルーホールによ
るものに比し、量産性に優れ、小型化が可能な集
中定数形サーキユレータを得ることができる。
用いて絶縁基板の片面上に多層のストリツプライ
ンを形成することにより、従来の金属板を組み合
わせるものや、従来の第３図のスルーホールによ
るものに比し、量産性に優れ、小型化が可能な集
中定数形サーキユレータを得ることができる。
第１図は一般的な集中定数形サーキユレータの
概略構成図、第２図は従来の中心導体としてのス
トリツプラインの構成を示す平面図、第３図は従
来の基板両面を用いたストリツプラインの構成を
示す斜視図、第４図は本発明に係る集中定数形サ
ーキユレータの実施例であつて中心導体部の構成
を示す平面図、第５図は同分解斜視図、第６図は
ストリツプラインの交叉部の断面図である。 １……中心導体、１Ａ……中心導体部、２……
フエライト、３……シールドケース、４……永久
磁石、５，５Ａ，５Ｂ……ストリツプライン、
６，２４……入出力端子、７……コンデンサ、１
０，２０……絶縁基板、１１Ａ，１１Ｂ，２１
Ａ，２１Ｂ……導体膜、２２……接続穴、２３…
…絶縁体膜、３１Ａ，３１Ｂ……先端部、４０…
…交叉部。
概略構成図、第２図は従来の中心導体としてのス
トリツプラインの構成を示す平面図、第３図は従
来の基板両面を用いたストリツプラインの構成を
示す斜視図、第４図は本発明に係る集中定数形サ
ーキユレータの実施例であつて中心導体部の構成
を示す平面図、第５図は同分解斜視図、第６図は
ストリツプラインの交叉部の断面図である。 １……中心導体、１Ａ……中心導体部、２……
フエライト、３……シールドケース、４……永久
磁石、５，５Ａ，５Ｂ……ストリツプライン、
６，２４……入出力端子、７……コンデンサ、１
０，２０……絶縁基板、１１Ａ，１１Ｂ，２１
Ａ，２１Ｂ……導体膜、２２……接続穴、２３…
…絶縁体膜、３１Ａ，３１Ｂ……先端部、４０…
…交叉部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一対の導電線路を両端で短絡してなるストリ
ツプラインを少なくとも３個以上相互に交差させ
て中心導体部を構成した集中定数形サーキユレー
タにおいて、各ストリツプラインを一対の導電線
路部分で分割し、各々のストリツプラインを分割
した一方を第１の導体膜２１Ａで絶縁基板２０片
面に形成し、該第１の導体膜先端に対応する位置
に接続穴２２を有する絶縁体膜２３を少なくとも
前記第１の導体膜上に形成し、前記各ストリツプ
ラインを分割した残りの部分を第２の導体膜２１
Ｂで前記絶縁体膜２３上又は絶縁体膜２３及び絶
縁基板２０上に形成し、前記接続穴２２を介して
第１及び第２の導体膜２１Ａ，２１Ｂを接続して
前記中心導体部を構成したことを特徴とする集中
定数形サーキユレータ。 ２ 前記ストリツプラインの交叉部４０の容量を
周波数調整用容量として用いた特許請求の範囲第
１項記載の集中定数形サーキユレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6148379A JPS55154814A (en) | 1979-05-21 | 1979-05-21 | Unreversible circuit element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6148379A JPS55154814A (en) | 1979-05-21 | 1979-05-21 | Unreversible circuit element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55154814A JPS55154814A (en) | 1980-12-02 |
| JPS6211802B2 true JPS6211802B2 (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=13172361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6148379A Granted JPS55154814A (en) | 1979-05-21 | 1979-05-21 | Unreversible circuit element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55154814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6443003U (ja) * | 1987-09-09 | 1989-03-15 |
-
1979
- 1979-05-21 JP JP6148379A patent/JPS55154814A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6443003U (ja) * | 1987-09-09 | 1989-03-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55154814A (en) | 1980-12-02 |
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