JPS62119364A - 貯留された液の密度勾配修復方法 - Google Patents
貯留された液の密度勾配修復方法Info
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- JPS62119364A JPS62119364A JP60258495A JP25849585A JPS62119364A JP S62119364 A JPS62119364 A JP S62119364A JP 60258495 A JP60258495 A JP 60258495A JP 25849585 A JP25849585 A JP 25849585A JP S62119364 A JPS62119364 A JP S62119364A
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- Japan
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- fluid
- nozzle
- density gradient
- density
- linearity
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- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S10/00—Solar heat collectors using working fluids
- F24S10/10—Solar heat collectors using working fluids the working fluids forming pools or ponds
- F24S10/13—Salt-gradient ponds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
- Y02E10/44—Heat exchange systems
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は貯留された液の密度勾配を修正ずろ方法に関す
るものである。
るものである。
ソーラポンドは太陽熱の有効利用を図るために開発され
たもので、広く浅いポンドに塩水を貯留し、しかもその
塩分濃度を深さによって相違させ、底部は一様な塩水濃
度（約２０重量％）の塩水層に、その上部は上方程塩分
濃度の低い密度勾配層に、最上部は清水層となるように
形成する。ポンドの広さは数千ｍ′に達するが、深さは
塩水層が２ｍ、密度勾配層が１．５ｍ、清水層で０．２
ｍ程度である。第９図はこのソーラポンドの断面図で（
１）はポンド、（２）は塩水層、（３）は密度勾配層、
（４）は清水層である。又第１０図はこの・ソーラボン
ドの深さと塩分濃度との関係を示す線図で、縦軸に深さ
、横軸に塩分濃度を液の密度で表している。
たもので、広く浅いポンドに塩水を貯留し、しかもその
塩分濃度を深さによって相違させ、底部は一様な塩水濃
度（約２０重量％）の塩水層に、その上部は上方程塩分
濃度の低い密度勾配層に、最上部は清水層となるように
形成する。ポンドの広さは数千ｍ′に達するが、深さは
塩水層が２ｍ、密度勾配層が１．５ｍ、清水層で０．２
ｍ程度である。第９図はこのソーラポンドの断面図で（
１）はポンド、（２）は塩水層、（３）は密度勾配層、
（４）は清水層である。又第１０図はこの・ソーラボン
ドの深さと塩分濃度との関係を示す線図で、縦軸に深さ
、横軸に塩分濃度を液の密度で表している。
図に示すように密度勾配者においては、通常（ｆ密度は
深さに対しリニヤ（５）である。
深さに対しリニヤ（５）である。
上記ソーラボンドは太陽熱の輻射をうけ、下部塩水層の
温度は７０〜８０℃にも昇温するので、この熱を例えば
水産物の加工あるいは発電等に利用するのである。
温度は７０〜８０℃にも昇温するので、この熱を例えば
水産物の加工あるいは発電等に利用するのである。
下部塩水層の熱の上方への損失を妨げるのが中間の密度
勾配層で、その断熱効果は該密度勾配を第１０図に示す
ように線形に維持することによって確保されるのである
。
勾配層で、その断熱効果は該密度勾配を第１０図に示す
ように線形に維持することによって確保されるのである
。
しかし、上記密度勾配層は熱拡散と塩分拡散とに起因す
る自然対流や、風雨などの影響をうけ、密度勾配の線形
性は第１０図の一点鎖線（６）にみるように、屡々くず
れることがある。
る自然対流や、風雨などの影響をうけ、密度勾配の線形
性は第１０図の一点鎖線（６）にみるように、屡々くず
れることがある。
本発明は上記ソーラボンドの密度勾配層におけろ、液の
密度勾配の線形性が崩れた場合、早急に旧の線形勾配に
修復する方法を提供しようとするものである。
密度勾配の線形性が崩れた場合、早急に旧の線形勾配に
修復する方法を提供しようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
ソーラボンドの密度勾配層内の線形の密度勾配が崩れた
部分の上部と下部に夫々ノズルＦＴ及びＦＤを固定する
とともに、該部分の中心部に鉛直方向に移動自在な一対
のノズルＭ Ｔ 、 Ｍ ａをお（。
部分の上部と下部に夫々ノズルＦＴ及びＦＤを固定する
とともに、該部分の中心部に鉛直方向に移動自在な一対
のノズルＭ Ｔ 、 Ｍ ａをお（。
上記密度勾配層の、線形の密度勾配が崩れた部分の上部
、下部に固定したノズルＦ↑ Ｆ ｎは、夫々一定流ｆ
ｉＱＮでボンド内の流体をボンド外に排出するとともに
、上記密度勾配が崩れた部分の中心部に配設した一対の
ノズルのうち、片方のノズルＭ丁を一定速度ＱＮ／Ａで
上昇させながら、所定密度ρ丁を有する流体を流量ＱＮ
で吐出させ、他方のノズルＭｅは同じ速度ＱＮ／Ａで下
降させながら、所定密度ρＢを有する流体を流量ＱＮで
吐出させる。
、下部に固定したノズルＦ↑ Ｆ ｎは、夫々一定流ｆ
ｉＱＮでボンド内の流体をボンド外に排出するとともに
、上記密度勾配が崩れた部分の中心部に配設した一対の
ノズルのうち、片方のノズルＭ丁を一定速度ＱＮ／Ａで
上昇させながら、所定密度ρ丁を有する流体を流量ＱＮ
で吐出させ、他方のノズルＭｅは同じ速度ＱＮ／Ａで下
降させながら、所定密度ρＢを有する流体を流量ＱＮで
吐出させる。
鉛直方向に移動するノズルの吐出する液の密度２丁及び
ρ８は、それぞれ上記線形性が崩れた部分の最上部及び
最下部における流体密度であるから、ノズルＭＴから吐
出した流体は周囲流体より密度が小さいため、周囲流体
をまきこみながら上昇し、上記線形性が崩れた部分の最
上部に到達すると水平に拡がる。同様にノズルＭｓから
吐出される密度ρ０の流体は、周囲流体をまきこみなが
ら下降する。このようにノズルＭ丁及びＭ８は夫々密度
ρ丁、ρＢの流体を吐出しながらボンド内を上昇及び下
降するので、その上昇、下降経路にある流体はノズルＭ
Ｔ 、 Ｍ ａの吐出流体とよく混合し、線形の密度勾
配が修復されるのである。
ρ８は、それぞれ上記線形性が崩れた部分の最上部及び
最下部における流体密度であるから、ノズルＭＴから吐
出した流体は周囲流体より密度が小さいため、周囲流体
をまきこみながら上昇し、上記線形性が崩れた部分の最
上部に到達すると水平に拡がる。同様にノズルＭｓから
吐出される密度ρ０の流体は、周囲流体をまきこみなが
ら下降する。このようにノズルＭ丁及びＭ８は夫々密度
ρ丁、ρＢの流体を吐出しながらボンド内を上昇及び下
降するので、その上昇、下降経路にある流体はノズルＭ
Ｔ 、 Ｍ ａの吐出流体とよく混合し、線形の密度勾
配が修復されるのである。
第１図（よ本発明の一実施例を示すソーラボンドの、線
形性の崩れた密度勾配におけるノズルの配置図である。
形性の崩れた密度勾配におけるノズルの配置図である。
図中（６）はボンド（１）内の密度勾配における密度と
ボンド深さとの関係で線形でなくなった部分、（７）は
ノズルＦＴ、（８）はノズルＦ ｅ 、ｆ９１はノズル
Ｍ 丁、ＱｏｌはノズルＭｌｌ、ＺＴは線形性が崩れた
部分の最上部の深さ、Ｚｌｌはその最下部の深さ、Ｚｃ
はその中心部の深さ、ρＴ １．ｔ Ｚ Ｔにおける流
体の密度、ρＢはＺ８におけろ流体密度、ρＣはＺ ｒ
、における流体密度である。ノズルＦＴ及びＦ８は流体
密度と深さとの関係がリニヤでなくなった部分の最上部
と最下部に配設され、上昇ノズルＭ Ｔ （９１及び下
降ノズルＭθ００）はその中央部に上下移動自在に配設
される。
ボンド深さとの関係で線形でなくなった部分、（７）は
ノズルＦＴ、（８）はノズルＦ ｅ 、ｆ９１はノズル
Ｍ 丁、ＱｏｌはノズルＭｌｌ、ＺＴは線形性が崩れた
部分の最上部の深さ、Ｚｌｌはその最下部の深さ、Ｚｃ
はその中心部の深さ、ρＴ １．ｔ Ｚ Ｔにおける流
体の密度、ρＢはＺ８におけろ流体密度、ρＣはＺ ｒ
、における流体密度である。ノズルＦＴ及びＦ８は流体
密度と深さとの関係がリニヤでなくなった部分の最上部
と最下部に配設され、上昇ノズルＭ Ｔ （９１及び下
降ノズルＭθ００）はその中央部に上下移動自在に配設
される。
線形性が崩れた密度勾配の修復は次のようにして行なう
。固定ノズルＦ Ｔ （７］及びＦ ｅ （８］により
、ボンド内の流体を流量ＱＮｒｎ’／ｈｒの割で吸引し
、ボンド外へ排出する。同時にノズルＭＴ（９１を、速
度 ＱＮ／Ａ（Ａはボンドの面積）で上昇させながら密
度ρＴの流体を吐出させ、ノズルＭｅα０）を速度ＱＮ
／Ａで下降させながら密度ρＢの流体を吐出させる。こ
の結果ノズルＭ丁（９１、Ｍ ａ （１０）から吐出さ
れた密度２丁、ρＢの流体は、周囲の流体と良く混合す
るので、ＺＣより上にある密度ρＣの流体は、密度２丁
の流体と混合して密度は小さくなり、Ｚｅより下部にあ
る密度ρＣの流体は、ρＢの流体と混じって密度はより
大きくなるので、第２図にみるようにノズルＭ↑（９１
、Ｍ ８ＧＯ）の移動したあとの流体密度層は通常の線
形密度勾配に回復する。
。固定ノズルＦ Ｔ （７］及びＦ ｅ （８］により
、ボンド内の流体を流量ＱＮｒｎ’／ｈｒの割で吸引し
、ボンド外へ排出する。同時にノズルＭＴ（９１を、速
度 ＱＮ／Ａ（Ａはボンドの面積）で上昇させながら密
度ρＴの流体を吐出させ、ノズルＭｅα０）を速度ＱＮ
／Ａで下降させながら密度ρＢの流体を吐出させる。こ
の結果ノズルＭ丁（９１、Ｍ ａ （１０）から吐出さ
れた密度２丁、ρＢの流体は、周囲の流体と良く混合す
るので、ＺＣより上にある密度ρＣの流体は、密度２丁
の流体と混合して密度は小さくなり、Ｚｅより下部にあ
る密度ρＣの流体は、ρＢの流体と混じって密度はより
大きくなるので、第２図にみるようにノズルＭ↑（９１
、Ｍ ８ＧＯ）の移動したあとの流体密度層は通常の線
形密度勾配に回復する。
ノズルＭ丁（９）がＺＴに達し、Ｍ ｅ Ｑｏｌが２８
に達すると、ノズルＦ Ｔ （７１，Ｆ ＩＩ （８１
による流体の吸引と、ノズルＭτ（９１、Ｍ ａ ００
１による流体の吐出を停止し、ここに密度勾配層の修復
が完了するのである。第３図はこの修復完了時の密度勾
配層を示す線図と、ノズルＦＴ（７）、Ｆ８（８）、Ｍ
Ｔ（９）、ＭＩＩＯａｌの位置を表している。
に達すると、ノズルＦ Ｔ （７１，Ｆ ＩＩ （８１
による流体の吸引と、ノズルＭτ（９１、Ｍ ａ ００
１による流体の吐出を停止し、ここに密度勾配層の修復
が完了するのである。第３図はこの修復完了時の密度勾
配層を示す線図と、ノズルＦＴ（７）、Ｆ８（８）、Ｍ
Ｔ（９）、ＭＩＩＯａｌの位置を表している。
なお上記実施例は、深さＺＴとＺａとの間の密度分布を
一度に修復する例であるが、深さＺＴとＺｃとの間の修
復と、Ｚ８とＺｃとの間の修復とを別々に分けて行なっ
てもよい。このときは先ずノズルＭＴ（９１、Ｆ ｔ
（７１とを使用してＺｔとＺｅとの間を修復し、次にノ
ズルＭ１１（ＩＯｌとＦ ｅ （ｇｌとを使用してＺＩ
ＩとＺｃとの間を修復する。勿論その逆も可能である。
一度に修復する例であるが、深さＺＴとＺｃとの間の修
復と、Ｚ８とＺｃとの間の修復とを別々に分けて行なっ
てもよい。このときは先ずノズルＭＴ（９１、Ｆ ｔ
（７１とを使用してＺｔとＺｅとの間を修復し、次にノ
ズルＭ１１（ＩＯｌとＦ ｅ （ｇｌとを使用してＺＩ
ＩとＺｃとの間を修復する。勿論その逆も可能である。
又、上部と下部とを別々に修復する場合は、ノズルはＭ
Ｔ［９１とＦｉｔ７）又はＭ ｓ （１０１とＦｎ （
ｓｌの２個を準備すればよい。
Ｔ［９１とＦｉｔ７）又はＭ ｓ （１０１とＦｎ （
ｓｌの２個を準備すればよい。
又例えば上部ＺｔとＺｃとの間を修復するのに、Ｎ個の
ノズルＭｒ Ｉ、ＭＴ 、、ＭＴ３．・ＭＴＮと、Ｍ個
の固定ノズルＦＴ ｌｐ ＦＴ ２．、、ＦＴＭを使用
することもできる。この時は移動ノズルＭＴ、ＭＴＮか
らの吐出流の和と、固定ノズルＦＴＩ・ＦＴＭからの吸
引量との和を等しい値ＱＮに設定り、、７、移動ツユ４
ＭＴ ｔ＋−ＭＴ Ｎ全部を速度ＱＮ／Ａで上昇させ
ればよい。下部についても同様にして修復可能である。
ノズルＭｒ Ｉ、ＭＴ 、、ＭＴ３．・ＭＴＮと、Ｍ個
の固定ノズルＦＴ ｌｐ ＦＴ ２．、、ＦＴＭを使用
することもできる。この時は移動ノズルＭＴ、ＭＴＮか
らの吐出流の和と、固定ノズルＦＴＩ・ＦＴＭからの吸
引量との和を等しい値ＱＮに設定り、、７、移動ツユ４
ＭＴ ｔ＋−ＭＴ Ｎ全部を速度ＱＮ／Ａで上昇させ
ればよい。下部についても同様にして修復可能である。
上記実施例に使用するノズルＦＴ、Ｆｌｌ、Ｍ丁ＰＭＢ
は第４図に示すような、２枚の平行円板の隙間から水平
方向に放射状に流出する形式のものであるが、第５図に
示すような円板型、第６図に示すパイプ型など種々の形
式のノズルが使用可能である。このうち第５図（ｂ）、
（Ｃ） 、第６図（ａ）、（ｂ）に示すノズルは、下方
向を乱さないで、流体の吸引、吐出が可能であるから、
ノズルＭＴ （９１，Ｆ ｓ （８１として適当であり
、ノズルＭｅＱｌ、Ｆｙ（７）としては、第５図（ａ）
、（ｄ） 、第６図（ｅ）、（ｄ）などに示すものが適
当である。
は第４図に示すような、２枚の平行円板の隙間から水平
方向に放射状に流出する形式のものであるが、第５図に
示すような円板型、第６図に示すパイプ型など種々の形
式のノズルが使用可能である。このうち第５図（ｂ）、
（Ｃ） 、第６図（ａ）、（ｂ）に示すノズルは、下方
向を乱さないで、流体の吸引、吐出が可能であるから、
ノズルＭＴ （９１，Ｆ ｓ （８１として適当であり
、ノズルＭｅＱｌ、Ｆｙ（７）としては、第５図（ａ）
、（ｄ） 、第６図（ｅ）、（ｄ）などに示すものが適
当である。
なお修復後の密度勾配を完全に線形にするには、第４図
及び第５図に示す円板型ノズルでは、２枚の円板の隙間
をできるだけ小さくし、第６図に示すパイプ型ノズルで
はその内径をできるだけ小さくする必要がある。
及び第５図に示す円板型ノズルでは、２枚の円板の隙間
をできるだけ小さくし、第６図に示すパイプ型ノズルで
はその内径をできるだけ小さくする必要がある。
又移動ノズルＭ ｒ （９１＝ Ｍ ａ ａｏ＋は一定
速度ＱＮ ／Ａで滑らかに移動させる必要はなく、第７
図に示すように滑らかな動き（Ｐ）に近似して間欠的（
Ｑ）に移動させてもよい。
速度ＱＮ ／Ａで滑らかに移動させる必要はなく、第７
図に示すように滑らかな動き（Ｐ）に近似して間欠的（
Ｑ）に移動させてもよい。
第８図は本発明の効果を示す実験結果である。
直径１．２ｍの円筒形容器に流体を貯留し、第８図（ａ
）に示すような崩れた密度勾配を形成せしめた。この容
器内に第４図に示す形式のノズルを装入し実験を行なっ
た。ノズルの円板の直径は５０ｍｍ、２枚の円板の隙間
は２ＩＩＩＩｌである。ノズルからの吐出及び吸引流量
は２ Ｘ １０−５ｒｎ″／Ｓで、従って移動ノズルの
移動速度は１．７７Ｘ”ＩＩＩ／ｓである。実験の結果
第８図（ａ）に示すような密度勾配の崩れは殆ど完全に
修復され、第８図（ｂ）に示すような直線を得た。本発
明の優れた効果を示している。
）に示すような崩れた密度勾配を形成せしめた。この容
器内に第４図に示す形式のノズルを装入し実験を行なっ
た。ノズルの円板の直径は５０ｍｍ、２枚の円板の隙間
は２ＩＩＩＩｌである。ノズルからの吐出及び吸引流量
は２ Ｘ １０−５ｒｎ″／Ｓで、従って移動ノズルの
移動速度は１．７７Ｘ”ＩＩＩ／ｓである。実験の結果
第８図（ａ）に示すような密度勾配の崩れは殆ど完全に
修復され、第８図（ｂ）に示すような直線を得た。本発
明の優れた効果を示している。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示す密度修復方法
の説明図で、第１図は修復開始時のノズル配置と密度勾
配の説明図、第２図は修復途中の説明図、第３図は修復
完了時の説明図、第４図はその円板型ノズルの（ａ）は
断面図、（ｂ）は平面図、第５図は他の形式の円板型ノ
ズルの断面図、第６図はパイプ型ノズルの斜視図、第７
図はノズルの移動方法の説明図、第８図は実験結果を示
す線図、第９図はソーラボンドの断面図、第１０図はポ
ンドの深さと流体密度との相関を示す線図である。 図中、（１）はソーラボンド、（２）は塩水層、（３）
は密度勾配層、（４）は清水層、（５）は線形をなす密
度勾配、（６）は線形の崩れた密度勾配、ｆ７＋、（８
１は固定ノズル、（９１，Ｑωは移動ノズルである。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２図 ｅｖ ｅｃ ｅａｔ＆ 第３図 第４国 第５図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） ｊＩ６図 （ｃ） （ｄ） ＱＮ／Ａ 第８ （ａ） 乞友 ｅｋｇｃｍ （ｂ） 完 度 ｅ ｋｇｃｍ
の説明図で、第１図は修復開始時のノズル配置と密度勾
配の説明図、第２図は修復途中の説明図、第３図は修復
完了時の説明図、第４図はその円板型ノズルの（ａ）は
断面図、（ｂ）は平面図、第５図は他の形式の円板型ノ
ズルの断面図、第６図はパイプ型ノズルの斜視図、第７
図はノズルの移動方法の説明図、第８図は実験結果を示
す線図、第９図はソーラボンドの断面図、第１０図はポ
ンドの深さと流体密度との相関を示す線図である。 図中、（１）はソーラボンド、（２）は塩水層、（３）
は密度勾配層、（４）は清水層、（５）は線形をなす密
度勾配、（６）は線形の崩れた密度勾配、ｆ７＋、（８
１は固定ノズル、（９１，Ｑωは移動ノズルである。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２図 ｅｖ ｅｃ ｅａｔ＆ 第３図 第４国 第５図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） ｊＩ６図 （ｃ） （ｄ） ＱＮ／Ａ 第８ （ａ） 乞友 ｅｋｇｃｍ （ｂ） 完 度 ｅ ｋｇｃｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 深さに応じその密度が線形に変化する密度勾配層を有す
る流体の貯留池において、 上記密度勾配層の線形性が崩れた部分の最上部と最下部
に夫々固定ノズルを備えるとともに、該線形性が崩れた
部分の中央部に一対の上昇用及び下降用の移動ノズルを
備えて、上記固定ノズルからは上記流体を、所定流量、
貯留池外に排出するとともに、上昇用ノズルからは上記
線形の崩れた部分の最上部の流体密度を有する流体を、
所定流量吐出せしめ、下降用ノズルからは上記線形の崩
れた部分の最下部の流体密度を有する流体を、所定流量
吐出せしめつつ、上記移動ノズルを所定速度で上昇及び
下降せしめることによって、上記線形性が崩れた密度勾
配の修復を行なうように構成したことを特徴とする貯留
された液の密度勾配修復方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258495A JPS62119364A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 貯留された液の密度勾配修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258495A JPS62119364A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 貯留された液の密度勾配修復方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119364A true JPS62119364A (ja) | 1987-05-30 |
| JPH0137659B2 JPH0137659B2 (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=17321000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258495A Granted JPS62119364A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 貯留された液の密度勾配修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1034398C2 (nl) * | 2006-09-15 | 2008-12-23 | Entry Technology Holding B V | Systeem voor het opslaan van energie en werkwijze voor het gebruik daarvan. |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258495A patent/JPS62119364A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1034398C2 (nl) * | 2006-09-15 | 2008-12-23 | Entry Technology Holding B V | Systeem voor het opslaan van energie en werkwijze voor het gebruik daarvan. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0137659B2 (ja) | 1989-08-08 |
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