JPS62120521A - 電源回路 - Google Patents

電源回路

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JPS62120521A
JPS62120521A JP60261787A JP26178785A JPS62120521A JP S62120521 A JPS62120521 A JP S62120521A JP 60261787 A JP60261787 A JP 60261787A JP 26178785 A JP26178785 A JP 26178785A JP S62120521 A JPS62120521 A JP S62120521A
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JP
Japan
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voltage
photovoltaic device
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load
capacitor
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Masayoshi Ono
雅義 小野
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は非晶質光起電力装置を含む電源回路に関し、更
に詳述すれば高照度にて照射されても光起電力装置が劣
化し難く、また負荷に対して安寞して給電できる電源回
路を提案するものである。
〔従来技術〕
非晶質光起電力装置は高照度光を照射するとその電気的
出力が低下していくという、結晶光起電力装置とは相異
する性質を示す。
第4図は1.5Vニおける動作電流1  (1,5V)
がlO万JXの照射によって劣化していく様子を示して
おり、横軸に照射時間を、また縦軸に初期値を100%
とする相対値を示しており、白丸は端子間を短絡した場
合、また黒丸は端子間を開放した場合夫々の結果を示し
ている。
一方光起電力装置の動作点は負荷のインピーダンスによ
って定まる。第5図は曲線にて光起電力装置のI−V(
電流−電圧)特性を、また直線に・て負荷のインピーダ
ンス特性を示しており、その交点が動作点となる。なお
図中Vocは開放電圧、Iscは短絡電流を示している
然るところ光起電力装置のI−V特性は照度によって第
6図に示すように変化するから負荷が一定であっても動
作点はI−V特性に応じて、即ち照度に応じて変化する
ことになる。
さて光起電力装置を電源として備えた電気機器とし°ζ
電卓が知られている。いまアモルファスシリコンの光起
電力装置の場合について検討してみる。
第7図に示すように負荷インピーダンス2を100にΩ
とし、動作電圧り、5Vでの動作電流を10IJAとす
る。開放電圧Vocは501xの照度下で2.0V程度
必要である。
このような電卓を太陽光(10万j!x)下に曝すと動
作電圧は2.6V程度となり、電流は26μ^(−2,
6V/100にΩ)となり、光起電力装置は殆ど開放状
態で照射されていることになる。
第4図に示すように端子間を開放した状態におく方が劣
化の面から好ましくない、また動作電圧の上昇によるI
Cの破壊も考えられる。そこで一般には第7図に示す如
きI−V特性を有するツェナーダイオード84を第8図
に示すように光起電力装置81.出力電圧安定用のコン
デンサ82及び負荷83と並列的に接続して過電圧を防
止している。
このようなツェナーダイオード84を接続すると光起電
力装置81の出力端に、Jからみた太陽光照射時の動作
点は電圧1.5vの直線と10万1xとの交点0となる
。従って光起電力装置の出力端に、  1からみたイン
ピーダンスはツェナーダイオード84を用いない場合に
比して低下し、光劣化が緩和されることになる。しかし
ながらこのツェナーダイオード84が降伏電圧にある間
も光起電力装置は短絡状態にあるわけでないので第4図
を参照すれば明らかなように開放状態に比して改善され
るとしても、短絡しておく場合程には改善されない。
いまこの電卓を504! xの低照度で1 (1,5V
) −11,5μへの出力にて使用していたものとする
。゛但し、この電卓の作動可能範囲を1  (1,5V
)≧lOμAとする。
次にこの電卓を10万Axの高照度下に1時間曝露して
劣化させた後、再び50 j x下にて使用する場合に
ついて考える。第5図の劣化特性によればlO万βXに
て1時間照射するとr  (1,5V)は初期値の84
%となるから、照射後の特性は11.5μA×0.84
−9.7μAとなって電卓は作動不能となる。
これに対しlO万!Xにて照射する開光起電力装置を短
絡しておいた場合は、1時間の照射にて92%になるか
ら、11.5μ八X 0.92−10.58μ八となっ
て電卓は動作可能である。
このように低照度に対応させた光起電力装置利用機器に
おいては高照度照射によるその劣化が大きな問題となっ
ていた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
のであって光起電力装置の照度を検出する素子を設け、
これが所定値以上の照度を検出した場合に光起電力!!
&置を短絡して劣化を抑制し、この開光起電力装置と並
列的に接続しており、光起電力装置にて充電しておいた
コンデンサにて負荷に給電するようにして光起電力装置
の寿命延長と連続給電とを両立させた電源回路を提供す
ることを目的とする。
本発明に係る電源回路は、非晶質光起電力装置と、その
両極間に接続された短絡用スイッチング素子と、これら
に並列接続され、非晶質光起電力装置によって充電され
、また負荷に給電すべくなしたコンデンサと、非晶質光
起電力装置の照度検出素子と、この照度検出素子が所定
値以上の照度を検出している間に前記スイッチング素子
を断続的に導通させる導通制御回路とを具備することを
特徴とする。
〔作用〕
このような構成としたことによりlO万lにの高照度下
に低照度対応の光起電力装置組込機器をおいても、光起
電力装置を短絡している時間が増えている分だけ劣化が
緩やかになり、長寿命化される。
〔実施例〕゛ 以下本発明をその実施例を示す図面に基づいて詳述する
。第1図は本発明の電源回路を負荷と共に示す回路図で
あって光起電力装置1の正負極間にその短絡用のスイッ
チングトランジスタ2、シュミットトリガ回路3と抵抗
4との直列回路、抵抗5とツェナーダイオード6とコン
デンサ7との直列回路が並列接続されている。シュミッ
トトリガ回路3はループ利得〉lのものであって、光起
電力装置lの正極を電源電位Vccとし、ツェナーダイ
オード6とコンデンサ7との接続点を入力電圧Vi と
し、更に出力電圧Voを抵抗8を介してトランジスタ2
のベースに与えるように接続してあり、前記照度検出素
子として機能する。
第2図はこのシュミットトリガ回路3の特性を示し、V
iが2.OVになるとVoとしてVccの電圧が出力さ
れ、Viが1.5vにまで下がるとVoはVain  
(例えば0.7v以下)となることを示しており、トラ
ンジスタ2はVo=Vccとなるとオンし、光起電力装
置lの両極を短絡する。そしてVi =1.5vとなっ
てVo =Vminとなるとトランジスタ2はオフし、
光起電力装置lの両極を開放する。
光起電力装置の正極にはダイオード9がH方向に接続さ
れており、そのカソード側と光起電力装置1の負極との
間にコンデンサ10と、抵抗11並びにツェナーダイオ
ード12及び負極■3の並列回路の直列回路とが並列接
続されている。
而してこのように構成された本発明回路の動作につい°
ζ説明する、まず低照度下ではツェナーダイオード6の
降伏電圧の絶対値IVblに比してツェナーダイオード
6のカソード側電圧Vdが低いので通電電流は小さく、
従ってVi 、Voは低くトランジスタ2はオフしたま
まである。
次に高照度下においた場合について説明する。
第3図はvlを上側に、コンデンサlOの正極側電圧V
cを下側にしてその時間的変化を示している。
光起電力装置1の出力電圧が上昇しこれにともないVd
’≧Ivblとなり、Viの電圧は上昇していく、一方
コンデンサ7.lOが充電されはじめ、また光起電力装
置lから負荷13への給電が行われる。そしてコンデン
サlOの正極の電圧Vcがツェナーダイオード6の降伏
電圧に達するとく時点t1)Vcは一定になる。一方、
Viが2.Ovまで上昇すると(時点t2)シュミット
トリガ回路3のVoはVccに上昇し、トランジスタ2
が導通する。
これによって光起電力装置1は短絡されることになる。
コンデンサ7の充電電荷は抵抗4を介して放電され、そ
の抵抗値とコンデンサ7の容量との積を時定数としてV
iが低下していき1.5vにまで低下するとく時点L3
)トランジスタ2はオフする。
このt2〜t3の間コンデンサ10は負荷13を介して
放電すること、つまり負荷への給電が行われることにな
る。
トランジスタ2がオフすると再び光起電力装置1の電圧
がコンデンサ7、lO及び負荷13に加わりコンデンサ
の充電と負荷への給電が行われることになるのである。
(効果〕 本発明の電源回路ではこのような動作が反復されていく
のでも1〜t3の間のうちt2〜t3の間が光起電力装
置1の両極間が短絡された状態となり、これが反復され
るから、この間光起電力装置1の劣化率が低下する。ト
ランジスタ2がオンしている期間、つまり光起電力装置
Iの短絡期間をLID%  トランジスタ2がオフして
いる期間をtnとし、また光起電力装置1の短絡時の劣
化率をX%、負荷への給電時の劣化率をY%とすると、
本発明の電源回路における光起電力値W11の最終劣化
率は ((tm/ln)  ・X+ (tn/ln)  ・Y
)%となる。
但し、t、Hwt、+tn 従来のものはY%であるから、本発明による場合は Y−((Lm/lt)  ・X+ (tn/1j)−Y
)=((t+m/li)  ・Y−X) ポイントだけ光起電力値ff1lの劣化率を低減できる
ことになる。
そして、このように寿命を長寿命化できると共に負荷へ
の給電は何らの支障もなく行なえる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明回路の回路図、第2図はシュミットトリ
ガ回路の特性図、第3図は動作説明のための波形図、第
4図は光起電力装置の劣化率を示すグラフ、第5.6図
は光起電力装置のI−V特性の説明図、第7図はツェナ
ーダイオードのr−■特性図、第8図は従来の電源回路
の回路図である。 1・・・光起電力装置 2・・・スイッチングトランジ
スタ 3・・・シェミットトリガ回路 6,12・・・
ツェナーダイオード 7.lO・・・コンデンサ 13
・・・負N特 許 出願人  三洋電機株式会社 代理人 弁理士  河 野  登 大 事8邑 阜 7図 ′!41図 第2図 え1  勉  え3 埠 31fi 手続補正書(自発) 昭和60年12月13日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、非晶質光起電力装置と、その両極間に接続された短
    絡用スイッチング素子と、これらに並列接続され、非晶
    質光起電力装置によって充電され、また負荷に給電すべ
    くなしたコンデンサと、非晶質光起電力装置の照度検出
    素子と、この照度検出素子が所定値以上の照度を検出し
    ている間に前記スイッチング素子を断続的に導通させる
    導通制御回路とを具備することを特徴とする電源回路。 2、前記非晶質光起電力装置はアモルファスシリコン光
    起電力装置である特許請求の範囲第1項記載の電源回路
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS596729A (ja) * 1982-06-30 1984-01-13 株式会社東芝 太陽電池−二次電池充電器
JPS60112821U (ja) * 1984-01-09 1985-07-31 株式会社明電舎 太陽電池による負荷の始動装置
JPS60162418A (ja) * 1984-02-02 1985-08-24 三菱電機株式会社 人工衛星の電源装置

Patent Citations (3)

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