JPS62121767A - 情報記録媒体用基盤 - Google Patents
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G11B7/2536—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polystyrene [PS]
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
未発明は光ビームを照射して情報の記Ｑ−再生又は消去
などを行う光学的情報記録再生装置の情報記録媒体用基
盤に関する。
などを行う光学的情報記録再生装置の情報記録媒体用基
盤に関する。
［従来の技術１
従来、光デイスク装置や光磁気ディスク装置等の光学的
情報記録再生装置の情報記録媒体用基盤には、ＰＭＭＡ
等のアクリル樹脂が使われることが多かった。これは、
特開昭５７−７４７０１号公報にも示されるように、ア
クリル樹脂が光学的る上で最適と考えられていたからで
ある。しかしながら、アクリル樹脂は吸湿性が大きく媒
体自体が反ってしまうという欠点を有していた。
情報記録再生装置の情報記録媒体用基盤には、ＰＭＭＡ
等のアクリル樹脂が使われることが多かった。これは、
特開昭５７−７４７０１号公報にも示されるように、ア
クリル樹脂が光学的る上で最適と考えられていたからで
ある。しかしながら、アクリル樹脂は吸湿性が大きく媒
体自体が反ってしまうという欠点を有していた。
一方、近年かかる情報記録媒体用の基盤としてポリカー
ボネート（以下、ＰＣと略す）樹脂が注目されている。
ボネート（以下、ＰＣと略す）樹脂が注目されている。
ＰＣ樹脂は、反りに対して強く、この点に関してはアク
リル樹脂に比べて優れた性質を持っている。しかしなが
ら、光学的特性については十分といえず、高Ｇ／Ｈの再
生信号がなかなか得られないのが実状である。
リル樹脂に比べて優れた性質を持っている。しかしなが
ら、光学的特性については十分といえず、高Ｇ／Ｈの再
生信号がなかなか得られないのが実状である。
［発明が解決しようとする問題点］
即ち、従来技術によると、アクリル樹１ｆｆｊは光学的
特性に優れるものの吸湿性が大きく、情報記録媒体に変
形や歪を生じやすい欠点を有してる。一方、ＰＣ樹脂は
機械的強度や形状安定性には優れるものの情報記録媒体
の基盤として使用する為には光学特性に未解決の問題点
を有してた。本発明は、ト記の如き従来技術の有してい
た問題点に鑑みてなされたもので、ＰＣ樹脂の光学的特
性につのできる熱可塑性樹脂を用いた情報記録媒体用の
基盤を提供することを目的とする。
特性に優れるものの吸湿性が大きく、情報記録媒体に変
形や歪を生じやすい欠点を有してる。一方、ＰＣ樹脂は
機械的強度や形状安定性には優れるものの情報記録媒体
の基盤として使用する為には光学特性に未解決の問題点
を有してた。本発明は、ト記の如き従来技術の有してい
た問題点に鑑みてなされたもので、ＰＣ樹脂の光学的特
性につのできる熱可塑性樹脂を用いた情報記録媒体用の
基盤を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段及び作用］本発明の説明
に先立ち１本発明に到った概要を以下に説明する。
に先立ち１本発明に到った概要を以下に説明する。
一２般に、光学的情報記録再生装置では、光源である半
導体レーザから出射する直径４及至５１程度のレーザ光
をレンズで集光し、１終■のスポットに絞り込む、この
ため、例えば前記レンズをＮ Ａ Ｏ，５とすると、集
光されたレーザ光は最大３０度の入射角をもって情報記
録媒体に入射することとなる。一方、光磁気効果を利用
した情報記録再生装置においては、情報記録媒体によっ
てレーザ光の偏光面に生じる僅かな傾きをアナライザー
を介して検出し、再生信号を得るものである。このため
、前記の如く集光されたレーザ光が、情報記録媒体に垂
直に入射しない場合には、Ｐ偏光とＳ偏光との中間的な
状態の偏光が存在することとなり、直線偏光が楕円化し
、その結果ノイズレベルがｔ昇して再生信号の０１Ｍ比
が劣化するものである。また、上記の楕円化は円偏光を
用いる他の光学的情報記録再生装置（例えばＤＲＡＷ方
式）にも生じ、再生信号のＣ／Ｎ比を劣化させるもので
ある。このような場合ポリカーボネートのようなある程
度の複屈折が存在することが避けられない材料では複屈
折を全くとり除くことを考えるよりは、光学的異方性を
示す軸（以下、光学軸と称す）の向きを基盤表面と平行
になるようにする事を考えた方が実現性が大きい。その
結果、偏光面と光学軸とのなす角は小さくなり、楕円化
の程度は非常に小さくなり、ノイズレベルが下がり高い
Ｃ／Ｎが得られる。
導体レーザから出射する直径４及至５１程度のレーザ光
をレンズで集光し、１終■のスポットに絞り込む、この
ため、例えば前記レンズをＮ Ａ Ｏ，５とすると、集
光されたレーザ光は最大３０度の入射角をもって情報記
録媒体に入射することとなる。一方、光磁気効果を利用
した情報記録再生装置においては、情報記録媒体によっ
てレーザ光の偏光面に生じる僅かな傾きをアナライザー
を介して検出し、再生信号を得るものである。このため
、前記の如く集光されたレーザ光が、情報記録媒体に垂
直に入射しない場合には、Ｐ偏光とＳ偏光との中間的な
状態の偏光が存在することとなり、直線偏光が楕円化し
、その結果ノイズレベルがｔ昇して再生信号の０１Ｍ比
が劣化するものである。また、上記の楕円化は円偏光を
用いる他の光学的情報記録再生装置（例えばＤＲＡＷ方
式）にも生じ、再生信号のＣ／Ｎ比を劣化させるもので
ある。このような場合ポリカーボネートのようなある程
度の複屈折が存在することが避けられない材料では複屈
折を全くとり除くことを考えるよりは、光学的異方性を
示す軸（以下、光学軸と称す）の向きを基盤表面と平行
になるようにする事を考えた方が実現性が大きい。その
結果、偏光面と光学軸とのなす角は小さくなり、楕円化
の程度は非常に小さくなり、ノイズレベルが下がり高い
Ｃ／Ｎが得られる。
本発明は、上記考察に基づいて前記目的を達成するため
になされたもので、熱可塑性樹脂を用いた情報記録媒体
用基盤において、光学的異方性を示す軸（光学軸）の方
向を円盤状基盤の半径方向にほぼ揃え、かつ、円盤状基
盤の表面にほぼ平行にすることによって情報記録媒体用
基盤を構成することにより、高Ｃ／Ｎ比の再生信号を得
ることができるようにしたものである。
になされたもので、熱可塑性樹脂を用いた情報記録媒体
用基盤において、光学的異方性を示す軸（光学軸）の方
向を円盤状基盤の半径方向にほぼ揃え、かつ、円盤状基
盤の表面にほぼ平行にすることによって情報記録媒体用
基盤を構成することにより、高Ｃ／Ｎ比の再生信号を得
ることができるようにしたものである。
［実施例］
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
ＰＣ樹脂を用いた情報記録媒体用の基盤（以Ｆ、ＰＣ基
盤）の光学的特性を知るために、基盤に垂直に入射する
光ビームにより基盤の複屈折の度合を測定した。その結
果、ＰＣ基盤の複屈折の度合はかなり小さく、ＰＣ基盤
でもアクリル樹脂を用いた）に：盤並のＣ／Ｎ比が再信
号に得られるはずであることが示される。しかし、測定
結果はＰＣ基盤を用いた際に得られる現実のＣ／Ｎ比の
イ１と折り合わない。
盤）の光学的特性を知るために、基盤に垂直に入射する
光ビームにより基盤の複屈折の度合を測定した。その結
果、ＰＣ基盤の複屈折の度合はかなり小さく、ＰＣ基盤
でもアクリル樹脂を用いた）に：盤並のＣ／Ｎ比が再信
号に得られるはずであることが示される。しかし、測定
結果はＰＣ基盤を用いた際に得られる現実のＣ／Ｎ比の
イ１と折り合わない。
そこで、現実の光学的情報記録再生装置では光ビームは
、レンズで集光され絞られるために前置入射光に加えて
斜め入射光が存在することに着目し、この斜め入射光の
影響について実験で確認した。
、レンズで集光され絞られるために前置入射光に加えて
斜め入射光が存在することに着目し、この斜め入射光の
影響について実験で確認した。
第１図及び第２図はレンズで集光した場合の光ビームの
様子を示している。
様子を示している。
第１図は、対物レンズ１がＰＣ基盤２の１部にレーザー
ビーム３を絞り込んでスポット状に照射する様子を示す
説明図である０図においてＰＣ基Ｉ！！１２は円盤の１
部のみを省略記載している。また１図示の説明は光磁気
効果を利用した所謂光磁気ディスク装置を規定している
ので、レーザービーム３は基盤２の半径方向（図中符号
２１）に直交し１，２Ｊｆｆｉ２に平行な直線偏光（図
中符号２２により偏光方向を示す）である、基盤２の表
面におけるビーム透過面４に入射するレーザービーム３
は、直線偏光の向きに対して直交および平行に入射する
ビーム３２及び３４．及び、ビーム３２．３４に対して
それぞれ４５度ずれて入射するビーム３１．３３を含ん
でいる。
ビーム３を絞り込んでスポット状に照射する様子を示す
説明図である０図においてＰＣ基Ｉ！！１２は円盤の１
部のみを省略記載している。また１図示の説明は光磁気
効果を利用した所謂光磁気ディスク装置を規定している
ので、レーザービーム３は基盤２の半径方向（図中符号
２１）に直交し１，２Ｊｆｆｉ２に平行な直線偏光（図
中符号２２により偏光方向を示す）である、基盤２の表
面におけるビーム透過面４に入射するレーザービーム３
は、直線偏光の向きに対して直交および平行に入射する
ビーム３２及び３４．及び、ビーム３２．３４に対して
それぞれ４５度ずれて入射するビーム３１．３３を含ん
でいる。
第２図は、基盤２のビーム透過面の様子を示した説明図
である。第１図の符号と同一符号は同一要素を示してい
る６図において各ビーム３１゜３２．３３及び３４に示
される矢印は直線偏光の振動の向きを示している。ビー
ム３２．３４は、それぞれ直線偏光の向きに対して直交
又は平行にビーム透過面４に入射し、それぞれＳ偏光ま
たはＰ偏光になる。しかるに、ビーム３１．３３は第１
図に示した如くビーム３２．３４に対して４５度ずつず
れた方向からビーム透過面に入射するために、Ｐ偏光と
Ｓ偏光との両成分を含む偏光となる。なお１図中ψは入
射面と半径方向とがなす角を示している。かかる基盤に
対する斜めの入射光の影等を測定するために、これらの
各ビーム３１．３２，３３．及び３４の作用について、
それぞれを独立に測定する。
である。第１図の符号と同一符号は同一要素を示してい
る６図において各ビーム３１゜３２．３３及び３４に示
される矢印は直線偏光の振動の向きを示している。ビー
ム３２．３４は、それぞれ直線偏光の向きに対して直交
又は平行にビーム透過面４に入射し、それぞれＳ偏光ま
たはＰ偏光になる。しかるに、ビーム３１．３３は第１
図に示した如くビーム３２．３４に対して４５度ずつず
れた方向からビーム透過面に入射するために、Ｐ偏光と
Ｓ偏光との両成分を含む偏光となる。なお１図中ψは入
射面と半径方向とがなす角を示している。かかる基盤に
対する斜めの入射光の影等を測定するために、これらの
各ビーム３１．３２，３３．及び３４の作用について、
それぞれを独立に測定する。
第３図に上記各光ビームの作用を測定する測定装置の概
略構成図を示す、裏面に反射膜５を備えたＰＣ基盤２を
モーター６で回転させておく。
略構成図を示す、裏面に反射膜５を備えたＰＣ基盤２を
モーター６で回転させておく。
Ｈｅ Ｍｅレーザ７から直線偏光の形で出射されたレ
ーザービームは、プラントムソンプリズム（以下、ＧＴ
Ｐ）８を介してＰＣ基盤２に斜めに入射させる。
ーザービームは、プラントムソンプリズム（以下、ＧＴ
Ｐ）８を介してＰＣ基盤２に斜めに入射させる。
反射１ｇ！５で反射されたレーザービームは、ＧＴＰ９
を介してパワーメーター１０において検知される。ＧＴ
Ｐ９は、ＧＴＰ８に対しクロスニグロの状態に置かれて
いる。ここで、ＧＴＰ８を回転させると、Ｐ Ｃ基ｌ！
ｉＬ２に入射するレーザービームの入射面を変化させる
（第２図の角度ψの変化に相当）ことができるので、所
定の角度設定により、ビーム３１乃至３４の各々に対応
したレーザービームを独立に発生できる。なお、ＰＣ基
＠２は射出成形で製作されたものであり、以下の実施例
の説明においても同様である。
を介してパワーメーター１０において検知される。ＧＴ
Ｐ９は、ＧＴＰ８に対しクロスニグロの状態に置かれて
いる。ここで、ＧＴＰ８を回転させると、Ｐ Ｃ基ｌ！
ｉＬ２に入射するレーザービームの入射面を変化させる
（第２図の角度ψの変化に相当）ことができるので、所
定の角度設定により、ビーム３１乃至３４の各々に対応
したレーザービームを独立に発生できる。なお、ＰＣ基
＠２は射出成形で製作されたものであり、以下の実施例
の説明においても同様である。
上記測定装置によれば、測定は、まず
ＧＴＰ８をビーム３１の入射面に対応した角度に設定し
、ＰＣ基盤２の１回転に相当する時間にわたってパワー
メーターｌＯの出力を計測する０次にＧＴＰ８の角度を
ビーム３２，３３．３４に対応して順次各々切換えて、
同様の測定を行なう。
、ＰＣ基盤２の１回転に相当する時間にわたってパワー
メーターｌＯの出力を計測する０次にＧＴＰ８の角度を
ビーム３２，３３．３４に対応して順次各々切換えて、
同様の測定を行なう。
なお、図において光ビームの基盤２への入射角を図示の
如＜１５度としたのは前記の説明においてレンズをＮＡ
ｏ、５ 、最大入射角を３０度として説明した例に対応
した一例を示すものである。
如＜１５度としたのは前記の説明においてレンズをＮＡ
ｏ、５ 、最大入射角を３０度として説明した例に対応
した一例を示すものである。
第４図（Ａ）乃至（Ｄ）に上記測定装置によって各ビー
ム３１，３３，３２．３４について得た測定結果をそれ
ぞれ示す０図において縦軸は、パワーメータ（第３図符
号１０）の出力であって入反射状態での消光量を表わす
、横軸はモータ（第３図符号６）によるＰＣ基ｌ１１２
の回転角であり、図中矢印は基ｌ！１１回転に相当する
。
ム３１，３３，３２．３４について得た測定結果をそれ
ぞれ示す０図において縦軸は、パワーメータ（第３図符
号１０）の出力であって入反射状態での消光量を表わす
、横軸はモータ（第３図符号６）によるＰＣ基ｌ１１２
の回転角であり、図中矢印は基ｌ！１１回転に相当する
。
第４図の測定結果から、Ｓ偏光のビーム３２とＰ偏光の
ビーム３４では、共に消光量が小さいのに対し、Ｐ、Ｓ
両成分を含むビーム３１．３３では消光量は１けた値が
大きくなっていることがわかる。かかる消光量の変化は
、レーザービームの楕円化の程度に関連する。従って、
この結果からＰＣ基盤による楕円化の程度は、基盤に入
射するレーザービームの入射面の向き（角度ψ）の関数
になっていると考えられることが解る。
ビーム３４では、共に消光量が小さいのに対し、Ｐ、Ｓ
両成分を含むビーム３１．３３では消光量は１けた値が
大きくなっていることがわかる。かかる消光量の変化は
、レーザービームの楕円化の程度に関連する。従って、
この結果からＰＣ基盤による楕円化の程度は、基盤に入
射するレーザービームの入射面の向き（角度ψ）の関数
になっていると考えられることが解る。
そこで、この点について、以下に第５図を参照して理論
解析を試みる。
解析を試みる。
第５図は媒質に光ビームが入射した場合の偏光面の変化
を示す説明図である０面Ａは光学軸を含み入射面に垂直
な面、面Ｂは屈折後の光線と光学軸を含む面をそれぞれ
示す。
を示す説明図である０面Ａは光学軸を含み入射面に垂直
な面、面Ｂは屈折後の光線と光学軸を含む面をそれぞれ
示す。
媒質に入射した光ビームが屈折した後、偏光面と光学軸
とのなす角を光線方向から見た角０、入射角を０１ 、
入射面と゛ト径方向とのなす角をψで示す。更に、他の
角をそれぞれ上記の如く定義する。［！ｌち。
とのなす角を光線方向から見た角０、入射角を０１ 、
入射面と゛ト径方向とのなす角をψで示す。更に、他の
角をそれぞれ上記の如く定義する。［！ｌち。
（＝光学軸と入射面との角
γ：光線方向から見た屈折前の偏光面と入射面との角
に：屈折後の光線方向から見た偏光面と入射面との角
β：屈折後の光線方向から見た光学軸と入射面との角
ＯＬ＝β：屈折後線が境界面法線となす角である。
上記において ０＝β十Ｋ・・・（１）一方、にはγ
、０１．ＯＬ及びフレネルの式からｔａｎｘ ＝ｃｏｇ
（０１−ＯＬ ）−ｔａｎｙ従ッテに＝ｊａｎ ’（ｃ
ｏｓ（０＋ −Ｉｔ ）・ｔａｎγ）・（２）光学軸が
半径方向を含む境界面に垂直な面内において境界面と成
る角度を有して傾いているとして、半径方向において境
界面の垂線と光学軸とのなす角をφとすると、φとψ及
び（は ｓｉｎε＝ ｓｉｎφ０ｓｉｎψ…（３）の関係となる
。
、０１．ＯＬ及びフレネルの式からｔａｎｘ ＝ｃｏｇ
（０１−ＯＬ ）−ｔａｎｙ従ッテに＝ｊａｎ ’（ｃ
ｏｓ（０＋ −Ｉｔ ）・ｔａｎγ）・（２）光学軸が
半径方向を含む境界面に垂直な面内において境界面と成
る角度を有して傾いているとして、半径方向において境
界面の垂線と光学軸とのなす角をφとすると、φとψ及
び（は ｓｉｎε＝ ｓｉｎφ０ｓｉｎψ…（３）の関係となる
。
ここで、光学軸を含み入射面に垂直な而（第５図中の而
Ａ）と、境界面の垂線とのなす角をΔとすると、Δとε
及びψは下記である。
Ａ）と、境界面の垂線とのなす角をΔとすると、Δとε
及びψは下記である。
また、光学軸を含み入射面に垂直な面の！Ｉ！線（入射
面内）と屈折後の光線方向とのなす角をｙとすると、β
とε及びｙは下記の関係となる。
面内）と屈折後の光線方向とのなす角をｙとすると、β
とε及びｙは下記の関係となる。
（４）、＠及び（０式から
・・・（６）
収束される前の偏光面は、半径方向に垂「工と仮定する
と 従って、（り、 （３） 、■及び（８）式より０は但
し、 ここで位相差αをθ墓とψで表わす、−・般に、ｎ’、
ｎ”：直角方向の二つの屈折率 ｈ ： 厚み 入 ： 波長 いま−軸結晶と考えると ｎ′＝ｎｏ・・・（１０） 一方、ｎ″ は屈折率楕円体を想定し、光学軸と屈折後
の光線方向とのなす角をＸとしたときここテ５ＩｎＸ＝
ＣＱＳＯＬ−ＣｏＳφ−ｃｏｓψ−５ｉｎＯヒｓｉｎφ
・・・（１２） （１１）及び（１２）式より ｎ″′ ＝ ・・・（１３） 従って（９） 、 （１０）及び（１１）式から位相差
αは。
と 従って、（り、 （３） 、■及び（８）式より０は但
し、 ここで位相差αをθ墓とψで表わす、−・般に、ｎ’、
ｎ”：直角方向の二つの屈折率 ｈ ： 厚み 入 ： 波長 いま−軸結晶と考えると ｎ′＝ｎｏ・・・（１０） 一方、ｎ″ は屈折率楕円体を想定し、光学軸と屈折後
の光線方向とのなす角をＸとしたときここテ５ＩｎＸ＝
ＣＱＳＯＬ−ＣｏＳφ−ｃｏｓψ−５ｉｎＯヒｓｉｎφ
・・・（１２） （１１）及び（１２）式より ｎ″′ ＝ ・・・（１３） 従って（９） 、 （１０）及び（１１）式から位相差
αは。
１）ｎｏ ＊ ｈ・−・ｏ４）
即ち、光学軸が、半径方向を含む境界面に垂直な面内に
おいて、境界面とある角度を有して傾いている場合には
、半径方向にモ行な振動面を有した直線偏光がある角度
で入射すると、その透過光が楕円化することがわかる。
おいて、境界面とある角度を有して傾いている場合には
、半径方向にモ行な振動面を有した直線偏光がある角度
で入射すると、その透過光が楕円化することがわかる。
しかして、その長袖と短軸の比は、
一方、０とαとはそれぞれ（８）式及び（１４）式で表
わされており、０もαもθ皇、ψ、φの関数である従っ
て０．、ψ、φ＋ｎＯ及びｎｅが定まれば楕円化の程度
、つまり、短軸と長袖との比が求められることとなる。
わされており、０もαもθ皇、ψ、φの関数である従っ
て０．、ψ、φ＋ｎＯ及びｎｅが定まれば楕円化の程度
、つまり、短軸と長袖との比が求められることとなる。
次に、ＰＣ基盤による楕円化の程度とＰＣ基盤に入射す
るレーザービームの入射面の向きとの関係を実験により
求める。第６図（Ａ）は入射面の向きと楕円化の関係を
測定する測定装置の概略構成図である。Ｈｅ−Ｍｅレー
ザー６７からのレーザービームはＧＴＰ６８を介し３０
’の入射角でＰ Ｃ）＆盤２に照射する。透過光はＧＴ
Ｐ６９を介してパワーメーター６１０で検知する。各Ｇ
ＴＰ６８．６９はほぼクロスニコルの状態になるように
調整されるので、ＰＣ，１Ｊｉ２によるビームの楕円化
の程度によりパワーメータ６１０の出力Ｉが変化する。
るレーザービームの入射面の向きとの関係を実験により
求める。第６図（Ａ）は入射面の向きと楕円化の関係を
測定する測定装置の概略構成図である。Ｈｅ−Ｍｅレー
ザー６７からのレーザービームはＧＴＰ６８を介し３０
’の入射角でＰ Ｃ）＆盤２に照射する。透過光はＧＴ
Ｐ６９を介してパワーメーター６１０で検知する。各Ｇ
ＴＰ６８．６９はほぼクロスニコルの状態になるように
調整されるので、ＰＣ，１Ｊｉ２によるビームの楕円化
の程度によりパワーメータ６１０の出力Ｉが変化する。
第６図（Ａ）をイ方向からみた図を第６図（Ｂ）に示す
。偏光方向６２２をＰＣ基盤半径方向と直交かつ基盤表
面とモ行とし、第５図と同様に入射面と半径方向のなす
角をψと定義する。ここで６３は入射面、６４は照射ス
ポットである。レーザ側のＧＴＰ６８を回転させてψを
変化させなからノ々ワーメータ６１０の出力、すなわち
短軸方向の出力ｌを求めて１兎＜、その結果を第７図に
示す。
。偏光方向６２２をＰＣ基盤半径方向と直交かつ基盤表
面とモ行とし、第５図と同様に入射面と半径方向のなす
角をψと定義する。ここで６３は入射面、６４は照射ス
ポットである。レーザ側のＧＴＰ６８を回転させてψを
変化させなからノ々ワーメータ６１０の出力、すなわち
短軸方向の出力ｌを求めて１兎＜、その結果を第７図に
示す。
第７図は第６図に示す測定装置によって求めた。入射面
と偏光面の角ψ（横軸）に対する短軸方向の光ｕＩ
（縦軸）の変化の様子である。
と偏光面の角ψ（横軸）に対する短軸方向の光ｕＩ
（縦軸）の変化の様子である。
なお、図では、基盤に照射する光ビームの照射位置を、
基盤上の直径６５ｍｍ、８５ｔｓ及び１００ｍｍのそれ
ぞれの点に変えて測定した結果を示している。
基盤上の直径６５ｍｍ、８５ｔｓ及び１００ｍｍのそれ
ぞれの点に変えて測定した結果を示している。
また、基盤の透過光量は最大的１ｍＷとした。第７図か
らψを０度及び９０度にした場合に（即ち。
らψを０度及び９０度にした場合に（即ち。
Ｐ偏光或はＳ偏光に相当する）、出力Ｉ＝０が得られ、
楕円化していないことがわかる。また、その他の角度に
おいては（すなわち、Ｐ偏光とＳ偏光がまざり合った状
態に相当する）、楕円化の程度が大きいことがわかる。
楕円化していないことがわかる。また、その他の角度に
おいては（すなわち、Ｐ偏光とＳ偏光がまざり合った状
態に相当する）、楕円化の程度が大きいことがわかる。
次に、前記理論式に適当な値を代入して理論計算より求
めた結果を第８図、第９図に示す。
めた結果を第８図、第９図に示す。
ここで、実験結果との比較を可能にするために、（１５
）式を変換し、短軸方向の光ｆｉＩを求めると、 実験と条件を合せるために、ｌｏ−Ｔ−１■−とすると
となる、ここで、ＩＯ入射光１．Ｔは透過率である。
）式を変換し、短軸方向の光ｆｉＩを求めると、 実験と条件を合せるために、ｌｏ−Ｔ−１■−とすると
となる、ここで、ＩＯ入射光１．Ｔは透過率である。
第８図はφを変化させたときのＩとψとの関係を理論式
である前記（８）、（１４）、（１５）及び（１７）式
から求めた計算結果を示すグラフである。
である前記（８）、（１４）、（１５）及び（１７）式
から求めた計算結果を示すグラフである。
このとき、Ｏｒ ＝３０度、ｎ ｏ ＝ １．５８００
０及びｎｅ ＝１．５８０２５とした０図においてφを
０度（図中符号８１）から９０度（図中符号８８）まで
変化させた場合をそれぞれ示している０図から、φが０
度、即ち図中符号８１の状態が第７図に示すＰＣ，！Ｊ
ｌｉｉによる実測状態に近いことがわかる。
０及びｎｅ ＝１．５８０２５とした０図においてφを
０度（図中符号８１）から９０度（図中符号８８）まで
変化させた場合をそれぞれ示している０図から、φが０
度、即ち図中符号８１の状態が第７図に示すＰＣ，！Ｊ
ｌｉｉによる実測状態に近いことがわかる。
第９図はｎｅを変化させた場合のＩとψとの関係を第８
図と同様に理論式から求めた結果を示すグラフである。
図と同様に理論式から求めた結果を示すグラフである。
即ち、１ｌＪｉ、＝３０度、ｎｏ ＝１．５８０００及
びφ＝Ｏ度としてｎｅ を１．５８０２（図中符号９１
）から１．５８０７（図中符号９６）まで変化させた場
合を示している０図から、ｎｅを適当な値に選ぶことで
第７図のＰＣ基盤による実測状態をほぼ再現できること
がわかる。
びφ＝Ｏ度としてｎｅ を１．５８０２（図中符号９１
）から１．５８０７（図中符号９６）まで変化させた場
合を示している０図から、ｎｅを適当な値に選ぶことで
第７図のＰＣ基盤による実測状態をほぼ再現できること
がわかる。
以上の結果を、第１０図を参照して説明する。
ｌち、ＰＣ基盤２では、光学軸１０１が半径方向２１を
含む基盤表面に垂直な面内にあって、しかも基盤表面の
垂線と光学軸とのなす角φが０度近辺となっていること
がわかる。なお、第１θ図において（Ａ）は基盤の断面
方向から見た説明図、（Ｂ）は基盤表面に垂直な方向か
ら見た説明図である。
含む基盤表面に垂直な面内にあって、しかも基盤表面の
垂線と光学軸とのなす角φが０度近辺となっていること
がわかる。なお、第１θ図において（Ａ）は基盤の断面
方向から見た説明図、（Ｂ）は基盤表面に垂直な方向か
ら見た説明図である。
Ｌ記の結果から、垂直入射時にはあまり楕円化されない
場合でも入射角が増すにつれて光学軸と偏光面のなす角
度が大きくなり、かなり楕円化の程度が大きくなること
になり、以前の実験結果ともよく適合することがわかる
。
場合でも入射角が増すにつれて光学軸と偏光面のなす角
度が大きくなり、かなり楕円化の程度が大きくなること
になり、以前の実験結果ともよく適合することがわかる
。
さて、ここで再度第８図を参照して考察する。
現在のＰＣ基盤は第８図中符号８１の状態、すなわち光
学軸が基盤に対して垂直に立った状態である。これに比
べて図中符号８８の状態、すなわちφ＝９０度の状態、
すなわち光学軸が基盤に対してモ行な状態では楕円化の
程度が最も小さくなっていることがわかる。
学軸が基盤に対して垂直に立った状態である。これに比
べて図中符号８８の状態、すなわちφ＝９０度の状態、
すなわち光学軸が基盤に対してモ行な状態では楕円化の
程度が最も小さくなっていることがわかる。
以上からφ＝９０度に近いＰＣ基盤を作成すれば、楕円
化の程度が最も小さい基盤となり、その結果、高Ｃ／Ｎ
比が得られる２Ｓｉ盤を実現できることがわかった。
化の程度が最も小さい基盤となり、その結果、高Ｃ／Ｎ
比が得られる２Ｓｉ盤を実現できることがわかった。
（比較例）
従来通りの射出成形したｃｐ２！盤で、直径１２０層■
、厚さ１．２層層のものである。樹脂の溶融流出量は約
１０ｇ ／１０分とした（ＪＩＳ−に７２１０の試験方
法１条件１５による）、樹脂は２８０℃に溶融し、射出
圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で９３℃の金型に注入し、８
００ｋｇ／ｃ■２で約２秒間保圧して成形した。
、厚さ１．２層層のものである。樹脂の溶融流出量は約
１０ｇ ／１０分とした（ＪＩＳ−に７２１０の試験方
法１条件１５による）、樹脂は２８０℃に溶融し、射出
圧力１０００ｋｇ／ｃｍ２で９３℃の金型に注入し、８
００ｋｇ／ｃ■２で約２秒間保圧して成形した。
［実施例］
金型を真空ポンプで排気し、溶融流出量１０ｇ／１０分
にて３１０℃に溶融したＰＣ樹脂を射出圧力１５００ｋ
ｇ／ｃｍ２で９３℃の金型に注入し、８００ｋｇ／ｃｍ
２で約３秒間保圧して成形した。
にて３１０℃に溶融したＰＣ樹脂を射出圧力１５００ｋ
ｇ／ｃｍ２で９３℃の金型に注入し、８００ｋｇ／ｃｍ
２で約３秒間保圧して成形した。
比較例とくらべて、射出時の流速が速くなっている。
比較例と実施例について第６図（Ａ）に示した測定装置
により楕円化の程度を測定した。
により楕円化の程度を測定した。
第１１図は比較例と実施例との楕円化の程度の実測デー
タを示したグラフである。比較例１１１に比べて実施例
１１２では、入射角を持たせた場合にも直線偏光の楕円
化の程度が著しく小さく、かつφが９０度に近い状態に
あることがわかる。すなわて、光学軸がほぼ基盤表面に
平行になっており、更にその向きが半径方向にほぼそろ
っていることがわかる。
タを示したグラフである。比較例１１１に比べて実施例
１１２では、入射角を持たせた場合にも直線偏光の楕円
化の程度が著しく小さく、かつφが９０度に近い状態に
あることがわかる。すなわて、光学軸がほぼ基盤表面に
平行になっており、更にその向きが半径方向にほぼそろ
っていることがわかる。
第１２図は、上記実施例の基盤についてノイズレベルを
測定した測定装置の概略構成図である。
測定した測定装置の概略構成図である。
基Ｉ！１２は反射膜５の反対側から光ビームが入射する
。光ビームは半導体レーザ１２２により発生し、ポーラ
ライザー１１３及びハーフミラ−１１４を介してミラー
１１５で反射され、レンズ１１６によって集光して基盤
２に照射する。反射＋１！２５による反射光は光路をも
どり、ハーフミラ−１１４で反射され集光レンズ１１７
及びアナライザー１１８を経てアバランシェフォトダイ
オード（ＡＰＤ）１１９で検知されプリアンプ１２０を
介してスペクトルアナライザー１２１に入力する。測定
はアナライザー１１８の角度を変化させながら反射膜５
で反射した無変調のレーザ光をＡＰＤ検出し、検知出力
のうちＩ Ｍ Ｈｚ±３０ＫＨ７の帯域をノイズ帯域と
してスペクトルアナライザで採り出すことによった。第
１３図にノイズレベルの測定結果を示す、比較例１３１
にくらべて、実施例１３２では最高８ｄｂ以上もノイズ
レベルが低下していることがわかる。なお、図中横軸は
アナライザーの角度Ｏａを示し、０は。
。光ビームは半導体レーザ１２２により発生し、ポーラ
ライザー１１３及びハーフミラ−１１４を介してミラー
１１５で反射され、レンズ１１６によって集光して基盤
２に照射する。反射＋１！２５による反射光は光路をも
どり、ハーフミラ−１１４で反射され集光レンズ１１７
及びアナライザー１１８を経てアバランシェフォトダイ
オード（ＡＰＤ）１１９で検知されプリアンプ１２０を
介してスペクトルアナライザー１２１に入力する。測定
はアナライザー１１８の角度を変化させながら反射膜５
で反射した無変調のレーザ光をＡＰＤ検出し、検知出力
のうちＩ Ｍ Ｈｚ±３０ＫＨ７の帯域をノイズ帯域と
してスペクトルアナライザで採り出すことによった。第
１３図にノイズレベルの測定結果を示す、比較例１３１
にくらべて、実施例１３２では最高８ｄｂ以上もノイズ
レベルが低下していることがわかる。なお、図中横軸は
アナライザーの角度Ｏａを示し、０は。
ポーラライザーとアナライザーとがクロスニコルの状態
になっていることを示している。縦軸はノイズレベルＮ
である。
になっていることを示している。縦軸はノイズレベルＮ
である。
次に比較例と実施例の基盤について行なったＣ／Ｎ比の
測定結果を第１表に示す０両方の基盤に膜厚１０００久
のＧｄ−Ｔｅ−Ｆｅ（ｌＥｉ成比１４：１２ニア４）膜
を高周波スパッタリングし、更にＳｉＯの保護膜を膜厚
１０００久に被着した。これらの基盤について直径１０
０ｍｍ近辺の位置でのＣ／Ｎ比の測定を行なった。周波
数は１ＭＨｚ、アナライザー角度は６である。
測定結果を第１表に示す０両方の基盤に膜厚１０００久
のＧｄ−Ｔｅ−Ｆｅ（ｌＥｉ成比１４：１２ニア４）膜
を高周波スパッタリングし、更にＳｉＯの保護膜を膜厚
１０００久に被着した。これらの基盤について直径１０
０ｍｍ近辺の位置でのＣ／Ｎ比の測定を行なった。周波
数は１ＭＨｚ、アナライザー角度は６である。
表 １
Ｃ／Ｎ比で比較例と実施例の間に６ｄｂもの大ｔ口な改
片が認められている。即ち、Ｌ記実施例によると、基盤
の光学軸が基盤にほぼ平行で、しかも半径方向にほぼ揃
っている基盤が容易に得られることがわかる。
片が認められている。即ち、Ｌ記実施例によると、基盤
の光学軸が基盤にほぼ平行で、しかも半径方向にほぼ揃
っている基盤が容易に得られることがわかる。
なお、上記実施例の説明では基盤の材質をＰＣ樹脂とし
て説明したが、ＰＣ樹脂に限らず、ＰＶＣ（１１！化ビ
ニル）やＰＳ（ポリスチレン）など、複屈折が大きいも
のでも上記実施例と同様な効果が得られる。
て説明したが、ＰＣ樹脂に限らず、ＰＶＣ（１１！化ビ
ニル）やＰＳ（ポリスチレン）など、複屈折が大きいも
のでも上記実施例と同様な効果が得られる。
［発明の効果］
本発明によれば、直線偏光や１円偏光の楕円化を防止し
たことによって、 Ｇ／Ｎ比置装得ることができる情報
記録媒体用基盤を提供することができる。
たことによって、 Ｇ／Ｎ比置装得ることができる情報
記録媒体用基盤を提供することができる。
第１図は、光ビームを基盤に集光した場合のビームの様
子を示す説明図、第２図は、基盤上のビーム透過面での
ビームの様子を示す説明図、示す測定装置によって得た
各ビームの消光量についての測定結果、第５図は、媒質
に光線が入射したときの屈折前後の偏光面の関係を示す
説明図。 第６図（Ａ）は、入射面の向きと楕円化の関係を測定す
る測定装置の概略構成図、第６図（Ｂ）は、その説明図
、第７図は、第６図（Ａ）の測定装置によって得た短軸
方向の光量の変化を示す測定結果図、第８図は、理論式
から求めた、φをパラメータとしたときのψとＩとの関
係を示すグラフ、第９図は、Ｎｅをパラメータとしたと
きに理論式から求めたψとＩとの関係を示すグラフ、第
１０図は、ＰＣ基盤と光学軸との関係を示した説明図、
第１１図は、比較例と実施例との楕円化の程度を実測し
た結果を示すグラフ、第１２図は、基盤のノイズレベル
測定装置の概略構成図。 第１３図は、第１２図の測定装置によって得たノイズレ
ベルの測定結果を示すグラフである。 ｌ・・・対物レンズ ２・・・基盤 ３・・・レーザービーム １、対物レンズ ２、基 盤 ３、レーザービーム ４図 （Ｂ） 第４ （Ｃ） （Ｄ） 第８図 第９図 ψ 第１０図 第１１図
子を示す説明図、第２図は、基盤上のビーム透過面での
ビームの様子を示す説明図、示す測定装置によって得た
各ビームの消光量についての測定結果、第５図は、媒質
に光線が入射したときの屈折前後の偏光面の関係を示す
説明図。 第６図（Ａ）は、入射面の向きと楕円化の関係を測定す
る測定装置の概略構成図、第６図（Ｂ）は、その説明図
、第７図は、第６図（Ａ）の測定装置によって得た短軸
方向の光量の変化を示す測定結果図、第８図は、理論式
から求めた、φをパラメータとしたときのψとＩとの関
係を示すグラフ、第９図は、Ｎｅをパラメータとしたと
きに理論式から求めたψとＩとの関係を示すグラフ、第
１０図は、ＰＣ基盤と光学軸との関係を示した説明図、
第１１図は、比較例と実施例との楕円化の程度を実測し
た結果を示すグラフ、第１２図は、基盤のノイズレベル
測定装置の概略構成図。 第１３図は、第１２図の測定装置によって得たノイズレ
ベルの測定結果を示すグラフである。 ｌ・・・対物レンズ ２・・・基盤 ３・・・レーザービーム １、対物レンズ ２、基 盤 ３、レーザービーム ４図 （Ｂ） 第４ （Ｃ） （Ｄ） 第８図 第９図 ψ 第１０図 第１１図
Claims (1)
- （１）光学的異方性を示す軸の方向が円盤状基盤の半径
方向にほぼ揃い、しかも、円盤状基盤の表面にほぼ平行
にしたことを特徴とする熱可塑性樹脂を用いた情報記録
媒体用基盤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260615A JPS62121767A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 情報記録媒体用基盤 |
| US06/932,428 US4788678A (en) | 1985-11-20 | 1986-11-19 | Optical information recording media substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260615A JPS62121767A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 情報記録媒体用基盤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121767A true JPS62121767A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17350385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60260615A Pending JPS62121767A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 情報記録媒体用基盤 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4788678A (ja) |
| JP (1) | JPS62121767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07282469A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | 光学的情報記録用媒体およびその記録再生方法 |
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|
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