JPS621227A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS621227A JPS621227A JP60139572A JP13957285A JPS621227A JP S621227 A JPS621227 A JP S621227A JP 60139572 A JP60139572 A JP 60139572A JP 13957285 A JP13957285 A JP 13957285A JP S621227 A JPS621227 A JP S621227A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- layer
- developer
- substrate
- photoresist
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に金属配線に
異種の金属配線構造を用いた半導体装置の製造方法に関
する。
異種の金属配線構造を用いた半導体装置の製造方法に関
する。
近年の半導体装置は素子の接合深さの浅型化に伴って生
じるアロイスパイク等の耐熱性を向上するために、配線
層にはバリヤメタルを採用する方向にある。また、素子
の微細化に伴って、配線のパターニングにはネガレジス
トプロセスからポジレジストへと移行してきている。
じるアロイスパイク等の耐熱性を向上するために、配線
層にはバリヤメタルを採用する方向にある。また、素子
の微細化に伴って、配線のパターニングにはネガレジス
トプロセスからポジレジストへと移行してきている。
例えば、第３図（ａ）〜（ｄ）は、その−例を示すもの
で、同図（ａ）のようにシリコン等の半導体基板１上に
形成した絶縁膜２にコンタクトホール３を開設し、その
上で白金（ｐｔ）を全面に蒸着して熱処理を行い、この
コンタクトホール３内に同図（ｂ）のようにｐｔシリサ
イド層４を形成した後に未反応のｐｔをエツチング除去
する。
で、同図（ａ）のようにシリコン等の半導体基板１上に
形成した絶縁膜２にコンタクトホール３を開設し、その
上で白金（ｐｔ）を全面に蒸着して熱処理を行い、この
コンタクトホール３内に同図（ｂ）のようにｐｔシリサ
イド層４を形成した後に未反応のｐｔをエツチング除去
する。
そして、同図（Ｃ）のように、チタン−′タングステン
（Ｔｉ−Ｗ）のバリヤメタル層５をスパッタ法等で形成
しかつその上にアルミニウム（ＡＩｌ）層６をスパッタ
法やＥ−ガン蒸着法等で被着する。
（Ｔｉ−Ｗ）のバリヤメタル層５をスパッタ法等で形成
しかつその上にアルミニウム（ＡＩｌ）層６をスパッタ
法やＥ−ガン蒸着法等で被着する。
この後、Ａｊｌ／Ｔｉ−Ｗの異種金属層の配線パターン
を形成するために、ポジ型のフォトレジストを塗布し、
プリベータ、露光、現像の所定の工程を経て同図（ｄ）
のフォトレジストパターン７を形成し、これをマスクに
して前記Ａｊ！／Ｔｉ−Ｗ異種金属層をパターニングし
ている。
を形成するために、ポジ型のフォトレジストを塗布し、
プリベータ、露光、現像の所定の工程を経て同図（ｄ）
のフォトレジストパターン７を形成し、これをマスクに
して前記Ａｊ！／Ｔｉ−Ｗ異種金属層をパターニングし
ている。
なお、前記ポジ型フォトレジストの現像には、アルカリ
水溶液系の現像液が使用されることはいうまでもなく、
この現像液中に半導体基板１を浸漬させて現像を行って
いる。
水溶液系の現像液が使用されることはいうまでもなく、
この現像液中に半導体基板１を浸漬させて現像を行って
いる。
上述した従来の配線の形成方法では、フォトレジストの
現像時に現像液中に半導体基板１を浸漬させているため
に、現像液は半導体基板１を包囲するように、つまり配
線層とシリコンの基板との間に亘って存在されることに
なる。これに加えて、この現像液がアルカリ水溶液であ
ることから、この現像液が電解液として作用し、表面の
ＡＪ／Ｔｉ−Ｗ／Ｐｔシリサイドと、裏面のシリコンと
の間で電池作用が生じ、同図（ｄ）に示したようにコン
タクトホール３近傍の／ｌ’層６が腐食８されて部分的
に除去され、Ａ１層６の断線の原因になるという問題が
生じている。
現像時に現像液中に半導体基板１を浸漬させているため
に、現像液は半導体基板１を包囲するように、つまり配
線層とシリコンの基板との間に亘って存在されることに
なる。これに加えて、この現像液がアルカリ水溶液であ
ることから、この現像液が電解液として作用し、表面の
ＡＪ／Ｔｉ−Ｗ／Ｐｔシリサイドと、裏面のシリコンと
の間で電池作用が生じ、同図（ｄ）に示したようにコン
タクトホール３近傍の／ｌ’層６が腐食８されて部分的
に除去され、Ａ１層６の断線の原因になるという問題が
生じている。
本発明の半導体装置の製造方法は、フォトレジスト現像
時における表面金属層の電解作用による腐食を防止する
ために、表面に異種の金属層およびフォトレジストを形
成した半導体基板を略水平に支持し、その表面に現像液
を滴下するとともに基板の裏面周辺に乾燥空気や窒素等
のガスを吹きつけ、現像液が基板の側面乃至裏面側に回
り込まない状態で前記フォトレジストの現像を進行させ
る工程を含むものである。
時における表面金属層の電解作用による腐食を防止する
ために、表面に異種の金属層およびフォトレジストを形
成した半導体基板を略水平に支持し、その表面に現像液
を滴下するとともに基板の裏面周辺に乾燥空気や窒素等
のガスを吹きつけ、現像液が基板の側面乃至裏面側に回
り込まない状態で前記フォトレジストの現像を進行させ
る工程を含むものである。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明の一実施例を示す図であり
、今、前述の場合と同様に、半導体基板ｌｌ上の絶縁膜
１２にコンタクトホール１３を形成し、このコンタクト
ホール１３内にｐｔシリサイド層１４を形成し、かつそ
の上にＴｉ−’Ｗ層１５を被着し、更にその上にＡＩｔ
層１６を形成して異種の金属層を構成しているものとす
る。そして、この上にポジ型フォトレジスト１７を全面
に塗布し、プリベークした上で所要のパターンの露光を
行っている。
、今、前述の場合と同様に、半導体基板ｌｌ上の絶縁膜
１２にコンタクトホール１３を形成し、このコンタクト
ホール１３内にｐｔシリサイド層１４を形成し、かつそ
の上にＴｉ−’Ｗ層１５を被着し、更にその上にＡＩｔ
層１６を形成して異種の金属層を構成しているものとす
る。そして、この上にポジ型フォトレジスト１７を全面
に塗布し、プリベークした上で所要のパターンの露光を
行っている。
ここまで処理が進行された半導体基板１１を、第１図の
ように水平回転可能なスピンチャック２０上に表面を上
にして載置し、図外の真空吸着構造によってスピンチャ
ック２０上に取着させて半導体基板１１を略水平状態に
支持させる。この状態で、スピンチャック２０の上方に
配置した滴下ノズル２１からアルカル水溶液系の現像液
２２を半導体基板１１の表面全面に亘って滴下させ、自
身の表面張力によって半導体基板１１上に保たせる。こ
れと同時に、スピンチャック２ｏの下方位置に円周方向
に等配した複数個のガス吹き出しノズル２３から乾燥空
気や窒素等の反応性のないガスを吹き出させ、このガス
を半導体基板１１の裏面の周辺部に吹きつける。
ように水平回転可能なスピンチャック２０上に表面を上
にして載置し、図外の真空吸着構造によってスピンチャ
ック２０上に取着させて半導体基板１１を略水平状態に
支持させる。この状態で、スピンチャック２０の上方に
配置した滴下ノズル２１からアルカル水溶液系の現像液
２２を半導体基板１１の表面全面に亘って滴下させ、自
身の表面張力によって半導体基板１１上に保たせる。こ
れと同時に、スピンチャック２ｏの下方位置に円周方向
に等配した複数個のガス吹き出しノズル２３から乾燥空
気や窒素等の反応性のないガスを吹き出させ、このガス
を半導体基板１１の裏面の周辺部に吹きつける。
この状態で３０秒ないし５分の現像を行えば、フォトレ
ジスト１７は所定のパターン形状に現像される。この間
、ノズル２３から吹き出されるガス圧力によって、半導
体基板１１表面上の現像液は半導体基板１１の周辺から
下方に溢れることはなく、したがって現像液が半導体基
板１１の側面ないし裏面にまで届くことはない。換言す
れば、現像液２２が半導体基板１１の表面金属層と、下
側のシリコンとの間に亘って存在することはない。
ジスト１７は所定のパターン形状に現像される。この間
、ノズル２３から吹き出されるガス圧力によって、半導
体基板１１表面上の現像液は半導体基板１１の周辺から
下方に溢れることはなく、したがって現像液が半導体基
板１１の側面ないし裏面にまで届くことはない。換言す
れば、現像液２２が半導体基板１１の表面金属層と、下
側のシリコンとの間に亘って存在することはない。
これにより、現像液がアルカリ水溶液系の場合にも表面
金属層と基板のシリコンとの間の電解による電池作用の
発生を防止でき、表面Ａ１１層１６の腐食を防止するこ
とができる。
金属層と基板のシリコンとの間の電解による電池作用の
発生を防止でき、表面Ａ１１層１６の腐食を防止するこ
とができる。
現像の終了後は、純水ノズル２４から純水を吹き出させ
、かつスピンチャック２０を回転させながら半導体基板
１１の表面を洗浄し、最後にスピンチャック２０の回転
のみによって乾燥を行なうことにより、フォトレジスト
のパターン形成工程が完了する。
、かつスピンチャック２０を回転させながら半導体基板
１１の表面を洗浄し、最後にスピンチャック２０の回転
のみによって乾燥を行なうことにより、フォトレジスト
のパターン形成工程が完了する。
ここで、現像時にノズル２１から現像液を連続供給して
半導体基板１１の表面周辺から現像液が溢れるようにし
てもよく、この場合にはスピンチャック２０を低速で回
転させるとともにガスノズル２３からのガスの吹き出し
圧力を大きくし、溢れた現像液を周囲に飛び散らせて半
導体基板１１の側面や裏面に回り込まないようにしても
よい。
半導体基板１１の表面周辺から現像液が溢れるようにし
てもよく、この場合にはスピンチャック２０を低速で回
転させるとともにガスノズル２３からのガスの吹き出し
圧力を大きくし、溢れた現像液を周囲に飛び散らせて半
導体基板１１の側面や裏面に回り込まないようにしても
よい。
この場合には、現像液を連続供給できるので、常に新液
による現像が可能であり、現像効率を向上できる。
による現像が可能であり、現像効率を向上できる。
以上説明したように本発明は、表面に金属層およびフォ
トレジストを形成した半導体基板におけるフォトレジス
トの現像に際し、半導体基板を略水平に支持し、その表
面に現像液を滴下するとともに基板の裏面周辺に乾燥空
気や窒素等のガスを吹きつけ、現像液が基板の側面乃至
裏面側に回り込まない状態で前記フォトレジストの現像
を進行させる工程を含むので、フォトレジストにポジ型
を用いてこれをアルカリ水溶液系現像液でパターン現像
した場合でも、電解による電池作用の発生を防止して金
属層の腐食を抑制でき、これによりバリヤメタルを有し
かつパターンの微細化を薗った半導体装置の金属配線層
の信頼性を向上することができる効果がある。
トレジストを形成した半導体基板におけるフォトレジス
トの現像に際し、半導体基板を略水平に支持し、その表
面に現像液を滴下するとともに基板の裏面周辺に乾燥空
気や窒素等のガスを吹きつけ、現像液が基板の側面乃至
裏面側に回り込まない状態で前記フォトレジストの現像
を進行させる工程を含むので、フォトレジストにポジ型
を用いてこれをアルカリ水溶液系現像液でパターン現像
した場合でも、電解による電池作用の発生を防止して金
属層の腐食を抑制でき、これによりバリヤメタルを有し
かつパターンの微細化を薗った半導体装置の金属配線層
の信頼性を向上することができる効果がある。
第１図は本発明方法を説明するための正面図、第２図は
半導体基板の一部の断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は従
来方法を工程順に説明するための断面図である。 １．１１・・・半導体基板、２．１２・・・絶縁膜、３
゜１３・・・コンタクトホール、４．１４・・・ｐｔシ
リサイド層、５，１５・・・Ｔｉ−Ｗ層、６．１６・・
・Ａ１層、７．１７・・・ポジ型フォトレジスト、２ｏ
・・・スピンチャック゛、２１・・・現像液ノズル、２
２・・・アルカリ水溶液系現像液、２３・・・ガス吹き
出しノズル、２４・・・純水ノズル。 第１図 第３図
半導体基板の一部の断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は従
来方法を工程順に説明するための断面図である。 １．１１・・・半導体基板、２．１２・・・絶縁膜、３
゜１３・・・コンタクトホール、４．１４・・・ｐｔシ
リサイド層、５，１５・・・Ｔｉ−Ｗ層、６．１６・・
・Ａ１層、７．１７・・・ポジ型フォトレジスト、２ｏ
・・・スピンチャック゛、２１・・・現像液ノズル、２
２・・・アルカリ水溶液系現像液、２３・・・ガス吹き
出しノズル、２４・・・純水ノズル。 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の表面にバリヤメタルとアルミニウムの
異種の金属層を形成するとともに、この金属層上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストをパターン現
像するに際し、前記半導体基板を表面を上に向けて略水
平に支持し、その表面に現像液を滴下するとともに基板
の裏面周辺に乾燥空気や窒素等のガスを吹きつけ、現像
液が基板の側面乃至裏面側に回り込まない状態で前記フ
ォトレジストの現像を進行させる工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 ２、フォトレジストにポジ型フォトレジストを用い、そ
の現像液にアルカリ水溶液系を用いてなる特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139572A JPS621227A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139572A JPS621227A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621227A true JPS621227A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15248390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60139572A Pending JPS621227A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621227A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54113265A (en) * | 1978-02-23 | 1979-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | Resistor developing equipement |
| JPS5635420A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Nec Corp | Developing device for semiconductor substrate |
| JPS5728834A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Toyota Motor Corp | Method of injection fuel under electronic control |
| JPS59151422A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Nec Corp | 浅い接合を有する半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP60139572A patent/JPS621227A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54113265A (en) * | 1978-02-23 | 1979-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | Resistor developing equipement |
| JPS5635420A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Nec Corp | Developing device for semiconductor substrate |
| JPS5728834A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-16 | Toyota Motor Corp | Method of injection fuel under electronic control |
| JPS59151422A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-08-29 | Nec Corp | 浅い接合を有する半導体装置の製造方法 |
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