JPS62123094A - ３―５属化合物半導体気相成長用サセプタ - Google Patents
３―５属化合物半導体気相成長用サセプタInfo
- Publication number
- JPS62123094A JPS62123094A JP26136985A JP26136985A JPS62123094A JP S62123094 A JPS62123094 A JP S62123094A JP 26136985 A JP26136985 A JP 26136985A JP 26136985 A JP26136985 A JP 26136985A JP S62123094 A JPS62123094 A JP S62123094A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- atn
- film
- semiconductor
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims abstract description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- -1 aluminum halide Chemical class 0.000 abstract description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- MGDOJPNDRJNJBK-UHFFFAOYSA-N ethylaluminum Chemical compound [Al].C[CH2] MGDOJPNDRJNJBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体、特にＧａＡｓ 、 ＩｎＰ等のＩＴ
Ｉ −Ｖ族化合物半導体の気相成長に用いられるサセプ
タに関するものである。
Ｉ −Ｖ族化合物半導体の気相成長に用いられるサセプ
タに関するものである。
■−ｖ族化合物半導体（混晶を含む）は、キャリア易動
度が高く高速素子として用いられている他、発光素子と
して用いられている等、シリコン半導体に見られない特
徴を有することから、活発な研究開発が行なわれている
。そのためデバイス形成に必要な■−ｖ族化合物半導体
エピタキシャルウェハの量産が進められておυ、特に高
性能デバイス用の高品質エピタキシャルウェハに対する
需要が急速に高まりつつある。
度が高く高速素子として用いられている他、発光素子と
して用いられている等、シリコン半導体に見られない特
徴を有することから、活発な研究開発が行なわれている
。そのためデバイス形成に必要な■−ｖ族化合物半導体
エピタキシャルウェハの量産が進められておυ、特に高
性能デバイス用の高品質エピタキシャルウェハに対する
需要が急速に高まりつつある。
エビタキシャ〃ウェハの製造は量産性の面から気相成長
法により行なわれる事が多い。気相成長法では化合物半
導体の原料ガス、例えばＧａＡｓの場合にはＧａ 源と
してＧａＣ６３やＧａ（ＣＨ，）３を、Ａｓ源としてＡ
ｓ４やＡｓＨ３を、Ｈ２などのキャリアガスにより気相
成長炉内に搬送する。成長炉内にはＧａＡｓ基板ウェハ
がサセプタ上に置かれており、高周波誘導加熱方式や赤
外ランプ加熱方式により基板加熱が行なわれる。サセプ
タは炭素（黒鉛を含む）鯛で、炭素中の不純物による汚
染を防ぐためにＳｉＣや熱分解黒鉛により被覆されてい
る。このようなサセプタは、シリコン半導体の気相成長
用として従来からＩｔ、ｌいられていたものを化合物半
導体用に転用したものであるが、高品質の化合物半導体
膜を成長させる場合に問題を生じていた。即ち、サセプ
タ表面のＳｉＣや熱分解黒鉛ＩＪ！！覆自身はＣＶＤ法
により形成されており高純度であるが、被覆物質が周期
律表第■属の元素から構成されているため、これらが■
−■族化合物半導体中に混入すると電気的特性が低下す
る。特にサセプタと基板ウェハは高温で直接接触してい
るため、ＳｉＣや黒鉛のサセプタ上の被覆物質が基板ウ
ェハ側に拡散等して、成長する化合物半導体膜の電気特
性低下を招く可能性が非常に高かったのである。
法により行なわれる事が多い。気相成長法では化合物半
導体の原料ガス、例えばＧａＡｓの場合にはＧａ 源と
してＧａＣ６３やＧａ（ＣＨ，）３を、Ａｓ源としてＡ
ｓ４やＡｓＨ３を、Ｈ２などのキャリアガスにより気相
成長炉内に搬送する。成長炉内にはＧａＡｓ基板ウェハ
がサセプタ上に置かれており、高周波誘導加熱方式や赤
外ランプ加熱方式により基板加熱が行なわれる。サセプ
タは炭素（黒鉛を含む）鯛で、炭素中の不純物による汚
染を防ぐためにＳｉＣや熱分解黒鉛により被覆されてい
る。このようなサセプタは、シリコン半導体の気相成長
用として従来からＩｔ、ｌいられていたものを化合物半
導体用に転用したものであるが、高品質の化合物半導体
膜を成長させる場合に問題を生じていた。即ち、サセプ
タ表面のＳｉＣや熱分解黒鉛ＩＪ！！覆自身はＣＶＤ法
により形成されており高純度であるが、被覆物質が周期
律表第■属の元素から構成されているため、これらが■
−■族化合物半導体中に混入すると電気的特性が低下す
る。特にサセプタと基板ウェハは高温で直接接触してい
るため、ＳｉＣや黒鉛のサセプタ上の被覆物質が基板ウ
ェハ側に拡散等して、成長する化合物半導体膜の電気特
性低下を招く可能性が非常に高かったのである。
本発明者等は従来のサセプタの前記問題点を解決するた
めに、炭素製サセプタからの不純物汚染を防止し、かつ
化合物半導体に対して電気的に中性な材料からなる被＆
層の開発について検討し、ｔｒｔ −ｖ族化合物半導体
材料と同族元素からなるＡｔＮ被覆層が好ましい性能を
有することを見出し、特に炭素基材の表面を気相から析
出した結晶質窒化アルミニウム（ＡｔＮ ）膜により被
覆した場合に最も性能の安定したサセプタが得られるこ
とを見出だした。即ち本発明は、炭素基材の表面を気相
から析出した結晶質窒化アルミニウム膜により被覆した
ことを特徴とする半導体気相成長用サセプタである。
めに、炭素製サセプタからの不純物汚染を防止し、かつ
化合物半導体に対して電気的に中性な材料からなる被＆
層の開発について検討し、ｔｒｔ −ｖ族化合物半導体
材料と同族元素からなるＡｔＮ被覆層が好ましい性能を
有することを見出し、特に炭素基材の表面を気相から析
出した結晶質窒化アルミニウム（ＡｔＮ ）膜により被
覆した場合に最も性能の安定したサセプタが得られるこ
とを見出だした。即ち本発明は、炭素基材の表面を気相
から析出した結晶質窒化アルミニウム膜により被覆した
ことを特徴とする半導体気相成長用サセプタである。
ＡｔＮ膜は化学気相蒸着（ＣＶＤ ）法により気相から
炭素残材表面上に析出される。原料としてＡ／−源には
ＡｔＣ／＝、やＡｔＢｒ３などのハロゲン化アルミニウ
ムやＡｔＥｔ３（）リエチルアルミニウム）などの有機
アルミニウム化合物が用いられ、Ｎ源にはＮＨ，が一般
に用いられる。ＮＨ３はＡｔ源に対して七ル比で０．５
から２０倍、より好ましくは１〜５倍の割合で供給する
のがよい。
炭素残材表面上に析出される。原料としてＡ／−源には
ＡｔＣ／＝、やＡｔＢｒ３などのハロゲン化アルミニウ
ムやＡｔＥｔ３（）リエチルアルミニウム）などの有機
アルミニウム化合物が用いられ、Ｎ源にはＮＨ，が一般
に用いられる。ＮＨ３はＡｔ源に対して七ル比で０．５
から２０倍、より好ましくは１〜５倍の割合で供給する
のがよい。
ＮＨ，の供給量が少いと反応率が低下してＡｔ源が無駄
になり、また多すぎると過剰のＮＨ３によってＣＶＤ反
応室の腐食等がおこり好ましくないからである。Ａｔ源
のハロゲン化アルミニウム、有機アルミニウム化合物は
常温で固体もしくは液体であるので、適当な蒸気圧が得
られる温度まで加熱して、Ｎ２やＮ２ などのキャリ
アガスにより気体原料としてＣＶＤ反応炉内に送られる
。反応炉内には基材（この場合には所定のサセプタの形
状に加工された炭素基材）が置かれ、所定の温度・圧力
等の条件の下、基材表面にＡｔＮが析出される。この時
の温度・圧力条件等によって析出するＡｔＮ膜の性状が
変化するが、本発明が目的とするサセプタとして好まし
い特性のものはＡｔＮ膜が結晶質の場合にのみ得られ、
非晶質ＡｔＮ膜ではサセプタに好ましくない。
になり、また多すぎると過剰のＮＨ３によってＣＶＤ反
応室の腐食等がおこり好ましくないからである。Ａｔ源
のハロゲン化アルミニウム、有機アルミニウム化合物は
常温で固体もしくは液体であるので、適当な蒸気圧が得
られる温度まで加熱して、Ｎ２やＮ２ などのキャリ
アガスにより気体原料としてＣＶＤ反応炉内に送られる
。反応炉内には基材（この場合には所定のサセプタの形
状に加工された炭素基材）が置かれ、所定の温度・圧力
等の条件の下、基材表面にＡｔＮが析出される。この時
の温度・圧力条件等によって析出するＡｔＮ膜の性状が
変化するが、本発明が目的とするサセプタとして好まし
い特性のものはＡｔＮ膜が結晶質の場合にのみ得られ、
非晶質ＡｔＮ膜ではサセプタに好ましくない。
非晶質ＡｔＮ １１４はＣＶＤ温度が低い場合（たとえ
ば５００℃）に得られるが、このような膜は繰り返しの
加熱冷却によりクツツクの発生を起こしやすく、も（材
炭素の不純物がクラック部分から出て来るという問題が
ある。また非晶質ＡｔＮ膜は空気中の水分により容易に
加水分解するためその取り扱いが著しく困難で、実用性
に著しい難点がある。これに対し、６ｏｏ℃以上、より
好ましくは８００℃以上の高温でＡｔＮ膜のＣＶＤを行
うと結晶質の朕が得られる。結晶質ＡｔＮ １９はサセ
プタのように繰り返しの加熱冷却を受ける場合でもクラ
ックの発生を起こすことがなく、壕だ加水分解性もない
のでサセプタ彼役として）ψれた特性を有している。Ａ
ｔＮ自身が■族（Ａｔ） とＶ族（Ｎ）の化合物であ
るのでＳｉＣ被覆サセプタを用いる場合のような■−ｖ
族化合物半導体への■族元素の混入汚染という問題がな
く、また本発明におけるＡｔＮ ｉｌｌ、覆は気相から
の析出により形成されるので極めて高純度であり、他の
不純物による汚染の心配もない。
ば５００℃）に得られるが、このような膜は繰り返しの
加熱冷却によりクツツクの発生を起こしやすく、も（材
炭素の不純物がクラック部分から出て来るという問題が
ある。また非晶質ＡｔＮ膜は空気中の水分により容易に
加水分解するためその取り扱いが著しく困難で、実用性
に著しい難点がある。これに対し、６ｏｏ℃以上、より
好ましくは８００℃以上の高温でＡｔＮ膜のＣＶＤを行
うと結晶質の朕が得られる。結晶質ＡｔＮ １９はサセ
プタのように繰り返しの加熱冷却を受ける場合でもクラ
ックの発生を起こすことがなく、壕だ加水分解性もない
のでサセプタ彼役として）ψれた特性を有している。Ａ
ｔＮ自身が■族（Ａｔ） とＶ族（Ｎ）の化合物であ
るのでＳｉＣ被覆サセプタを用いる場合のような■−ｖ
族化合物半導体への■族元素の混入汚染という問題がな
く、また本発明におけるＡｔＮ ｉｌｌ、覆は気相から
の析出により形成されるので極めて高純度であり、他の
不純物による汚染の心配もない。
このため本発明のサセプタは高品質の■−Ｖ族化合物半
導体を気相成長させる上で最適の特性を有するものであ
る。
導体を気相成長させる上で最適の特性を有するものであ
る。
サセプタを構成する炭素基材は高純度のものが好ましく
、灰分０．１％以下であることが望まれる。またＡｔＮ
被覆層の厚さは５μｍ以上が好ましい。灰分が０．１チ
を越える炭素基材を用いたり、ＡｔＮ層が５μｍ未満で
あると基材炭素中の不純物がＡｔＮ層を拡散して外部に
出現し、成長膜を汚染するからである。尚、ＡｔＮ層を
ＣＶＤ法により析出させる際に高周波プラズマやマイク
ロ波プラズマを併用するプラズマＣＶＤ法を採用するこ
とも勿論可能である。
、灰分０．１％以下であることが望まれる。またＡｔＮ
被覆層の厚さは５μｍ以上が好ましい。灰分が０．１チ
を越える炭素基材を用いたり、ＡｔＮ層が５μｍ未満で
あると基材炭素中の不純物がＡｔＮ層を拡散して外部に
出現し、成長膜を汚染するからである。尚、ＡｔＮ層を
ＣＶＤ法により析出させる際に高周波プラズマやマイク
ロ波プラズマを併用するプラズマＣＶＤ法を採用するこ
とも勿論可能である。
また、結晶性ＡｔＮ膜を１０μｒＩＬ／ｈｒ 以上の高
蒸着速度で析出させるためにはＣＶＤを１００ＴＯｒｒ
以下の圧力で行うことが好ましい。これ以上の圧力で行
うと原料ガスが気１目中で反応してＡ／、Ｎ微粒子を形
成するため怜社蒸着速度が低下するばかりでなく、微粒
子が膜中に取り込壕れて欠陥となり、クラック発生を起
こしやすくなる等の悪影響を及ぼすからである。
蒸着速度で析出させるためにはＣＶＤを１００ＴＯｒｒ
以下の圧力で行うことが好ましい。これ以上の圧力で行
うと原料ガスが気１目中で反応してＡ／、Ｎ微粒子を形
成するため怜社蒸着速度が低下するばかりでなく、微粒
子が膜中に取り込壕れて欠陥となり、クラック発生を起
こしやすくなる等の悪影響を及ぼすからである。
次に実施例により本発明を更に詳しく説明する。
Ａ／＝Ｃ／−３とＮＨ３を原料として、減圧Ｃ’ＶＤ法
によりサセプタ形状に加工した炭素基材上にＡｔＮ膜を
析出させた。Ａ Ｌ ＣＡｓをガス状原料として減圧Ｃ
ＶＤ炉内に搬送するため、Ａｔｃｔ３を入れた容器を１
７０℃に加熱し、この容器にキャリアガスとしてＮ、ガ
スを流し、Ａｔｃｔ３容器とＣＶＤ炉の間のＡ Ｌ Ｃ
Ａｓ供給用ガス配管部を２００℃に加熱してＡｔＣｌ３
の再析出を防止するようにした。
によりサセプタ形状に加工した炭素基材上にＡｔＮ膜を
析出させた。Ａ Ｌ ＣＡｓをガス状原料として減圧Ｃ
ＶＤ炉内に搬送するため、Ａｔｃｔ３を入れた容器を１
７０℃に加熱し、この容器にキャリアガスとしてＮ、ガ
スを流し、Ａｔｃｔ３容器とＣＶＤ炉の間のＡ Ｌ Ｃ
Ａｓ供給用ガス配管部を２００℃に加熱してＡｔＣｌ３
の再析出を防止するようにした。
ｋｌ、ｃｔ３の１７０℃における蒸気圧とキャリアＮ２
ガスの流量とからＡｔｃｔ３のＣＶＤ炉内への供給量が
計算できる。ＮＨ３の流量を１ ｔ／ｍｉｎとし、Ａｔ
ｃｔ３の流量が０．５ ｔ／ｍｉｎとなるようキャリア
Ｎ。
ガスの流量とからＡｔｃｔ３のＣＶＤ炉内への供給量が
計算できる。ＮＨ３の流量を１ ｔ／ｍｉｎとし、Ａｔ
ｃｔ３の流量が０．５ ｔ／ｍｉｎとなるようキャリア
Ｎ。
ガスの流量を調節し、圧力５Ｔｏｒｒ、基材温度１００
０℃の条件で炭素拭材上にＡｔＮ膜を析出させた。
０℃の条件で炭素拭材上にＡｔＮ膜を析出させた。
ＣＶＤを８時間行い、４００μｍの厚さのＡｔＮ膜を析
出させた（実施例）。Ｘ線回折法により析出膜を調べた
ところ、Ａ、ｔＮのシャープなＸ線回折ピークが測定さ
れ、結晶質Ａ、ｔＮ膜が析出していることが確認された
。比較のため、基材温度を４５０℃とした他は上と同一
の条件でＡｔＮ膜を析出させたが、Ｘ線回折を行っても
ピークは検出されず、非晶質Ａ 乙Ｎ膜であった（比較
例）。
出させた（実施例）。Ｘ線回折法により析出膜を調べた
ところ、Ａ、ｔＮのシャープなＸ線回折ピークが測定さ
れ、結晶質Ａ、ｔＮ膜が析出していることが確認された
。比較のため、基材温度を４５０℃とした他は上と同一
の条件でＡｔＮ膜を析出させたが、Ｘ線回折を行っても
ピークは検出されず、非晶質Ａ 乙Ｎ膜であった（比較
例）。
サセプタとして使用される半を想定し、実施例と比較例
のサセプタをＮ、雰囲気中で高周波誘導加熱により６０
０℃に加熱した後、自然冷却するサイクルを繰り返し、
毎サイクルごとにサセプタ上のＡｔＮ被覆の様子を調べ
た。実施例のサセプタは２０回の加熱・冷却の繰り返し
後も何の変化も々く、ＡｔＮ層は強固に基材に付着し、
クラックの発生も全く認められなかった。これに対し比
較例のサセプタは第１回目のサイクルでクラックが無数
に発生し、ＡｔＮ層の部分的欠落が起きており、炭素基
材表面を被覆するＡｔＮ層が結晶質でなければならない
ことが明白に示された。
のサセプタをＮ、雰囲気中で高周波誘導加熱により６０
０℃に加熱した後、自然冷却するサイクルを繰り返し、
毎サイクルごとにサセプタ上のＡｔＮ被覆の様子を調べ
た。実施例のサセプタは２０回の加熱・冷却の繰り返し
後も何の変化も々く、ＡｔＮ層は強固に基材に付着し、
クラックの発生も全く認められなかった。これに対し比
較例のサセプタは第１回目のサイクルでクラックが無数
に発生し、ＡｔＮ層の部分的欠落が起きており、炭素基
材表面を被覆するＡｔＮ層が結晶質でなければならない
ことが明白に示された。
また、２種のサセプタを温度２５℃、湿度６０チの条件
下で１ケ月放置した後、外観を検査したところ、実施例
のサセプタのＡｔＮ被覆層には何の変化も認められなか
ったが、比較例のサセプタではＡ／Ｊ被覆層が白色化し
、また無数のクラックが発生していた。
下で１ケ月放置した後、外観を検査したところ、実施例
のサセプタのＡｔＮ被覆層には何の変化も認められなか
ったが、比較例のサセプタではＡ／Ｊ被覆層が白色化し
、また無数のクラックが発生していた。
実施例のサセプタと従来のＳｉＣ被覆サセプタを用いて
Ｃ）ａＡｓウェハ上にＧａＡｓのエピタキシャル成長を
実施した。得られたエビタキンヤル膜中の不純物濃度を
測定したところ、実施例のサセプタを用いた場合には２
Ｘ １０’ａｔｏｍｓ／口３ と高純度であったが、
従来のＳｉＣ被覆サセプタを用いた場合には５Ｘ１ｇｌ
ｓ原子／ｃｍ３ と１桁悪い純度となっていた。
Ｃ）ａＡｓウェハ上にＧａＡｓのエピタキシャル成長を
実施した。得られたエビタキンヤル膜中の不純物濃度を
測定したところ、実施例のサセプタを用いた場合には２
Ｘ １０’ａｔｏｍｓ／口３ と高純度であったが、
従来のＳｉＣ被覆サセプタを用いた場合には５Ｘ１ｇｌ
ｓ原子／ｃｍ３ と１桁悪い純度となっていた。
本発明のサセプタを用いて■−Ｖ族化合物半導体の気相
成長を行えば、サセプタの基材炭素からの不純物混入が
抑止できるだけでなく、サセプタ被覆層物質の混入によ
る電気的特性低下がなくなるので、高品質の化合物半導
体膜を成長させることができる。
成長を行えば、サセプタの基材炭素からの不純物混入が
抑止できるだけでなく、サセプタ被覆層物質の混入によ
る電気的特性低下がなくなるので、高品質の化合物半導
体膜を成長させることができる。
Claims (1)
- 炭素基材の表面を気相から析出した結晶質窒化アルミニ
ウム膜により被覆したことを特徴とする半導体気相成長
用サセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26136985A JPS62123094A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ３―５属化合物半導体気相成長用サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26136985A JPS62123094A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ３―５属化合物半導体気相成長用サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123094A true JPS62123094A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0566919B2 JPH0566919B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=17360881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26136985A Granted JPS62123094A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | ３―５属化合物半導体気相成長用サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123094A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251365A (ja) * | 1991-05-28 | 1993-09-28 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| JPH06163428A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| NL1015550C2 (nl) * | 2000-06-28 | 2002-01-02 | Xycarb Ceramics B V | Werkwijze voor het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor, aldus verkregen susceptor en een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersubstraat onder toepassing van een dergelijke susceptor. |
| US8247080B2 (en) | 2004-07-07 | 2012-08-21 | Momentive Performance Materials Inc. | Coating structure and method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392338A (en) * | 1976-12-28 | 1978-08-14 | Suwa Seikosha Kk | Sheath parts for portable watch |
| JPS54157778A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-12 | Toshiba Ceramics Co | Susceptor |
| JPS56158866A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Toshiba Corp | Structural material for use at high temperature |
| JPS60216536A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板載置台 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26136985A patent/JPS62123094A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5392338A (en) * | 1976-12-28 | 1978-08-14 | Suwa Seikosha Kk | Sheath parts for portable watch |
| JPS54157778A (en) * | 1978-06-02 | 1979-12-12 | Toshiba Ceramics Co | Susceptor |
| JPS56158866A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Toshiba Corp | Structural material for use at high temperature |
| JPS60216536A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板載置台 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251365A (ja) * | 1991-05-28 | 1993-09-28 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| JPH06163428A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Ngk Insulators Ltd | 耐蝕性部材 |
| NL1015550C2 (nl) * | 2000-06-28 | 2002-01-02 | Xycarb Ceramics B V | Werkwijze voor het vervaardigen van een uit een kern opgebouwde susceptor, aldus verkregen susceptor en een werkwijze voor het aanbrengen van actieve lagen op een halfgeleidersubstraat onder toepassing van een dergelijke susceptor. |
| WO2002000968A1 (en) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Xycarb Ceramics B.V. | A method for manufacturing a susceptor, a susceptor thus obtained and its application |
| US8247080B2 (en) | 2004-07-07 | 2012-08-21 | Momentive Performance Materials Inc. | Coating structure and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566919B2 (ja) | 1993-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3707726B2 (ja) | 炭化珪素の製造方法、複合材料の製造方法 | |
| EP0632145B1 (en) | Method of forming crystalline silicon carbide coatings | |
| Kouvetakis et al. | Chemical vapor deposition of gallium nitride from diethylgallium azide | |
| Takahashi et al. | Low‐temperature growth of 3 C‐SiC on Si substrate by chemical vapor deposition using hexamethyldisilane as a source material | |
| US11047041B2 (en) | Method and system for preparing polycrystalline group III metal nitride | |
| JP3239622B2 (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| AU2016296147A1 (en) | Growing expitaxial 3C-siC on single-crystal silicon | |
| Ho et al. | MOVPE of AlN and GaN by using novel precursors | |
| US6254675B1 (en) | Production of epitactic GaN layers on substrates | |
| JPH01313927A (ja) | 化合物半導体結晶成長方法 | |
| US6911084B2 (en) | Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors | |
| Tischler et al. | Growth and characterization of compound semiconductors by atomic layer epitaxy | |
| JP2009543946A (ja) | ワイドバンドギャップ半導体材料 | |
| JP4733882B2 (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料 | |
| JPH04175294A (ja) | 気相成長装置 | |
| Cheng et al. | Effect of annealing atmosphere (CO and N2 gas flow) on surface morphology and crystal quality of AlN buffer layer | |
| JP7796020B2 (ja) | 高品質なヘテロエピタキシャル単斜晶ガリウム酸化物結晶の成長方法 | |
| Fu et al. | Residual stress in GaN epilayers grown on silicon substrates | |
| KR20060131921A (ko) | 서셉터 | |
| Nagasawa et al. | Mechanisms of SiC growth by alternate supply of SiH2Cl2 and C2H2 | |
| JPH1012554A (ja) | 化合物半導体の製造方法 | |
| JPH0566919B2 (ja) | ||
| JPH0754802B2 (ja) | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 | |
| JPH0380198A (ja) | 窒素化合物半導体単結晶膜の成長方法 | |
| JPS6115150B2 (ja) |