JPS62127829A - 導波路形液晶光マトリツクススイツチ - Google Patents
導波路形液晶光マトリツクススイツチInfo
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- JPS62127829A JPS62127829A JP26726485A JP26726485A JPS62127829A JP S62127829 A JPS62127829 A JP S62127829A JP 26726485 A JP26726485 A JP 26726485A JP 26726485 A JP26726485 A JP 26726485A JP S62127829 A JPS62127829 A JP S62127829A
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- Japan
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- liquid crystal
- refractive index
- waveguide
- waveguides
- electric field
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1326—Liquid crystal optical waveguides or liquid crystal cells specially adapted for gating or modulating between optical waveguides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は光フアイバ伝送回路や端末装置などの光路切
替えに用いられる導波路形液晶光マ） ＩＪソクススイ
ノチに関する。
替えに用いられる導波路形液晶光マ） ＩＪソクススイ
ノチに関する。
（従来の技術）
液晶光マトリックススイッチとして、従来クラッド層に
液晶を使用したものが知られている。第６図及び第７図
は斯る従来の液晶光マトリックススイッチを示し、下部
電極であるＳｉ基板ｌの表面に５ｉＯｚバツフｙＮ２を
介して５ｉＯ２−ＴａｚＯｓからなる平板導波路３が形
成されている。そして、平板導波路３の外表面にＳｉＯ
□配向層４を介して液晶のクラッドＮ５が配設され、更
にその外層に５ｉＯ１上部基板６が配設されている。上
述の平板導波路３には１本（例えば、２本）の平行光線
８ａ、 ８ｂ （第６図）が入射し、この平行光線８ａ
、 ８ｂの光路中の動作点に、上述の下部電極ｌに加え
、前記上部基板６の外表面に形成された上部電極７が設
けられ、この上部及び下部電極７．１間に所定の電界を
印加することにより光路が切り替わるようになっている
。即ち、液晶５は電界を印加するとその結晶構造が変化
し、屈折率が変化する。これにより光路中の導波路の実
効屈折率が変化し、電界の印加部分と無印加部分とで屈
折率の界面Ｂ（第５図）が生し、伝搬光の光路が偏向さ
れ、出力光線９ａ。
液晶を使用したものが知られている。第６図及び第７図
は斯る従来の液晶光マトリックススイッチを示し、下部
電極であるＳｉ基板ｌの表面に５ｉＯｚバツフｙＮ２を
介して５ｉＯ２−ＴａｚＯｓからなる平板導波路３が形
成されている。そして、平板導波路３の外表面にＳｉＯ
□配向層４を介して液晶のクラッドＮ５が配設され、更
にその外層に５ｉＯ１上部基板６が配設されている。上
述の平板導波路３には１本（例えば、２本）の平行光線
８ａ、 ８ｂ （第６図）が入射し、この平行光線８ａ
、 ８ｂの光路中の動作点に、上述の下部電極ｌに加え
、前記上部基板６の外表面に形成された上部電極７が設
けられ、この上部及び下部電極７．１間に所定の電界を
印加することにより光路が切り替わるようになっている
。即ち、液晶５は電界を印加するとその結晶構造が変化
し、屈折率が変化する。これにより光路中の導波路の実
効屈折率が変化し、電界の印加部分と無印加部分とで屈
折率の界面Ｂ（第５図）が生し、伝搬光の光路が偏向さ
れ、出力光線９ａ。
９ｂが得られる。斯（して、ｎ木の各入出力端子を設け
、人力光路と出力光路の各交差部にパターン電極を設け
るとｎｘｎ光マトリックススイッチが得られる。
、人力光路と出力光路の各交差部にパターン電極を設け
るとｎｘｎ光マトリックススイッチが得られる。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の光マトリツクススイッチの平ｔｉｔ波路３及びク
ラッド（液晶）層５の各厚みは夫々約０．５μｍ及び９
．０μｍあり、屈折率は光の波長が１．３μｍの場合で
導波路３が１．７４１．液晶は分子長軸方向に１．６０
９．短軸方向に１．４９２である。このような光マトリ
ツクススイッチではレンズ系により完全な平行光線を得
ることが困難であるために、入力端から出力端までの光
路距離が長いと光束が広がってクロストーク（漏話）が
大きくなりマトリックス数を増加して大型化を図ること
が困難であった。
ラッド（液晶）層５の各厚みは夫々約０．５μｍ及び９
．０μｍあり、屈折率は光の波長が１．３μｍの場合で
導波路３が１．７４１．液晶は分子長軸方向に１．６０
９．短軸方向に１．４９２である。このような光マトリ
ツクススイッチではレンズ系により完全な平行光線を得
ることが困難であるために、入力端から出力端までの光
路距離が長いと光束が広がってクロストーク（漏話）が
大きくなりマトリックス数を増加して大型化を図ること
が困難であった。
又、導波路３の厚みが薄いため光信号の損失が大きい。
本発明はかかる問題点を解決するためになされたもので
、低［置火で光ファイバと接続でき、挿入ｔｆｉが小さ
く、且つ、クロストークが小さい液晶光マトリックスス
イッチを提供することを目的とする。
、低［置火で光ファイバと接続でき、挿入ｔｆｉが小さ
く、且つ、クロストークが小さい液晶光マトリックスス
イッチを提供することを目的とする。
（問題を解決するための手段）
上述の口約を達成するために本発明に依れば、導波路の
各交差部に液晶セルと、該液晶セルの上部及び下部電極
とを設け、各液晶セルに充填される液晶を当該２つの導
波路がなす交差角の実質的に２等分線方向に分子配向さ
せ、前記上部及び下部電極間の電界印加時及び無印加時
のいずれか一方における液晶の屈折率を前記導波路の屈
折率と実質的に等しい値に設定したことを特徴とする導
波路形液晶光マトリックススイッチが提供される。
各交差部に液晶セルと、該液晶セルの上部及び下部電極
とを設け、各液晶セルに充填される液晶を当該２つの導
波路がなす交差角の実質的に２等分線方向に分子配向さ
せ、前記上部及び下部電極間の電界印加時及び無印加時
のいずれか一方における液晶の屈折率を前記導波路の屈
折率と実質的に等しい値に設定したことを特徴とする導
波路形液晶光マトリックススイッチが提供される。
（作用）
本発明に依る導波路形液晶光マトリックススイッチの導
波路の各交差部に設けられ、液晶セルに充填された液晶
は電界印加時及び無印加時のいずれか一方において、そ
の屈折率が導波路の屈折率と実質的に等しい値に設定さ
れており、液晶と導波路の屈折率が等しいとき、導波路
を伝搬してきた光信号は液晶セルによって偏向されるこ
となく同導波路を伝搬していく。一方、電界状態の反転
により液晶と導波路の屈折率の界面が生じ該界面におい
て導波路を伝搬してきた光信号が反射又は屈折され、光
信号の伝搬する導波路が切替えられる。
波路の各交差部に設けられ、液晶セルに充填された液晶
は電界印加時及び無印加時のいずれか一方において、そ
の屈折率が導波路の屈折率と実質的に等しい値に設定さ
れており、液晶と導波路の屈折率が等しいとき、導波路
を伝搬してきた光信号は液晶セルによって偏向されるこ
となく同導波路を伝搬していく。一方、電界状態の反転
により液晶と導波路の屈折率の界面が生じ該界面におい
て導波路を伝搬してきた光信号が反射又は屈折され、光
信号の伝搬する導波路が切替えられる。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は０本の入力用導波路１０（１０ａ。
〜１ｏａｎ）と、これらに交差するｎ木の出力用導波路
１１ （１１ａ＋〜１ｌａｎ）とを格子状にパターン
配列した、本発明に係るｎｘｎ液晶光マトリックススイ
ッチを示し、各導波路１０ａ、〜１０ａｎ、 １ｌａ１
〜１ｌａｎは後述するように夫々厚さ５０μｍ１幅５ｏ
μｍの断面正方形のＳｉｆｔ−Ｔａｇ’ｓ （２酸化ケ
イ素・タンタル酸系）から成り、各入力用４波路１０８
１〜１０ａｎと各出力用導波路１１ａｌ＝１１ａｎとは
所定の角度θ （例えば、２４６）をなして交差するよ
うに配設されている。
１１ （１１ａ＋〜１ｌａｎ）とを格子状にパターン
配列した、本発明に係るｎｘｎ液晶光マトリックススイ
ッチを示し、各導波路１０ａ、〜１０ａｎ、 １ｌａ１
〜１ｌａｎは後述するように夫々厚さ５０μｍ１幅５ｏ
μｍの断面正方形のＳｉｆｔ−Ｔａｇ’ｓ （２酸化ケ
イ素・タンタル酸系）から成り、各入力用４波路１０８
１〜１０ａｎと各出力用導波路１１ａｌ＝１１ａｎとは
所定の角度θ （例えば、２４６）をなして交差するよ
うに配設されている。
又、入力用導波路１０ａ＋〜１Ｏａｎの各導波路間隔及
び出力用導波路ｆｌａｔ〜１ｌａｎの各導波路間隔は夫
々略０．５ｍｍに設定されている。そして、各交差部、
且つ導波路の光路内に液晶挿入用の空セル１２が形成さ
れている。より具体的には、液晶挿入用の空セル１２は
入力用導波路１０ａ２の光軸に対して前記所定の角度θ
の半分の角度（１２°）だけ、傾けて配設されており、
且つ、出力用導波路１１ａ２の光軸に対しても同じ角度
（１２°）だけ傾けて配設されている。そして、液晶セ
ル１２の一側面１２ａは入力用導波路１０ａ２の上流側
に臨み、且つ出力導波路１１ａ２の下流側に臨んでいる
。
び出力用導波路ｆｌａｔ〜１ｌａｎの各導波路間隔は夫
々略０．５ｍｍに設定されている。そして、各交差部、
且つ導波路の光路内に液晶挿入用の空セル１２が形成さ
れている。より具体的には、液晶挿入用の空セル１２は
入力用導波路１０ａ２の光軸に対して前記所定の角度θ
の半分の角度（１２°）だけ、傾けて配設されており、
且つ、出力用導波路１１ａ２の光軸に対しても同じ角度
（１２°）だけ傾けて配設されている。そして、液晶セ
ル１２の一側面１２ａは入力用導波路１０ａ２の上流側
に臨み、且つ出力導波路１１ａ２の下流側に臨んでいる
。
液晶セル１２には液晶（例えば、Ｐｃｔ（１１３２、屈
折率は波長１．３μｍに対し、分子長軸方向１．６０９
．短軸方向１．４９２ ）が充填され、この液晶は屈折
率に異方性を有するが、前記入力用及び出力用導波路１
０ａｚ、 １ｌａｚに対して屈折率が等しくなるように
分子配向される。即ち、液晶挿入用の空セル１２は、詳
細は後述するように基板上面に形成させた配向層を存し
、この配向層は２つの導波路１０ａｚ、 １ｌａｉがな
す交差角の実質的に２等分線方向にラビングされており
、液晶はラビングされた方向に分子配向される。
折率は波長１．３μｍに対し、分子長軸方向１．６０９
．短軸方向１．４９２ ）が充填され、この液晶は屈折
率に異方性を有するが、前記入力用及び出力用導波路１
０ａｚ、 １ｌａｚに対して屈折率が等しくなるように
分子配向される。即ち、液晶挿入用の空セル１２は、詳
細は後述するように基板上面に形成させた配向層を存し
、この配向層は２つの導波路１０ａｚ、 １ｌａｉがな
す交差角の実質的に２等分線方向にラビングされており
、液晶はラビングされた方向に分子配向される。
導波路１０ａｚ、 １ｌａｚの屈折率は液晶セル１２の
後述する上下電極（第１図には仮想線で上部電極１３ａ
が示しである）間に電界が印加されない場合の液晶の屈
折率と略等しくなるように設定しである。
後述する上下電極（第１図には仮想線で上部電極１３ａ
が示しである）間に電界が印加されない場合の液晶の屈
折率と略等しくなるように設定しである。
従って、上下電極に電界が印加されない場合には導波路
１０ａｚ、 １ｌａｚと液晶との間に屈折率の界面が生
じないために導波路１０ａ２． ｆｌａｔを伝搬してき
た光信号は導波路１０ａｚ、 １ｌａｚと液晶との境界
面（前記−側面１２ａ等）で屈折や反射を生じることな
く直進することになる。一方、上下電極に電界が印加さ
れた場合には液晶の分子は電極に対して垂直配向となり
、屈折率が小さくなって導波路１０ａｔと液晶との間に
屈折率の界面（１２ａ）が生じ、この界面１２ａにおい
て導波路１０ａ、を伝搬してきた光信号は全反射を生じ
、出力用導波路１１ａ２にその光路を切替える。
１０ａｚ、 １ｌａｚと液晶との間に屈折率の界面が生
じないために導波路１０ａ２． ｆｌａｔを伝搬してき
た光信号は導波路１０ａｚ、 １ｌａｚと液晶との境界
面（前記−側面１２ａ等）で屈折や反射を生じることな
く直進することになる。一方、上下電極に電界が印加さ
れた場合には液晶の分子は電極に対して垂直配向となり
、屈折率が小さくなって導波路１０ａｔと液晶との間に
屈折率の界面（１２ａ）が生じ、この界面１２ａにおい
て導波路１０ａ、を伝搬してきた光信号は全反射を生じ
、出力用導波路１１ａ２にその光路を切替える。
斯くして、導波路の各交差部の液晶セルの上下電極の電
界を公知の方法で制御すれば、ｎｘｎマトリックススイ
ッチが実現される。
界を公知の方法で制御すれば、ｎｘｎマトリックススイ
ッチが実現される。
次に、第３図及び第４図に示される導波路及び液晶セル
の形成手順を参照しながら、本発明に係る液晶光マトリ
ックススイッチの構成の詳細を説明する。
の形成手順を参照しながら、本発明に係る液晶光マトリ
ックススイッチの構成の詳細を説明する。
導波路１０の両側にクラッド層１９を形成させる場合に
はＳｉＯ□基板１５（第３図（ａ））に下部薄膜電極１
３ｂを蒸着した後（同図（ｂ）） 、クラッド層１９“
が蒸着される（同図（Ｃ））。そして、このクラッド層
１９’のコア部、即ち、導波路１０が形成される部分１
９′をスパッタエツチング法によりエツチングしく同図
（ｄ）） 、これに５ｉＯｔ−Ｔａ２０５導波路ｉｉｏ
”を蒸着しく同図（ｅ））、スパッタエツチング法によ
り前記導波路形成部分１９°１を残して導波路層１０１
′をエツチングし、導波路１０を形成する（同図（ｆ）
）。尚、クラッド層１９の導波路１０の下方部分は配向
層１７として機能する。
はＳｉＯ□基板１５（第３図（ａ））に下部薄膜電極１
３ｂを蒸着した後（同図（ｂ）） 、クラッド層１９“
が蒸着される（同図（Ｃ））。そして、このクラッド層
１９’のコア部、即ち、導波路１０が形成される部分１
９′をスパッタエツチング法によりエツチングしく同図
（ｄ）） 、これに５ｉＯｔ−Ｔａ２０５導波路ｉｉｏ
”を蒸着しく同図（ｅ））、スパッタエツチング法によ
り前記導波路形成部分１９°１を残して導波路層１０１
′をエツチングし、導波路１０を形成する（同図（ｆ）
）。尚、クラッド層１９の導波路１０の下方部分は配向
層１７として機能する。
次に、上述のようにして形成された第３図の導波路１０
に、前記交差部位置の液晶挿入用の空セル１２がエツチ
ングにより穿設される（第４図（ａ））。そして、液晶
の分子配向を前述した一定方向に揃えるために液晶セル
１２部分の配向層１７に該一定方向にラビング処理（配
列処理）が施される。次いで、上部薄膜電極１３ａを蒸
着し、液晶注入口２１を穿設した上部ＳｉＯ□基板２０
を、電極蒸着面を下にしてこれらが液晶挿入用の空セル
１２に整合するように導波路１０に接合する。このよう
に形成された液晶挿入用の空セル１２に液晶注入口２１
から液晶２４が注入され、封止部材２２により液密に封
止される。尚、前記下部薄膜電極１３ｂは共通電極とし
て機能し、上部（１膜）電極１３ａはパターン電極とし
て機能し、各上部電極１３ａから引き出されるリードを
図示しない制御回路に接続して公知の切換制御が実行さ
れる。
に、前記交差部位置の液晶挿入用の空セル１２がエツチ
ングにより穿設される（第４図（ａ））。そして、液晶
の分子配向を前述した一定方向に揃えるために液晶セル
１２部分の配向層１７に該一定方向にラビング処理（配
列処理）が施される。次いで、上部薄膜電極１３ａを蒸
着し、液晶注入口２１を穿設した上部ＳｉＯ□基板２０
を、電極蒸着面を下にしてこれらが液晶挿入用の空セル
１２に整合するように導波路１０に接合する。このよう
に形成された液晶挿入用の空セル１２に液晶注入口２１
から液晶２４が注入され、封止部材２２により液密に封
止される。尚、前記下部薄膜電極１３ｂは共通電極とし
て機能し、上部（１膜）電極１３ａはパターン電極とし
て機能し、各上部電極１３ａから引き出されるリードを
図示しない制御回路に接続して公知の切換制御が実行さ
れる。
又、前記上部電極１３ａの形状を長さ３５０μｍ９幅１
５０μｍとしく第１圓）、各導波路間隔を０．５ｍｍと
する（第２図）と、電極の間隔は約１ ｍとなるので、
リード幅を１００μｍとしても、１０ Ｘ １０のマト
リックスイッチに集積可能である。
５０μｍとしく第１圓）、各導波路間隔を０．５ｍｍと
する（第２図）と、電極の間隔は約１ ｍとなるので、
リード幅を１００μｍとしても、１０ Ｘ １０のマト
リックスイッチに集積可能である。
更に、本発明の液晶光マトリックススイッチは導波路１
０．１１の外形形状を種々に変更することにより５Ｍ光
フアイバ及びＧｌ光ファイバのいずれにも適用可能であ
る。
０．１１の外形形状を種々に変更することにより５Ｍ光
フアイバ及びＧｌ光ファイバのいずれにも適用可能であ
る。
更に又、上述の実施例では液晶セル１２に充填される液
晶の屈折率を電界無印加時に導波路１０゜１１の屈折率
と略等しい値になるように設定されたが、本発明はこれ
に限定されず、電界印加時に両者の屈折率が等しくなる
ように設定するようにしてもよく、この場合、電界無印
加時に入力用導波路を伝搬してきた光信号は導波路と液
晶との界面で屈折するので、出力用導波路はこの屈折方
向に配設すればよい。
晶の屈折率を電界無印加時に導波路１０゜１１の屈折率
と略等しい値になるように設定されたが、本発明はこれ
に限定されず、電界印加時に両者の屈折率が等しくなる
ように設定するようにしてもよく、この場合、電界無印
加時に入力用導波路を伝搬してきた光信号は導波路と液
晶との界面で屈折するので、出力用導波路はこの屈折方
向に配設すればよい。
（発明の効果）
以上詳述したように本発明の導波路形成部分マトリック
ススイッチに依れば、導波路の各交差部の光路内に液晶
セルを設け、該液晶セルに充填される液晶の分子配向を
２つの導波路がなす交差角の実質的に２等分線方向に一
敗させ、上部及び下部電極間の電界印加時及び無印加時
のいずれか−方における液晶の屈折率を導波路の屈折率
と実質的に等しい値に設定したので、スイノチイング動
作時に大きな偏向角が得られ、クロストークが小さく挿
入１員が小さく、しかも低損失で光ファイバと接続でき
るという優れた効果を奏する。
ススイッチに依れば、導波路の各交差部の光路内に液晶
セルを設け、該液晶セルに充填される液晶の分子配向を
２つの導波路がなす交差角の実質的に２等分線方向に一
敗させ、上部及び下部電極間の電界印加時及び無印加時
のいずれか−方における液晶の屈折率を導波路の屈折率
と実質的に等しい値に設定したので、スイノチイング動
作時に大きな偏向角が得られ、クロストークが小さく挿
入１員が小さく、しかも低損失で光ファイバと接続でき
るという優れた効果を奏する。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示し、第１図は
導波路形液晶光マトリックススイッチの導波路交差部に
形成された液晶セルを示す横断面図、第２図は入力用導
波路ｌＯ及び出力用導波路１１の構成を示すレイアウト
図、第３図は導波路の形成手順を説明するための工程図
、第４図は導波路内に形成される液晶セルの縦断面図、
第５図及び第６図は従来の液晶光マトリックススイッチ
の構成図である。 １０・・・人力用導波路、１１・・・出力用導波路、１
２・・・液晶セル、１３ａ・・・上部（薄膜）電極、１
３ｂ・・・下部（薄膜）電極、１７・・・配向層、２４
・・・液晶。 出 願 人 古河電気工業株式会社代 埋入 弁
理士 長門侃二 猟１図 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） （ｃ）
（ｄ）第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 第６図
導波路形液晶光マトリックススイッチの導波路交差部に
形成された液晶セルを示す横断面図、第２図は入力用導
波路ｌＯ及び出力用導波路１１の構成を示すレイアウト
図、第３図は導波路の形成手順を説明するための工程図
、第４図は導波路内に形成される液晶セルの縦断面図、
第５図及び第６図は従来の液晶光マトリックススイッチ
の構成図である。 １０・・・人力用導波路、１１・・・出力用導波路、１
２・・・液晶セル、１３ａ・・・上部（薄膜）電極、１
３ｂ・・・下部（薄膜）電極、１７・・・配向層、２４
・・・液晶。 出 願 人 古河電気工業株式会社代 埋入 弁
理士 長門侃二 猟１図 第２図 第３図 （ａ） （ｂ） （ｃ）
（ｄ）第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導波路の各交差部に液晶セルと、該液晶セルの上部
及び下部電極とを設け、各液晶セルに充填される液晶を
当該２つの導波路がなす交差角の実質的に２等分線方向
に分子配向させ、前記上部及び下部電極間の電界印加時
及び無印加時のいずれか一方における液晶の屈折率を前
記導波路の屈折率と実質的に等しい値に設定したことを
特徴とする導波路形液晶光マトリックススイッチ。 ２、前記各液晶セルの上部及び下部の少なくともいずれ
か一方に配向層を設け、該配向層を配列処理したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の導波路形液晶光
マトリックススイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26726485A JPS62127829A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 導波路形液晶光マトリツクススイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26726485A JPS62127829A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 導波路形液晶光マトリツクススイツチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62127829A true JPS62127829A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17442426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26726485A Pending JPS62127829A (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | 導波路形液晶光マトリツクススイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62127829A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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