JPS62128041A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62128041A JPS62128041A JP60267780A JP26778085A JPS62128041A JP S62128041 A JPS62128041 A JP S62128041A JP 60267780 A JP60267780 A JP 60267780A JP 26778085 A JP26778085 A JP 26778085A JP S62128041 A JPS62128041 A JP S62128041A
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- Japan
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- rare earth
- metallic layers
- thickness
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- layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば書き換え可能な光磁気ディスクに適用
する光磁気記録媒体に関する。
する光磁気記録媒体に関する。
本発明は、金属層と、遷移金属層の各極薄薄膜層が繰返
し積層された光磁気記録用磁化膜を設け、その希土類金
属層の厚さ及び光磁気記録用磁化膜の全体としての組成
の特定によって、磁化量、保磁力、異方性にすぐれ、高
密度記録を可能にした光磁気記録媒体を構成する。
し積層された光磁気記録用磁化膜を設け、その希土類金
属層の厚さ及び光磁気記録用磁化膜の全体としての組成
の特定によって、磁化量、保磁力、異方性にすぐれ、高
密度記録を可能にした光磁気記録媒体を構成する。
本出願人は、先に希土類金属層と、遷移金属層とが交互
に積層された構造の光磁気記録媒体を提供した（特願昭
５９−２１７２４７号公報参照）。この光磁気記録媒体
は、角型比及び保磁力Ｈｃの向上をはかることができる
ようにしたものである。
に積層された構造の光磁気記録媒体を提供した（特願昭
５９−２１７２４７号公報参照）。この光磁気記録媒体
は、角型比及び保磁力Ｈｃの向上をはかることができる
ようにしたものである。
本発明においては、上述したように希土類金属層と、遷
移金属層との繰返し積層構造の光磁気記録用磁化膜を有
する光磁気記録媒体において、希土類金属層の厚さと全
体としての希土類金属と遷移金属との組成比が磁気的特
性に大きな影響を及ぼすことの究明に基いて、より優れ
た特性の改善をはかるものである。
移金属層との繰返し積層構造の光磁気記録用磁化膜を有
する光磁気記録媒体において、希土類金属層の厚さと全
体としての希土類金属と遷移金属との組成比が磁気的特
性に大きな影響を及ぼすことの究明に基いて、より優れ
た特性の改善をはかるものである。
本発明は、第１図に示すように、ガラス、アクリル、ポ
リカーボネイト等より成る基体（１１上に、Ｔｂ、 Ｄ
Ｙ、 Ｇｄの一種以上より成る希土類金属層（２）と、
Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉの一種以上より成る遷移金属層（
３）とを順次繰返し蒸着、スパッタリング等によって積
層した垂直異方性を有する光磁気記録用磁化Ｉ１ｗ（４
１を構成する。
リカーボネイト等より成る基体（１１上に、Ｔｂ、 Ｄ
Ｙ、 Ｇｄの一種以上より成る希土類金属層（２）と、
Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉの一種以上より成る遷移金属層（
３）とを順次繰返し蒸着、スパッタリング等によって積
層した垂直異方性を有する光磁気記録用磁化Ｉ１ｗ（４
１を構成する。
これら希土類金属Ｎ（２）と、遷移金属層（３）とは、
夫々原子層オーダーの極薄の厚さとし、特に、その希土
類金属層（２）の厚さを２Å以上６人未満に選定する。
夫々原子層オーダーの極薄の厚さとし、特に、その希土
類金属層（２）の厚さを２Å以上６人未満に選定する。
ここに、希土類金属のＴｂ、 ＤＶ、 Ｇｄは共にその
原子径が、３．５人程度であることから、２Å以上６人
未満の厚さは２原子層〆以下ないしは単原子層にも相当
する程度のものとなる。
原子径が、３．５人程度であることから、２Å以上６人
未満の厚さは２原子層〆以下ないしは単原子層にも相当
する程度のものとなる。
また、希土類金属と、遷移金属との組成比を、記録層（
４）の全体として希土類金属を１０〜４０原子％、残部
を遷移金属とする。しかしながら、この組成範囲内にあ
っても、補償点組成はこれをはずすものとする。例えば
遷移金属としてＦｅを用いた場合希土類金属がＴｂであ
る場合はこれが磁化膜（４）全体としての組成が２２〜
２３原子％、Ｇｄ或いはａｙである場合はこれが２５〜
２６原子％で？ｉｌｉ （１点となる。
４）の全体として希土類金属を１０〜４０原子％、残部
を遷移金属とする。しかしながら、この組成範囲内にあ
っても、補償点組成はこれをはずすものとする。例えば
遷移金属としてＦｅを用いた場合希土類金属がＴｂであ
る場合はこれが磁化膜（４）全体としての組成が２２〜
２３原子％、Ｇｄ或いはａｙである場合はこれが２５〜
２６原子％で？ｉｌｉ （１点となる。
上述した本発明による光磁気記録媒体によるときは、磁
気異方性が大、磁化量が大で保磁力が高く、したがって
高密度記録が可能な光磁気記録媒体が得られ。これは、
本発明による希土類金属層（２）と遷移金属層（３）と
の繰返し積層構造に相俟って、希土類金属層（２）の厚
さの特定と、更に全体の組成の特定によって記録用磁化
膜（４）が、その厚さ方向に、１個の希土類金属原子に
、２ＩＩｌｉｌの遷移金泥原子が結合した基本的原子対
構成が過不足なく形成されること、つまり遷移金属原子
同士、或いは希土類金属原子の結合を殆ど生じることな
く、効率良く膜厚方向に配列していることによるものと
思われる。
気異方性が大、磁化量が大で保磁力が高く、したがって
高密度記録が可能な光磁気記録媒体が得られ。これは、
本発明による希土類金属層（２）と遷移金属層（３）と
の繰返し積層構造に相俟って、希土類金属層（２）の厚
さの特定と、更に全体の組成の特定によって記録用磁化
膜（４）が、その厚さ方向に、１個の希土類金属原子に
、２ＩＩｌｉｌの遷移金泥原子が結合した基本的原子対
構成が過不足なく形成されること、つまり遷移金属原子
同士、或いは希土類金属原子の結合を殆ど生じることな
く、効率良く膜厚方向に配列していることによるものと
思われる。
本発明による光磁気記録媒体の光磁気記録層（４）の形
成はスパッタリングによって行うことができる。
成はスパッタリングによって行うことができる。
このスパッタリング装置としては、第２図に示すように
、マグネトロン型構成をとり得る。この場合、ベルジャ
（図示せず）内に、軸心０−０′を中心として回転する
基台（６）を設け、これの例えば下面に目的とする光磁
気記録媒体を構成する基体（１１が配置される。そして
、この基体（１）に対向して軸心０−０′を中心に等角
間隔、すなわち１８０゜の角間隔を保持して２個のスパ
ッタ源（７）及び（８）を配置する。これらスパッタ源
（７）及び（８）と基台（６）、すなわち基体（１）と
の間には、スパッタ源（７）及び（８）より夫々スパッ
タされる金属のスパッタ位置を規制するマスク（９）を
配置する。スパッタ源（７）は希土類金属より成りター
ゲットα（至）を有し、スパッタ源（８）は、遷移金属
の板状体より成るターゲラ）（１１）を有して成る。
（１２）及び（１３）は、夫々マグネットを示す。
、マグネトロン型構成をとり得る。この場合、ベルジャ
（図示せず）内に、軸心０−０′を中心として回転する
基台（６）を設け、これの例えば下面に目的とする光磁
気記録媒体を構成する基体（１１が配置される。そして
、この基体（１）に対向して軸心０−０′を中心に等角
間隔、すなわち１８０゜の角間隔を保持して２個のスパ
ッタ源（７）及び（８）を配置する。これらスパッタ源
（７）及び（８）と基台（６）、すなわち基体（１）と
の間には、スパッタ源（７）及び（８）より夫々スパッ
タされる金属のスパッタ位置を規制するマスク（９）を
配置する。スパッタ源（７）は希土類金属より成りター
ゲットα（至）を有し、スパッタ源（８）は、遷移金属
の板状体より成るターゲラ）（１１）を有して成る。
（１２）及び（１３）は、夫々マグネットを示す。
マスク（９）は、例えば第３図に示すように、ターゲッ
ト００）及び（１１）に対向する部分にこれらターゲッ
ト００）及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に
向って広がるいちょう形の窓（１４）及び（Ｉ５）が穿
設されて成り、基台（６）が停止した状態では基体（１
１の例えば主として一半部に一方のターゲットα〔から
の希土類金属がスパッタリングされ、主として他半部に
他方のターゲット（１１）からの遷移金属がスパッタリ
ングされるようにする。
ト００）及び（１１）に対向する部分にこれらターゲッ
ト００）及び（１１）の中心を通る直線Ｘ方向に外側に
向って広がるいちょう形の窓（１４）及び（Ｉ５）が穿
設されて成り、基台（６）が停止した状態では基体（１
１の例えば主として一半部に一方のターゲットα〔から
の希土類金属がスパッタリングされ、主として他半部に
他方のターゲット（１１）からの遷移金属がスパッタリ
ングされるようにする。
そして基台（６）を回転させながらターゲットＱＯ）及
び（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う。
び（１１）を負極側として直流スパッタリングを行う。
このようにして基台（６）を回転させながら全体として
２００〜５００００人の厚さ、例えば１０００人の厚さ
の積層磁化膜（４）を形成する。
２００〜５００００人の厚さ、例えば１０００人の厚さ
の積層磁化膜（４）を形成する。
実施例１
ガラス基体（１１上に、全体として１９原子％Ｔｂの組
成を有するＴｂ−Ｆｅ磁化膜による光磁気記録用磁化Ｊ
ｌ！！ （４１を形成した。この磁化膜（４）の形成は
、第２図及び第３図で説明したスパッタリング装置によ
りそのターゲット０［ＩｌとしてＴｂターゲットを、タ
ーゲット（１１）としてＦｅターゲットを配置し、基台
（６）、したがって基体（１）の回転速度を２Ｏｒ、ｐ
、ｍ、で行った。
成を有するＴｂ−Ｆｅ磁化膜による光磁気記録用磁化Ｊ
ｌ！！ （４１を形成した。この磁化膜（４）の形成は
、第２図及び第３図で説明したスパッタリング装置によ
りそのターゲット０［ＩｌとしてＴｂターゲットを、タ
ーゲット（１１）としてＦｅターゲットを配置し、基台
（６）、したがって基体（１）の回転速度を２Ｏｒ、ｐ
、ｍ、で行った。
Ｔｂクーゲット０φ及びＦｅターゲット （１１）に関
しての夫々のスパッタリング電流は０．６Ａ及び２．５
Ａとした。このとき、Ｔｂの腰成晶速度は、はぼ１．５
人／ｓｅｃであるとき、Ｆｅのそれはほぼ２．６人／ｓ
ｅｃであった。
しての夫々のスパッタリング電流は０．６Ａ及び２．５
Ａとした。このとき、Ｔｂの腰成晶速度は、はぼ１．５
人／ｓｅｃであるとき、Ｆｅのそれはほぼ２．６人／ｓ
ｅｃであった。
このようにして（ｒｌた光磁気媒体のＴｂ−Ｆｅ磁化脱
（４）は第１図で説明したようなＴｂによる希土類金属
層（２）とＦｅによる遷移金属層（３）との繰返しＭｉ
層による周期構造を形成していることが確認された。こ
の確認は、小角Ｘ線回折により行った。第４図はそのＸ
線照射の膜面とのなす角をθとするときの角度２θに対
する回折強度を測定した図で、この場合、Ｃｏ−ＫｅＬ
（波長λ＝ １．７９人）のＸ線を用いた。
（４）は第１図で説明したようなＴｂによる希土類金属
層（２）とＦｅによる遷移金属層（３）との繰返しＭｉ
層による周期構造を形成していることが確認された。こ
の確認は、小角Ｘ線回折により行った。第４図はそのＸ
線照射の膜面とのなす角をθとするときの角度２θに対
する回折強度を測定した図で、この場合、Ｃｏ−ＫｅＬ
（波長λ＝ １．７９人）のＸ線を用いた。
そして、第４図によれば、２θ＝８．４人で回折ピーク
が生じており、繰返し周期のピッチ（つまり、希土類金
属のＴｂ１ｉｉ（２１と遷移金属のＦｅ層（３）の各一
層で与えられるので、ピッチＰは１２．２人であること
がわかる。
が生じており、繰返し周期のピッチ（つまり、希土類金
属のＴｂ１ｉｉ（２１と遷移金属のＦｅ層（３）の各一
層で与えられるので、ピッチＰは１２．２人であること
がわかる。
実施例２
実施例１と同様の方法によって磁化膜の形成を行ったが
、全体としてＴｂを２１原子％に選定した。
、全体としてＴｂを２１原子％に選定した。
これら実施例１及び２による光磁気記録媒体の磁気的特
性をそのＴｂ金属層の厚さを変化させて測定した結果を
第５図に示す。破線曲線は全体としてＴｂの割合を１９
原子％とした場合、実線曲線は２１原子％とした場合で
あり、曲線に１及びに２は磁気異方性係数の測定結果で
あり、曲線ＭＳ１及びＭ Ｓ２は磁化量の測定結果、曲
線）（Ｃ１及びＨＣ２は保磁力の測定結果を示す。
性をそのＴｂ金属層の厚さを変化させて測定した結果を
第５図に示す。破線曲線は全体としてＴｂの割合を１９
原子％とした場合、実線曲線は２１原子％とした場合で
あり、曲線に１及びに２は磁気異方性係数の測定結果で
あり、曲線ＭＳ１及びＭ Ｓ２は磁化量の測定結果、曲
線）（Ｃ１及びＨＣ２は保磁力の測定結果を示す。
これによれば、Ｔｂ層（２）の厚さが２〜６人ですぐれ
た各磁気的特性を示すことがわかる。
た各磁気的特性を示すことがわかる。
更に、スパッタ条件をＴｂに関して０．６Ａ ＳＦｅに
関して１．８５Ａとし、Ｔｂのスパッタリング速度を１
．５人／ ｓｅｃ 、 Ｆｅのスパッタリング速度を２
．５人／ｓｅｃとして、各層（２）及び（３）を夫々１
秒間、３秒間、６秒間で形成した膜厚とした場合、つま
りＴｂ層（２）が１．５人でＦｅ層（３）が２．５人の
とき、Ｔｂ層（２）が４．５人でＦｅ層（３）が７．５
人のとき、Ｔｂ層（２）が９人でＦｅ層（３）が１５Ａ
のときの各磁化曲線を夫々第６図、第７図及び第８図に
示す。このときの飽和磁化ＭＳと、保磁力Ｈｅを表１に
示す。
関して１．８５Ａとし、Ｔｂのスパッタリング速度を１
．５人／ ｓｅｃ 、 Ｆｅのスパッタリング速度を２
．５人／ｓｅｃとして、各層（２）及び（３）を夫々１
秒間、３秒間、６秒間で形成した膜厚とした場合、つま
りＴｂ層（２）が１．５人でＦｅ層（３）が２．５人の
とき、Ｔｂ層（２）が４．５人でＦｅ層（３）が７．５
人のとき、Ｔｂ層（２）が９人でＦｅ層（３）が１５Ａ
のときの各磁化曲線を夫々第６図、第７図及び第８図に
示す。このときの飽和磁化ＭＳと、保磁力Ｈｅを表１に
示す。
これによってもＴ ｂＪｉ （２）の厚さが６人未満２
Å以上に相当する第７図の例がすぐれたＭｓ、Ｈｃを有
し、また高い角型比を示している。
Å以上に相当する第７図の例がすぐれたＭｓ、Ｈｃを有
し、また高い角型比を示している。
実施例３
ガラス基体（１１上に、全体の組成が２０＆；（子％の
Ｔｂと、Ｆｅ −Ｃｏの遷移金属が８０原子％で、Ｆｅ
とＧｏの割合がｌ１ｌ（原子比）、・つまりＴｂ２ｏ
（Ｆｅ５ｓ Ｃｏ５） ｎ。
Ｔｂと、Ｆｅ −Ｃｏの遷移金属が８０原子％で、Ｆｅ
とＧｏの割合がｌ１ｌ（原子比）、・つまりＴｂ２ｏ
（Ｆｅ５ｓ Ｃｏ５） ｎ。
の磁化膜を形成した。この場合においても実施例１と同
様に、前述したと同様のスパッタリング装置を用いた。
様に、前述したと同様のスパッタリング装置を用いた。
この場合、ターゲットａωとしてＴｂターゲットを、タ
ーゲット（１１）としてＰｅ５ｓ Ｃｏｓ合金のターゲ
ットを用いた。このときのスパッタリング条件は、Ｔｂ
については０．６Ａ 、 Ｆｅ５５Ｃｏｓについては２
．２Ａとし、基台（６）の回転数は２０ｒ、 ｐ、ｍ、
とした。このときのＴｂの成長速度は、はぼ１．４人／
ｓｅｃ＋Ｆｅｇ５ Ｃｏ５のそれは２．６人／ｓｅｃで
ある。このようにして得たＴｂ２ｏ （Ｆｅ５ｓ Ｃ
ｏ５） ＋Ｉｏの磁化膜（４）に対して、同様にＣｏ−
ｋＸ線による小角Ｘ線回折を測定したところ第９図に示
すようになり、２θ＝８゜でビークを有していることか
らＴｂ層（２）と、Ｆｅ５ｓ ＣｏＳ層（３）との繰返
し積層周期のピッチＰは、１２．９人であることがわか
った。
ーゲット（１１）としてＰｅ５ｓ Ｃｏｓ合金のターゲ
ットを用いた。このときのスパッタリング条件は、Ｔｂ
については０．６Ａ 、 Ｆｅ５５Ｃｏｓについては２
．２Ａとし、基台（６）の回転数は２０ｒ、 ｐ、ｍ、
とした。このときのＴｂの成長速度は、はぼ１．４人／
ｓｅｃ＋Ｆｅｇ５ Ｃｏ５のそれは２．６人／ｓｅｃで
ある。このようにして得たＴｂ２ｏ （Ｆｅ５ｓ Ｃ
ｏ５） ＋Ｉｏの磁化膜（４）に対して、同様にＣｏ−
ｋＸ線による小角Ｘ線回折を測定したところ第９図に示
すようになり、２θ＝８゜でビークを有していることか
らＴｂ層（２）と、Ｆｅ５ｓ ＣｏＳ層（３）との繰返
し積層周期のピッチＰは、１２．９人であることがわか
った。
上述のＴｂ−ＦｅＣｏ磁化膜（４）全体の組成をＴｂ
−Ｆｅ１−ｙ Ｃｏｙとして表わしてそのｙの値つまり
Ｃｏの量を変化させた場合の飽和値化ＭＳ、カー回転角
θｋ及びキュリ一点Ｔｃを測定した結果を第１θ図に示
す。第１０図において、曲線ＭＳＣＯ＋ θｋｃｏ及び
Ｔ ＣＣＯは夫々その飽和磁化ＭＳ、カー回転角θｋ及
びキュリ一点Ｔｃを示ず。これによればｃｏ量の増大に
伴ってＭｇ、 θｋが増加する傾向がみられるが、キ
ュリ一点Ｔｃも上がるので、ｃｏ量が余り多いと記録パ
ワーが大となる。そこでＣｏ量は遷移金属成分中１〜３
０原子％に選定されることが望ましい。
−Ｆｅ１−ｙ Ｃｏｙとして表わしてそのｙの値つまり
Ｃｏの量を変化させた場合の飽和値化ＭＳ、カー回転角
θｋ及びキュリ一点Ｔｃを測定した結果を第１θ図に示
す。第１０図において、曲線ＭＳＣＯ＋ θｋｃｏ及び
Ｔ ＣＣＯは夫々その飽和磁化ＭＳ、カー回転角θｋ及
びキュリ一点Ｔｃを示ず。これによればｃｏ量の増大に
伴ってＭｇ、 θｋが増加する傾向がみられるが、キ
ュリ一点Ｔｃも上がるので、ｃｏ量が余り多いと記録パ
ワーが大となる。そこでＣｏ量は遷移金属成分中１〜３
０原子％に選定されることが望ましい。
実施例４
ガラス基体［１）上に、前述したと同様のスパッタリン
グ装置によって、Ｇｄ−Ｆｅ磁化膜を作製した。
グ装置によって、Ｇｄ−Ｆｅ磁化膜を作製した。
この場合、スパッタリング装置のターゲットαωとして
Ｇｄを、ターゲット （１１）としてＰｅを用い、Ｇｄ
の成長速度をほぼ、１．５人／ｓｅｃに、Ｆｅのそれを
２．６人／ｓｅｃとした。この場合の同様の小角Ｘ線回
折によって測定したＧｄ希土類金属層（２）と、Ｆｅ遷
移金属層（３）との繰返し周期のピッチＰは１２．５人
であった。
Ｇｄを、ターゲット （１１）としてＰｅを用い、Ｇｄ
の成長速度をほぼ、１．５人／ｓｅｃに、Ｆｅのそれを
２．６人／ｓｅｃとした。この場合の同様の小角Ｘ線回
折によって測定したＧｄ希土類金属層（２）と、Ｆｅ遷
移金属層（３）との繰返し周期のピッチＰは１２．５人
であった。
実施例５
ガラス基体（１）上に、前述したと同様のスパッタリン
グ装置によって、Ｄｙ−Ｆｅ磁化膜を作製した。
グ装置によって、Ｄｙ−Ｆｅ磁化膜を作製した。
この場合、スパッタリング装置のターゲットＱ［Ｉ）と
してＤｙを、ターゲット（１１）としてＦｅを用いた。
してＤｙを、ターゲット（１１）としてＦｅを用いた。
上述した各実施例１．４及び５について、夫々その磁化
膜（４）全体の組成として各希土類元素のＴｂ。
膜（４）全体の組成として各希土類元素のＴｂ。
Ｇｄ及びｏｙＯ量を変化させて、夫々のキュリ一点Ｔｃ
。
。
飽和磁化ＭＳ、保磁力Ｈｃの測定結果を第１１図に示す
。同図において曲線Ｈｃｔｂ 、 Ｈｃｇｄ及びＨｃｄ
ｙは、夫々Ｔｂ、 Ｇｄ及びｏｙの組成比の変化に対す
る保磁力Ｈｃの測定結果を示し、Ｍｓｔｂ 、 Ｍｓｇ
ｄ及びＭ ｓｄｙは夫々同様のＴｂ、 Ｇｄ及びＤｙの
組成比の変化に対する飽和磁化Ｍ ｇの測定結果を示し
、曲線Ｔ ｃ ｔｂ ＋Ｔ ｃｇｄ及びＴｃｄｙは、夫
々同様のＴｂ、 Ｇｄ及びＤｙの組成比の変化に対する
キュリ一温度Ｔｃの測定結果を示す。
。同図において曲線Ｈｃｔｂ 、 Ｈｃｇｄ及びＨｃｄ
ｙは、夫々Ｔｂ、 Ｇｄ及びｏｙの組成比の変化に対す
る保磁力Ｈｃの測定結果を示し、Ｍｓｔｂ 、 Ｍｓｇ
ｄ及びＭ ｓｄｙは夫々同様のＴｂ、 Ｇｄ及びＤｙの
組成比の変化に対する飽和磁化Ｍ ｇの測定結果を示し
、曲線Ｔ ｃ ｔｂ ＋Ｔ ｃｇｄ及びＴｃｄｙは、夫
々同様のＴｂ、 Ｇｄ及びＤｙの組成比の変化に対する
キュリ一温度Ｔｃの測定結果を示す。
実施例６
ガラス基体（１）上に、前述したと同様のスパッタリン
グ装置によって、Ｇｄ−ＦｅＣｏ磁化膜を作製した。
グ装置によって、Ｇｄ−ＦｅＣｏ磁化膜を作製した。
この場合、スパッタリング装置のターゲット００）とし
てＧｄを、ターゲット（１１）としてＦｅ−Ｃｏ合金を
用いた。
てＧｄを、ターゲット（１１）としてＦｅ−Ｃｏ合金を
用いた。
実施例７
ガラス基体（１）上に、前述したと同様のスパッタリン
グ装置によって、ＧｄＴｂ−Ｆｅ磁化膜を作製した。
グ装置によって、ＧｄＴｂ−Ｆｅ磁化膜を作製した。
この場合、スパッタリング装置のターゲットαのとして
Ｇｄ２ｏ Ｔｂ５ｏ ｓターゲット（１１）としてＦｅ
を用いた。
Ｇｄ２ｏ Ｔｂ５ｏ ｓターゲット（１１）としてＦｅ
を用いた。
実施例８
ガラス基体（１）上に、前述したと同様のスパッタリン
グ装置によって、ＧｄＴｂ −ＦｅＣｏ磁化膜を作製し
た。この場合、スパッタリング装置のターゲットαωと
してＧｄ２ａ Ｆｂｅｏ合金を、ターゲット（１１）と
してＦｅ５５Ｃｏｓ合金を用いた。
グ装置によって、ＧｄＴｂ −ＦｅＣｏ磁化膜を作製し
た。この場合、スパッタリング装置のターゲットαωと
してＧｄ２ａ Ｆｂｅｏ合金を、ターゲット（１１）と
してＦｅ５５Ｃｏｓ合金を用いた。
実施例９
ガラス基体（１）上に、前述したと同様のスパッタリン
グ装置によって、ＴｂＤｙ ＦｅＣｏ磁化膜を作製し
た。この場合、スパッタリング装置のターゲット０１ｌ
ｌｌとしてＴｂ５ｏ Ｄｙ５ｏ合金を、ターゲット（１
１）としてＦｅ５ｏ Ｃｏ５ｏを用イタ。
グ装置によって、ＴｂＤｙ ＦｅＣｏ磁化膜を作製し
た。この場合、スパッタリング装置のターゲット０１ｌ
ｌｌとしてＴｂ５ｏ Ｄｙ５ｏ合金を、ターゲット（１
１）としてＦｅ５ｏ Ｃｏ５ｏを用イタ。
これら各実施例６〜９についても、高いＨｃ。
ＭＳ及びＴｃを示した。
上述したように本発明によれば、希土類金属層（２）と
、遷移金属層（３）とを繰返して積層した磁化膜の構造
を採るものの両層（２）及び（３）を原子層オーダの薄
い層とし、特に希土類金属層（２）を２〜６人とし、更
に磁化膜全体としての組成において、希土類金属を１０
〜４０原子％で且つ補償点組成を除く組成とすることに
よって磁気的特性にすくれた光磁気記録媒体を得ること
ができたものである。
、遷移金属層（３）とを繰返して積層した磁化膜の構造
を採るものの両層（２）及び（３）を原子層オーダの薄
い層とし、特に希土類金属層（２）を２〜６人とし、更
に磁化膜全体としての組成において、希土類金属を１０
〜４０原子％で且つ補償点組成を除く組成とすることに
よって磁気的特性にすくれた光磁気記録媒体を得ること
ができたものである。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の一例の路線的拡
大断面図、第２図はスパッタリング装置の一例の構成図
、第３図はそのマスクの平面図、第４図及び第９図は夫
々本発明による光磁気記録媒体の一例の小角Ｘ線回折の
照射角−強度測定曲線図、第５図はＴｂ膜厚と各磁気特
性との関係の測定曲線図、第６図〜第８図は磁化特性曲
線図、第１０図はＣｏ含有量と各特性を示す図、第１１
図は希土類金属の含有量と各特性の関係を示す図である
。 （１１は基体、（２）は希土類金属層、（３）は遷移金
属層、（４）は磁化膜である。 スノでツタリーブ装置、／１マスクの平面図第３図 “ｒｂｌｌｌｌ、ＩＮ ＝ ｔ ％ ｍｌｕ ’ｒ”Ｉ
ｎ ’ｌ’Ｊ 定曲ａｍ第５図 第１０図 第１１図
大断面図、第２図はスパッタリング装置の一例の構成図
、第３図はそのマスクの平面図、第４図及び第９図は夫
々本発明による光磁気記録媒体の一例の小角Ｘ線回折の
照射角−強度測定曲線図、第５図はＴｂ膜厚と各磁気特
性との関係の測定曲線図、第６図〜第８図は磁化特性曲
線図、第１０図はＣｏ含有量と各特性を示す図、第１１
図は希土類金属の含有量と各特性の関係を示す図である
。 （１１は基体、（２）は希土類金属層、（３）は遷移金
属層、（４）は磁化膜である。 スノでツタリーブ装置、／１マスクの平面図第３図 “ｒｂｌｌｌｌ、ＩＮ ＝ ｔ ％ ｍｌｕ ’ｒ”Ｉ
ｎ ’ｌ’Ｊ 定曲ａｍ第５図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 基体上に希土類金属層と、遷移金属層とが順次繰返し積
層されて成る光磁気記録用磁化膜を有し、上記希土類金
属層が２Å以上６Å未満に選定され、上記光磁気記録用
磁化膜の全体的組成が１０〜４０原子％の希土類金属よ
り成り且つ補償点組成を除く組成に選定したことを特徴
とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267780A JPS62128041A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 光磁気記録媒体 |
| CA000514368A CA1254385A (en) | 1985-07-26 | 1986-07-22 | Magneto-optical recording medium having amorphous artificially layered structure of rare earth element and transition metal element |
| EP86305763A EP0210855A3 (en) | 1985-07-26 | 1986-07-25 | Magneto-optical recording media |
| KR1019860006075A KR950001235B1 (ko) | 1985-07-26 | 1986-07-25 | 자기-광학 기록 매체 |
| US06/889,962 US4727005A (en) | 1985-07-26 | 1986-07-28 | Magneto-optical recording medium having amorphous artificially layered structure of rare earth element and transition metal element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267780A JPS62128041A (ja) | 1985-11-28 | 1985-11-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128041A true JPS62128041A (ja) | 1987-06-10 |
Family
ID=17449477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267780A Pending JPS62128041A (ja) | 1985-07-26 | 1985-11-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128041A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
| JPS63269354A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP4697570B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2011-06-08 | 日立金属株式会社 | 薄膜希土類永久磁石とその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108112A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁化膜 |
-
1985
- 1985-11-28 JP JP60267780A patent/JPS62128041A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61108112A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁化膜 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211141A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光磁気記録媒体 |
| JPS63269354A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP4697570B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2011-06-08 | 日立金属株式会社 | 薄膜希土類永久磁石とその製造方法 |
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