JPS62128533A - はんだプリフオ−ム及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は金属表面を結合する方法及び装置に関するもの
であって、特に、二つのはんだ付は可能な表面間をはん
だ結合するためのはんだプリフォーム及びその使用方法
に関するものである。

本発明は特に、パワートランジスター等の高出力損失半
導体コンポーネントを使用した電子機器の製造工程にお
いて有用である。このような機器の組立において、一般
にダイと呼ばれる金属化された下部表面を有する半導体
チップは、一般にヘッダー（ｈｅａｄｅｒ　）　　と呼
ばれる支持構造の金属表面にはんだ付けされる。ヘッダ
ー機構は熱放出器として機能し、通過する熱はダイから
半導体コンポーネントの熱過負荷を防止するために伝達
拡散する。

典型的には、ヘッダーへのはんだ結合を通じてダイへの
電気的結合がなされる。例えば、パワー・トランジスタ
ーの場合はコレクターへの結合は屡々ヘッダーを通じて
なされ、一方、ベースとエミッターへの結合はチップの
上部表面の金属端子への導線の結合によってなされる。

このような機器が高出力レベルで継続的に機能するため
には、ダイとヘッダーの間のはんだ結合はダイとヘッダ
ーの接触部に沿って均一に熱的及び電気的に良好な伝導
率を示さなければならない。更に、これらの機器を実用
に供するには、使用中に経験するであろう構造的応力に
十分に対抗できる程度にはんだ結合が強固でなければな
らない。これらの特質を達成するためにははんだ結合は
最少の厚さでなければならず、又、ダイとヘッダーの接
続面の間に空所が実質的にないものでなければならない
。

ダイを定められた位置にはんだ付けする最も基本的な技
術はヘッダーの支持表面上に置いて、ダイをその上に重
ねて置く閉幾何学的形状のはんだ体即ちプリフォーム（
例えば矩形又は円形）を使用するものであろう。これら
のコンポーネントは、はんだの融点よシ高く、被接合表
面の融点よシ低い温度に温度制御された炉を通過する。

炉内の雰囲気は通常水素ガス又は水素と窒素の混合ガス
（フォーミング・ガスとして知られる）であって、これ
は接合表面及びプリフォームの酸化を防止する。炉内を
通過するに際しはんだプリフォームは溶融し、ダイの金
属化された表面とヘッダー支持表面を濡らす。アッセン
ブリーはその後冷却され、このためはんだは接着剤とし
て機能するために固形化する。

前述の技術においては、はんだ結合における空所（マａ
ｉｄｓ　）の形成が特に問題となる。

空所の形成は一般にははんだ結合の成立の過程で−即ち
はんだが溶融している間に−はんだプリフォームとダイ
及びヘッダー間の相対する表面間にとじこめられたガス
によるものである。空所がダイ及びヘッダーの接合表面
から拡散しないか、接合されたグイ表面のかなりの部分
（例えば１０係あるいはそれ以上）を覆う場合、あるい
は一つの空所が過大な場合（典型的にはダイの接合表面
の５俤を超えるとき）には半導体コンポーネントについ
て熱破損が発生し得る。

前述のはんだ付は技術に関する他の問題点はプリフォー
ムの過度の薄さに起因するものである。結合剤中のはん
だの量を調整するためにプリフォームを非常に薄くしな
ければならないことから、プリフォームの不均一な溶融
はその溶けたはんだの表面張力によってグイ下面のある
部分での支持を失ない、ヘッダー上のダイの移動な生ぜ
しめる。この移動は、以後のダイへの導線の接合なダイ
の配列の悪さから困難にするものであり望ましくないも
のである。又、プリフォームの薄さは取扱いの困難をも
生ぜしめる。

半導体機器の製造における、よシ優れたはんだ結合を実
現する一つの技術が１９７４年１月２２日のウニストン
によるＵ−Ｓ、　Ｐａｔ３．７８６，５５６において開
示されている。ウニストンの技術は、ヘッダーの支持表
面上のダイの横方向に隣接した２つのプリフォームの望
ましい配置を含むものである。プリフォームとダイを装
着したヘッダーが炉内を通過する際にプリフォームは溶
融し、はんだがダイとヘッダー間の相対する表面間を毛
管現象によって流れ、表面間の領域を満たす。表面に向
って、及び表面間を流れるはんだは、表面間のガスを排
除する補助をする。前述の技術の応用としてウニストン
は又、プリフォームの外周部がダイの外周部を保持させ
、ヘッダーの保持表面上の二つの離隔した位置にあるは
んだプリフォームの配置及びプリフォーム上のダイの配
置に関する提案を行った。プリフォームの間の領域に側
方から流入するはんだは接合すべき表面の間からガスを
排除すると言われている。

二ケ所にプリフォームを設けるとする技術には空所の形
成を減少せしめる利点があるが、実用上の重大な欠点も
有している。第１に、二つのプリフォームを用いること
は加熱の準備のためにかなり長い組立時間を必要とする
ことである。特に、プリフォームは半導体ダイの配置の
前にヘッダーの支持表面上に非常に正確に位置決めされ
なければならない。これは時間を浪費すると同時にコス
トのかかる工程である。更に、このようなプリフォーム
を大部分又は全てのダイに隣接してヘッダー上に配置す
れば、はんだは流れてダイ周囲をこえて留まシ、最終的
に結合剤を形成するようなはんだの量を正確に管理する
ことは困難である。更に又、側方に配置されたプリフォ
ームはダイの変位の問題をも生ずる。上記の欠点の後の
二つは、勿論一つのプリフォームを側方に配置した場合
でも問題となる。最後に、プリフォームに関する従来の
一般的事実として、このような改良されたプリフォーム
は極めて薄く取扱いが困難となる特徴を有する。

本発明の概要 本発明に関し、すぐれた機械的強度を有し、かつ高い熱
的及び電気的伝導率を有するはんだ結合は、１個の新規
形状のはんだプリフォームを、接合すべき二表面間に用
いることで得られることが発見された。本発明における
プリフォームの形状ははんだ材料の流れに伴って接合表
面の間からガスを排除し、この結果空所の形成を最小に
するものである。また、接着が唯一のプリフォームによ
って行なわれるため、複数プリフォーム技術における位
置決めに必要な時間の浪費を避けることができる。更に
、本発明による、はんだプリフォームは実質的にダイの
変位を減少させ、又従来のプリフォームと比較して厚さ
を増加できることから取扱いも容易である。

更に広い特徴の１つとして見地から述べれば、はんだプ
リフォームに関する本発明ははんだ材料の本体が通常中
央の基体部分から伸びる少なくとも３本の足を有するも
のを包含している。

望ましい具体例はプリフォームは基体部分から放射状に
細長い足を伸ばし、基体部分の反対側は自由端となった
平板状である。特に望ましい形状はプリフォームが基体
部分の周囲に９０°、の角度で４本の放射状にのびる足
を有するものである。

別の観点から述べれば、本発明は前述の如く形成された
はんだプリフォームを有し、該プリフォームを接合すべ
き表面間にその接合表面がプリフォームと接触するよう
に挿入し、プリフォームに対してはんだ材の融点以上の
熱を加えて接合すべき表面間にはんだ材を流入したはん
だ材を冷却してこれを固形化させ、その結果当該平面同
士を接着させるという、はんだ付は可能な表面同士を接
着する方法に関するものである。本発明の好適な方法に
おいて接着すべき表面は半導体チップ（即ちダイ）及び
支持部材（例えばヘッダー）のはんだ付は可能な表面で
ある。支持部材の表面は水平面となるように仕向けられ
、プリフォームは該表面上に足を水平にして置かれる。

ダィの接着面はプリフォームの足に対して水平に重ねて
置かれる。このようなアッセンブリーが接着のために加
熱・冷却される。

望ましい実施例に関する以下の記述と添付図面によって
本発明の様りな特徴と利点がより理解されよう。

本発明をパワートランジスターのへラグ−に対する半導
体ダイの接着に関して説明する。

説明の対象となるパワー・トランジスターの構造は一般
的なものであり、本発明は特に該トランジスターの組立
てに適用すべきものである。当業者にとって明らかであ
るが、図示したトランジスター装置は、電子装置製造の
みならずより一般的な全てのはんだ付は可能な表面の接
着に対し広汎に適用可能な本発明てついての例示に過ぎ
ないものである。ここで使用するはんだ、はんだ付は等
の用語は充填用金属による金属表面の接着に適合する広
い意味を意図していることを理解すべきである。即ち、
これらの用語は、一般にはよ）特定して炊ろう付と呼ば
れる低温はんだと硬ろう付（ブレージング）と呼ばれる
高温はんたの両者を包含すべきものである。

第１図は在来のパワートランジスター１０の平面図であ
る。本図においてトランジスターの容器はトランジスタ
ーの内部構造を表現するために省略されている。トラン
ジスターのヘッダーは業界でＴＯ−３と呼ばれている標
準形状のものであり、例えばねじその他の取付部品が通
る２個の取付穴１４を持つ鋼製のベース・プレート１２
を有する。金属製伝熱板１６はニッケルメッキを施した
銅製でベース・プレート１２の上面に通常の方法で接着
されている。放熱板１８は円盤状で、伝熱板１６の上面
に同じく通常の方法で接着される。該円盤も伝熱板１６
と同様にニッケルメッキを施した銅製である。

上述のヘッダー構造に加えて第１図に示すようにトラン
ジスター１０はヘッダーの支持表面上に接着された半導
体ダイ２０を有する。

より明確には、ダイ２０は放熱板１８の上面１９に接着
されている。図中に示したダイ２０は矩形であるが、本
発明は他のダイの形状（例えば円形ダイ）についても同
様に適用することができることは以下の説明から明らか
である。本発明に基づくダイと放熱板の接着方法を以下
に説明する。ダイ２０はデバイス１０のトランジスタ一
部を形成し、その下面に金属化されたコーティングを接
着した通常の半導体ウェハ部を有するものとする。該コ
ーティングは例えばモリブデン・マンガン合金製ではん
だ付けをよくするためにニッケルメッキを用いたもので
ある。更に、典型的なものであるが、トランジスター・
エレメントのコレクタ一部は、金属化されたダイの下部
表面及び放熱板１８へのはんだ結合を介してヘッダーに
電気的に接続される。トランジスターエレメントのベー
ス及びエミッタ一部への接続は導線２２によってなされ
、該導線はダイ上面の金属化された接点に超音波接着の
ような方法で接着され、それぞれベースプレート１２の
穴２６内に密着された接点端子２４に結合される。上述
のパワートランジスターの具体例は以下の様なパラメー
タでまとめることができる。

伝熱板　、　６３　ｉｎ　（１６ｍｍ）　　　　全長、
　５　ｔｎ（１２，７圏）　　全幅 、　０５　ｉｎ　（１，３酬）　　厚さ、　０００１　
ｉｎ　（，００２５ｍｍ）　　メッキ厚さ放熱板　、　
４３８　ｉｎ　（１１，１ｍ）　　直径、０２ｉｎ　（
，５１爛）　厚さ 、０００１　ｉｎ（，００２５ｍ）メッサ厚さダイ　　
、２０４ｉｎＸ　、１８６ｉｎ（５，２咽×４．７胴）
ここに示したトランジスター１０コンポーネントの材質
と形状パラメーターは例示に過ぎず、実際は個々の設計
基準に応じて変化することが理解されよう。当然、内部
材質や形状の詳細は組立の対象となるコンポーネントの
タイプにより変化する。例えば多くの場合ダイはここで
使用されている放熱板を挾むことなく直接伝熱板で支持
される。図示した例においては、伝熱板及び放熱板の組
合せが、ＲＣ遅延回路、トランジスターのためのヒユー
ズ等といったデバイスへの追加部品の搭載を容易にして
いる。

ダイ保持部品（即ち、放熱板又は伝熱板）の典型的な材
質は親はんだ性のためにニッケル又は金メッキされたア
ルミニウム、銅、金属化されたアルミナ、ベリリウムを
含むものである。半導体ダイは典型的にはシリコンやゲ
ルマニウム等の材質でできており、下面をモリブデン／
マンガン合金等の伝導性材料でコーティングし、親はん
だ性のためにニッケル又は金メッキがなされている。更
に詳細な使用材料、設計上の問題等については最近の文
献として、Ｈ，タラセイスキー氏の「カスタムパワーハ
イブリッド」ソリッドステート技術１９８５年１０月、
１１１〜１１７頁？参照されたい。

第２図は本発明に基くはんだプリフォームとはんだ付の
準備のための放熱板１８とダイ２０に対する該プリフォ
ームの装着方法を描いたものである。図中のプリフォー
ム３０は放熱板１８とダイ２０を接着するための適切な
はんだ材料（例えば６３係すず、３７係鉛）から成シ、
第２図中点線で区分した中央の基体部分３２から伸びた
４本の等長の区を有している。プリフォーム３０は放熱
板表面１９とダイ２０の下面間に置かれ、これらと平面
接触するものであるから本質的に平面であることが望ま
しい。プリフォーム３０ははんだの箔であシ、例えば同
一形状の型によって箔材を打ち抜くことにより形成され
る。はんだの成分は当然設計の要求によシ様々であるが
、一般には鉛、すず、銀、金、インジウムの内少なくと
も二つから成る合金である。典型的なはんだ合金の組成
はタラセイスキーの前記文献に記載されている。図示し
た具体例において、はんだ体３０の足３４は基体部分３
２から外周方向に放射状に拡張している。図示した如く
、各足はそれぞれ基体部分の反対側に直角二等辺三角形
断面形状の自由端を有する。足３４の自由端部における
三角形状断面部分はプリフォーム打ち抜き用の型の製作
を容易にし、打ち抜かれたプリフォームの平面性を確実
にするのに資する。足の自由端に他の形状を用いること
もできるが製造や取扱いを容易にするものではない。例
えば四角形の終端部は本発明の概念中に包含されるもの
であるが、打ち抜き中に隅部のかえりを生じやすく、又
、よシ高価な型が必要となる。

伝熱板１８に対するダイ２０のはんだ付の準備のために
、伝熱板上面１９が水平平面となるようにトランジスタ
ー１０のヘッダー構造を適合させる。その後第２図中に
想像線で示す如く１プリフオーム３０が表面１９上に水
平に置かれる。更にダイ２０が第２図中一点鎖線で示す
如くプリフォーム３０の上に、金属化されたダイ下面が
プリフォームに平行に重なるように置かれる。

第３図は組立て後のコンポーネントの平面状態を描いた
ものである。第３図から解るようにダイ２０はプリフォ
ーム３０の上に同心状に置かれ、プリフォームの足はダ
イの対角線と同一線上に位置する。実際にはダイをプリ
フォーム上に置く場合個々の場合に応じて都合の良いよ
うに、足の方向はどのようにしても良く、図中の方向は
単に例示に過ぎない。

例えば、プリフォームをダイ外周面に平行に配置したシ
、プリフォームの基体部分を正確にダイの中心にしない
方が製造上の見地からすれば便利かあるいは望ましい場
合もあシ碍よう。

与えられた例においては、プリフォーム３０の足３４は
三角形状の自由端がダイ２０の隅を超えて僅かに突き出
す様な長さを有している。このような形状のプリフォー
ムを使用することで、ダイ、プリフォーム、ヘッダー間
の望ましい配置からのミスアライメントを防止すること
ができる。又、大量生産時にはプリフォームの突出し部
分はプリフォームの供給が停止したことを示してくれる
。より詳細に言えば、もし組立てラインにおいて突出し
部分が見えなくなれば、供給が停止したことがわかるの
である。

プリフォーム３０は伝熱板とダイ２０下面の最終的結合
に必要な全ての量のはんだを保有していることが認めら
れよう。はんだは足３４の狭い区域に集中しているため
に同一量のはんだを含む従来形状のプリフォーム（例え
ば直方体プリフォーム）よりも厚くすることができる。

プリフォーム３０の厚さが増すことは取扱いを容易にし
、損傷を受ける要因を減少させる。例えば、本発明に基
〈プリフォームは真空プローブで容易に取扱いできるこ
とが見出されている。

既に提示した。２０４ｉｎＸ、１８６ｉｎ（５，２ｍ＋
ｎ　Ｘ　４．７　ｍｍ　）のダイに対するプリフォーム
３０の適切な形状は以下の通りである。

基体部分から先端までの足の長さ０．１２７　ｉｎ　　
（３，２ｍｍ）足の幅　　　　　　　　０．０４３ｉｎ
　（１，１ｍｍ）基体部分の大きさ　　　　０．０４３
ｉｎ　（１，１喘）角はんだの厚さ　　　　　　０．０
０３９ｉｎ（０，０１ｍｍ）ここで与えられた形状のプ
リフォームはその幅に対して３倍の長さの足を有し、足
の幅は基体部分外周の相対する面の間隔と同じであるこ
とがわかる。ダイの側面長さに関しては足の幅はダイの
長側面長さの約２１係であり、短側面の長さの約２３係
である。この関係から容易に算出できるように、第３図
の如くプリフォームなダイの下部中心に置いた場合、ダ
イ下部の無接触空間（即ち、プリフォームの足の間のダ
イによって橋渡しされた部分）はダイ下部表面積の５０
係程度となる。

ヘッダーとトランジスター１０のダイとを接着せしめる
ために、これらのコンポーネントばその二つのはんだ付
可能な表面間にプリフォームを配置して、雰囲気を管理
された炉を通常の方法によって通過する。図に示した例
ではフラックスは不要であるが、場合によってはフラッ
クスも必要となろう。炉は、露点である一４０℃又はそ
れ以下に維持された通常の水素又はフォーミングガスの
雰囲気を有し、組立てられたコンポーネントをはんだの
融点を約２０℃超えるまで制御された割合で約３分間で
連続的だ加熱する。該アッセンブリーはその後外気温度
まで１分間に約１００℃の割合で、はんだを固形化しダ
イとヘッダーの対向表面を効果的に接着するために冷却
される。

アッセンブリーがはんだの融点以上の温度である間に、
プリフォーム３０は溶融しヘッダーとダイの対向表面間
に毛管現象によって流れ込む。より詳細に言えば、プリ
フォームの溶融に際して足３４と基体部分３２の素材が
足３４の間の空間をダイ周囲の外方向に向つて流れる。

はんだの流れは一般に第３図中の矢線によって示されて
いる。足の間の区域は外方向に開放しているので、本方
法てよる外向きのはんだの流れは、これらの区域中の全
てのガスをダイ下部から排出することが分るであろう。

とれて加えてプリフォームとプリフォームに接触するヘ
ッダー及びダイの表面部との間のガスもプリフォームの
溶融の開始と共に、該空間領域に排出され、その後ヘッ
ダーとダイの間の他のガスと一緒にはんだの外方向への
流出に従って押し出される。即ち、結果的にはんだ結合
は本質的に空所から解放され、従ってすぐれた機械強度
と共に良好な電気的、熱的伝導性が達成される。

以上において指摘した利点に加えてプリフォーム３０は
他の非常に重要な利点を実際面において有する。例えば
、足３４の間の空間はプリフォームの溶融前にダイ及び
ヘッダー間のはんだ付けすべき表面間に炉内雰囲気を導
くから、炉内ガスが表面を接着前に清浄することを許容
する。プリフォーム３０は又、ダイとヘッダーを接着す
るはんだの量と厚さを正確に制御するという利点を有し
ている。

このことは、プリフォームの容積の大部分がダイの背後
に置かれ、本質的にダイ外周部を超えてヘッダーの支持
平面（即ち、放熱板上面１９）に流れ出ることがないこ
とにより可能となる。プリフォーム３０の多足構造によ
る他の利点はダイのずれの可能性を減少せしめることで
ある。詳述すれば、プリフォームはその対称性と炉内雰
囲気に均等にさらされることから（全ての足と基体部分
がさらされる）一様に溶融する傾向がある。更に、仮に
一つの足が若干早く溶融を始めても残りの足がその後も
ダイの支持を続は従ってずれを防止するのである。

前述の例から本発明によるはんだプリフォームは適切な
考慮に基いて、なかんずく、ダイの安定支持とプリフォ
ームとはんだ材面の接触面積を最小にしてプリフォーム
と該表面間へのガスの浸入を避けること、及び接着表面
間からのガスの退避路を設けて外周方向へのはんだの流
れがガスを表面間から強制的に排除することを考慮して
形成されていることが認識される。

いかなる応用例においても、上述の配慮に基いて十分に
満足すべきはんだ結合を実現し得る多数のプリフォーム
形状が存在し得る。

例えば上述の例において３本足のプリフォーム（例えば
中央基体部から１２０°の角度で放射状にしたもの）も
使用可能であシ、その様な形状のプリフォームでも十分
な結合が得られる筈であるが、４本足形状はそのうちの
１本が早く溶けてしまった場合でも（３本の足が残るか
ら）よシ確実な支持から望ましいものである。又、一般
に基体部分の面積を縮小し外方向への一様なはんだの流
れを創出することが望ましいのであるが、これらの特徴
は要求されない。よシ詳細にいえば、基体部分がプリフ
ォーム中央にあってこれから足が放射状に伸びていれば
優れたはんだ結合を得ることができる。前述のような場
合でも通常の外方向へのはんだ流を得ることはできるが
、接合結果の品質は最善のものとはいえないであろう。

足の数に関しては、例示した４本より多いか少ないかは
個々の応用例の要求に応じて定められるべきである。一
般には、接着すべき表面積が増加した場合には広がった
接着面によシ多くのはんだを供給するために、よシ多く
の足が必要となるだろう。どんな場合でも、必要となる
外方向への流れと表面の支持のためには最低３本の足は
必要である。

２本足あるいは”　ｖ”型形状のような場合には適切な
支持が可能であると否とに拘わらず、プリフォーム中心
部からの所望の外方向流れは起こすことができない。最
後に、プリフォームの足に関しては、基体部分の反対側
に自由端を有する図中の例の如き直線的な足形状は一般
に接合すべき表面間にガスが侵入する可能性を減少させ
るものである。

本発明の範囲はここに記述した望ましい具体例に加え本
業界の熟練者にとっては明白な多くの可能な応用例に及
ぶものであシ、特許請求の範囲において定義されている
。既に記したことであるが、はんだ及びはんだ可能とい
う用語はその広義の意味で用いられており、低温（軟ろ
う付）の場合及び高温の場合（ブレージング）の双方を
含むことを意図している。

【図面の簡単な説明】

第１図はパワー・トランジスターにおけろ半導体ダイ及
びヘッダーのアッセンブリーの平面図である。 第２図は本発明に基〈はんだプリフォーム及び、ダイを
ヘッダーに接着する準備として第１図に示すダイとヘッ
ダーに関するプリフォームの装着方法を描いた透視図で
ある。 第３図は接着前のプリフォーム、ダイ、ヘッダーの配置
を示す拡大平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕 １０・・・パワー・トランジスタ １２・・・ベース・プレート １６・・・伝熱板 １８・・・放熱板 ２０・・・半導体ダイ ３０・・・はんだプリフォーム ３２・・・中央部基体部分 ３４・・・足

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、はんだ材料の本体からなり、ほぼその中央部の基体
   部分から外側に伸びた少なくとも３本の足を有すること
   を特徴とする二つのはんだ付可能な表面の接着に使用す
   るはんだプリフオーム。 ２、特許請求の範囲第１項記載のはんだプリフオームに
   おいて該足が該基体部分から放射状に伸びていることを
   特徴とするはんだプリフオーム。 ３、特許請求の範囲第２項記載のはんだプリフオームに
   おいて該足の長さが実質的に等しいことを特徴とするは
   んだプリフオーム。 ４、特許請求の範囲第２項記載のはんだプリフオームに
   おいて、４本の足があつて該基体部分の周囲に９０°の
   角度をなして配置されていることを特徴とするはんだプ
   リフオーム。 ５、特許請求の範囲第１項記載のはんだプリフオームに
   おいて、本体の形状が実質的に平面で、各々該基体部分
   と反対側に自由端を有する細長い足を有することを特徴
   とするはんだプリフオーム。 ６、特許請求の範囲第５項記載のはんだプリフオームに
   おいて該自由端が三角形の断面を有するもの。 ７、特許請求の範囲第５項記載のはんだプリフオームに
   おいて、該足が実質的に直線で該基体部分から半径方向
   に伸びていることを特徴とするはんだプリフオーム。 ８、特許請求の範囲第７項記載のはんだプリフオームに
   おいて該足の長さが実質的に等しいことを特徴とするは
   んだプリフオーム。 ９、特許請求の範囲第７項記載のはんだプリフオームで
   該足中の４本が該基体部分の回クに９０°の角度で配置
   されていることを特徴とするはんだプリフオーム。 １０、特許請求の範囲第５項記載のはんだプリフオーム
   において該はんだの材料がはんだ箔であることを特徴と
   するはんだプリフオーム。 １１、特許請求の範囲第１０項記載のはんだプリフオー
   ムにおいて該はんだ箔が鉛、すず、銀、金及びインジウ
   ムの内少なくとも二つを含む合金であることを特徴とす
   るはんだプリフオーム。 １２、二つのはんだ付可能な表面間を接着する方法にお
   いてほぼ中央の基体部分から外方向に伸びた少なくとも
   ３本の足を持つはんだ材料の本体から成るはんだプリフ
   オームを準備し、該プリフオームを該表面に接触するよ
   うにそのはんだ付可能な表面間に配置し、該はんだ金属
   が溶融して該表面間の接着のために流れるべくはんだ材
   料の融点以上の温度に該プリフオームを加熱し、溶融し
   たはんだ材料を固形化して該表面を互いに接着する工程
   を含む接着方法。 １３、特許請求の範囲第１２項記載の方法において該加
   熱処理が該表面と、それら表面間に該プリフオームを配
   置したものを加熱炉に差し入れることを特徴とする接着
   方法。 １４、特許請求の範囲第１２項記載の方法において、前
   記配置が該表面の一つを水平面状に定め、該プリフオー
   ムを該水平面上に置き、他の表面を該プリフオームの上
   に置くことを含むことを特徴とする接着方法。 １５、特許請求の範囲第１２項記載の方法において、該
   はんだ本体が実質的に平面であつて、かつ、前記配置が
   該プリフオームの相対する側面に該平面が平面的に接触
   するようにすることを特徴とする接着方法。 １６、特許請求の範囲第１５項記載の方法において、は
   んだプリフオームの足が該基体部分から円周方向に延長
   していることを特徴とする接着方法。 １７、特許請求の範囲第１６項記載の方法において、該
   プリフオームがその足のうらの４本が該基体部分の周り
   に９０°の角度で配置されていることを特徴とする接着
   方法。 １８、半導体ダイのはんだ付可能な表面を支持構造のは
   んだ付可能表面に固着する方法において、本体基体部分
   から外方向に伸びた少なくとも３本の足を有するはんだ
   材料本体から成るはんだプリフオームを準備し、該プリ
   フオームをダイと支持構造の各々のはんだ付可能表面に
   対して水平に配置し、該プリフオームをそのはんだ材料
   が溶融して該はんだ付可能表面間に毛管現象によつて流
   れるようにはんだ材料の融点以上に加熱し、流れたはん
   だ材料が固形化して該表面を接着せしめるために冷却す
   る工程を含むことを特徴とする固着方法。 １９、特許請求の範囲第１８項記載の方法において、該
   はんだ材料本体が実質的に平面状でその基体部分の反対
   側に自由端を持つ足を有するもの。 ２０、特許請求の範囲第１９項記載の方法において前記
   配置が、該支持構造の表面が本質的に平面状に仕向けら
   れ、はんだ体が該支持表面に対して平らに置かれ、該ダ
   イ表面が該はんだ体上に平らに置かれることを特徴とす
   る固着方法。 ２１、特許請求の範囲第１９項記載の方法において、該
   足が該基体部分の半径方向に伸びていることを特徴とす
   る固着方法。 ２２、特許請求の範囲第２１項記載の方法において、該
   足の長さが実質的に等しいことを特徴とする固着方法。 ２３、特許請求の範囲第２１項記載の方法において該は
   んだ金属体が４本の足を有することを特徴とする固着方
   法。 ２４、特許請求の範囲第２３項記載の方法において該４
   本の足が該はんだ体周囲において９０°の角度で配置さ
   れていることを特徴とする固着方法。