JPS62134903A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62134903A JPS62134903A JP60275339A JP27533985A JPS62134903A JP S62134903 A JPS62134903 A JP S62134903A JP 60275339 A JP60275339 A JP 60275339A JP 27533985 A JP27533985 A JP 27533985A JP S62134903 A JPS62134903 A JP S62134903A
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- Japan
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- voltage
- mol
- dependant
- varistor
- nonlinear resistance
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するところの （Ｃ＆ｘＳｒ、−ｘ）ｙＴｉｅ、 （ｏ、ｏｏ １≦ｘ
≦０．４゜０．９６≦７＜１．００） （Ｂａ、 Ｓｒ＋−ａ）ｂ Ｔｉｅ、 （０，００１≦
ａ≦ｏ、４゜０．９５≦ｂ＜１．００） （ＭｇｏＳｒ、−０）６ Ｔｉｅ、 （０，００１−ｃ
）ｄＴｉＯ３（０．００１≦ｃ≦０．４゜０．９６≦ｄ
＜１．００）金主成分とする電圧依存性非直線抵抗体磁
器組成物に関するものである。
イズ、静電気から半導体及び回路を保護するところの （Ｃ＆ｘＳｒ、−ｘ）ｙＴｉｅ、 （ｏ、ｏｏ １≦ｘ
≦０．４゜０．９６≦７＜１．００） （Ｂａ、 Ｓｒ＋−ａ）ｂ Ｔｉｅ、 （０，００１≦
ａ≦ｏ、４゜０．９５≦ｂ＜１．００） （ＭｇｏＳｒ、−０）６ Ｔｉｅ、 （０，００１−ｃ
）ｄＴｉＯ３（０．００１≦ｃ≦０．４゜０．９６≦ｄ
＜１．００）金主成分とする電圧依存性非直線抵抗体磁
器組成物に関するものである。
従来の技術
従来、各種電気機器、電子機器における異常高電圧の吸
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電圧
依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタやＺｎＯ
系バリスタなどが使用されていた。このようなバリスタ
の電圧−電流特性は近似的に次式のように表わすことが
できる０１−（Ｖ／Ｃ）ａ ここで、工は電流、Ｖは電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。
収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電圧
依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタやＺｎＯ
系バリスタなどが使用されていた。このようなバリスタ
の電圧−電流特性は近似的に次式のように表わすことが
できる０１−（Ｖ／Ｃ）ａ ここで、工は電流、Ｖは電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが６０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く固有の静電容素が小さいため、バリスタ
電圧以下の低い電圧や周波数の高いもの（例えばノイズ
など）の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘
電損失ｔａｎδが５〜１ｏチと大きい。
はαが６０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く固有の静電容素が小さいため、バリスタ
電圧以下の低い電圧や周波数の高いもの（例えばノイズ
など）の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘
電損失ｔａｎδが５〜１ｏチと大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見掛けの
誘電率が５ Ｘ １０’ 程度でｔａｎδが１％前後の
半導体コンデンサが利用されている。しかし、このよう
な半導体コンデンサはサージなどにより、ある限度以上
の電圧、電流が印加されると破壊したシ、コンデンサと
しての機能を果たさなくなったりする。そこで近年、５
ｒＴｉＯ５を主成分とし、バリスタ特性とコンデンサ特
性の両方の機能を有するものが開発されている示、バリ
スタ電圧が低く、αが大きく、誘電率が大きく、サージ
対量が大きいといった必要とされるすべての特性を満足
するものは未だ得られていない。
誘電率が５ Ｘ １０’ 程度でｔａｎδが１％前後の
半導体コンデンサが利用されている。しかし、このよう
な半導体コンデンサはサージなどにより、ある限度以上
の電圧、電流が印加されると破壊したシ、コンデンサと
しての機能を果たさなくなったりする。そこで近年、５
ｒＴｉＯ５を主成分とし、バリスタ特性とコンデンサ特
性の両方の機能を有するものが開発されている示、バリ
スタ電圧が低く、αが大きく、誘電率が大きく、サージ
対量が大きいといった必要とされるすべての特性を満足
するものは未だ得られていない。
発明が解決しようとする問題点
すなわち、半導体及び回路をノイズ、静電気から保護す
るためにはバリスタ電圧が低く、α、誘電率、サージ対
量が大きいといった特性を同時に満足する必要がある。
るためにはバリスタ電圧が低く、α、誘電率、サージ対
量が大きいといった特性を同時に満足する必要がある。
従来のバリスタは高電圧のサージを吸収することを目的
としているため、バリスタ電圧の低いノイズや静電気に
は効果を示さず、誘電率が小さいため立上りの鋭いパル
スに対しては応答性が悪いといった問題点を有していた
。
としているため、バリスタ電圧の低いノイズや静電気に
は効果を示さず、誘電率が小さいため立上りの鋭いパル
スに対しては応答性が悪いといった問題点を有していた
。
本発明はこのような従来技術の欠点をなくし、上記の特
性を全て満足する電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を
提供することを目的としている。
性を全て満足する電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を
提供することを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
上記の問題点を解決するために本発明では、（Ｃ２Ｌｘ
Ｓｒ、ｘ）、 Ｔｉｅ、 （０，００１≦ｘ≦０．４゜
０．９６≦７＜１．００） （Ｂａａ、 Ｓｒ＋−ａ）ｂ Ｔｉｅ、 （０，００１
≦ａ≦０．４゜０．９６≦ｔ）＜１．００） （ＭｇｃＳｒ、−０）ｄＴ１０３（０，００１≦０≦０
＋４゜０．９５≦ｄ＜１．００） のうち少なくとも１種類以上を８９．０００〜９９．９
９５ ｍｏｌ％、Ｔ２０． 、 ｙｙ５のうち少なくと
も１種類以上をｏ、００１〜２．９５≦ｄ＜１．００ｏ
ｍｏｌ％ 、００２０３ 、 ＣｕＯ、Ａｇ２Ｏのうち
少なくとも１種類以上を０．００１〜４．０００ ｍｏ
ｌチ、ＺｒＯ２を０．００１〜５．０００ ｍｏｌ％含
有してなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得るこ
とにより上記の問題点を解決しようとするものである。
Ｓｒ、ｘ）、 Ｔｉｅ、 （０，００１≦ｘ≦０．４゜
０．９６≦７＜１．００） （Ｂａａ、 Ｓｒ＋−ａ）ｂ Ｔｉｅ、 （０，００１
≦ａ≦０．４゜０．９６≦ｔ）＜１．００） （ＭｇｃＳｒ、−０）ｄＴ１０３（０，００１≦０≦０
＋４゜０．９５≦ｄ＜１．００） のうち少なくとも１種類以上を８９．０００〜９９．９
９５ ｍｏｌ％、Ｔ２０． 、 ｙｙ５のうち少なくと
も１種類以上をｏ、００１〜２．９５≦ｄ＜１．００ｏ
ｍｏｌ％ 、００２０３ 、 ＣｕＯ、Ａｇ２Ｏのうち
少なくとも１種類以上を０．００１〜４．０００ ｍｏ
ｌチ、ＺｒＯ２を０．００１〜５．０００ ｍｏｌ％含
有してなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を得るこ
とにより上記の問題点を解決しようとするものである。
作用
本発明の磁器組成物による作用は次の通りとなる。まず
、一般に３ｒＴｉ０３を半導体化させるには半導体化促
進剤を添加し、還元焼成するが、これだけでは半導体化
促進剤の種類によってはあまり半導体化が進まない場合
がある。
、一般に３ｒＴｉ０３を半導体化させるには半導体化促
進剤を添加し、還元焼成するが、これだけでは半導体化
促進剤の種類によってはあまり半導体化が進まない場合
がある。
そこで、５ｒＴｉ０５のＳｒを他の元素例えば（ａ。
Ｂａ 、 Ｍｇなどで置換すると結晶構造に歪を生じ半
導体化が促進される。また、Ｔｉに対するｓｒ。
導体化が促進される。また、Ｔｉに対するｓｒ。
Ｃａ・ Ｂａ 、 Ｍｇの割合を化学量論よりＴ１過剰
にすることにより格子欠陥が発生し、半導体化がさらに
促進され、同時に粒成長が促進される。
にすることにより格子欠陥が発生し、半導体化がさらに
促進され、同時に粒成長が促進される。
従って、５ｒＴｉ０５とｓｒをＣａ 、 Ｂａ 、 Ｍ
ｇなどで置換し、Ｔｉ過剰にしたものとでは最終的に得
られる溶結体の微細構造、特性が著しく異なり、別の組
成物であると考えられる。
ｇなどで置換し、Ｔｉ過剰にしたものとでは最終的に得
られる溶結体の微細構造、特性が著しく異なり、別の組
成物であると考えられる。
次に、Ｃｏ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＡＨ２０、ＺｒＯ２を添加
することによりこれらが粒界に偏析し、粒界を高抵抗化
させ、バリスタ特性を発現させる。
することによりこれらが粒界に偏析し、粒界を高抵抗化
させ、バリスタ特性を発現させる。
またサラニ、Ｂ２Ｏ５、Ｎｉｐ、 ＭｏＯ３、Ｂｅｏ。
Ｆｅ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、０ｒ２０５． ＰｂＯ、ＣａＯ
、ＴｉＯ２。
、ＴｉＯ２。
Ｐ２Ｏ５，５ｂ２０５．Ａｌ２Ｏ５，ｖ２０５ヲ添加ス
ルと、それらが粒界に偏析し、粒界に形成されるノ；リ
ヤーの高さを高くするためバリスタ特性が改善される。
ルと、それらが粒界に偏析し、粒界に形成されるノ；リ
ヤーの高さを高くするためバリスタ特性が改善される。
実施例
以下に本発明を実施例をあげて具体的に説明する０
ｓｒｃｏ５． ＣａＣＯ３、Ｂ２ＬＣＯ５、ｙｇｃｏ、
、 ＴｉＯ２を下記の第１表の組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで６ｏ時間混合し、乾燥した後
、１０００°Ｃで１０時間仮焼する０こうして得られた
仮焼物に添加物を下記の第１表の組成比になるように秤
量し、ボールミルなどで２４時間混合し、乾燥した後、
ポリビニルアルコールなどの・（インダーを１０ ｗｔ
係添加して造粒した後、１ｔ／ＣΔのプレス圧力で１０
φ１ｊｈＬ Ｘ １ ｍｌの円板状に成形する。
、 ＴｉＯ２を下記の第１表の組成比になるように
秤量し、ボールミルなどで６ｏ時間混合し、乾燥した後
、１０００°Ｃで１０時間仮焼する０こうして得られた
仮焼物に添加物を下記の第１表の組成比になるように秤
量し、ボールミルなどで２４時間混合し、乾燥した後、
ポリビニルアルコールなどの・（インダーを１０ ｗｔ
係添加して造粒した後、１ｔ／ＣΔのプレス圧力で１０
φ１ｊｈＬ Ｘ １ ｍｌの円板状に成形する。
そして、その成形体を空気中で１００ｏ′Ｃで２時間仮
焼し、脱バインダーを行った後、Ｎ２：Ｈ２＝９：１の
混合ガス中で１６００°Ｃ・３時間焼成する。さらに、
空気中で１２００’Ｃ・５時間焼成し、得られた第１図
、第２図に示す焼結体１の両平面に外周を残すようにし
てムｇなどの導電性ペーストをスクリーン印刷し、６０
０°Ｃ・６分焼成し、電極２．３（（−形成する。次に
、半田などによりリード線を取付け、エポキシなどの樹
脂塗装を行う。
焼し、脱バインダーを行った後、Ｎ２：Ｈ２＝９：１の
混合ガス中で１６００°Ｃ・３時間焼成する。さらに、
空気中で１２００’Ｃ・５時間焼成し、得られた第１図
、第２図に示す焼結体１の両平面に外周を残すようにし
てムｇなどの導電性ペーストをスクリーン印刷し、６０
０°Ｃ・６分焼成し、電極２．３（（−形成する。次に
、半田などによりリード線を取付け、エポキシなどの樹
脂塗装を行う。
このようにして得られた素子の特性を以下の第２表に示
す。
す。
なお、第２表での誘電率はＩ ＫＨｚ での静電容量
から計算したものであり、サージ耐量はパルス性の電流
を印加した後のｖ＋ｍＡ（１ｍ Ａの電流をを通した時
の電圧）の変化が±１０％以内である時の最大のパルス
性電流値により評価している０以上に示したように、第
２成分は０．００１未満では効果を示さず、２．０００
ｍｏｌ％を越えるとｔａｎδが大きくなり、もれ電流が
増加する。また、第３成分は０．００１ｍｏｌ％未満で
は効果を示さず、４．０００ ｍｏｌ％を越えるとバリ
スタ電圧が著しく大きくなり、誘電率、サージ耐量の低
下を招く。
から計算したものであり、サージ耐量はパルス性の電流
を印加した後のｖ＋ｍＡ（１ｍ Ａの電流をを通した時
の電圧）の変化が±１０％以内である時の最大のパルス
性電流値により評価している０以上に示したように、第
２成分は０．００１未満では効果を示さず、２．０００
ｍｏｌ％を越えるとｔａｎδが大きくなり、もれ電流が
増加する。また、第３成分は０．００１ｍｏｌ％未満で
は効果を示さず、４．０００ ｍｏｌ％を越えるとバリ
スタ電圧が著しく大きくなり、誘電率、サージ耐量の低
下を招く。
さらに、第４成分は０．００１ ｍｏｌ％未満では効果
を示さず、５．０９５≦ｄ＜１．００１ｌＩＯ１％を越
えるとバリスタ電圧の上昇、誘電率、サージ耐量の低下
を招く。
を示さず、５．０９５≦ｄ＜１．００１ｌＩＯ１％を越
えるとバリスタ電圧の上昇、誘電率、サージ耐量の低下
を招く。
そして、第５成分は０．００１ ｍｏｌ％未満では効果
を示さず、５．０００ｍｏｌ％を越えるとバリスタ電圧
の上昇、誘電率、サージ耐量の低下を招く。なお、この
第５成分を含まない場合も不発明の範囲に入ることは上
述した通りである。
を示さず、５．０００ｍｏｌ％を越えるとバリスタ電圧
の上昇、誘電率、サージ耐量の低下を招く。なお、この
第５成分を含まない場合も不発明の範囲に入ることは上
述した通りである。
ここで、第３．第４．第６成分はそれぞれ粒界に偏析し
、粒界の高抵抗化に寄与し、バリスタ特性の改善に有効
である。
、粒界の高抵抗化に寄与し、バリスタ特性の改善に有効
である。
なお、本実施例では一部の添加物についてのみ示したが
、その他の添加物の組合せでも同様の効果があることを
確認した。
、その他の添加物の組合せでも同様の効果があることを
確認した。
また、主成分（ＣａｘＳｒ、−ｘ）、 ＴｉＯ３。
（Ｂ＆、ＬＳｒ、−＆）ｂＴｉｅ、 、 （ＭｇｃＳｒ
、−０）ｄＴｉｅ。
、−０）ｄＴｉｅ。
の” ＋ １ ＋ ’ ｓ ｂ＋ ’ ＋ ｄの範囲を
規定したのは、ｘ、ａ、ｃは０．００１未満では効果を
示さず、０．４を越えると粒成長及び半導体化が抑制さ
れるため特性が劣化する。
規定したのは、ｘ、ａ、ｃは０．００１未満では効果を
示さず、０．４を越えると粒成長及び半導体化が抑制さ
れるため特性が劣化する。
ｙ、ｂ、＋１は１．ｏＯでは格子欠陥が発生せず、半導
体化を促進しないし、０．９５より小さくなるとＴ１過
剰となりすぎてＴ１の結晶が生成し、組織が不均一にな
り特性が劣化する。
体化を促進しないし、０．９５より小さくなるとＴ１過
剰となりすぎてＴ１の結晶が生成し、組織が不均一にな
り特性が劣化する。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、バリスタ電圧が低
く、αが大きく、誘電率が犬きく、ｔａｎδが小さく、
サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足すること
ができる。
く、αが大きく、誘電率が犬きく、ｔａｎδが小さく、
サージ耐量が大きいといった特性を同時に満足すること
ができる。
従って、比較的電圧の低いノイズや静電気の吸収にすぐ
れた効果を示し、誘電率が大きいことから立上りの鋭い
パルスに対してもすぐれた応答性を示し、半導体の保護
素子としての機能を十分に果たすことができ、その実用
上の効果は極めて大きい０
れた効果を示し、誘電率が大きいことから立上りの鋭い
パルスに対してもすぐれた応答性を示し、半導体の保護
素子としての機能を十分に果たすことができ、その実用
上の効果は極めて大きい０
■
第１に第２図は本発明の一実施例による素子を示す上面
図と正面図である。 １・・・・・・焼結体、２・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ／−−−九縞俸 ２．３−−一電き
図と正面図である。 １・・・・・・焼結体、２・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ／−−−九縞俸 ２．３−−一電き
Claims (2)
- （１）（Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴｉＯ＿３（
０．００１≦ｘ≦０．４）（０．９５≦ｙ＜１．００） （Ｂａ＿ａＳｒ＿１＿−＿ａ）＿ｂＴｉＯ＿３（０．０
０１≦ａ≦０．４）（０．９５≦ｂ＜１．００） （Ｍｇ＿ｃＳｒ＿１＿−＿ｃ）＿ｄＴｉＯ＿３（０．０
０１≦ｃ≦０．４）（０．９５≦ｄ＜１．００） のうち少なくとも１種類以上を８９．０００〜９９．９
９５ｍｏｌ％、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＹＦ＿３のうち少なくと
も１種類以上を０．００１〜２．０００ｍｏｌ％、Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ、Ａｇ＿２Ｏのうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜４．０００ｍｏｌ％、ＺｒＯ＿２
を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物。 - （２）（Ｃａ＿ｘＳｒ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴｉＯ＿３（
０．００１≦ｘ≦０．４）（０．９５≦ｙく１．００） （Ｂａ＿ａＳｒ＿１＿−＿ａ）＿ｂＴｉＯ＿３（０．０
０１≦ａ≦０．４）（０．９５≦ｂ＜１．００） （Ｍｇ＿ｃＳｒ＿１＿−＿ｃ）＿ｄＴｉＯ＿３（０．０
０１≦ｃ≦０．４）（０．９５≦ｄ＜１．００） のうち少なくとも１種類以上を８２．０００〜９９．９
９４ｍｏｌ％、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＹＦ＿３のうち少なくと
も１種類以上を０．００１〜２．０００ｍｏｌ％、Ｃｏ
＿２Ｏ＿３、ＣｕＯ、Ａｇ＿２Ｏのうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜４．０００ｍｏｌ％、ＺｒＯ＿２
を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％、Ｂ＿２Ｏ＿３、Ｎ
ｉＯ、ＭｏＯ＿３、ＢｅＯ、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、Ｌｉ＿２
Ｏ、Ｃｒ＿２Ｏ＿３、ＰｂＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ＿２、Ｐ
＿２Ｏ＿５、Ｓｂ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２Ｏ＿３、Ｖ＿２
Ｏ＿５のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５．
０００ｍｏｌ％含有してなる電圧依存性非直線抵抗体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275339A JPS62134903A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275339A JPS62134903A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134903A true JPS62134903A (ja) | 1987-06-18 |
Family
ID=17554090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60275339A Pending JPS62134903A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230007A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| CN117843364A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-04-09 | 湖南省美程陶瓷科技有限公司 | 压电陶瓷组合物及压电陶瓷元件 |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60275339A patent/JPS62134903A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230007A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| CN117843364A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-04-09 | 湖南省美程陶瓷科技有限公司 | 压电陶瓷组合物及压电陶瓷元件 |
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