JPS6213568A - 電子ビ−ム−直線形蒸着装置 - Google Patents
電子ビ−ム−直線形蒸着装置Info
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- JPS6213568A JPS6213568A JP61113823A JP11382386A JPS6213568A JP S6213568 A JPS6213568 A JP S6213568A JP 61113823 A JP61113823 A JP 61113823A JP 11382386 A JP11382386 A JP 11382386A JP S6213568 A JPS6213568 A JP S6213568A
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- electron beam
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 16
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、直線形蒸着装置の構造長に対して垂直方向で
この蒸着装置の全長にわたって運動させられる、温度に
敏感々かつ広幅を帯状材料或いは他の温度に敏感な物質
を電子ビームにより蒸着処理を行うための電子ビーム−
直線形蒸着装置に関する。
この蒸着装置の全長にわたって運動させられる、温度に
敏感々かつ広幅を帯状材料或いは他の温度に敏感な物質
を電子ビームにより蒸着処理を行うための電子ビーム−
直線形蒸着装置に関する。
本発明の優れた利用分野は、後方散乱された電子が許容
し得々い程に高い加熱および/又は静電気的ま帯電を伴
う薄い合成物質箔および紙を蒸着処理することKある。
し得々い程に高い加熱および/又は静電気的ま帯電を伴
う薄い合成物質箔および紙を蒸着処理することKある。
従来の技術
電子ビームが縦長の蒸発器ルツボの表面上に力学的に成
る線に清って偏向されることを特徴としている電子ビー
ム−直線形蒸着装置は公知である。更に、蒸発器ルツボ
と物質量に磁石トラップを設けることも知られている。
る線に清って偏向されることを特徴としている電子ビー
ム−直線形蒸着装置は公知である。更に、蒸発器ルツボ
と物質量に磁石トラップを設けることも知られている。
この磁石トラップは被蒸着物質において後方散乱された
電子を積層されるべき物質から隔離する働きを行う。磁
石トラップとしては一般に水平な磁界が使用され、この
磁界内で入射される電子ビームも、また後方散乱される
電子も偏向される。
電子を積層されるべき物質から隔離する働きを行う。磁
石トラップとしては一般に水平な磁界が使用され、この
磁界内で入射される電子ビームも、また後方散乱される
電子も偏向される。
この場合電子ビームは磁気的な力線の方向に対してほぼ
垂直方向で(ドイツ民主共和国特許公報第54154号
および第64107号参照)、或いは力線に対して傾斜
方向で(ドイツ民主共和国特許公報第204947号参
照)水平な磁界内に入射される。
垂直方向で(ドイツ民主共和国特許公報第54154号
および第64107号参照)、或いは力線に対して傾斜
方向で(ドイツ民主共和国特許公報第204947号参
照)水平な磁界内に入射される。
力線に対してほぼ垂直方向での入射は極めて簡単々作業
方法ではあるが、極めて広幅、な被蒸着物質の積層処理
の際後方散乱される電子に対して信頼性のある保勲は全
く配慮されていない。
方法ではあるが、極めて広幅、な被蒸着物質の積層処理
の際後方散乱される電子に対して信頼性のある保勲は全
く配慮されていない。
またこの入射は、−次電子ビームが広がりを持った磁界
を通過し得るには、比較的僅かな磁界強度が許容される
に過ぎないと言う点に条件ずけられる。
を通過し得るには、比較的僅かな磁界強度が許容される
に過ぎないと言う点に条件ずけられる。
力線に対して傾斜方向での入射は水平な磁界の二つの磁
極片を介して行われ、これにより実質的に高い磁界の使
用が許容され、従って後方散乱される電子に対する物質
の確実な保護が保証される。傾斜方向での入射によるこ
のような高度な作用の磁界を実現するに当たっての問題
点は、真直ぐな偏向線を形成しようとする際、電子ビー
ムをこの電子ビームの各々の偏向相において力線に対し
て同じ角度で水平な磁界内に入射させなければならない
と言うことである。
極片を介して行われ、これにより実質的に高い磁界の使
用が許容され、従って後方散乱される電子に対する物質
の確実な保護が保証される。傾斜方向での入射によるこ
のような高度な作用の磁界を実現するに当たっての問題
点は、真直ぐな偏向線を形成しようとする際、電子ビー
ムをこの電子ビームの各々の偏向相において力線に対し
て同じ角度で水平な磁界内に入射させなければならない
と言うことである。
この問題を解決するために、電子銃と水平な磁界との間
に磁気的な扇形野を設けることが提案されている(ドイ
ツ民主共和国特許公報第204947号参照)。この場
合、磁界強度とこの扇形磁界の入射縁部の位置は、電子
ビームが各々の偏向相において等しい角度でこの扇形磁
界から射出され水平な磁界内に入射されるように選択さ
れる。極めて広幅が物質を積層するためのこの磁界の適
用範囲を更に拡大するために、電子ビームと扇形磁界と
の間にシールド室を設けることが提案されている(ドイ
ツ民主共和国特許公報第208955号参照)。このよ
うな方法により、電子ビーム領域内の真空挙動が改善さ
れ、まな電子ビームの散乱磁界による不正な偏向も回避
される。
に磁気的な扇形野を設けることが提案されている(ドイ
ツ民主共和国特許公報第204947号参照)。この場
合、磁界強度とこの扇形磁界の入射縁部の位置は、電子
ビームが各々の偏向相において等しい角度でこの扇形磁
界から射出され水平な磁界内に入射されるように選択さ
れる。極めて広幅が物質を積層するためのこの磁界の適
用範囲を更に拡大するために、電子ビームと扇形磁界と
の間にシールド室を設けることが提案されている(ドイ
ツ民主共和国特許公報第208955号参照)。このよ
うな方法により、電子ビーム領域内の真空挙動が改善さ
れ、まな電子ビームの散乱磁界による不正な偏向も回避
される。
高度な作用の磁石トラップを実現するための、この磁気
的な扇形野全体にわたる電子ビームの傾斜方向での入射
による従来提案されている解決策は、蒸発器ルツボ上へ
の真直ぐな偏向線を形成するためにこの磁気的な扇形野
の磁界強度が高い定数を有してい々ければならないと言
う欠点を有している。この要件は扇形磁界が空間的に大
きな広が9を有している場合充分光たされない。なぜな
らこの扇形磁界が隣接している水平な磁界よりも約10
倍に弱く、かつ水平な磁界の不均一な散乱磁界がこの扇
形磁界に影響を与えるからである。この結果偏向線が散
乱磁界に依存して歪曲し、この歪曲が帯状物質の幅全体
にわたる不均一な蒸気流の分散を招くからである。
的な扇形野全体にわたる電子ビームの傾斜方向での入射
による従来提案されている解決策は、蒸発器ルツボ上へ
の真直ぐな偏向線を形成するためにこの磁気的な扇形野
の磁界強度が高い定数を有してい々ければならないと言
う欠点を有している。この要件は扇形磁界が空間的に大
きな広が9を有している場合充分光たされない。なぜな
らこの扇形磁界が隣接している水平な磁界よりも約10
倍に弱く、かつ水平な磁界の不均一な散乱磁界がこの扇
形磁界に影響を与えるからである。この結果偏向線が散
乱磁界に依存して歪曲し、この歪曲が帯状物質の幅全体
にわたる不均一な蒸気流の分散を招くからである。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、公知技術の欠点を回避すること、およ
び高度の作用を有する磁石トラップを備え、偏向線の高
い精度を保証しかつこれに伴い層厚の高度の均一性をも
保証する電子ビーム−直線形蒸着装置を造ることである
。
び高度の作用を有する磁石トラップを備え、偏向線の高
い精度を保証しかつこれに伴い層厚の高度の均一性をも
保証する電子ビーム−直線形蒸着装置を造ることである
。
本発明の根底をなす課題は、力学的に偏向された電子ビ
ームが二つの磁極片の一つの磁極片内の磁極片間隙を通
って磁石トラップの水平な磁界内に入射され、かつ電子
ビームの入射角が、電子銃と水平な磁界間で不規則なか
つ時間的に可変な干渉磁界が発生した場合でも各々の偏
向相内で等しい角度で電子ビームが水平な磁界に入射さ
れるように干渉可能な磁石トラップを備えた電子ビーム
−蒸着装置を造ることである。
ームが二つの磁極片の一つの磁極片内の磁極片間隙を通
って磁石トラップの水平な磁界内に入射され、かつ電子
ビームの入射角が、電子銃と水平な磁界間で不規則なか
つ時間的に可変な干渉磁界が発生した場合でも各々の偏
向相内で等しい角度で電子ビームが水平な磁界に入射さ
れるように干渉可能な磁石トラップを備えた電子ビーム
−蒸着装置を造ることである。
問題を解決するための手段
上記の課題は本発明によ)、縦長な蒸発器ル ゛ツボ
、力学的な電子ビーム偏向部を備えた電子銃および蒸発
器ルツボ、上べ設けられた、水平な磁界を備えた磁石ト
ラップを備えた電子ビーム−蒸着装置により以下のよう
にして解決される。
、力学的な電子ビーム偏向部を備えた電子銃および蒸発
器ルツボ、上べ設けられた、水平な磁界を備えた磁石ト
ラップを備えた電子ビーム−蒸着装置により以下のよう
にして解決される。
即ち、力学的に偏向された電子ビームが水平な磁界に入
射する際に経る磁極片間隙内に局所的Kかつ時間的に可
変な垂直方向の磁界を発生させる手段を設けるととくよ
って解決される。これにより、蒸発器ルツボに沿った水
平な磁界内への電子ビームの入射角度を任意に制御する
ことが可能となり、かつこの入射角度を局所的なかつ時
間的な不規則性にもかかわらず常に、蒸発器ルツボの中
心線Kaつた真直ぐな偏向線が得られるように調節する
ことが可能となる。
射する際に経る磁極片間隙内に局所的Kかつ時間的に可
変な垂直方向の磁界を発生させる手段を設けるととくよ
って解決される。これにより、蒸発器ルツボに沿った水
平な磁界内への電子ビームの入射角度を任意に制御する
ことが可能となり、かつこの入射角度を局所的なかつ時
間的な不規則性にもかかわらず常に、蒸発器ルツボの中
心線Kaつた真直ぐな偏向線が得られるように調節する
ことが可能となる。
磁極片間隙内で局所的にかつ時間的に可変な垂直な磁界
を、磁極片間隙の上側面および下側面にそれぞれ一つの
水平な磁極片板を設け、この磁極片板を上方に励磁コイ
ルを備えている多数の軟磁気性のヨークを介して残シの
磁極片に結合するととくよって、形成するのが有利であ
る。上方および下方の磁極片板のためのヨークは正確に
互いに上下に設けられている。それぞれ二つの互いに上
下に存在しているヨーク上に設けられな励磁コイルを同
じ方向で同じ電流が流通する。磁極片板が間隙によって
分−されておらずかつ−貫しているにもかかわらずこれ
らの磁極片板間に空間的に異なる垂直な磁界を形成する
ことが可能であることは意想外なことである。これは、
それぞれ互いK1下に存在しているコイルを等し電流が
、しかも互いに並んでいるコイルを異なる電流が流通す
るように構成することによって達せられる。このようK
して、同じ磁極片板の内部において磁界方向を逆転させ
ることする可能である。更に1時間的に可変な干渉磁界
が生じた際コイル電fItft適当に変えるとと忙より
、常に蒸発器ルツボの中心線に沿った真直ぐな偏向線が
形成されるように配慮することすら可能である。
を、磁極片間隙の上側面および下側面にそれぞれ一つの
水平な磁極片板を設け、この磁極片板を上方に励磁コイ
ルを備えている多数の軟磁気性のヨークを介して残シの
磁極片に結合するととくよって、形成するのが有利であ
る。上方および下方の磁極片板のためのヨークは正確に
互いに上下に設けられている。それぞれ二つの互いに上
下に存在しているヨーク上に設けられな励磁コイルを同
じ方向で同じ電流が流通する。磁極片板が間隙によって
分−されておらずかつ−貫しているにもかかわらずこれ
らの磁極片板間に空間的に異なる垂直な磁界を形成する
ことが可能であることは意想外なことである。これは、
それぞれ互いK1下に存在しているコイルを等し電流が
、しかも互いに並んでいるコイルを異なる電流が流通す
るように構成することによって達せられる。このようK
して、同じ磁極片板の内部において磁界方向を逆転させ
ることする可能である。更に1時間的に可変な干渉磁界
が生じた際コイル電fItft適当に変えるとと忙より
、常に蒸発器ルツボの中心線に沿った真直ぐな偏向線が
形成されるように配慮することすら可能である。
磁極片間隙を通過する際の電子ビームの不所望な偏向或
いは歪曲を回避するため、電子ビームが各々の偏向相内
で境界縁に対して60〜 −90’の角度で磁極片間隙
内に入射するように、磁極片間隙の境界縁を電子銃の方
向に配向させかつそのように形成するのが有利である。
いは歪曲を回避するため、電子ビームが各々の偏向相内
で境界縁に対して60〜 −90’の角度で磁極片間隙
内に入射するように、磁極片間隙の境界縁を電子銃の方
向に配向させかつそのように形成するのが有利である。
実施例
以下に添付して図面に図示した実施例につき本発明の詳
細な説明する。
細な説明する。
第1図には、水平に設けられた電子銃2から磁極片4の
間隙3を通って蒸発器ルツボ5の表面上に種々異なる偏
向相で力学的に偏向された電子ビーム1の挙動が示され
ている。蒸発器ルツボ5の相対している側面には磁石ト
ラップの水平な磁界7を形成するための第二の磁極片6
が設けられて1いる。電子銃2はこの実施例にあっては
蒸発器ルツボ5の縦軸線に対して垂直に設けられている
。しかし、この電子銃、を蒸発器ルツボの縦軸線に対し
て傾斜して設けることも可能である。電子銃のこの配設
け、電子ビーム1が60〜90°の角度βで磁極片間隙
3内に入射するように選択される。
間隙3を通って蒸発器ルツボ5の表面上に種々異なる偏
向相で力学的に偏向された電子ビーム1の挙動が示され
ている。蒸発器ルツボ5の相対している側面には磁石ト
ラップの水平な磁界7を形成するための第二の磁極片6
が設けられて1いる。電子銃2はこの実施例にあっては
蒸発器ルツボ5の縦軸線に対して垂直に設けられている
。しかし、この電子銃、を蒸発器ルツボの縦軸線に対し
て傾斜して設けることも可能である。電子銃のこの配設
け、電子ビーム1が60〜90°の角度βで磁極片間隙
3内に入射するように選択される。
第2図および第3図には、上方の磁極片板9、下方の磁
極片板10、軟磁気性ヨーク11およびこの軟磁気性の
ヨーク上に存在している励磁コイル12により磁極片間
隙3の内部において局所的に異なる水平な磁界8の形成
が図示されている。上方および下方の磁極片板9.10
のためのヨーク11は互いに正確に重ねて設けられてい
る。二つの互いに上下に重なって存在しているヨーク1
1上に設けられた励磁コイル12は電気的に相前後して
接続されており、かつこれをそれぞれ同じ方向で同じ電
流が流過する。これにより、磁極片板9,10を側面で
分割しなくとも、励磁コイル12を備えた互いに上下に
存在している個々のヨーク11の領域内で、一方の領域
から他方の領域内へと磁界強度値の異なる推移を有する
異なる強度の垂直な磁界8が生成することが可能となる
。互いに上下に存在しているそれぞれ二つの励磁コイル
12は別個の電源により、電子ビーム1がこれらの励磁
コイルの領域内で所望の強度で水平面内で偏向されるよ
うに励磁される。このようにして、電子ビーム1が各々
の偏向相において、即ち各々の励磁コイル対の領域内で
同じ角度αで水平な磁界7内に入射し、蒸発器ルツボ5
の中心線に沿った真直ぐな偏向線13が形成される。電
子銃2と蒸発器ルツボ5間の磁気的な散乱磁界により妨
害偏向が生じた際或いはその時間的な変化が生じた際、
これによって条件ずけられる偏向線13の歪曲を同様に
コイル[流を変えることによって補償することが可能と
なる。
極片板10、軟磁気性ヨーク11およびこの軟磁気性の
ヨーク上に存在している励磁コイル12により磁極片間
隙3の内部において局所的に異なる水平な磁界8の形成
が図示されている。上方および下方の磁極片板9.10
のためのヨーク11は互いに正確に重ねて設けられてい
る。二つの互いに上下に重なって存在しているヨーク1
1上に設けられた励磁コイル12は電気的に相前後して
接続されており、かつこれをそれぞれ同じ方向で同じ電
流が流過する。これにより、磁極片板9,10を側面で
分割しなくとも、励磁コイル12を備えた互いに上下に
存在している個々のヨーク11の領域内で、一方の領域
から他方の領域内へと磁界強度値の異なる推移を有する
異なる強度の垂直な磁界8が生成することが可能となる
。互いに上下に存在しているそれぞれ二つの励磁コイル
12は別個の電源により、電子ビーム1がこれらの励磁
コイルの領域内で所望の強度で水平面内で偏向されるよ
うに励磁される。このようにして、電子ビーム1が各々
の偏向相において、即ち各々の励磁コイル対の領域内で
同じ角度αで水平な磁界7内に入射し、蒸発器ルツボ5
の中心線に沿った真直ぐな偏向線13が形成される。電
子銃2と蒸発器ルツボ5間の磁気的な散乱磁界により妨
害偏向が生じた際或いはその時間的な変化が生じた際、
これによって条件ずけられる偏向線13の歪曲を同様に
コイル[流を変えることによって補償することが可能と
なる。
第1図は蒸発器ルツボの縦方向に対して垂直に設けられ
た電子銃を備えている、磁石トラップによる電子ビーム
−直線形蒸着装置の水平断面図、 第2図は蒸発器ルツボ縦方向に対して垂直方向で見た、
第1図による電子ビーム−直線形蒸着装置の垂直断面図
、 第3図は第1図による電子ビーム−蒸着装置の磁極片の
垂直断面図。 図中符号は、 3・・・磁極片間隙 4・・・磁極片 8・・・磁界
た電子銃を備えている、磁石トラップによる電子ビーム
−直線形蒸着装置の水平断面図、 第2図は蒸発器ルツボ縦方向に対して垂直方向で見た、
第1図による電子ビーム−直線形蒸着装置の垂直断面図
、 第3図は第1図による電子ビーム−蒸着装置の磁極片の
垂直断面図。 図中符号は、 3・・・磁極片間隙 4・・・磁極片 8・・・磁界
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、縦長な蒸発器ルツボ、力学的な電子ビーム偏向部を
備えている電子銃および水平な磁界を備えていてかつ蒸
発器ルツボ上方に設けられた磁界石トラップとを備えて
おり、この磁石トラップ内に等しい角度での各々の偏向
相で以て力学的に偏向された電子ビームが磁極片間隙を
通して力線に対して傾斜して入射される様式の電子ビー
ム−直線形蒸着装置において、磁極片間隙(3)内に磁
極片(4)に沿って局所的にかつ時間的に可変な垂直な
磁界(8)形成するための手段が設けられていることを
特徴とする、電子ビーム−直線形蒸着装置。 2、磁極片間隙(3)に沿って可変な垂直な磁界(8)
を形成するために上方および下方に各々一つの一貫した
磁極片板(9、10)が設けられており、これら二つの
磁極片板(9、10)の各々が励磁コイル(12)を備
えている多数の軟磁気性ヨーク(11)を介して水平な
磁界(7)の磁極片(4)と磁気的に結合されている、
特許請求の範囲第1項に記載の電子ビーム−直線形蒸着
装置。 3、上方および下方の磁極片板(9、10)のための軟
磁気性のヨーク(11)が正確に互いに上下に設けられ
ており、これら二つの互いに上下に存在しているヨーク
(11)上に設けられている励磁コイル(12)を同じ
方向で等しい電流が流過するように構成されている、特
許請求の範囲第1項或いは第2項に記載の電子ビーム−
直線形蒸着装置。 4、磁極片間隙(3)に沿って軟磁気性ヨーク(11)
上に設けられている励磁コイル対(12)が、電子ビー
ム(1)が各々の偏向相で等しい角度αで磁極片間隙(
3)から水平な磁界(7)内に入射するように励起され
るように構成されている、特許請求の範囲第1項から第
3項までのいずれか一つに記載の電子ビーム−直線形蒸
着装置。 5、電子ビーム(1)が各々の偏向相で境界縁に対して
60〜90°の角度βで磁極片間隙(3)内に入射する
ように、磁極片間隙(3)が電子銃(2)の方向に区画
されている、特許請求の範囲第1項から第4項までのい
ずれか一つに記載の電子ビーム−直線形蒸着装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD23C/276578.3 | 1985-05-22 | ||
| DD27657885A DD237526A1 (de) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | Elektronenstrahl - linienverdampfer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213568A true JPS6213568A (ja) | 1987-01-22 |
| JPH0582469B2 JPH0582469B2 (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=5567996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61113823A Granted JPS6213568A (ja) | 1985-05-22 | 1986-05-20 | 電子ビ−ム−直線形蒸着装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213568A (ja) |
| DD (1) | DD237526A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290194A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Nec Corp | 選択的連想記憶装置及びその制御方式 |
| WO2003062486A1 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Yonsei University | Linear or planar type evaporator for the controllable film thickness profile |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3639683A1 (de) * | 1986-11-20 | 1988-05-26 | Leybold Ag | Verdampferanordnung mit einem rechteckigen verdampfertiegel und mehreren elektronenkanonen |
| DE4113364C1 (ja) * | 1991-04-24 | 1992-04-02 | Forschungsgesellschaft Fuer Elektronenstrahl- Und Plasmatechnik Mbh, O-8051 Dresden, De | |
| DE19523529A1 (de) * | 1995-06-28 | 1997-01-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zum Hochrate-Elektronenstrahlbedampfen breiter Substrate |
| DE102009057486A1 (de) * | 2009-12-10 | 2011-06-16 | Ferrotec Gmbh | Ablenkvorrichtung für Elektronenstrahlen, magnetische Ablenkeinheit für eine solche Ablenkvorrichtung und Vorrichtung zum Bedampfen eines flächigen Substrates mit einer solchen Ablenkvorrichtung |
-
1985
- 1985-05-22 DD DD27657885A patent/DD237526A1/de not_active IP Right Cessation
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1986
- 1986-05-20 JP JP61113823A patent/JPS6213568A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290194A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Nec Corp | 選択的連想記憶装置及びその制御方式 |
| WO2003062486A1 (en) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Yonsei University | Linear or planar type evaporator for the controllable film thickness profile |
| CN100340694C (zh) * | 2002-01-22 | 2007-10-03 | 延世大学校 | 可控膜厚分布的线型或平面型蒸发器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DD237526A1 (de) | 1986-07-16 |
| JPH0582469B2 (ja) | 1993-11-19 |
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